JP2606332B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JP2606332B2 JP2606332B2 JP28270588A JP28270588A JP2606332B2 JP 2606332 B2 JP2606332 B2 JP 2606332B2 JP 28270588 A JP28270588 A JP 28270588A JP 28270588 A JP28270588 A JP 28270588A JP 2606332 B2 JP2606332 B2 JP 2606332B2
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- lead frame
- lead
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明の半導体装置は、アウターリード部に半田被覆
を施した樹脂封止半導体装置に関し、特にそのアウター
リード曲げ部のリード・フレーム素材の半田被覆による
耐蝕性の向上及び半田付信頼性の向上に関するものであ
る。
を施した樹脂封止半導体装置に関し、特にそのアウター
リード曲げ部のリード・フレーム素材の半田被覆による
耐蝕性の向上及び半田付信頼性の向上に関するものであ
る。
従来、この種の半導体装置は、リードフレームの所定
の部分を樹脂成形により、封止した後、露出リード・フ
レーム部分を表面処理後、半田メッキ又は半田ディップ
等によりリードフレーム素材を半田によりコーティング
している。この後、表面半田被覆された露出リード・フ
レーム部分（以下アウターリード）を曲げ加工し、所望
の半導体装置のアウターリード外形を形成している。
の部分を樹脂成形により、封止した後、露出リード・フ
レーム部分を表面処理後、半田メッキ又は半田ディップ
等によりリードフレーム素材を半田によりコーティング
している。この後、表面半田被覆された露出リード・フ
レーム部分（以下アウターリード）を曲げ加工し、所望
の半導体装置のアウターリード外形を形成している。
上述した従来の樹脂封止半導体装置はアウターリード
部への半田層被覆後、所望のアウターリード部のプレス
曲げ加工を行っているため、リード曲げ時にプレス金型
が接触するリード部表面の被覆半田表面が削られ、更
に、リードフレーム素材表面から半田層がはげ落ちると
いう欠点があった。
部への半田層被覆後、所望のアウターリード部のプレス
曲げ加工を行っているため、リード曲げ時にプレス金型
が接触するリード部表面の被覆半田表面が削られ、更
に、リードフレーム素材表面から半田層がはげ落ちると
いう欠点があった。
また、半田がはげ落ちた後は通常リード・フレームに
使用されている鉄，銅等の素材表面が露出した状態とな
るので、半導体装置の置かれた環境が悪いと腐蝕及びさ
びを生じ、更にセット基板への実装時のリード半田付性
が局部的に悪化するという欠点がある。
使用されている鉄，銅等の素材表面が露出した状態とな
るので、半導体装置の置かれた環境が悪いと腐蝕及びさ
びを生じ、更にセット基板への実装時のリード半田付性
が局部的に悪化するという欠点がある。
更にリード曲げ時にははげ落ちた半田片は、不安定な
状態にて、半導体装置のアウターリード部に付着してい
るため、半導体装置を使用する機器セットへの実装時、
反動片が落下し、プリント基板上の露出回路間をショー
トさせるという欠点がある。
状態にて、半導体装置のアウターリード部に付着してい
るため、半導体装置を使用する機器セットへの実装時、
反動片が落下し、プリント基板上の露出回路間をショー
トさせるという欠点がある。
上述した従来の半導体装置の製造方法に対し、本発明
の半導体装置の製造方法においては、上述の欠点が発生
するアウターリード曲げ部に水素トーチを照射し、プレ
ス金型と接触したアウターリードの被覆半田表面を曲げ
加工前の状態に再生する。
の半導体装置の製造方法においては、上述の欠点が発生
するアウターリード曲げ部に水素トーチを照射し、プレ
ス金型と接触したアウターリードの被覆半田表面を曲げ
加工前の状態に再生する。
すなわち、本発明の樹脂封止半導体装置の製造方法
は、半田被覆処理後のアウターリード曲げ加工を行った
直後に水素トーチを前述のアウターリード曲げ部に当て
ることを特徴としている。
は、半田被覆処理後のアウターリード曲げ加工を行った
直後に水素トーチを前述のアウターリード曲げ部に当て
ることを特徴としている。
本発明の製造方法においては、プレス曲げ加工時に削
り取られた半田片は、再溶融し、更に水素還元雰囲気で
あるため、露出したリード・フレーム素材表面も還元状
態にあるので、再溶融された半田片が再度素材の表面に
均一に被覆され、曲げ加工前の状態に完全に再生するこ
とが可能である。
り取られた半田片は、再溶融し、更に水素還元雰囲気で
あるため、露出したリード・フレーム素材表面も還元状
態にあるので、再溶融された半田片が再度素材の表面に
均一に被覆され、曲げ加工前の状態に完全に再生するこ
とが可能である。
なお、露出リード・フレーム部の半田被覆処理として
は半田ディップ又は半田コーティング法が用いられる。
は半田ディップ又は半田コーティング法が用いられる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。半導体
チップ１はリードフレーム２上に固着されている。封止
樹脂３は半導体チップ１を被う様に形成されている。４
は金属リードフレーム２の表面露出リードフレーム素材
であり、５はアウターリードフレーム素材４の表面に被
覆された半田層である。６はアウターリード部に照射さ
れる本発明の半導体装置の製造方法に使用される水素ト
ーチである。
チップ１はリードフレーム２上に固着されている。封止
樹脂３は半導体チップ１を被う様に形成されている。４
は金属リードフレーム２の表面露出リードフレーム素材
であり、５はアウターリードフレーム素材４の表面に被
覆された半田層である。６はアウターリード部に照射さ
れる本発明の半導体装置の製造方法に使用される水素ト
ーチである。
第２図は従来の半導体装置であり、７は曲げプレス金
型に接触し、被覆半田を削り取られたため露出した素材
表面、８は削り取られ、不安定にアウターリードに付着
している半田片である。
型に接触し、被覆半田を削り取られたため露出した素材
表面、８は削り取られ、不安定にアウターリードに付着
している半田片である。
以上説明したように本発明はプレス曲げ加工されたア
ウターリード曲げ部に水素トーチを当てることにより、
削り取られた半田片が再溶融し、曲げ加工前の状態に再
生されるため、前述のアウターリード部の素材露出及び
半田片がなくなるため、従来の半導体装置にみられた欠
点は皆無となる。
ウターリード曲げ部に水素トーチを当てることにより、
削り取られた半田片が再溶融し、曲げ加工前の状態に再
生されるため、前述のアウターリード部の素材露出及び
半田片がなくなるため、従来の半導体装置にみられた欠
点は皆無となる。
更に本発明の水素トーチによるアウターリード部の被
覆半田再生は、水素の還元雰囲気下で進行するため、他
のアウターリード部の半田表面の酸化も発生しないため
半導体装置のアウターリード部の半田付性の劣化もな
く、また水素トーチによる半田片の再溶融は0.1〜0.5秒
の短時間で可能であるため、プレス曲げ加工の製造設備
とのインライン化も可能であるため、従来の工程への付
加も簡便に行なえるという利点を有する。
覆半田再生は、水素の還元雰囲気下で進行するため、他
のアウターリード部の半田表面の酸化も発生しないため
半導体装置のアウターリード部の半田付性の劣化もな
く、また水素トーチによる半田片の再溶融は0.1〜0.5秒
の短時間で可能であるため、プレス曲げ加工の製造設備
とのインライン化も可能であるため、従来の工程への付
加も簡便に行なえるという利点を有する。
第１図は本発明の一実施例の樹脂封止半導体装置の製造
方法を説明するための断面図、第２図は従来の製造方法
による樹脂封止半導体装置である。 １……半導体チップ、２……金属リードフレーム、３…
…封止樹脂、４……リードフレームのアウターリード
部、５……アウターリード被覆半田、６……水素トー
チ、７……アウターリード素材露出部、８……半田片。
方法を説明するための断面図、第２図は従来の製造方法
による樹脂封止半導体装置である。 １……半導体チップ、２……金属リードフレーム、３…
…封止樹脂、４……リードフレームのアウターリード
部、５……アウターリード被覆半田、６……水素トー
チ、７……アウターリード素材露出部、８……半田片。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体チップを固着し、金属細線にて半導
体チップと金属リードフレームを結線した後に、樹脂に
て半導体チップ及び金属細線を被う様に樹脂封止した
後、露出した金属リードフレームの表面に半田メッキを
施した後、曲げ加工する半導体装置の製造方法に於い
て、前記曲げ加工部に水素トーチを照射することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28270588A JP2606332B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28270588A JP2606332B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02128456A JPH02128456A (ja) | 1990-05-16 |
| JP2606332B2 true JP2606332B2 (ja) | 1997-04-30 |
Family
ID=17655979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28270588A Expired - Lifetime JP2606332B2 (ja) | 1988-11-08 | 1988-11-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2606332B2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-08 JP JP28270588A patent/JP2606332B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02128456A (ja) | 1990-05-16 |
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