JPH06232313A - 半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
半導体装置用リードフレーム及びそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
及びそれによるリードの切断、曲げ加工時のハンダヒゲ
の発生を防ぐことができるリードフレームを提供する。 【構成】 リードフレーム材11の上に錫メッキ層30
を施し、更にその上にハンダメッキ層20を施してい
る。アウターリードの最表面はハンダメッキとなる。ハ
ンダメッキ層20には錫21と鉛22とが含まれてい
る。
Description
のリードフレームに関し、特にアウタリード部に予めハ
ンダメッキが施されているプリプレーテッドフレーム
(Pre Plated Frame:以下、PPFと
略記する)に関する。
ンブリプロセスを図15(a)に示す。このプロセスに
よれば、まずウェハーをダイシングしてチップとする。
次いで得られたチップはダイパッド部及びインナーリー
ド部に銀メッキが施されたリードフレームに銀ペースト
を用いてダイボンドされる。次いで金ワイヤにてインナ
リード部とチップ間がワイヤボンドされ、その後、モー
ルド樹脂にて封止される。モールド樹脂封止工程の後、
アウターリードの表面処理としてハンダメッキ、錫メッ
キ、ハンダディップ等が施される。次いで、フォーミン
グ、マーク工程、電気テスト、外観検査が順次行われ
る。
して、予めリードフレーム段階でインナリード部やダイ
パッド部への銀メッキだけではなく、アウターリード部
にもハンダメッキ等を施したリードフレーム(PPF)
を用いたアセンブリプロセスが提案されている。例えば
特開昭51−115775号公報にそのようなプロセス
が記載されている。
プロセスのフローチャートを示す。
ールド工程後に外装メッキとしたハンダメッキ等を施す
必要はない。PPFは予めリードフレームのインナリー
ドに銀メッキ、アウタリードにハンダメッキを形成した
リードフレームであるためである。
あるのでアセンブリ工程でアウタリードのハンダメッキ
が熔融すればこの半導体装置を基板に実装する時にハン
ダ付け性が劣化する問題とアウタリードのハンダメッキ
が変色し半導体装置の外観の不良となる問題が発生す
る。従って各工程においてアウタリードのハンダメッキ
が熔融、変色しないような低温アセンブリプロセス(1
83℃以下)が必要である。
それぞれ183℃以下で硬化するダイボンド材、モール
ド樹脂材を開発して導入する必要がある。
使用すればモールド後にアウタリードメッキを施す必要
がないので2日ほどの手番短縮になることと外装メッキ
を省略できるのでコストダウンとなることとから近年P
PFを用いたアセンブリプロセスが注目されている。
中、70はアウターリード、71はアウターリードのハ
ンダメッキ、80はインナーリード、81はインナーリ
ードの銀メッキ、90はダイパッド、91はダイパッド
上の銀メッキである。
るアウタリードのメッキは主にハンダメッキである。
図においては、リードフレーム材11上にハンダメッキ
層20が形成されており、ハンダメッキ層20には錫2
1及び鉛22が含まれている。
の他に錫メッキを実施することもあるが半導体装置実装
時のハンダ付け性が改善される点でほとんどがハンダメ
ッキになっている。またハンダメッキとして使用される
ハンダの錫と鉛の成分比は6:4と9:1があるが後者
を使用することが多い。
装置のアウタリードメッキとして使用するハンダメッキ
は錫や鉛の元素を使用し鉛や錫以外の金属を混入するこ
とはない。
接施すことが多いが、ハンダメッキハンダメッキ下地と
の密着性を上げるためハンダメッキ下に銅、錫/ニッケ
ル等のストライクメッキを施すこともある。
ので水洗した後にリードフレームを乾燥する目的で熱風
を吹きかけて(約100℃、10秒程度)加熱すること
はあるがリードフレームを乾燥する目的以外で熱を加え
ることはない。
導体装置の断面図を示す。リードフレーム素材として4
2アロイ合金を用いた場合の従来のPPFメッキ仕様と
しては図7に示すようにワイヤボンディング領域の銀メ
ッキ81とアウタリード部70のハンダメッキ71が交
差せず、またモールド樹脂116内にハンダメッキ71
が入り込む構造をとる場合が多い。またハンダメッキ7
1は42アロイ上に直接施されるか、特開昭60−79
760に示されるように下地として0.1〜0.3μm
程度のCuストライク・メッキを施す場合がある。これ
はPPF作成プロセスとしてインナーリード部及びダイ
パッド部以外をマスクして銀メッキを形成し、その後ア
ウタリード部以外をマスクしてハンダメッキを形成する
場合に、銀メッキ表面に付着するハンダの置換メッキ層
の悪影響を防止する目的で銀メッキ後に全面剥離用仮メ
ッキとして0.3μm程度の銅メッキを施してハンダメ
ッキするものであり。この場合は、ハンダメッキ後の銅
メッキ剥離により置換メッキが除去されるものであり、
銀メッキの下地には銅メッキは存在しない構造になる。
する課題はモールド後に発生するハンダメッキ変形であ
る。このハンダメッキ変形はモールド後にアウタリード
間に発生する。
にハンダメッキを施しているため発生するものでPPF
を使用しない図15(b)のアセンブリプロセスでは発
生しない。
〜図11に基づいて説明する。
ルプレスでクランプした後の状態を示す上面図である。
図中、C、C’はモールド金型のクランプ境界線であ
る。
断面図であり、アウターリード間でのハンダメッキの変
形を示す。
側断面図であり、モールド樹脂を流し込む前のモールド
金型120がリードフレームをクランプしている状態を
示す。
の斜視図である。
リード70のハンダメッキ層20をモールド金型120
でクランプした場合に、モールド金型クランプ部121
に存在するハンダメッキが圧延されアウタリード間に入
り込みハンダメッキのバリ状変形100が発生する(図
8、9)。
されている部分(ダムバー部分等)が1〜3ton/c
m2の圧力で型締めされるためにクランプ部121では
図8、9に示すようにハンダメッキが変形して、変形部
分100がリード間にはみ出してしまう。この状態で金
型キャビティ内にモールド樹脂116が注入され、樹脂
硬化処理後にリードの切断、曲げ加工が実施される。そ
のため、ダムバー内に充填された樹脂部を落とし、さら
にダムバーを切断した時に、はみ出したハンダ変形部分
100がリード側面に付着し、リード曲げ加工時にその
ヒゲ状の形101で残ってしまう。
材が42ArroyのようなFe系素材(Fe:Ni=
58:42)を使用した場合に多く発生する。これは、
銅フレーム上にハンダメッキされたハンダメッキの方が
熱時硬度が高いことに起因する。
ミング工程でタイバー部の樹脂バリ取りを実施しても除
去できないことがあり、その場合はアウタリード間にハ
ンダのヒゲ101のように残り半導体装置実装後の端子
間ショートやリークの原因になる(図11)。
(0.65mm以下)多ピンQFPの半導体装置で品質
信頼性上重大な問題となる。
度をハンダ熔融温度以下(183℃以下)で使用するの
でハンダメッキが熔融して発生するのではなくモールド
金型の大きなクランプ圧力と熱時硬度の低いハンダメッ
キが原因で発生する。
0〜180℃を使用しているが、この温度でのハンダメ
ッキ硬度は常温に比べ低くなる。本願の発明者によりハ
ンダメッキの硬度は常温で約16Hk(ヌープ硬度、重
り1g)であるが170℃では約5Hkに下がることが
確認されている。
いように更にモールド金型の温度を下げていくとトラン
スファーモールドが困難になるのでモールド金型温度を
下げることはできない。
クランプ圧力を低くすることによってハンダメッキ変形
の程度は良くなることが確認された。
t/cm2 から約1t/cm2 に落とすとハンダメッキ
変形の大きさの程度は改善されたがハンダメッキ変形の
発生数を低減するまでには至らなかった。
とモールド金型とリードフレームの隙間から樹脂漏れが
発生してモールド成型が不可能になるのでモールド金型
のクランプ圧力を下げてハンダメッキ変形を防止するこ
とはできなかった。
厚さを4μm以下にすると発生しなくなりハンダメッキ
の厚さが厚い程ハンダメッキ変形の大きさは大きくな
る。
た場合0.4mm以上のハンダメッキ変形がアウタリー
ド間に発生した。
使用した場合アウタリード間がハンダ変形したハンダで
埋まってしまった。
によってクランプされると4μm位まで膜減りしその膜
減りした分のハンダメッキがハンダメッキ変形としてア
ウタリード間にはみ出す。
できるのだがPPFを作製するハンダメッキ厚の制御が
±1μmであるためハンダメッキ厚を4μm以下にする
にはハンダメッキの平均厚を3±1μmにしなければな
らない。
にするにはハンダメッキ厚さのバラツキが2〜4μmと
なる。
た場合半導体装置の基板への実装時にハンダメッキ付け
性を劣化させるのでハンダメッキ厚を薄くすることはで
きない。
ダメッキ変形を防止することは困難であった。
モールド金型のクランプ圧力を小さくすることとハンダ
メッキの厚みを薄くすることを試みたが十分な対策とは
ならなかった。
ンプ部11にハンダメッキを施さないようにすることが
公開特許公報平3−191557にて提案されている。
メッキを省こうとした場合ハンダメッキの位置精度が現
状では±0.4mmであるのでアウタリードの短い半導
体装置にはアウタリードにハンダメッキを形成されない
場合もあり、すべての半導体装置に導入できるとは限ら
ないことが分かった。
されていないリード部分が樹脂封止外形よりも外側に露
出することになり、耐食性に劣ったり、その部分への樹
脂バリ発生といった問題も発生する。
るハンダメッキ変形及びそれによるリードの切断、曲げ
加工時のハンダヒゲの発生を防ぐことができるリードフ
レームを提供することを目的とする。
ダメッキ変形はハンダメッキの熱時硬度が低いために発
生することに着目し、ハンダメッキの熱時硬度を高めハ
ンダメッキ変形を防止する。
求項1に記載の発明においては、アウタリードのハンダ
メッキの下に錫メッキ層を介在させたことを特徴とす
る。
アウタリードをハンダメッキ浴中にハンダメッキ熱時硬
度を高める元素を含有させてハンダメッキしたことを特
徴とする。
アウタリードのハンダメッキの下にハンダメッキ中に拡
散しやすい金属のメッキを施してハンダメッキの熱時硬
度を高めたことを特徴とする。
ダメッキ中に拡散しやすい金属が銅であることが好まし
く、このときの銅メッキの膜厚は請求項5に示すように
1μm以上であってもよい。また、請求項6に示すよう
にインナーリード及びダイパッドに形成された銀メッキ
の下にも銅メッキが形成されていてもよい。
アウターリードのハンダメッキ中にハンダに拡散しやす
い金属からなる層を1層または2層形成してハンダメッ
キの熱時硬度を高めたことを特徴とする。
ターリードのハンダメッキの断面図を示した。リードフ
レーム材11の上に錫メッキ層30を施し、更にその上
にハンダメッキ層20を施している。アウターリードの
最表面はハンダメッキとなる。ハンダメッキ層20には
錫21と鉛22とが含まれている。
ッキを1層施す場合はハンダ付け性を考慮して3μm以
上のハンダメッキ膜厚を必要とするが本発明によるアウ
タリードメッキの構造は再表面のハンダメッキ厚(0.
5μm以上)とハンダメッキ下地の錫メッキ厚の合計が
3μm以上あれば十分なハンダ付け性を確保できた。
かった。
薄くし硬度の高い錫メッキ層30を厚くした。
ンダメッキに大きく依存するので、ハンダメッキは通常
9:1ハンダが多いが本発明ではアウタリードの再表面
に6:4ハンダを使用すると更にハンダ付けが改善され
ることを確認した。
ダメッキのアウターリードの断面図を示した。ハンダメ
ッキ中に銅23のようなハンダメッキの硬度を高くする
元素を含有させる。図中、40は銅が混入したハンダメ
ッキ層を表し、21、22は図1の場合と同様、夫々
錫、鉛を示す。銅以外の金属ではニッケルが良好であっ
た。
MA/Eletron ProbeMicroscop
e Analysis 測定結果)を上限とする。
ハンダ付け性が劣化するからである。
に銅イオンを含有させて錫、鉛の3元系のハンダメッキ
浴とし、PPFを製造する時にそのハンダメッキ浴を使
用する。
標準酸化還元電位が−0.13Vであるのに対して銅の
標準酸化還元電位は+0.34Vであり単純に2元系の
ハンダメッキ浴中に銅イオンを加えて3元系のハンダメ
ッキ浴を作ったのでは銅のメッキ成長スピードが非常に
速くなるので銅の標準酸化還元電位をネガティブ方向に
シフトさせるように銅は錯体の形で混入し、アウタリー
ドのハンダメッキ中の銅含有率が1.0%を越えないよ
うにハンダメッキ浴中の銅濃度を管理する。
20Hkであり、ハンダメッキ変形は発生しなかった。
タリードメッキを示す。ハンダメッキ層20の下地に銅
等のハンダメッキに拡散しやすい金属層50が形成され
ている。図中、23は銅等の金属を示す。金属層50の
銅23は拡散によりハンダメッキ層中に拡散するが、図
3(a)はハンダメッキ層を施した直後を示し、銅23
はハンダメッキ20内に十分拡散しておらず、わずかに
ハンダメッキ層と金属層との界面で1μm程度発生して
いる。一方、図3(b)は銅23が十分に拡散したのち
の状態を示し、銅23が均一に拡散したハンダメッキ層
60を形成している。
層に比し十分な厚さとすることにより実現することもで
きるが、より有効にはハンダの熔融温度以下の温度を加
えることにより実現される。この場合、金属層は比較的
薄くすることができる。
0.2〜0.5μm、加熱温度175℃にて1Hrでハ
ンダメッキ中に銅が0.1〜0.3%程度拡散してい
く。
ハンダメッキは硬度を増す。
ンダメッキの熱時硬度は約20Hvとなる。ハンダメッ
キ中に銅を拡散させない場合の熱時硬度が5Hvである
ので大幅な硬度増加となる。
散が進みハンダメッキの硬度は更に高くなるが銅がハン
ダメッキ中に拡散し過ぎてハンダ付け性を劣化させる。
実際に175℃にて24Hr加熱するとハンダメッキの
変色とハンダ付け性の劣化が見られる。
ては銅メッキの膜厚を1μm以上とした場合、加熱処理
を施さなくとも、銅の十分な拡散を期待できる。
成される銀メッキの下地にも銅メッキ層を形成すること
により銀メッキとリードフレーム素材の密着性を確保す
ることが可能となる。
熱時硬度を高めることができるが、ニッケルはハンダと
の密着性に乏しく、リード切断・曲げ加工時に変形部が
部分的に剥離し、ハンダヒゲが発生しやすくなるので、
銅メッキのほうがより好ましいものである。
タリードメッキを示す。リードフレーム材11の上に第
1のハンダメッキ層20を施した後にハンダに拡散しや
すい銅等の金属層50を施し更にその上より第2のハン
ダメッキ層20を形成する。
やすい銅等の金属を形成し、加熱処理なしでハンダメッ
キの熱時硬度を高くすることが可能である。
変形防止の効果がことなるがハンダメッキの間に銅等の
金属を0.2〜0.5μm程度形成するだけで銅等の金
属がハンダメッキと接している界面近傍(1μm程度)
に拡散していくので、ハンダメッキの熱時硬度を高くす
ることができる。
合に0.2〜0.5μmの銅メッキでは効果が低下する
ので銅メッキの厚さを厚くしたり、銅メッキの層の数を
増加させる必要がある。
ッキを1層付けるハンダメッキ構造では、約5μmのハ
ンダメッキ厚のハンダメッキ変形防止に有効である。
キ厚を約1.5μmにするか銅メッキ(0.2〜0.5
μm)を2層形成する必要がある。
ハンダメッキに形成される銅メッキ層の数や厚さを増加
させた方がよりハンダメッキ変形に対して大きな効果が
あるが、加熱することにより更にハンダメッキの熱時硬
度を上げるために十分な効果が現れる。
る。
4ピンのクウァド・フラット・パッケージ(QFP)タ
イプでリードフレーム厚は0.15mm、アウタリード
ピッチ0.8mm、リードフレーム材質は42アロイで
ある。
いて説明する。
のインナーリード部及びダイパッド部以外をマスクし
て、銀メッキを行い、インナーリード部及びダイパッド
部に銀メッキ層を形成し、その後、アウターリード部以
外をマスクして、錫メッキ層30を形成した。次いで錫
メッキ層30の上から更にハンダメッキ層20を形成し
た。その結果、図1に示すようにアウタリードメッキの
ハンダメッキ層20の下に錫メッキ層30を有するもの
が得られた。
ードフレームに錫メッキを4μm形成しその錫メッキ上
に更に6:4ハンダメッキを1μm施し合計5μmとし
た。
チップ111を160〜170℃で硬化可能なエポキシ
系銀ペーストでダイボンドし、同じく160〜170℃
で超音波を印加しながらワイヤボンドする。その後、金
型温度160℃、型締圧力2ton/cm2 で半導体チ
ップ111を搭載したPPFを型締めし、注入圧力10
0kg/cm2 でモールドした後、金型から取り出し
た。
ンダ付け性も問題ないことを確認した。
て説明する。
のインナーリード部及びダイパッド部以外をマスクし
て、銀メッキを行い、インナーリード部及びダイパッド
部に銀メッキ層を形成し、その後、アウタリード部以外
をマスクしてハンダメッキを施した。ハンダメッキ浴と
して錫と鉛以外に銅の含有量を0.01〜0.05%程
度に調整した。ハンダメッキ浴の温度は常温で電流密度
は2A/dm2 、メッキ時間は2分で実施した。製造し
たハンダメッキ中の厚さは約5μmであり銅濃度は約
0.5%になった。
チップ111を160〜170℃で硬化可能なエポキシ
系銀ペーストでダイボンドし、同じく160〜170℃
で超音波を印加しながらワイヤボンドする。その後、金
型温度160℃、型締圧力2ton/cm2 で半導体チ
ップ111を搭載したPPFを型締めし、注入圧力10
0kg/cm2 でモールドした後、金型から取り出し
た。
℃)は25Hkでありモールド後のハンダメッキ変形は
なく、ハンダ付け性も問題ないことを確認した。
の実施例を説明する。
1上銅メッキ層50を形成する。次いでその上からニッ
ケルメッキを行い、ニッケルメッキ層51を形成する。
更に再度銅メッキを行い、ニッケルメッキ層51上に銅
メッキ層50を形成する。その後、部分銀メッキを行
い、インナーリード部のみに銀メッキ層81を形成す
る。次いでアウターリード部のみにハンダメッキを施
し、ハンダメッキ層20を形成する。最後に銀メッキ層
81とハンダメッキ層20をマスクにして上側の銅メッ
キ層をエッチングする。
さは0.2〜0.5μmである。また、ハンダメッキ層
の厚さは約5.0μmである。
散を促進するため加熱する。加熱条件はオーブンの中で
ハンダメッキの熔融しないように175℃、1Hrとし
た。
体チップ111を160〜170℃で硬化可能なエポキ
シ系銀ペーストでダイボンドし、同じく160〜170
℃で超音波を印加しながらワイヤボンドする。その後、
金型温度160℃、型締圧力2ton/cm2 で半導体
チップ111を搭載したPPFを型締めし、注入圧力1
00kg/cm2 でモールドした後、金型から取り出し
た。
ンダ付け性も問題ないことを確認した。
ダメッキへの銅の拡散は促進し加熱時間を短くできる。
20Hkであり加熱時間を長くすると更にハンダメッキ
の熱時硬度は高くなる。
確認した。但し、ニッケルはハンダとの密着性に乏し
く、リード切断・曲げ加工時に変形部が部分的に剥離
し、ハンダヒゲが発生しやすくなる。
ド部のハンダメッキ層の下地として1μm以上の銅メッ
キ層を施した。先の実施例とは異なり加熱処理はしてい
ない。
m以上の銅メッキ層を施した。
散量に影響を与え、例えばハンダメッキ層厚6μmとし
た場合、加熱せずに十分な変形抵抗を得るには、1μm
以上の膜厚が必要になる(表1参照)。また、下地メッ
キとしては銅以外にニッケルでもモールド型締めでのハ
ンダ変形は抑制できるが、ハンダとの密着性に乏しく、
リード切断・曲げ加工時に変形部が部分的に剥離し、ハ
ンダヒゲが発生しやすくなる。
すようにパターンが形成された42アロイ素材フレーム
表面を脱脂を行い、銅メッキ層50を全面に1μm厚以
上形成する。次にインナリード部80およびダイパッド
部90表面以外をマスクして銀メッキ81、91を5μ
m厚形成し、その後、アウタリード部70以外をマスク
してSn/Pb=90/10のハンダメッキ20を6μ
m形成する。次に銀メッキ層81とハンダメッキ層20
をマスクにして銅メッキ50を剥離した後、銀メッキ表
面に付着したハンダの置換メッキ層を剥離して乾燥す
る。ハンダメッキ5の下地に形成される1μm以上の銅
メッキ層は銀メッキと42アロイ素材との密着性を確保
する目的にも適用できる。また、銅メッキ50を剥離し
ないで残しておいても特に問題はない。
体チップ111を160〜170℃で硬化可能なエポキ
シ系銀ペーストでダイボンドし、同じく160〜170
℃で超音波を印加しながらワイヤボンドする。その後、
金型温度160℃、型締圧力2ton/cm2 で半導体
チップ111を搭載したPPFを型締めし、注入圧力1
00kg/cm2 でモールドした後、金型から取り出
し、160℃でポストキュアする。マーク工程を経て、
リード切断・曲げ加工を行い、電気テスト、外観検査を
行って出荷される。本実施例によるPPFを用いた樹脂
封止型半導体装置の断面構造を図14に示す。
ンダ付け性も問題ないことを確認した。
す。
す。
のインナーリード部及びダイパッド部以外をマスクし
て、銀メッキを行い、インナーリード部及びダイパッド
部に銀メッキ層を形成し、その後、アウターリード部以
外をマスクして、第1層目のハンダメッキ層20を形成
した。その後、ハンダメッキ層20の上に銅メッキ層を
形成し、更にその上から第2のハンダメッキ層20を形
成した。
キ中に拡散していくが銅メッキ厚を0.2〜0.5μm
にしてハンダメッキ5μmを形成したPPFはハンダメ
ッキ変形に効果があった。
体チップ111を160〜170℃で硬化可能なエポキ
シ系銀ペーストでダイボンドし、同じく160〜170
℃で超音波を印加しながらワイヤボンドする。その後、
金型温度160℃、型締圧力2ton/cm2 で半導体
チップ111を搭載したPPFを型締めし、注入圧力1
00kg/cm2 でモールドした後、金型から取り出し
た。
ンダ付け性も問題ないことを確認した。
ッキ変形を防止するにはハンダメッキ中に形成する銅メ
ッキ厚を厚くするか、銅メッキ層を2層以上にする必要
がある。
を1.5μmにするとハンダメッキ変形防止に効果があ
った。
すと更にハンダメッキ変形に効果があることも確認して
いる。
メッキ中の銅メッキ厚を0.2〜0.5μm(1層)に
しても加熱処理を実施すればより以上のハンダメッキ変
形防止効果が現れた。
の発明によれば、ハンダメッキの下に硬度の高い錫メッ
キを設けたので、アウターリードメッキ全体としては硬
度が高まり、従ってモールド時のハンダメッキの変形も
なく、またフォーミング工程後のハンダメッキ変形によ
って生じるハンダメッキのバリもなくなりPPFを使用
した信頼性の高いパッケージを提供できる。
ンダメッキ浴中に混入せられた熱時硬度を高める元素が
形成されたハンダメッキ中にも含まれるので、ハンダ膜
質として硬度および融点の上昇により変形抵抗が高くな
り、モールド型締め時のハンダメッキ変形が抑制され、
またフォーミング工程後のハンダメッキ変形によって生
じるハンダメッキのバリもなくなりPPFを使用した信
頼性の高いパッケージを提供できる。
ば、ハンダメッキの下の金属層からの拡散により、ハン
ダメッキ中に、熱時硬度を高める元素が含まれるように
なり、ハンダ膜質として硬度および融点の上昇により変
形抵抗が高くなり、モールド型締め時のハンダメッキ変
形が抑制され、さらにリードフレーム素材とハンダとの
密着性が向上するため、リード切断・曲げ加工時のハン
ダヒゲ発生を抑えることができ、PPFを使用した信頼
性の高いパッケージを提供できる。
ンダメッキ層中に挿入された金属層からの拡散により、
ハンダメッキ中に、熱時硬度を高める元素が含まれるよ
うになり、ハンダ膜質として硬度および融点の上昇によ
り変形抵抗が高くなり、モールド型締め時のハンダメッ
キ変形が抑制され、またフォーミング工程後のハンダメ
ッキ変形によって生じるハンダメッキのバリもなくなり
PPFを使用した信頼性の高いパッケージを提供でき
る。
ルド金型のクランプ部にハンダメッキが施されていても
ハンダメッキ変形が防止できるのですべての半導体装置
に導入可能である。
キ構造を示す断面図である。
キ構造を示す断面図である。
キ構造を示す断面図である。
キ構造を示す断面図である。
断面図である。
る。
後のPPFの状態を示す上面図である。
る。
る。
形を示す斜視図である。
る。
る。
置の断面図である。
ある。
Claims (8)
- 【請求項1】 半導体装置用のリードフレームであっ
て、アウタリードのハンダメッキの下に錫メッキ層を介
在させたことを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項2】 半導体装置用のリードフレームであっ
て、アウタリードをハンダメッキ浴中にハンダメッキ熱
時硬度を高める元素を含有させてハンダメッキしたこと
を特徴とする半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項3】 半導体装置用のリードフレームであっ
て、アウタリードのハンダメッキの下にハンダメッキ中
に拡散しやすい金属のメッキを施してハンダメッキの熱
時硬度を高めたことを特徴とする半導体装置用リードフ
レーム。 - 【請求項4】 ハンダメッキ中に拡散しやすい金属が銅
である請求項3に記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項5】 ハンダメッキの下に形成された銅メッキ
の膜厚が1μm以上である請求項4に記載の半導体装置
用リードフレーム。 - 【請求項6】 インナーリード及びダイパッドに形成さ
れた銀メッキの下にも銅メッキが形成されている請求項
4に記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項7】 半導体装置用のリードフレームであっ
て、アウターリードのハンダメッキ中にハンダに拡散し
やすい金属からなる層を1層または2層形成してハンダ
メッキの熱時硬度を高めたことを特徴とする半導体装置
用リードフレーム。 - 【請求項8】 請求項1から7のいずれか一項に記載の
リードフレームを用いた半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5013145A JP2989406B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法 |
US08/180,334 US5424578A (en) | 1993-01-29 | 1994-01-12 | Lead frame for use in a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP5013145A JP2989406B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH06232313A true JPH06232313A (ja) | 1994-08-19 |
JP2989406B2 JP2989406B2 (ja) | 1999-12-13 |
Family
ID=11825001
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP5013145A Expired - Lifetime JP2989406B2 (ja) | 1993-01-29 | 1993-01-29 | 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法 |
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Country | Link |
---|---|
US (1) | US5424578A (ja) |
JP (1) | JP2989406B2 (ja) |
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