JP2771145B2 - 耐腐食性リードフレーム - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップのパ
ッケージに関し、特に、銅合金よりなるリードフレーム
の酸化や腐食を防止するために、パッケージの一部とな
らず最終的には除去される部分に、パッケージとなる部
分を構成する銅金属よりイオン化しやすい亜鉛や亜鉛−
銅合金を用いることにより、酸化反応を最終的に除去さ
れる部分に集中させることにしたリードフレームに関す
る。
ッケージに関し、特に、銅合金よりなるリードフレーム
の酸化や腐食を防止するために、パッケージの一部とな
らず最終的には除去される部分に、パッケージとなる部
分を構成する銅金属よりイオン化しやすい亜鉛や亜鉛−
銅合金を用いることにより、酸化反応を最終的に除去さ
れる部分に集中させることにしたリードフレームに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームは、半導体パッケージの
組立工程において半導体チップを支持するためのもので
あり、半導体チップを外部回路と電気的に接続するため
のものである。リードフレームには、半導体チップをマ
ウントするダイパッドと、外部回路と電気的に接続する
リードとが含まれている。図７は、半導体パッケージの
組立工程において従来から一般に用いられてきた、銅合
金よりなるリードフレームを示す平面図である。
組立工程において半導体チップを支持するためのもので
あり、半導体チップを外部回路と電気的に接続するため
のものである。リードフレームには、半導体チップをマ
ウントするダイパッドと、外部回路と電気的に接続する
リードとが含まれている。図７は、半導体パッケージの
組立工程において従来から一般に用いられてきた、銅合
金よりなるリードフレームを示す平面図である。
【０００３】図７において、リードフレーム（１０）
は、半導体チップをマウントするダイパッド（１）と、
ダイパッド（１０）を支持するタイバー（tie bar ；
２）と、金（Ａｕ）等のワイヤを介して半導体チップと
連結される内部リード（３）と、半導体チップを外部回
路と電気的に接続する外部リード（４）と、これらを取
り囲んでリードフレームの外観をなすサイドレール（si
de rail ；５）とで構成されている。前記サイドレール
（５）には孔（６）が設けられているが、孔（６）は、
前記リードフレーム（１０）を移動させるための移送孔
である。二点鎖線で示す部分（７）は、パッケージの胴
体部として封入される部分であり、前記外部リード
（４）とともに前記リードフレーム（１０）の機能部分
を構成する。これら以外の部分は、パッケージのモール
ド工程後、最終パッケージの形にする工程で切断され、
除去される非機能部分である。
は、半導体チップをマウントするダイパッド（１）と、
ダイパッド（１０）を支持するタイバー（tie bar ；
２）と、金（Ａｕ）等のワイヤを介して半導体チップと
連結される内部リード（３）と、半導体チップを外部回
路と電気的に接続する外部リード（４）と、これらを取
り囲んでリードフレームの外観をなすサイドレール（si
de rail ；５）とで構成されている。前記サイドレール
（５）には孔（６）が設けられているが、孔（６）は、
前記リードフレーム（１０）を移動させるための移送孔
である。二点鎖線で示す部分（７）は、パッケージの胴
体部として封入される部分であり、前記外部リード
（４）とともに前記リードフレーム（１０）の機能部分
を構成する。これら以外の部分は、パッケージのモール
ド工程後、最終パッケージの形にする工程で切断され、
除去される非機能部分である。
【０００４】リードフレームに用いられる材料は、リー
ドフレームの成型加工から半導体パッケージの組立、実
装に至るまでの全ての段階にわたって要求される特性を
備えている必要がある。このような特性には、機械的強
度や熱伝導度、電気伝導度等の一次特性と、スタンピン
グやエッチング等の加工特性、メッキやボンディングの
難易等の二次特性とがある。
ドフレームの成型加工から半導体パッケージの組立、実
装に至るまでの全ての段階にわたって要求される特性を
備えている必要がある。このような特性には、機械的強
度や熱伝導度、電気伝導度等の一次特性と、スタンピン
グやエッチング等の加工特性、メッキやボンディングの
難易等の二次特性とがある。
【０００５】前記した特性を備え、リードフレームに用
いられている材料の主なものに銅合金と合金４２（ニッ
ケル合金）がある。従来、リードフレームの材料には合
金４２が多く使用されたが、今日では、ニッケル合金と
同等の強度を有する銅素材の開発及びリードフレーム業
界の加工技術の向上に伴い、多ピンのリードフレームに
おいても銅または銅合金よりなるリードフレームの使用
が増加してきている。銅または銅合金よりなるリードフ
レームは、高い電気伝導度による素子の動作速度の向
上、高い熱伝導度によるパッケージの放熱特性の向
上、封止材料に使用される樹脂化合物（ＥＭＣ；Epox
y Molding Compound）に類似する熱膨張係数を有する、
低価の元素材使用によるリードフレームの生産費削
減、等の利点を有する。
いられている材料の主なものに銅合金と合金４２（ニッ
ケル合金）がある。従来、リードフレームの材料には合
金４２が多く使用されたが、今日では、ニッケル合金と
同等の強度を有する銅素材の開発及びリードフレーム業
界の加工技術の向上に伴い、多ピンのリードフレームに
おいても銅または銅合金よりなるリードフレームの使用
が増加してきている。銅または銅合金よりなるリードフ
レームは、高い電気伝導度による素子の動作速度の向
上、高い熱伝導度によるパッケージの放熱特性の向
上、封止材料に使用される樹脂化合物（ＥＭＣ；Epox
y Molding Compound）に類似する熱膨張係数を有する、
低価の元素材使用によるリードフレームの生産費削
減、等の利点を有する。
【０００６】しかしながら、銅または銅合金よりなるリ
ードフレームは酸化、腐食しやすいため、長期保管が
難しい、熱と水分を伴う半導体パッケージの組立工程
において酸化、腐食しやすい、酸化被膜による各種不
良（例えば、メッキやボンディングの不良、剥離等）の
発生、パッケージの信頼性の低下を招く、等の問題点
を有し、半導体チップの品質及び歩留りの低下の主要な
原因として作用し得るといった短所を有している。
ードフレームは酸化、腐食しやすいため、長期保管が
難しい、熱と水分を伴う半導体パッケージの組立工程
において酸化、腐食しやすい、酸化被膜による各種不
良（例えば、メッキやボンディングの不良、剥離等）の
発生、パッケージの信頼性の低下を招く、等の問題点
を有し、半導体チップの品質及び歩留りの低下の主要な
原因として作用し得るといった短所を有している。
【０００７】上述した酸化、腐食を防止するため、窒素
や水素雰囲気中で工程を進めて行くことも多いが、酸素
の流入を完全に断つことは難しい。
や水素雰囲気中で工程を進めて行くことも多いが、酸素
の流入を完全に断つことは難しい。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、銅合
金よりなるリードフレームを使用する際に発生する工程
時の各種問題点及び製品の信頼性低下を防止するため
に、従来の銅合金よりなるリードフレームの特性はその
まま維持しつつ、酸化及び腐食の問題点を最大限に抑制
することのできる新たな構造を有するリードフレームを
提供することにある。
金よりなるリードフレームを使用する際に発生する工程
時の各種問題点及び製品の信頼性低下を防止するため
に、従来の銅合金よりなるリードフレームの特性はその
まま維持しつつ、酸化及び腐食の問題点を最大限に抑制
することのできる新たな構造を有するリードフレームを
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明は、いわゆる”犠牲陽極法”(Sacrificepo
larization)を用い、実際の組立工程において発生する
銅合金よりなるリードフレームの酸化反応をリードフレ
ームの非機能(non-functional)部分、すなわち、パッケ
ージの一部とならず最終的には除去されて製品を構成し
ないサイドレール等からなる部分（図７の二点鎖線で示
す部分（７）及び外部リード（４）以外の部分）に集中
させることによって、パッケージの組立を完了して製品
となる機能部分の酸化を最大限に抑制することを特徴と
する。
めに、本発明は、いわゆる”犠牲陽極法”(Sacrificepo
larization)を用い、実際の組立工程において発生する
銅合金よりなるリードフレームの酸化反応をリードフレ
ームの非機能(non-functional)部分、すなわち、パッケ
ージの一部とならず最終的には除去されて製品を構成し
ないサイドレール等からなる部分（図７の二点鎖線で示
す部分（７）及び外部リード（４）以外の部分）に集中
させることによって、パッケージの組立を完了して製品
となる機能部分の酸化を最大限に抑制することを特徴と
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】金属表面の酸化膜は、下記の反応式で示さ
れるような酸素気体存在下の金属表面近傍における電気
化学的な反応で形成され、これが腐食の原因となる。
れるような酸素気体存在下の金属表面近傍における電気
化学的な反応で形成され、これが腐食の原因となる。
【００１２】金属の酸化）Ｍ→Ｍ2+＋２ｅ- 酸素の還元）１／２Ｏ2 ＋２ｅ- →Ｏ2- 酸化物形成）Ｍ2+＋Ｏ2-→ＭＯ しかるに、異種金属が相互に接触または導線等で電気的
に接続されているとき、これらの金属間には標準電極電
位またはガルバニ電位に基づき電位差が発生し、各々正
極と負極として作用することになる。以下に、主な金属
について電気化学列（標準電極電位序列）と腐食電位列
（ガルバニ電位序列）を示す。
に接続されているとき、これらの金属間には標準電極電
位またはガルバニ電位に基づき電位差が発生し、各々正
極と負極として作用することになる。以下に、主な金属
について電気化学列（標準電極電位序列）と腐食電位列
（ガルバニ電位序列）を示す。
【００１３】
【表１】 ＜電気化学列＞ （陰性）Au - Pt - Pd - Ag - Hg - Cu ・・・ Zn - Mn - Al - Mg - Be - Na - K（陽性） ＜腐食電位列＞ （陰性）Pt - Au - Ag - Cu - 黄銅 - Ni ・・・ Al - Zn - Mg合金 - Mg （陽性）
【００１４】図４は、亜鉛（Ｚｎ）と銅（Ｃｕ）とを接
触させたときに進行する電気化学反応のメカニズムを示
した図である。電気化学列と腐食電位列とでは若干の差
異があるが、銅と亜鉛とを接触させた場合には、亜鉛は
常に負極として作用し銅は常に正極として作用する。亜
鉛の標準電極電位は -0.762Vであり、銅の標準電極電位
は 0.345V であるので、亜鉛は電子を放出してＺｎ2+イ
オンに変わる（酸化反応）。電子は亜鉛から正極である
銅側に移動し、空気中のＨ2 Ｏは２ＯＨ- に変わる。Ｏ
Ｈ- イオンはＺｎ2+と反応し、正極と負極の境界部（図
４中、点線で示す部分）において亜鉛を腐食させる。
触させたときに進行する電気化学反応のメカニズムを示
した図である。電気化学列と腐食電位列とでは若干の差
異があるが、銅と亜鉛とを接触させた場合には、亜鉛は
常に負極として作用し銅は常に正極として作用する。亜
鉛の標準電極電位は -0.762Vであり、銅の標準電極電位
は 0.345V であるので、亜鉛は電子を放出してＺｎ2+イ
オンに変わる（酸化反応）。電子は亜鉛から正極である
銅側に移動し、空気中のＨ2 Ｏは２ＯＨ- に変わる。Ｏ
Ｈ- イオンはＺｎ2+と反応し、正極と負極の境界部（図
４中、点線で示す部分）において亜鉛を腐食させる。
【００１５】銅よりも亜鉛の方がイオン化し易いため銅
はイオン化せず、酸素気体が必要とする電子は全て亜鉛
が提供し、亜鉛自身はこれによってイオン化して（酸化
反応）、金属腐食となっていく。この場合の亜鉛を犠牲
陽極といい、イオン化し易い一方の金属（Ｚｎ）が還元
剤として働き、自身は酸化して、他方の金属（Ｃｕ）の
酸化、腐食が抑制される。
はイオン化せず、酸素気体が必要とする電子は全て亜鉛
が提供し、亜鉛自身はこれによってイオン化して（酸化
反応）、金属腐食となっていく。この場合の亜鉛を犠牲
陽極といい、イオン化し易い一方の金属（Ｚｎ）が還元
剤として働き、自身は酸化して、他方の金属（Ｃｕ）の
酸化、腐食が抑制される。
【００１６】かかる犠牲陽極法を適用するための本発明
によるリードフレームの一実施例を図１に示す。図１は
本発明によるリードフレームの一実施例の平面図であ
る。同図において、Ａ部の構造は図７の従来のリードフ
レームの場合と同じである。本実施例は、サイドレール
部分にＢ部及びＣ部を有する点で従来のリードフレーム
と異なっている。Ａ部は銅合金よりなり、Ｂ部、Ｃ部は
それぞれ亜鉛−銅合金、亜鉛よりなる。
によるリードフレームの一実施例を図１に示す。図１は
本発明によるリードフレームの一実施例の平面図であ
る。同図において、Ａ部の構造は図７の従来のリードフ
レームの場合と同じである。本実施例は、サイドレール
部分にＢ部及びＣ部を有する点で従来のリードフレーム
と異なっている。Ａ部は銅合金よりなり、Ｂ部、Ｃ部は
それぞれ亜鉛−銅合金、亜鉛よりなる。
【００１７】このように、従来のリードフレームの非機
能部分、すなわち、サイドレール部分を銅よりイオン化
し易い金属（例えば、亜鉛）とその合金（例えば、亜鉛
−銅合金）とで構成すれば、図４のメカニズムにより、
酸化反応はイオンし易い方の金属（亜鉛または亜鉛−銅
合金）に集中して生ずるため、銅合金よりなるリードフ
レームの腐食を防止することが可能となる。
能部分、すなわち、サイドレール部分を銅よりイオン化
し易い金属（例えば、亜鉛）とその合金（例えば、亜鉛
−銅合金）とで構成すれば、図４のメカニズムにより、
酸化反応はイオンし易い方の金属（亜鉛または亜鉛−銅
合金）に集中して生ずるため、銅合金よりなるリードフ
レームの腐食を防止することが可能となる。
【００１８】図１のリードフレームを実現する方法に
は、リードフレームのサイドレール部分に亜鉛、亜鉛−
銅合金をそれぞれコーティングする方法があり、また、
サイドレールの一部または全部を亜鉛及び亜鉛−銅合金
を用いて製造する方法がある。このためには、従来の合
金溶融やローリング加工の方法とは別に、各々の金属を
粉末の形態として所望の組成で混合して圧縮、焼結させ
る粉末合金の製造方法を用いることができる。
は、リードフレームのサイドレール部分に亜鉛、亜鉛−
銅合金をそれぞれコーティングする方法があり、また、
サイドレールの一部または全部を亜鉛及び亜鉛−銅合金
を用いて製造する方法がある。このためには、従来の合
金溶融やローリング加工の方法とは別に、各々の金属を
粉末の形態として所望の組成で混合して圧縮、焼結させ
る粉末合金の製造方法を用いることができる。
【００１９】図２は、本発明によるリードフレームの他
の実施例を示す。図２に示すリードフレームは、亜鉛−
銅合金よりなるＢ部を有しない点で図１の実施例と異な
る。すなわち、本発明によるリードフレームは、亜鉛よ
りなる部分が直接銅合金よりなる部分に隣接した構造を
とることができる。
の実施例を示す。図２に示すリードフレームは、亜鉛−
銅合金よりなるＢ部を有しない点で図１の実施例と異な
る。すなわち、本発明によるリードフレームは、亜鉛よ
りなる部分が直接銅合金よりなる部分に隣接した構造を
とることができる。
【００２０】図３は、本発明によるリードフレームの更
に他の実施例を示す。図中、二点鎖線は、リードフレー
ムの機能部分と非機能部分の境界を示す。同図におい
て、リードフレームは、ダイパッド（１）、内部リード
（３）、外部リード（４）及びタイバー（２）を含む機
能部分と、ダムバー（dam bar ；８）とサイドレール
（５）を含む非機能部分とで構成されている。非機能部
分には、銅よりイオン化し易い亜鉛または亜鉛−銅合金
をコーティングする。本実施例では、ダムバー（８）と
機能部分の境界部分、スロットと外部リード（４）の境
界部分から亜鉛または亜鉛−銅合金よりなる部分を設け
るようにする。
に他の実施例を示す。図中、二点鎖線は、リードフレー
ムの機能部分と非機能部分の境界を示す。同図におい
て、リードフレームは、ダイパッド（１）、内部リード
（３）、外部リード（４）及びタイバー（２）を含む機
能部分と、ダムバー（dam bar ；８）とサイドレール
（５）を含む非機能部分とで構成されている。非機能部
分には、銅よりイオン化し易い亜鉛または亜鉛−銅合金
をコーティングする。本実施例では、ダムバー（８）と
機能部分の境界部分、スロットと外部リード（４）の境
界部分から亜鉛または亜鉛−銅合金よりなる部分を設け
るようにする。
【００２１】このように、酸化を避けたい機能部分に隣
接するように亜鉛または亜鉛−銅合金よりなる部分を設
けることにより、リードフレームの銅合金よりなる機能
部分の酸化、腐食を有効に防止することができる。
接するように亜鉛または亜鉛−銅合金よりなる部分を設
けることにより、リードフレームの銅合金よりなる機能
部分の酸化、腐食を有効に防止することができる。
【００２２】図５と図６は、金属を３％の食塩水に浸し
たまま放置した場合、時間の経過とともに腐食が進行し
ていく様子を示したものである。図５は単純電極系にお
ける単一金属の腐食の進行を、図６は二種の異種金属を
食塩水中で接触させた状態での一方の金属の腐食の進行
を示したものである。横軸は時間（日数）の経過を示
し、縦軸は各々の金属の腐食量を示す。
たまま放置した場合、時間の経過とともに腐食が進行し
ていく様子を示したものである。図５は単純電極系にお
ける単一金属の腐食の進行を、図６は二種の異種金属を
食塩水中で接触させた状態での一方の金属の腐食の進行
を示したものである。横軸は時間（日数）の経過を示
し、縦軸は各々の金属の腐食量を示す。
【００２３】図５において、○、△、□は、それぞれ、
亜鉛、鉄、銅の腐食量を示す。時間の経過とともに、銅
に比較し亜鉛の腐食が急速に進行する様子がわかる。
亜鉛、鉄、銅の腐食量を示す。時間の経過とともに、銅
に比較し亜鉛の腐食が急速に進行する様子がわかる。
【００２４】図６は、亜鉛と他の金属、ここでは鉄また
は銅、を食塩水中で接触させた状態での一方の金属の腐
食の進行の様子を示している。○は銅に接触させた亜鉛
の腐食量を、◎は鉄に接触させた亜鉛の腐食量を示す。
これに対し、□は亜鉛に接触させた銅の腐食量を、△は
亜鉛に接触させた鉄の腐食量を示す。亜鉛と銅の接触系
においては酸化反応が亜鉛に集中し、銅に比べ亜鉛の腐
食量が極端に多いことがわかる。
は銅、を食塩水中で接触させた状態での一方の金属の腐
食の進行の様子を示している。○は銅に接触させた亜鉛
の腐食量を、◎は鉄に接触させた亜鉛の腐食量を示す。
これに対し、□は亜鉛に接触させた銅の腐食量を、△は
亜鉛に接触させた鉄の腐食量を示す。亜鉛と銅の接触系
においては酸化反応が亜鉛に集中し、銅に比べ亜鉛の腐
食量が極端に多いことがわかる。
【００２５】このように、機能部分を構成している金属
よりイオンし易い金属を非機能部分のサイドレールから
なる部分等に設けることにより、リードフレームの機能
部分における酸化反応を抑制して腐食を防止することが
可能である。特に、ダイアタッチ後の硬化処理（curin
g）、半導体チップと内部リードとの間を接続するボン
ディング（bonding ）、高温高圧下で行うパッケージの
モールディング（molding ）等、酸化反応が特に発生し
易い工程において本発明によるリードフレームを用いる
と、リードフレームの腐食面積を１０％程度にまで低減
できる。
よりイオンし易い金属を非機能部分のサイドレールから
なる部分等に設けることにより、リードフレームの機能
部分における酸化反応を抑制して腐食を防止することが
可能である。特に、ダイアタッチ後の硬化処理（curin
g）、半導体チップと内部リードとの間を接続するボン
ディング（bonding ）、高温高圧下で行うパッケージの
モールディング（molding ）等、酸化反応が特に発生し
易い工程において本発明によるリードフレームを用いる
と、リードフレームの腐食面積を１０％程度にまで低減
できる。
【００２６】なお、ここでとりあげた実施例はあくまで
も本発明の例示であって、本発明の範囲を限定するもの
でないことは言うまでもない。犠牲陽極法の一方の金属
としてここでは主として銅に対し亜鉛をとりあげたが、
本発明において亜鉛以外の金属を用いることができるこ
とは、本発明の属する技術分野における通常の知識を有
する者にすれば自明のことである。
も本発明の例示であって、本発明の範囲を限定するもの
でないことは言うまでもない。犠牲陽極法の一方の金属
としてここでは主として銅に対し亜鉛をとりあげたが、
本発明において亜鉛以外の金属を用いることができるこ
とは、本発明の属する技術分野における通常の知識を有
する者にすれば自明のことである。
【００２７】
【発明の効果】本発明によるリードフレームを半導体パ
ッケージの組立工程で用いれば、工程中で発生するリー
ドフレームの酸化、腐食を相当程度防止することがで
き、酸化反応が特に発生し易い工程で用いた場合には、
腐食面積を従来の１０％程度にまで低減できる。これに
より、リードフレームの酸化、腐食による工程時の各種
問題点及び製品の信頼性低下を防止できる。
ッケージの組立工程で用いれば、工程中で発生するリー
ドフレームの酸化、腐食を相当程度防止することがで
き、酸化反応が特に発生し易い工程で用いた場合には、
腐食面積を従来の１０％程度にまで低減できる。これに
より、リードフレームの酸化、腐食による工程時の各種
問題点及び製品の信頼性低下を防止できる。
【図１】本発明によるリードフレームの一実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】本発明によるリードフレームの他の実施例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】本発明によるリードフレームの更に他の実施例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図４】亜鉛（Ｚｎ）と銅（Ｃｕ）とを接触させたとき
に進行する電気化学反応のメカニズムを示した図であ
る。
に進行する電気化学反応のメカニズムを示した図であ
る。
【図５】３％の食塩水に浸したまま放置した銅（Ｃ
ｕ）、鉄（Ｆｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）の腐食量を示すグラ
フである。
ｕ）、鉄（Ｆｅ）及び亜鉛（Ｚｎ）の腐食量を示すグラ
フである。
【図６】互いに接触させ、３％の食塩水に浸したまま放
置した二種の異種金属（Ｚｎ−ＣｕとＺｎ−Ｆｅ）にお
いて、各々の金属の腐食量を示すグラフである。
置した二種の異種金属（Ｚｎ−ＣｕとＺｎ−Ｆｅ）にお
いて、各々の金属の腐食量を示すグラフである。
【図７】半導体パッケージの組立工程において従来から
一般に用いられてきた、銅合金よりなるリードフレーム
を示す平面図である。
一般に用いられてきた、銅合金よりなるリードフレーム
を示す平面図である。
１ ダイパッド ２ タイバー（tie bar ） ３ 内部リード ４ 外部リード ５ サイドレール（side rail ） ６ リードフレーム移送用孔 ７ リードフレームの機能部分 ８ ダムバー（dam bar ）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/50
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体チップをマウントするダイパッド
と前記半導体チップと電気的に接続されるリードとを含
み、パッケージング完了時にパッケージの一部となる機
能部分と、機能部分を支持するサイドレールを含み、パ
ッケージング完了時にパッケージの一部とならず除去さ
れる非機能部分とから構成される、パッケージの組立を
完了して製品となる前の半導体パッケージ組立工程にあ
るリードフレームにおいて、 前記非機能部分の一部または全部が、電気化学列または
腐食電位列の序列において陽性側に位置して、前記機能
部分に用いられている金属に対して還元剤として働く他
の金属からなることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 前記リードフレームの機能部分は銅合金
よりなり、前記他の金属は亜鉛であることを特徴とする
請求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項３】 前記他の金属からなる部分に隣接して、
亜鉛−銅合金よりなる部分を有することを特徴とする請
求項１記載のリードフレーム。 - 【請求項４】 半導体チップをマウントするダイパッド
と前記半導体チップと電気的に接続されるリードとを含
み、パッケージング完了時にパッケージの一部となる機
能部分と、機能部分を支持するサイドレールを含み、パ
ッケージング完了時にパッケージの一部とならず除去さ
れる非機能部分とから構成される、パッケージの組立を
完了して製品となる前の半導体パッケージ組立工程にあ
るリードフレームにおいて、 前記非機能部分の一部または全部が、電気化学列または
腐食電位列の序列において陽性側に位置して、前記機能
部分に用いられている金属に対して還元剤として働く他
の金属によりコーティングされていることを特徴とする
リードフレーム。 - 【請求項５】 前記リードフレームは銅合金よりなり、
前記他の金属は亜鉛よりなることを特徴とする請求項４
記載のリードフレーム。 - 【請求項６】 前記非機能部分は複数のダムバー(dam b
ar) を含むことを特徴とする請求項４記載のリードフレ
ーム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1995-35095 | 1995-10-12 | ||
| KR1019950035095A KR0152558B1 (ko) | 1995-10-12 | 1995-10-12 | 부식 방지용 리드 프레임 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116086A JPH09116086A (ja) | 1997-05-02 |
| JP2771145B2 true JP2771145B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=19429952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8058891A Expired - Fee Related JP2771145B2 (ja) | 1995-10-12 | 1996-03-15 | 耐腐食性リードフレーム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5838062A (ja) |
| JP (1) | JP2771145B2 (ja) |
| KR (1) | KR0152558B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6238952B1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-05-29 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Low-pin-count chip package and manufacturing method thereof |
| US7288833B2 (en) * | 2000-09-13 | 2007-10-30 | Carsem (M) Sdn. Bhd. | Stress-free lead frame |
| TWI224578B (en) * | 2001-01-18 | 2004-12-01 | Ibm | Fabrication of silicon micro mechanical structures |
| EP1524693A1 (en) * | 2003-10-13 | 2005-04-20 | Infineon Technologies AG | Leadframe being protected against corrosion |
| KR101657330B1 (ko) | 2009-05-15 | 2016-09-13 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0612796B2 (ja) * | 1984-06-04 | 1994-02-16 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JPS62241363A (ja) * | 1986-04-11 | 1987-10-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US5343073A (en) * | 1992-01-17 | 1994-08-30 | Olin Corporation | Lead frames having a chromium and zinc alloy coating |
| US5540378A (en) * | 1993-09-27 | 1996-07-30 | Olin Corporation | Method for the assembly of an electronic package |
| US5459103A (en) * | 1994-04-18 | 1995-10-17 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming lead frame with strengthened encapsulation adhesion |
-
1995
- 1995-10-12 KR KR1019950035095A patent/KR0152558B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-03-15 JP JP8058891A patent/JP2771145B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-03-26 US US08/625,517 patent/US5838062A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970024111A (ko) | 1997-05-30 |
| JPH09116086A (ja) | 1997-05-02 |
| KR0152558B1 (ko) | 1998-10-01 |
| US5838062A (en) | 1998-11-17 |
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