JPS61128552A - リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

リ−ドフレ−ムの製造方法

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Publication number
JPS61128552A
JPS61128552A JP25103584A JP25103584A JPS61128552A JP S61128552 A JPS61128552 A JP S61128552A JP 25103584 A JP25103584 A JP 25103584A JP 25103584 A JP25103584 A JP 25103584A JP S61128552 A JPS61128552 A JP S61128552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
depressing
machining
plating
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP25103584A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Okamoto
暁 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP25103584A priority Critical patent/JPS61128552A/ja
Publication of JPS61128552A publication Critical patent/JPS61128552A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814Conductive parts
    • H01L21/4821Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 この発明はICやLSI等の半導体装置用リードフレー
ム、特にディプレスを施したリードフレームの製造方法
に関するものである。
ロ、従来技術 IC等の半導体装置用リードフレームとは第1図に示す
ように中心にチップ搭載部(2)、その周囲に内部リー
ド(3)を有する形状に金属板を打ち抜いた金属片であ
る。通常リードフレーム(1月tテープ状の金属(金属
条)をリードフレーム1”、1゜■”−一のように遂次
多数を連続して打ち抜きしたのち、それぞれを切断して
製造する。リードフレームではボンディングワイヤを接
続するためチップ搭載部(2)、内部リード先端部(3
)、即ち第8図に示す斜線の部分(4)にAgやAuの
部分メッキを施すのが一般的である。
さらに最近ではIC等の搭載条件を良くするために第6
図に示すようにリードフレームのチップ搭載部をディプ
レスして段差をもうけたリードフレームが必要とされる
ようになっている。
従来このようなディプレスされたリードフレームを製造
するには、金属条を所定の形状に打ち抜きプレス加工す
る際同時にディプレス加工を行い、その後チップ搭載部
(2)及び内部リード先端部(3)の所定の位置にAg
またはAuの部分メッキを施して最後に個々のリードフ
レームの長さに定尺切断する工程が取られていた。
ハ0発明が解決しようとする問題点 ところがこのような方法でディプレスされたリードフレ
ームを製造すると、プレス後の巻き取り工程や、メッキ
工程でのメッキマスク治具の圧力の影響でディプレス加
工の形状が変形したり、メッキ工程ではAgやAuのメ
ッキが必要な面の反対側の面にメッキが析出(裏メッキ
)したり、さらに切断工程前でレベリングが不可能なた
めリードフレームの充分な平坦度が得られない。それに
より次工程のIC組立工程での組立が困難となるという
欠点があった。
この発明はディプレス加工形状の変形を防止すると共に
部分メッキ工程での裏メッキの発生がなく、且つ充分な
平坦度を有するリードフレームを能率良く製造すること
ができる方法を提供することを目的とするものである。
二1問題点を解決するための手段 この発明はディプレス加工されたリードフレームを、金
属条から打ち抜き加工して部分メッキしたのち定尺切断
工程と同時にディプレス加工することによって従来方法
の欠点を解消したものである。
以下図面によって本発明を説明する。
第1図〜第6図は本発明の工程を示す図面である。先ず
金属条を第1図に示すようにIC搭載部(2)、内部リ
ード(3)を有する形状のリードフレーム1’ 、  
l、  1” −一に連続して打ち抜き加工する。
この場合の金属条の材質は鉄−ニッケル合金(42%N
1−pe金合金が使用されることが多い。
次ぎに第8図、第4図に示すように図中の斜線の部分に
部分メッキ(4)を施す。次ぎに第5図に示すようなリ
ードフレーム打ち抜きされた金属条から個々のリードフ
レームを切断すると同時に第6図に示すようにディプレ
ス加工を行ってリードフレームを完成する。
上記工程でリードフレームを製造すると、ディプレス加
工が最終工程である切断加工と同時に行われるため、打
ち抜き、部分メッキ等の前工程ではリードフレームのデ
ィプレス加工部の変形は全く無く、また部分メッキに関
しても平板状でメッキされるためチップ搭載部や内部リ
ード先端部での裏メッキや側面メッキが生ずることが無
い。本発明の製造方法によると従来の製造方法に比較し
て完全な形状の品質的に優れたリードフレームを製造す
ることができることが実験により確認された0 本発明の方法においてリードフレームの材質はpe−N
i合金のみでなく、その他のCu(銅)合金等でも良い
し、また部分メッキ工程での金属条が短い定尺条による
バッチ処理でも、フープ条による連続処理でも良いこと
は勿論であるっホ0発明の効果 本発明のリードフレーム製造工程によれば、従来の方法
の工程順序を変更するだけで良好な形状で且つ部分メッ
キ状態の良好なリードフレームを製造することができ、
現在増大の傾向にあるデイプレズ加エリートフレームの
製造方法としてその安定化のため非常に有効な方法であ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第6図は本発明の製造工程の説明図であり、第
1図はリードフレームに打ち抜いた金属条の平面図、第
2図はそのA−A断面図、第8図は部分メッキを施した
状態の金属条の平面図、第4図はそのB−B断面図、第
5図は切断工程の時の金属条の平面図、第6図はディプ
レスされたリードフレームのC−C断面図である。 t、t’、i”−一・・・リードフレーム、(2)・・
・チップ搭載部、 (3)・・・内部リード、(5)・
・・部分メッキ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、デイプレスした半導体装置用リードフレームを製造
    する方法において、金属条をリードフレームの形状に打
    ち抜いて部分メッキを施し、最後に切断と同時にデイプ
    レスを行うことを特徴とするリードフレームの製造方法
JP25103584A 1984-11-27 1984-11-27 リ−ドフレ−ムの製造方法 Pending JPS61128552A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP25103584A JPS61128552A (ja) 1984-11-27 1984-11-27 リ−ドフレ−ムの製造方法

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JP25103584A JPS61128552A (ja) 1984-11-27 1984-11-27 リ−ドフレ−ムの製造方法

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JPS61128552A true JPS61128552A (ja) 1986-06-16

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ID=17216642

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JP (1) JPS61128552A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6336526A (ja) * 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6336526A (ja) * 1986-07-30 1988-02-17 Oki Electric Ind Co Ltd ウエハ露光装置

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