JPH11330339A - リードフレーム及びリードフレームの製造方法と半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リードの両側において剪断面及びだれの割合
が同一化されたリードフレーム及びその製造方法、半導
体装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 素材２４に打ち抜き加工を施すことで屈
曲部分３４を有する複数のリード３２が形成されたリー
ドフレーム２５において、上記リード３２は、その屈曲
部分３４の内角側３４ａ及び外角側３４ｂで打ち抜き加
工時に形成される剪断面４２の割合が略同一化されたこ
とを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を構成
するリードフレームを形成するための打ち抜き方法及び
打ち抜き金型に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばメモリのような半導体装置は、半
導体集積回路としての半導体チップを有しており、この
半導体チップに対して所定形状に加工されたリードフレ
ームをこの半導体チップの所望の位置にポリイミドテー
プ等を介して貼り合わせ、さらにこの後にリードフレー
ムの内端側に位置するリードと半導体チップとを金属製
のワイヤでワイヤボンディングすることで、リードフレ
ームと半導体チップとを接続している。

【０００３】このワイヤボンディングが終了すると、上
記リードが接続された半導体チップをモールドの内部に
設置してこの内部へ樹脂を流入させ、それが硬化した後
にリードフレームを切り取ることで、半導体装置が形成
される。

【０００４】上述の半導体装置の構成要件たるリードフ
レームを形成するためには、例えば材質を鉄−ニッケル
合金や銅合金よりなる素材としての金属薄板を順次金型
に供給し、その金型により連続的に打ち抜いて加工して
いる。

【０００５】上記金型には、上型が備えられていて、こ
の上型に対して打ち抜きポンチが嵌合されている。打ち
抜きポンチの下端は切断面であり、この切断面がリード
フレームの打ち抜き形状に対応して形成されている。こ
の切断面は、ダイスと板押えの間に挾持された金属薄板
にプレスによる剪断荷重を付与し、それによって金属薄
板の打ち抜き加工を行う。

【０００６】ここで、ダイスには打ち抜きポンチを挿通
させる孔部が形成されているが、この孔部と打ち抜きポ
ンチが接触しない程度の余裕を持たせ、さらに剪断加工
時のき裂の成長を良好にするために、打ち抜きポンチと
孔部の間に適正なクリアランスを設ける必要がある。そ
のため、図６に示すように、打ち抜きポンチ１と孔部２
の内周壁の間には、その全周に亘り同一な広がりを有す
るクリアランスを設けている。通常は、このクリアラン
スは素材である金属薄板の５％程度となるように形成し
ている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述の如く、打ち抜き
ポンチ１と孔部２のクリアランスがこの打ち抜きポンチ
１の全周に亘り同一な広がりを有する状態で金属金型を
打ち抜いてリードを形成する場合には、リードの形状精
度の不良の原因の一つとなる打ち抜き後のリードの曲が
りが生じる場合がある。

【０００８】図７に示すように、ピッチの狭いリードフ
レームの場合には、屈曲部７の間に存するストレート部
分６の長さがさほど長くなく、またリード５の幅もこの
リード５を形成する板厚よりも広く形成されている。そ
のため、リード５の曲がりはストレート部分６ではほと
んど発生せず、リード５の屈曲部７で主に発生してい
る。以下、屈曲部７で曲がりが生じる原因について述べ
る。

【０００９】まず、金属薄板に剪断荷重を付与して打ち
抜き加工を行う場合には、剪断荷重により打ち抜きポン
チ１が金属薄板に食い込んでだれを形成した後に打ち抜
きポンチ１の側面が金属薄板をバニシして平滑な剪断面
を形成する。

【００１０】ついで、打ち抜きポンチ１のプレスによる
押圧力で、切断面及びダイスの端部から金属薄板内部に
き裂が入り、そのき裂は打ち抜きポンチ１の進行に伴っ
て成長し、これら両方向からのき裂が会合することで打
ち抜き加工が終了するが、このき裂により形成される面
が破断面である。

【００１１】ここで、ストレート部分６では、打ち抜き
時に金属薄板の材料流動が対称であるため、形成された
リード５の両側面の剪断面及び破断面が共に同様の割合
で形成される。しかしながら、この割合は屈曲部７で異
なっている。この状態を図８に示すと、屈曲部７の内角
側においては剪断面１１の割合（長さ）が大きくて破断
面１２の長さが小さく、逆に屈曲部７の外角側では剪断
面１１の長さが小さくて破断面１２の長さが大きくなっ
ている。また、だれ１３の発生量は、屈曲部７の外角側
の方が内角側よりも大きくなっている。

【００１２】ここで、屈曲部７の内角側と外角側とで形
成される剪断面１１と破断面１２の割合が違う理由につ
き、図９に示すように材料流線を用いて説明する。ま
ず、材料流線は材料の流れる方向を示すものであり、こ
の材料流線が集中している部分は材料が流れ難いために
だれが発生し難く、剪断面が長くなる。

【００１３】また、クリアランスが同じ条件では、図よ
り材料流線は屈曲部７の内角側に交差するように集中し
ているので、剪断面１１が長くなり、逆に屈曲部７の外
角側では材料流線が集中せずに分散しているので剪断面
１１が短くなり破断面１２が長くなると考えられる。

【００１４】また、だれ１０も破断面１２と同様に剪断
で生じる面ではないため、この発生量は剪断面１１が形
成され難い外角側の方が大きくなると考えられる。その
ため、このような屈曲部７の内角側と外角側とで剪断面
１１及び破断面１２の長さの違いが生じてしまうと、だ
れ及び破断面には引張の残留応力が発生するため、それ
に伴う残留応力も大きくなってしまう。すなわち、図１
０の斜線の部分で示すように、破断面１２の長さの大き
い屈曲部７外角側の方が屈曲部７内角側よりも残留応力
が大きな状態となり、また破断面１２の長さに伴いだれ
１０の長さも長くなるという関係も有している。

【００１５】それ故、打ち抜き後のリード５の屈曲部７
においては、図７に示すように常に屈曲角αが大きくな
るように変形する。このようなリード５の変形が発生す
ると、リード５先端の位置精度が悪化してしまい、その
ためワイヤボンディング等を行う場合にもリード５先端
の位置ずれによって精度良く行うことができず、好まし
いものとなっていない。

【００１６】そこで、従来、屈曲部７におけるリード５
の変形を防止してリードフレームの狭ピッチ化に適正に
供すべく、リードフレーム全体に熱処理を施しそれを打
ち抜き後のリードフレーム形成工程の一つとして加える
ことがあるが、この熱処理を施した場合でも、リード５
に存する残留応力を完全に除去することが困難となって
いる。

【００１７】本発明は上記の事情にもとづきなされたも
ので、その目的とするところは、リードの両側において
剪断面及びだれの割合が同一化されたリードフレーム及
びその製造方法、半導体装置及びその製造方法を提供し
ようとするものである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、導電性部材が打ち抜きされ
て屈曲部を有するリードが形成されるリードフレームで
あって、前記導電性部材が打ち抜かれる方向における前
記屈曲部の剪断面の長さが、前記リードの内角側と外角
側とにおいて所定の比に調整されていることを特徴とす
るリードフレームである。

【００１９】請求項２記載の発明は、前記導電性部材が
打ち抜きされて屈曲部を有するリードが形成されるリー
ドフレームであって、前記導電性部材が打ち抜かれる方
向における前記屈曲部のだれの長さが、前記リードの内
角側と外角側とにおいて所定の比に調整されていること
を特徴とするリードフレームである。

【００２０】請求項３記載の発明は、前記導電性部材が
打ち抜きされて屈曲部を有するリードが形成されるリー
ドフレームであって、前記導電性部材が打ち抜かれる方
向における前記屈曲部の破断面と剪断面との長さの比
の、前記リードの内角側と外角側との比が所定の比に調
整されていることを特徴とするリードフレームである。

【００２１】請求項４記載の発明は、請求項１乃至請求
項３のいずれかに記載のリードフレームであって、リー
ドの屈曲部が曲線で構成されていることを特徴とするリ
ードフレームである。

【００２２】請求項５記載の発明は、上記所定の比は、
０．９乃至１．１の範囲内で設定されていることを特徴
とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のリード
フレームである。

【００２３】請求項６記載の発明は、半導体素子と、こ
の半導体素子が載置される請求項１乃至請求項５のいず
れかに記載のリードフレームと、前記半導体素子及び前
記リードフレームの少なくとも一部を覆う外囲器と、を
具備することを特徴とする半導体装置である。

【００２４】請求項７記載の発明は、導電性部材が打ち
抜かれる方向における前記屈曲部のだれと剪断面との長
さの比の、前記リードの内角側と外角側との比が所定の
比になるよう、打ち抜き工具とダイスとのクリアランス
を設定する調整工程と、前記調整工程後、前記導電性部
材を前記打ち抜き工具にて打ち抜く加工工程と、を具備
することを特徴とするリードフレームの製造方法であ
る。

【００２５】請求項８記載の発明は、導電性部材が打ち
抜かれる方向における前記屈曲部の剪断面の長さが、前
記リードの内角側と外角側とにおいて所定の比になるよ
う、打ち抜き工具とダイスとのクリアランスを設定する
調整工程と、前記調整工程後、前記導電性部材を前記打
ち抜き工具にて打ち抜く加工工程と、を具備することを
特徴とするリードフレームの製造方法である。

【００２６】請求項９記載の発明は、導電性部材が打ち
抜かれる方向における前記屈曲部のだれの長さが、前記
リードの内角側と外角側とにおいて所定の比になるよ
う、打ち抜き工具とダイスとのクリアランスを設定する
調整工程と、前記調整工程後、前記導電性部材を前記打
ち抜き工具にて打ち抜く加工工程と、を具備することを
特徴とするリードフレームの製造方法である。

【００２７】請求項１０記載の発明は、調整工程は、リ
ードの屈曲部に対応するダイスまたは打ち抜き工具の少
なくとも一方の角部を曲線にしてクリアランスの調整を
行うことを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか
に記載のリードフレームの製造方法である。

【００２８】請求項１１記載の発明は、上記所定の比
は、０．９乃至１．１の範囲内で設定されていることを
特徴とする請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載の
リードフレームの製造方法である。

【００２９】請求項１２記載の発明は、請求項７乃至請
求項１１のいずれかの方法によりリードフレームを製造
する工程と、前記リードフレームに半導体素子を配置
し、所定の電気的接続を行う工程と、前記リードフレー
ム及び前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外囲
器を設ける工程と、を具備することを特徴とする半導体
装置の製造方法である。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて、図１ないし図５に基づいて説明する。図２に示す
プレス加工装置２０は、例えば超硬合金を材質として形
成された打ち抜きポンチ２１を具備している。この打ち
抜きポンチ２１は、その上方側が剛体的な厚さを有する
板状部材の保持部２２となっている。

【００３１】保持部２２の上端側は上型２３に嵌め合わ
され、それが上下方向に移動して剪断荷重を被処理部材
たる金属薄板２４に付与して打ち抜きを行い、図３に示
すようなリードフレーム２５を形成している。

【００３２】なお、上記上型２３には複数の打ち抜きポ
ンチ２１が取り付けられている構成でも構わなく、また
上型２３が複数設けられ、この上型２３に形状の異なる
ストレート部２６を有する打ち抜きポンチ２１が複数取
り付けられた構成であっても構わない。

【００３３】打ち抜きポンチ２１の保持部２２の下方側
は、この保持部２２と一体的なストレート部２６となっ
ている。ストレート部２６はその下端面が切断面２７と
なっており、これらストレート部２６及び切断面２７の
屈曲形状は、金属薄板２４の打ち抜き形状に対応して形
成されている。

【００３４】切断面２７に対向配置される金属薄板２４
は、ダイス２８の上面に載置される。ダイス２８には、
切断面２７を挿通させるように孔部２９が形成されてお
り、打ち抜きポンチ２１に剪断荷重を付与して押圧する
ことで、金属薄板２４を孔部２９を通して打ち抜く構成
としている。この場合、金属薄板２４を挾持固定させる
べく、金属薄板２４の上面側には板押え３０が位置し、
打ち抜き部位の位置ずれを生じさせない構成としてい
る。板押え３０は、ポンチ２１をガイドする機能を兼ね
ている。

【００３５】上記打ち抜き加工を金属薄板２４に所定ピ
ッチで施すことで、この金属薄板２４の残りの部分がリ
ードフレーム２５となり、またリードフレーム２５の内
方を切り取る加工を施すことで、先端が開放された複数
のリード３２となる。

【００３６】さて、上述のリード３２を形成すべく打ち
抜き加工を行うと、それによって形成されるリード３２
の両側に形成される剪断分離面４０には、打ち抜き加工
の進行に伴ってだれ４１と剪断面４２と破断面４３が形
成される。

【００３７】この場合、リード３２のストレート部分３
３においては、打ち抜き加工時に打ち抜きポンチ２１と
孔部２９の内壁とのクリアランスがリード３２の両側に
おいて等しくなるように調整する。それによって、スト
レート部分３３におけるリード３２の両側に作用する剪
断荷重により形成される剪断面４２と破断面４３の割合
がその両側において等しくなる。そのため、この両側に
おいては残留応力も等しくなり、打ち抜き加工後にリー
ド３２の曲がりが生じるのを防止することができる。

【００３８】しかしながら、課題で上述した如く、リー
ド３２の屈曲部３４においては、このクリアランスをリ
ード３２の屈曲部３４の内角側３４ａと外角側３４ｂと
で同一にしたのでは、剪断面４２及び破断面４３の割合
が同一とならず、屈曲部３４の外角側においては破断面
４３の割合が大きくなるので、屈曲部３４の内角側３４
ａよりも外角側３４ｂの方が残留応力も大きくなる。

【００３９】そのため、従来においては、打ち抜き加工
後にリード３２に屈曲部３４の外角側３４ｂに向かう曲
がりが生じていた。そこで、本発明においては、リード
３２の屈曲部３４の内角側３４ａと外角側３４ｂに対応
するダイス２８・ポンチ２１間のクリアランスを調整す
ることで、図４に示すように、リード３２の屈曲部３４
の内角側３４ａと外角側３４ｂの打ち抜き方向における
剪断面４２及び破断面４３の長さの割合を近づけ、好ま
しくは両方が同一となるように調整する。すなわち、リ
ード３２を形成した場合にこのリード３２の屈曲部３４
の内角側３４ａに対応する部分のダイス２８の孔部２９
におけるクリアランスを広げる。

【００４０】いいかえると、図１に示すように、孔部２
９及び打ち抜きポンチ２１にとっては、この孔部２９及
び打ち抜きポンチ２１の屈曲部４４の外角側４４ａのク
リアランスを該屈曲部４４の内角側４４ｂと比較して広
くなるように形成し、その広さは剪断面４２と破断面４
３とがリード３２の両側において等しく形成されるよう
に調整された広さとする。

【００４１】その場合のクリアランス増大量の参考とし
て、ＱＦＰ２０８ｐｉｎリードフレーム２５におけるク
リアランス増大量とリード３２先端のシフト量の関係に
ついて図５に基づいて説明する。

【００４２】この図により示されるグラフは、通常のク
リアランスが７．５μｍ均一に形成されているリード３
２につき、そのリード３２の屈曲部３４の内角側３４ａ
に対応するポンチ２１・ダイス２８間のクリアランスを
０μｍから７．５μｍまで増大させたときのリード３２
の先端のシフト量を示すものである。このグラフより判
断すると、該リードフレーム２５においては、屈曲部３
４の内角側３４ａのクリアランスを略２．５μｍ程度増
大させたときのシフト量が最小となっている。

【００４３】それ故、クリアランスをこの程度に調整し
て打ち抜き加工を行えば、先端の移動量が無くなるの
で、特別な調整をすることなく、予め設計された相対位
置にリード３２の先端を位置させることが可能となる。

【００４４】なお、実験の結果から屈曲部３４における
剪断面４２の長さの比は、内角側３４ａと外角側３４ｂ
とで０．９〜１．１の範囲内とすることが好ましく、こ
の範囲内であれば、リード３２の先端の位置ずれを生じ
させることがなかった。

【００４５】また、破断面４３のみならず、だれ４１に
も引張りの残留応力が発生しており、そのだれ４１の剪
断分離面４０に占める割合は、破断面４３の割合が増加
すればそれに伴って増加する関係を有している。

【００４６】そのため、打ち抜き方向における剪断面４
２と破断面４３の長さの割合がリード３２の屈曲部４３
の内角側４３ａと外角側４３ｂとで略同一（０．９乃至
１．１の範囲内）となるように調整すると、それに伴い
だれ４１の割合も内角側４３ａと外角側４３ｂとで略同
一化されるようになっている。これによって、リード３
２の内角側３４ａ及び外角側３４ｂでの残留応力も同一
化が図られ、リード３２の屈曲部３４の内角側３４ａと
外角側３４ｂにおける残留応力の釣り合いが保たれる。

【００４７】そのため、リード３２に屈曲部３４を支点
とする曲がりが生じるのを防止でき、このリード３２の
先端が屈曲部３４を支点として移動する量を低減でき
る。そのため、リード３４の先端の位置ずれが生じずに
その位置精度を良好にすることで、リード同士の接触が
なくなり、また後のボンディング工程等で不良が生じる
のを防止することができる。

【００４８】また、ボンディング工程等で不具合が生じ
るのを防げるため、半導体装置の製造において歩留まり
を向上させることが可能となる。さらに、打ち抜きポン
チ２１と孔部２９のクリアランスの調整のみでリード３
２の曲がりが防げ、このクリアランスの調整を一度行え
ば他の調整工程が全く不要であり、その後には単に打ち
抜きポンチ２１で打ち抜くのみであるため、本発明実施
時に他の装置などの余分なコストが掛からず、それであ
りながら上述の作用効果を奏するため、非常に有用性が
高いものとなっている。

【００４９】以上、本発明の一実施の形態について説明
したが、本発明はこれ以外にも種々変形可能となってい
る。以下それについて述べる。上記実施の形態では、打
ち抜きポンチ２１に対して孔部２９のクリアランスを調
整することで剪断面４２及び破断面４３の割合の同一化
を図っているが、孔部２９の内壁と切断面２７の間のク
リアランスの調整は、打ち抜きポンチ２１の形状の変更
によって調整しても曲がりを抑制することができる。こ
の場合にも、剪断面４２及び破断面４３の屈曲部３４の
内角側３４ａ及び外角側３４ｂにおける割合の同一化が
図られる。

【００５０】また、リード３２の屈曲部３４の内角側３
４ａに対応するポンチ２１・ダイス２８間のクリアラン
スを広げる構成とはせずに、リード３２の屈曲部３４の
外角側３４ｂのクリアランスを狭くする構成としても、
実質的には同様の効果を奏することが可能となる。

【００５１】また、リードフレーム２５の屈曲部を図１
に示すように連続な曲線で構成することにより、加工状
態の安定した剪断分離面を有するリード３２を得ること
ができ、頂点を有する不連続な線による角部で構成した
リード３２の場合に比して、だれや剪断面の長さまたは
これらの比を比較することが容易になり、調整すること
が容易になる。その他、本発明の要旨を変更しない範囲
において、種々変形可能となっている。

【００５２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リードの屈曲部分の内角側と外角側の打ち抜き加工時に
形成される剪断面の割合が略同一化され、それによって
この内角側と外角側とで破断面の割合も略同一化される
ので、これらに分布する引張りの残留応力も同一化され
る。これにより、残留応力の釣り合いが保たれて、この
屈曲部分で生じる打ち抜き後のリードの曲がりが生じる
のを防止できる。そのため、リードの先端の位置ずれが
生じるのを防止でき、位置精度を良好にできるので隣り
合うリード同士が接触する等の不良の原因を除去でき
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態に係わるリードの屈曲部
におけるクリアランスを広げる状態を示す図。

【図２】同実施の形態に係わるプレス加工装置の構成を
示す側断面図。

【図３】同実施の形態に係わるリードフレームの形状を
示す平面図。

【図４】同実施の形態に係わるリードの屈曲部の内角側
と外角側における屈曲部内角側のクリアランスを増大さ
せた場合の屈曲部内角側及び外角側の剪断分離面の状態
を示す図。

【図５】同実施の形態に係わるクリアランス増大量とリ
ード先端の移動量の関係を示すグラフ。

【図６】従来の打ち抜きポンチに対するリードのクリア
ランスの状態を示す図。

【図７】従来のリードの曲がる様子を示す図。

【図８】従来のリードの屈曲部の内角側と外角側におけ
る屈曲部内角側のクリアランスを増大させた場合の屈曲
部内角側及び外角側の剪断分離面の状態を示す図。

【図９】従来のリードの屈曲部における材料流線の分布
状態を示す図。

【図１０】従来のリードの屈曲部における残留応力の分
布状態を示す図。

【符号の説明】

２０…プレス加工装置 ２１…打ち抜きポンチ ２５…リードフレーム ２７…切断面 ２８…ダイス ２９…孔部 ３２…リード ３４…屈曲部 ３４ａ…内角側 ３４ｂ…外角側 ４０…剪断分離面 ４１…だれ ４２…剪断面 ４３…破断面

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性部材が打ち抜きされて屈曲部を有
   するリードが形成されるリードフレームであって、前記
   導電性部材が打ち抜かれる方向における前記屈曲部の剪
   断面の長さが、前記リードの内角側と外角側とにおいて
   所定の比に調整されていることを特徴とするリードフレ
   ーム。
2. 【請求項２】 前記導電性部材が打ち抜きされて屈曲部
   を有するリードが形成されるリードフレームであって、
   前記導電性部材が打ち抜かれる方向における前記屈曲部
   のだれの長さが、前記リードの内角側と外角側とにおい
   て所定の比に調整されていることを特徴とするリードフ
   レーム。
3. 【請求項３】 前記導電性部材が打ち抜きされて屈曲部
   を有するリードが形成されるリードフレームであって、
   前記導電性部材が打ち抜かれる方向における前記屈曲部
   の破断面と剪断面との長さの比の、前記リードの内角側
   と外角側との比が所定の比に調整されていることを特徴
   とするリードフレーム。
4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載
   のリードフレームであって、リードの屈曲部が曲線で構
   成されていることを特徴とするリードフレーム。
5. 【請求項５】 上記所定の比は、０．９乃至１．１の範
   囲内で設定されていることを特徴とする請求項１乃至請
   求項４のいずれかに記載のリードフレーム。
6. 【請求項６】 半導体素子と、 この半導体素子が載置される請求項１乃至請求項５のい
   ずれかに記載のリードフレームと、前記半導体素子及び
   前記リードフレームの少なくとも一部を覆う外囲器と、 を具備することを特徴とする半導体装置。
7. 【請求項７】 導電性部材が打ち抜かれる方向における
   前記屈曲部のだれと剪断面との長さの比の、前記リード
   の内角側と外角側との比が所定の比になるよう、打ち抜
   き工具とダイスとのクリアランスを設定する調整工程
   と、 前記調整工程後、前記導電性部材を前記打ち抜き工具に
   て打ち抜く加工工程と、 を具備することを特徴とするリードフレームの製造方
   法。
8. 【請求項８】 導電性部材が打ち抜かれる方向における
   前記屈曲部の剪断面の長さが、前記リードの内角側と外
   角側とにおいて所定の比になるよう、打ち抜き工具とダ
   イスとのクリアランスを設定する調整工程と、 前記調整工程後、前記導電性部材を前記打ち抜き工具に
   て打ち抜く加工工程と、 を具備することを特徴とするリードフレームの製造方
   法。
9. 【請求項９】 導電性部材が打ち抜かれる方向における
   前記屈曲部のだれの長さが、前記リードの内角側と外角
   側とにおいて所定の比になるよう、打ち抜き工具とダイ
   スとのクリアランスを設定する調整工程と、 前記調整工程後、前記導電性部材を前記打ち抜き工具に
   て打ち抜く加工工程と、 を具備することを特徴とするリードフレームの製造方
   法。
10. 【請求項１０】 調整工程は、リードの屈曲部に対応す
    るダイスまたは打ち抜き工具の少なくとも一方の角部を
    曲線にしてクリアランスの調整を行うことを特徴とする
    請求項６乃至請求項９のいずれかに記載のリードフレー
    ムの製造方法。
11. 【請求項１１】 上記所定の比は、０．９乃至１．１の
    範囲内で設定されていることを特徴とする請求項７乃至
    請求項１０のいずれかに記載のリードフレームの製造方
    法。
12. 【請求項１２】 請求項７乃至請求項１１のいずれかの
    方法によりリードフレームを製造する工程と、 前記リードフレームに半導体素子を配置し、所定の電気
    的接続を行う工程と、 前記リードフレーム及び前記リードフレームの少なくと
    も一部を覆う外囲器を設ける工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。