JPH11233704A - リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 - Google Patents

リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置

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JPH11233704A
JPH11233704A JP3635098A JP3635098A JPH11233704A JP H11233704 A JPH11233704 A JP H11233704A JP 3635098 A JP3635098 A JP 3635098A JP 3635098 A JP3635098 A JP 3635098A JP H11233704 A JPH11233704 A JP H11233704A
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JP
Japan
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lead frame
dam bar
resin
palladium plating
dam
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JP3635098A
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Kazuhiko Suzuki
和彦 鈴木
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Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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Abstract

(57)【要約】 【解決手段】集積回路チップを搭載する集積回路用パラ
ジウムめっきリードフレーム及びその製造方法に関す
る。パラジウムめっきを施したリードフレームの製造工
程において、めっきをしたリードフレームに、本来ダム
バーを設ける位置と同等の位置に樹脂をシリンジ等の保
存容器から抽出したあと硬化させ樹脂製のダムバー10
を作製する。樹脂を抽出してダムバー10を作製する方
法は、単純にシリンジから圧入させる方法でも、マスク
等を使用して印刷方式に塗り込む方法でも、あるいは他
の方法でも、従来のダムバーの役割であるリードフレー
ムの補強と樹脂封止時の樹脂流れ止めの目的が達成でき
るものであればどのような方法をとっても構わない。 【効果】ダムバーカット部でパラジウムめっきとリード
フレームの金属素材の界面が空気中に露出することを防
止でき、パラジウムめっきの腐食の発生を抑えることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路チップを
搭載する集積回路用パラジウムめっきリードフレーム及
びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】以下、従来の技術を図3を用いて説明す
る。
【0003】図3は集積回路チップを搭載するリードフ
レームの一例を示す平面図である。フレーム枠1は略中
央に集積回路チップを搭載固着するダイパッド2を有し
ている。更にダイパッド2はタイバー3によってフレー
ム枠1に支持されている。又フレーム枠1の内壁からは
多数の細いインナーリード4が前記ダイパッド2に向か
って延在しており、各インナーリード4はモールド工程
でモールドエリア5内の樹脂封止時に樹脂の流出を防止
する為のダムバー6で支持されている。このダムバー6
はダイパッド2に搭載固着された集積回路チップ8とイ
ンナーリード4のダイパッド側先端部を金ワイヤ9で配
線する際の補強部材にもなっており樹脂封止後各リード
間のダムバー6を切断する。ダムバー6の切断によって
その外側部分のアウターリード7はそれぞれ分離され、
ダムバー6はリードフレームの製法がエッチングの場合
もスタンピングの場合も、リードフレームの製造工程で
リードフレームの金属素材と同素材で同時に形成され
る。
【0004】パラジウムめっきリードフレームにおいて
は、リードフレームの形状形成後にリードフレーム全面
にパラジウムめっきを施してる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】上記のように半導体用
パラジウムめっきリードフレームの製造過程では、リー
ドフレーム1の補強を兼ねた樹脂の流出を防止する為の
ダムバー6はリードフレームの金属素材と同素材で同時
に形成される。このように形状を形成されたダムバー6
は樹脂封止後に金型によってアウターリード7の間隙部
分が切り離される。このとき、切り離されたダムバー6
の断面部分はパラジウムめっきとリードフレームの金属
素材が空気中に露出する。
【0006】そのダムバー6の断面部分の素材構成は下
から金属素材、ニッケルめっき(下地めっき)、パラジ
ウムめっきの順になっているが、この断面部分に空気中
の水分、特にイオン性の不純物を含んだ水分が触れると
リードフレームの金属素材中の金属イオンがパラジウム
めっき中に拡散しパラジウムめっきの腐食を引き起こ
す。この腐食については塩水噴霧試験により確認した結
果であるが、パラジウムめっきリードフレームを用いた
半導体パッケージの品質信頼性を大きく損なうこととな
っている。また、この現象はリードフレームの素材金属
とパラジウムとのイオン化傾向差が大きくなるほどそこ
で発生する電位差が大きくなるため顕著になる。リード
フレームの金属素材にはFe/Ni系の42アロイとC
uを主成分とする銅合金があるが、両者のパラジウムめ
っきリードフレームを比較した場合、42アロイの方が
腐食度合いが激しい。
【0007】このような状況から、ダムバー6の切断部
分でパラジウムめっきの腐食を引き起こさない、つまり
はパラジウムめっきとリードフレームの金属素材を空気
中に露出させないリードフレームを提供することが強く
望まれた。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係わるリードフ
レームは、集積回路チップを搭載する略四角形のダイパ
ッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダイパ
ッドに向けたインナーリードおよび外部端子となるアウ
ターリードによって構成され、その表面にパラジウムめ
っきを施したリードフレームにおいて、ダムバーをパラ
ジウムめっき後に形成した樹脂材としたことを特徴とす
る。
【0009】この構造によるとダムバーカット部でのパ
ラジウムめっきの腐食の発生を抑えることができる。
【0010】また、本発明に係わるリードフレームの製
造方法は、リードフレームの形状をエッチングまたはス
タンピングで作製する工程とパラジウムめっきする工程
とその後樹脂製のダムバーを作製することを特徴とす
る。
【0011】この製造方法およびこのようにして作製さ
れたリードフレームを用いた半導体装置ではダムバーカ
ット部でのパラジウムめっきの腐食の発生を抑えること
ができるという同様の効果が得られる。
【0012】
【作用】ダムバー6をパラジウムめっき後に形成した樹
脂材とすることにより、ダムバーカット部のパラジウム
めっきの腐食の発生を抑えることができる。
【0013】また、パラジウムめっきの腐食の発生を抑
えることができるリードフレームおよび半導体装置を供
給できる。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図1〜図
2を用いて説明する。
【0015】図1は本発明の実施例を表わすリードフレ
ームの平面図である。また、図2は本発明の実施例を表
わす図1の部分拡大図である。
【0016】まず、リードフレーム1の製造方法の実施
例であるが、集積回路チップ8を搭載するダイパッド
2、ダイパッドを保持するタイバー3、集積回路チップ
8の各電極部(図示せず)とAuワイヤー9を介して接
続されるインナーリード4、モールド領域の外側のアウ
ターリード7等のそれぞれの形状を始めに作製する。
【0017】エッチングフレームの場合は、上記のそれ
ぞれの形状をパターンマスク上に描きリードフレームの
素材金属板上にそのパターンを露光し、その後エッチン
グを行って形状を作製する。このとき従来の方法ではダ
ムバーの形状もパターンマスク上に描き同時に露光、エ
ッチングを行い形状を作製するが、本発明の場合は始め
にダムバー以外の形状を作製する。その後、このように
して作製されたリードフレームの全面にパラジウムめっ
きを施す。リードフレームへのパラジウムめっきの施法
は従来と同様で、下地めっきとしてニッケルやニッケル
・パラジウムめっきをした後にパラジウムめっきを施
す。このとき、パラジウムめっきの表層に極薄の金フラ
ッシュめっきをする場合も多い。
【0018】めっきをしたリードフレームに、本来ダム
バーを設ける位置と同等の位置に樹脂をシリンジ等の保
存容器から抽出したあと硬化させ樹脂製のダムバー10
を作製する。
【0019】このとき樹脂を抽出してダムバー10を作
製する方法は、単純にシリンジから圧入させる方法でも
マスク等を使用して印刷方式に塗り込む方法でもあるい
は他の方法でも従来のダムバーの役割であるリードフレ
ームの補強と樹脂封止時の樹脂流れ止めの目的が達成で
きるものであればどのような方法をとっても構わない。
【0020】また、樹脂製のダムバーの形状についても
本発明の目的が達成できるものであればどのような形状
であっても構わない。
【0021】スタンピングリードフレームの場合も同様
で、始めにダムバーを除きその他の部分の形状をリード
フレームの金属素材をスタンピングすることにより作製
する。従来の方法ではダムバーの形状も他の部分と同時
に作製できるような金型の構造としているが、本発明で
は金型の構造からダムバーの形状を作製しないものにし
ておく。その後、パラジウムめっきをし、本来ダムバー
を設ける位置と同等の位置に熱硬化性の樹脂をシリンジ
等の保存容器から抽出したあと熱硬化させ樹脂製のダム
バー10を作製する方法は、エッチングフレームと全く
同様である。
【0022】次に半導体製造装置の製造方法の実施例を
図1を用いて説明する。図1は本発明の実施例の一例を
示す集積回路チップを搭載するリードフレームの平面図
である。フレーム枠1は略中央に集積回路チップを搭載
固着するダイパッド2を有している。更にダイパッド2
はタイバー3によってフレーム枠1に支持されている。
又フレーム枠1の内壁からは多数の細いインナーリード
4が前記ダイパッド2に向かって延在しており、各イン
ナーリード4はモールド工程でモールドエリア5内の樹
脂封止時に樹脂の流出を防止する為の前記の熱硬化樹脂
製ダムバー10で支持されている。このダムバー10は
ダイパッド2に搭載固着された集積回路チップ8とイン
ナーリード4のダイパッド側先端部をワイヤ9で配線す
る際の補強部材にもなっており樹脂封止後は不要となる
ため各リード間のダムバー10を通常の金属製で設けら
れたダムバーと同様に金型を用いて切断する。このとき
リードフレームの金属素材と密着性のよい樹脂をダムバ
ー材として使用すれば切断によって分離されたその外側
部分のアウターリード7上に樹脂が残ることとなるが、
後の封止樹脂のバリ取り工程で同時に除去する。もし除
去できなかった場合でもフォーミング工程で滑落しない
程度であればそれでも構わない。
【0023】また、ダムバー10の切断の際にアウター
リード7上の樹脂が滑落してしまっても金型を破損しな
いよう金型内の構造を工夫し対応する。
【0024】一方、樹脂製のダムバー10を切断せず封
止樹脂のバリ取り工程で一括して除去してもいいし、除
去ができないのであればフォーミング後、つまり半導体
装置完成品の状態でICパッケージの一部として残って
しまっていても構わない。
【0025】このようにリードフレームと半導体装置の
製造を行うことにより、パラジウムめっきとリードフレ
ームの金属素材の界面が空気中に露出する部分をなくす
ことができる。
【0026】以上、本発明に係わる実施例を説明してき
た。本実施例ではダムバー10の樹脂の材質や厚さ等を
限定しないものの例にて説明しているが、これらは本発
明の実施例が達成できるものであればどのようなもので
もよい。樹脂製のダムバー10の作製方法についても特
定していないが、これもまた本発明の実施例が達成でき
るものであればどのように行っても構わない。
【0027】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は、パラ
ジウムめっき後に形成した樹脂材とすることにより、従
来のダムバーカット部でパラジウムめっきとリードフレ
ームの金属素材の界面が空気中に露出することを防止で
き、パラジウムめっきの腐食の発生を抑えることができ
るという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す平面図。
【図2】本発明の実施例を示す部分拡大図。
【図3】従来の方法を示す平面図。
【符号の説明】
1・・・フレーム枠 2・・・ダイパッド 3・・・タイバー 4・・・インナーリード 5・・・モールドエリア 6・・・ダムバー 7・・・アウターリード 8・・・集積回路チップ 9・・・金ワイヤー 10・・・樹脂性ダムバー

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】集積回路チップを搭載する略四角形のダイ
    パッドと前記ダイパッドの周縁に配置され、一端をダイ
    パッドに向けたインナーリードおよび外部端子となるア
    ウターリードによって構成され、その表面にパラジウム
    めっきを施したリードフレームにおいて、ダムバーをパ
    ラジウムめっき後に形成した樹脂材としたことを特徴と
    するリードフレーム。
  2. 【請求項2】リードフレームの形状をエッチングまたは
    スタンピングで作製する工程とパラジウムめっきする工
    程とその後樹脂製のダムバーを作製することを特徴とす
    るリードフレームの製造方法。
  3. 【請求項3】封止樹脂の漏れを防止するためのダムバー
    をパラジウムめっき後に形成した樹脂材としたことを特
    徴とする請求項1記載のリードフレームを用いた半導体
    装置。
JP3635098A 1998-02-18 1998-02-18 リードフレーム、リードフレームの製造方法および半導体装置 Withdrawn JPH11233704A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6838751B2 (en) 2002-03-06 2005-01-04 Freescale Semiconductor Inc. Multi-row leadframe

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6838751B2 (en) 2002-03-06 2005-01-04 Freescale Semiconductor Inc. Multi-row leadframe

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Effective date: 20050510