JPS63120450A - 半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム - Google Patents

半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム

Info

Publication number
JPS63120450A
JPS63120450A JP26705586A JP26705586A JPS63120450A JP S63120450 A JPS63120450 A JP S63120450A JP 26705586 A JP26705586 A JP 26705586A JP 26705586 A JP26705586 A JP 26705586A JP S63120450 A JPS63120450 A JP S63120450A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
lead
solder
parts
outer lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26705586A
Other languages
English (en)
Inventor
Akihiko Murata
明彦 村田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP26705586A priority Critical patent/JPS63120450A/ja
Publication of JPS63120450A publication Critical patent/JPS63120450A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は半導体装置の製造方法およびこれに用いるリー
ドフレームに関する。
(従来の技術) 従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法は次の手順によ
っていた。
■ 長尺の金属帯条を、プレス加工あるいはエツチング
加工によって、単位リードフレームが複数個連続的に繋
がったリードフレーム帯条に形成する。
■ このリードフレーム帯条に必要なめっきを施す。
■ 各単位リードフレームの素子搭載部に半導体素子を
搭載する。
■ 各半導体素子とリードフレームのインナーリード部
とをワイヤボンディングにより電気的導通をとる。
■ 各半導体素子、インナーリード部等を樹脂封止する
■ しかる後にリートフL・−ム帯条のレール部、ダム
バ一部等を切断して単体の半導体装置とする。
ぐD 各半導体装置のアウターリード部を所望の形状に
曲げ成形する。
■ アーノターリー1゛部表面と、乙アウターリード部
のり)部接続用のはんだを溶融1.よんだ中に浸漬する
などにより付着させる(以Fはんだ被覆という)6 (発明が解決j7ようとする問題点) しかしながら上記従来の方法乙こは次のような問題点が
ある。
すなわち最終工程で行われるアウターリード部へのはん
だ被覆は、し・−ル部、ダムバ一部等を切断して単体の
半導体装置としてのち施されるので、分離した各半導体
装置をそれぞれ所定の治具に搭載しなければならず、作
業が煩雑で労力を要1−るばかりか、工数が増大して′
、12スト高となる問題点かあっメこ。
この問題に対処するためbこ、樹脂モールド後で各半導
体装置に分離する前、すなわ5各11導体装置がリード
フレ−ムによって繋がっている段階でアウタ・−リード
部に一時にはんだ被覆を行うことが考えられるが1.レ
ール部には前述したレール部、ダムバ・一部等の切断除
去の際等における位置決め用の孔および送り用の孔等が
開口されており、+j、んだ浸漬の際これら位置決め用
の孔等の内壁にまではんだがイ」着することから、位置
決めビン等が位置決め用孔等に嵌入しない事態が生じ、
正確な送りや位置決めができなくなるなどの問題が生じ
る。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目
的とするところは、アラターリ−1部へのはんだ被覆が
、複数の半導体装置が繋がった状態で一時に行うことが
でき、作業労力の大幅な低減およびコストの低減を図る
ことができる半導体装置の製造方法およびこれに用いる
リードフレームを提供するにある。
(発明の概要) 上記目的による本発明の半導体装置の製造方法は、学位
リードフレームが複数個連続的に繋がったリードフレー
ムに半導体素子を固定し、半導体素子とリードフレーム
のインナーリード部とをワイヤボンディングし、半導体
素子等を樹脂で封止してのち、リードフレームのアウタ
ーリード部にはんだ被覆を施し、しかる後にリードフレ
ームのレール部、ダムバー等を切断して単体の半導体装
置に分離することを特徴としている。
また、上記目的による本発明のリードフレームは、単位
リードフレームが複数個連続的に繋がりだリードフレー
ムにおいて、アウターリード部にレール部等の他の部位
よりもはんだ被覆が良好に施すことができるようにはん
だ濡れ性に差異をもたせてあることを特徴とする。
(実施例) 以下には本発明を具体化した好適な一実施例を添付図面
を参照して詳細に説明する。
第1図は本発明に係るリードフレームの一例を示す説明
図である。
このリードフレーム10は単位リードフレームが複数個
連続的に繋がった状態に形成される。
12は半導体素子を搭載するステージ部で、ステージサ
ポートパー14によってレール部16a116bに支持
されている。
17はインナーリード部、18はアウターリード部であ
る。
20はダムバーで、半導体素子等を樹脂封止する際の樹
脂の堰止めの作用をする。
上記のレール部16a、16bには送り孔および位置決
め用孔(図示せず)が所定位置に穿孔されている。
本発明において特徴的なのは、レール部16a116b
等とアウターリード部18との間に、アウターリード部
18のはんだ被覆が良好に施せるようにはんだ濡れ性に
差異を設けである点にある。
両者の間にはんだ濡れ性に差異をもたせるために、レー
ル部16a、16b上に例えばニッケルめっきを施し、
アウターリード部18は42アロイ (鉄−ニソケル合
金)、銅合金等の素材のままにしておく。
このようなニッケルめっき上には、後工程の、半導体素
子搭載工程、ワイヤボンディング工程、樹脂封止工程等
の熱工程を経る際に強固な酸化皮膜が形成される。この
酸化皮膜ははんだの被覆性、すなわちはんだ濡れ性が劣
り、また酸処理やフランクス処理等によっても容易には
取り除かれない。
したがって素材のアウターリード部18とニッケルめっ
きを施したレール部16a、16bとの間にはんだ濡れ
性に差異を設けることができる。
なお、レール部16a、16bのみでなく、最終的には
不要部となるダムバー20上にもニッケルめっきを施し
てもよい。
次に上記リードフレーム10を用いて半導体装置を製造
する手順について説明する。
まず上記のリードフレーム10のステージ部12上に半
導体素子(図示せず)を金−シリコン共晶合金等によっ
て固定し、次いで半導体素子とインナーリード部16と
の間をワイヤボンディングにより電気的導通をとる。
次に半導体素子、インナーリード部16等を樹脂で封止
する。
本発明方法において特徴的なのは、上記の樹脂封止工程
の後に、すなわち単位リードフレームが複数個連続的に
繋がったままの状態でアウターリード部18にはんだ被
覆を施す点にある。
上記のように単位リードフレームが複数個繋がった状態
ではんだ被覆を行うから、リードフレームをはんだ溶融
槽へ浸漬等することによってそのアウターリード部18
へ一時にはんだ被覆を施すことができる。
そして前記のようにレール部16a、16bよりもアウ
ターリード部18の方がはんだ被覆が良好となるように
両者間にはんだ濡れ性に差異をもたせであるので、はん
だ被覆の条件をアウターリード部18に好適にはんだが
付く条件に設定することで、リードフレーム10全体を
溶融はんだ中に浸漬しても、アウターリード部18のみ
に所望のはんだ被覆を施すことができる。
もちろんはんだ被覆の前処理としてのフランクス処理を
施しても、レール部16a、16b上に施したニッケル
めっき上に生じた酸化皮膜は通常のフラックス処理程度
では容易に除去されないので、はんだ濡れ性の差異を保
つことができる。
上記のようにアウターリード部18にはんだ被覆を施し
た後、レール部16a、16b1ダムバー20等を切断
除去して単体の半導体装置とし、アウターリード部18
に必要な曲げ加工等を施すことによって所望の半導体装
置を得ることができる。
レール部16a、16bとアウターリード部18とには
んだ濡れ性に差異をもたせるには、上記のようにめっき
皮膜と素材とのはんだ濡れ性の差異による他、めっき皮
膜とめっき皮膜とのはんだ濡れ性の差異、フランクス処
理の有無等によって差異を形成することができる。
表1にアウターリード部とレール部両者間にはんだ濡れ
性に差異をもたせた処理の実施例を示す。
表    1 なお、アウターリード部とレール部等とにはんだ濡れ性
に差異をもたせる処理を、半導体素子等を樹脂封止した
後のリードフレームに施すことも可能である。
(発明の効果) 以上のように本発明方法およびリードフレームによれば
、半導体素子等を樹脂封止後に単位リードフレームが複
数個連続的に繋がった状態で各アウターリード部に必要
なはんだ被覆を一時に行うことができ、作業労力の大幅
な低減が図れ、また工数が減少するのでコストの低減化
が図れるというMす1を奏する。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るリードフレームの−・例を示す説
明図である。 10・・・リードフレーム、  12・・・ステージ部
、 14・・・ステージサポートバー、16a、16b
・・・レール部、  18・・・アウターリード部、 
20・・・ダムバー。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、単位リードフレームが複数個連続的に繋がったリー
    ドフレームに半導体素子を固定し、半導体素子とリード
    フレームのインナーリード部とをワイヤボンディングし
    、半導体素子等を樹脂で封止してのち、リードフレーム
    のアウターリード部にはんだ被覆を施し、しかる後にリ
    ードフレームのレール部、ダムバー等を切断して単体の
    半導体装置に分離することを特徴とする半導体装置の製
    造方法。 2、単位リードフレームが複数個連続的に繋がったリー
    ドフレームにおいて、アウターリード部にレール部等の
    他の部位よりもはんだ被覆が良好に施すことができるよ
    うにはんだ濡れ性に差異をもたせてあることを特徴とす
    る半導体装置用のリードフレーム。
JP26705586A 1986-11-10 1986-11-10 半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム Pending JPS63120450A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26705586A JPS63120450A (ja) 1986-11-10 1986-11-10 半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26705586A JPS63120450A (ja) 1986-11-10 1986-11-10 半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63120450A true JPS63120450A (ja) 1988-05-24

Family

ID=17439410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP26705586A Pending JPS63120450A (ja) 1986-11-10 1986-11-10 半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63120450A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300678B1 (en) 1997-10-03 2001-10-09 Fujitsu Limited I/O pin having solder dam for connecting substrates
JP2017201714A (ja) * 2012-09-28 2017-11-09 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 電子デバイスおよび電子デバイスの接続部の生成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300678B1 (en) 1997-10-03 2001-10-09 Fujitsu Limited I/O pin having solder dam for connecting substrates
JP2017201714A (ja) * 2012-09-28 2017-11-09 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 電子デバイスおよび電子デバイスの接続部の生成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5034350A (en) Semiconductor device package with dies mounted on both sides of the central pad of a metal frame
JPS6396947A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
US20110097854A1 (en) Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing electronic device
JPH01216564A (ja) リードフレーム及びそれを用いた電子部品の製造方法
JPS63120450A (ja) 半導体装置の製造方法およびこれに用いるリ−ドフレ−ム
JPH011295A (ja) 半導体製造装置
JP3191684B2 (ja) 電気めっきリードを有する半導体素子の製造方法
JPS6244422B2 (ja)
JPS6017939A (ja) 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH08204095A (ja) リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP2603814B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH07321276A (ja) リードフレーム及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH04171971A (ja) リードフレームの加工方法
JPH04368157A (ja) 表面実装型半導体装置およびその製造方法
JPH03227044A (ja) リードフレーム切断方法
KR920006185B1 (ko) 접합형 리드 프레임을 사용한 ic 제조방법
JPS6148953A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPH02129952A (ja) 樹脂封止形半導体装置の製造方法
JPH01111363A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11214605A (ja) 半導体装置の製造方法およびその方法で使用するリードフレーム
JPH04346257A (ja) 半導体用リードフレームの製造方法
JPH06283642A (ja) アウターリードの曲げ成形方法及びこれを用いた半導体装置
JPH08236674A (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPH05144989A (ja) リードフレームの製造方法とそれを用いた半導体素子の接合方法
JPS61124157A (ja) 半導体装置用キヤツプ・フレ−ム