JPH03227044A - リードフレーム切断方法 - Google Patents
リードフレーム切断方法Info
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- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 33
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造に使用されるリードフレー
ムの切断方法に関する。
ムの切断方法に関する。
樹脂モールド型半導体装置の製造工程の一例を第５図乃
至第７図を参照して説明する。
至第７図を参照して説明する。
また、第５図に示すように、１枚のリードフレーム（１
）の複数箇所を樹脂モールドして樹脂外装部（２） −
を形成する。次に、リードフレーム（１）の複数のリー
ド（３）−・・を一体に連結するタイバー（４）−・を
第７図に示すダイ （５）とパンチ（６）で切断除去し
て、第６図に示す個々の半導体装置（７）を得る。この
半導体装置（７）は、第８図に示すように、プリント基
板（８）にリード（３）−・を挿入して、プリント基板
（８）の導電ランド（９）・・−に半田（１０） −で
接続することで実装される。
）の複数箇所を樹脂モールドして樹脂外装部（２） −
を形成する。次に、リードフレーム（１）の複数のリー
ド（３）−・・を一体に連結するタイバー（４）−・を
第７図に示すダイ （５）とパンチ（６）で切断除去し
て、第６図に示す個々の半導体装置（７）を得る。この
半導体装置（７）は、第８図に示すように、プリント基
板（８）にリード（３）−・を挿入して、プリント基板
（８）の導電ランド（９）・・−に半田（１０） −で
接続することで実装される。
ところで、プリント基板（８）への半導体装置（７）の
半田付は性を良好にするため、半導体装置（７）のリー
ド（３）−・に予め半田メッキをしており、この半田メ
ッキは複数の半田装置（７）を治具（図示せず）で整列
保持して、複数の半導体装置（７）のリード（３） −
を熔融半田に浸漬することで一般に行われている。この
ような半田メッキの処理方法は、半導体装置（７）のリ
ード（３） −の全面に半田メッキ層を所望の厚さで形
成することができ、プリント基板（８）への半田付けめ
信頼性を良くすることができるが、複数の半導体装置（
７）を治具に整列させるのが面倒で、半田メッキ処理工
程の作業性が悪い問題があった。また、上記半田メブキ
をリードフレーム（１）の段階で行うことが一部で実施
されているが、この半田メッキ処理方法は、半導体装置
（７）を整列させる手間が省けて作業性が良くなる反面
、半田メッキ処理後のリードフレーム切断で、リード（
３）の切断箇所にリード素材が露出する、次なる問題が
あった。
半田付は性を良好にするため、半導体装置（７）のリー
ド（３）−・に予め半田メッキをしており、この半田メ
ッキは複数の半田装置（７）を治具（図示せず）で整列
保持して、複数の半導体装置（７）のリード（３） −
を熔融半田に浸漬することで一般に行われている。この
ような半田メッキの処理方法は、半導体装置（７）のリ
ード（３） −の全面に半田メッキ層を所望の厚さで形
成することができ、プリント基板（８）への半田付けめ
信頼性を良くすることができるが、複数の半導体装置（
７）を治具に整列させるのが面倒で、半田メッキ処理工
程の作業性が悪い問題があった。また、上記半田メブキ
をリードフレーム（１）の段階で行うことが一部で実施
されているが、この半田メッキ処理方法は、半導体装置
（７）を整列させる手間が省けて作業性が良くなる反面
、半田メッキ処理後のリードフレーム切断で、リード（
３）の切断箇所にリード素材が露出する、次なる問題が
あった。
すなわち、第５図のリードフレーム（１）の樹脂外装部
（２）から露出した部分を溶融半田に浸漬して半田メッ
キしてから、リード（３）−とタイバー（４）の境界線
部分をダイ （５）とパンチ（６）で切断すると、リー
ド（３）−・の切断部分は半田メッキが無くて、この切
断部分にリード素材が露呈する。そのため、半導体装置
（７）におけるリード（３）−・−の切断部分が酸化し
て半田の付きが悪くなり、特にリード（３）−の樹脂外
装部（２）からの導出根元部分での切断部分はプリント
基板（８）に直接半田付けされる部分で、この切断部分
に半田メッキ層が無くてリード素材が露呈していると、
プリント基板（８）との半田付は性が極端に悪くなる不
都合があった。
（２）から露出した部分を溶融半田に浸漬して半田メッ
キしてから、リード（３）−とタイバー（４）の境界線
部分をダイ （５）とパンチ（６）で切断すると、リー
ド（３）−・の切断部分は半田メッキが無くて、この切
断部分にリード素材が露呈する。そのため、半導体装置
（７）におけるリード（３）−・−の切断部分が酸化し
て半田の付きが悪くなり、特にリード（３）−の樹脂外
装部（２）からの導出根元部分での切断部分はプリント
基板（８）に直接半田付けされる部分で、この切断部分
に半田メッキ層が無くてリード素材が露呈していると、
プリント基板（８）との半田付は性が極端に悪くなる不
都合があった。
本発明は、上記半導体装置のリードフレーム半田メッキ
処理上の問題点に着目してなされたもので、半田メッキ
処理されたリードフレームを、その切断箇所にも半田メ
ッキ層を残した状態にして切断するリードフレーム切断
方法を提供することを目的とする。
処理上の問題点に着目してなされたもので、半田メッキ
処理されたリードフレームを、その切断箇所にも半田メ
ッキ層を残した状態にして切断するリードフレーム切断
方法を提供することを目的とする。
本発明は、切断予定部に半田メッキ層を形成してなるリ
ードフレームを、その板厚の５〜１０％の大きさのクリ
アランスを有するダイとパンチで板厚方向に切断するこ
とにより、上記目的を達成するものである。
ードフレームを、その板厚の５〜１０％の大きさのクリ
アランスを有するダイとパンチで板厚方向に切断するこ
とにより、上記目的を達成するものである。
本発明のように、予め半田メブキ処理されたリードフレ
ームを、その板厚の５〜１０％のクリアランスを有する
ダイとパンチで切断すると、ダイとパンチのクリアラン
スに相当するリードフレームの切断される部分の半田メ
ッキ層がリードの切断箇所まで延ばされて、リード切断
箇所のリード素材の面に薄く膜状にダして付着し、この
リード切断箇所の半田膜は切断箇所の酸化を防止して半
田付は性を良好に保つ作用をする。
ームを、その板厚の５〜１０％のクリアランスを有する
ダイとパンチで切断すると、ダイとパンチのクリアラン
スに相当するリードフレームの切断される部分の半田メ
ッキ層がリードの切断箇所まで延ばされて、リード切断
箇所のリード素材の面に薄く膜状にダして付着し、この
リード切断箇所の半田膜は切断箇所の酸化を防止して半
田付は性を良好に保つ作用をする。
以下、本発明方法の具体化した実施例を第１図乃至第４
図を参照して説明する。
図を参照して説明する。
第１図は樹脂モールド型半導体装置の製造工程における
上記リードフレーム（１）の部分平面図で、このリード
フレーム（１）に樹脂外装部（２）を樹脂モールド成形
してから、リードフレーム（１）の露出部分全面に、第
２図の部分拡大断面図に示すように、半田メッキ層（１
１）を形成する。半田メッキ層（１１）は２５μ糟程度
の厚さで形成すればよく、このような半田メッキは従来
設備を使用して簡単に、作業性良く行える。しかる後、
リードフレーム（１）のリード（３） −とタイバー（
４）の境界線部分を第３図及び第４図に示すようなダイ
（１２）とパンチ（１３）で切断して、個々の半導体
装置を得る。
上記リードフレーム（１）の部分平面図で、このリード
フレーム（１）に樹脂外装部（２）を樹脂モールド成形
してから、リードフレーム（１）の露出部分全面に、第
２図の部分拡大断面図に示すように、半田メッキ層（１
１）を形成する。半田メッキ層（１１）は２５μ糟程度
の厚さで形成すればよく、このような半田メッキは従来
設備を使用して簡単に、作業性良く行える。しかる後、
リードフレーム（１）のリード（３） −とタイバー（
４）の境界線部分を第３図及び第４図に示すようなダイ
（１２）とパンチ（１３）で切断して、個々の半導体
装置を得る。
上記ダイ （１２）はリードフレーム（１）のリード（
３） −に下から当接し、パンチ（１３）はリードフレ
ーム（１）のタイバー（４）に上から当接してリード（
３） −からタイバー（４）を切断するもので、ダイ
（１２）とパンチ（１３）のリードフレーム切断のだめ
のクリアランスをＡとし、リードフレーム（１）の板厚
をＢとすると、本発明はクリアランスＡを板厚Ｂの５〜
１０％の範囲に設定して、このクリアランスＡでもって
リードフレーム（１）を切断することを特徴とする。す
なわち、ダイ （１２）上のリードフレーム（１）の真
上からパンチ（１３）を降下させてタイバー（４）に押
し当て、そのままパンチ（１３）をダイ（１２）まで下
すと、ダイ （１２）とパンチ（１３）のクリアランス
Ａに相当する長さのリードフレーム（１）のリード（３
）−とタイバー（４）の境界部分が切断される。このと
き、境界部分の上面の半田メッキ層（１１）がパンチ（
１３）で延ばされて、いわゆる半田メッキダレとなり、
これが第４図に示すように、リード（３）−・の切断箇
所ｍの表面に擦り付けられて付着し、切断箇所ｍのリー
ド素材が空気に触れて酸化されるのを抑制する。つまり
、切断後のリード（３） −の切断箇所ｍは半田膜でほ
ぼ被覆された状態にあって、リード素材の露出がほとん
ど無く、切断箇所ｍの半田付は性が良好に保たれる。こ
のことはダイ（１２）とパンチ（１３）のクリアランス
Ａがリードフレーム（１）の板厚Ｂの５〜１０％の範囲
内において効果的に発揮されるもので、クリアランスＡ
が板厚Ｂの５％より小さくなると、半田メッキ層（１１
）のパンチ（１３）により延ばされる量が少なくなって
、リード切断箇所ｍの素材が多く露呈し、クリアランス
Ａが板厚Ｂの１０％を超えると、クリアランスＡが大き
くなり過ぎて、ダイ （１２）とパンチ（１３）でリー
ドフレームを良好に切断することができなくなることが
、実験の結果分っている。
３） −に下から当接し、パンチ（１３）はリードフレ
ーム（１）のタイバー（４）に上から当接してリード（
３） −からタイバー（４）を切断するもので、ダイ
（１２）とパンチ（１３）のリードフレーム切断のだめ
のクリアランスをＡとし、リードフレーム（１）の板厚
をＢとすると、本発明はクリアランスＡを板厚Ｂの５〜
１０％の範囲に設定して、このクリアランスＡでもって
リードフレーム（１）を切断することを特徴とする。す
なわち、ダイ （１２）上のリードフレーム（１）の真
上からパンチ（１３）を降下させてタイバー（４）に押
し当て、そのままパンチ（１３）をダイ（１２）まで下
すと、ダイ （１２）とパンチ（１３）のクリアランス
Ａに相当する長さのリードフレーム（１）のリード（３
）−とタイバー（４）の境界部分が切断される。このと
き、境界部分の上面の半田メッキ層（１１）がパンチ（
１３）で延ばされて、いわゆる半田メッキダレとなり、
これが第４図に示すように、リード（３）−・の切断箇
所ｍの表面に擦り付けられて付着し、切断箇所ｍのリー
ド素材が空気に触れて酸化されるのを抑制する。つまり
、切断後のリード（３） −の切断箇所ｍは半田膜でほ
ぼ被覆された状態にあって、リード素材の露出がほとん
ど無く、切断箇所ｍの半田付は性が良好に保たれる。こ
のことはダイ（１２）とパンチ（１３）のクリアランス
Ａがリードフレーム（１）の板厚Ｂの５〜１０％の範囲
内において効果的に発揮されるもので、クリアランスＡ
が板厚Ｂの５％より小さくなると、半田メッキ層（１１
）のパンチ（１３）により延ばされる量が少なくなって
、リード切断箇所ｍの素材が多く露呈し、クリアランス
Ａが板厚Ｂの１０％を超えると、クリアランスＡが大き
くなり過ぎて、ダイ （１２）とパンチ（１３）でリー
ドフレームを良好に切断することができなくなることが
、実験の結果分っている。
以上説明したように、本発明によればリードフレームを
半田メッキ処理後に切断しても、切断用のダイとパンチ
のクリアランスの寸法規制でリードの切断箇所に半田メ
ッキ層のダレに相当する半田膜が切断と同時に付着して
、リードの切断箇所の酸化が抑制され、良好な半田付は
性を保つ。従って、リードフレームを切断して得られた
個々の半導体装置などの電子部品は、そのままプリント
基板などに良好に半田接続して実装でき、その実施効果
は大である。
半田メッキ処理後に切断しても、切断用のダイとパンチ
のクリアランスの寸法規制でリードの切断箇所に半田メ
ッキ層のダレに相当する半田膜が切断と同時に付着して
、リードの切断箇所の酸化が抑制され、良好な半田付は
性を保つ。従って、リードフレームを切断して得られた
個々の半導体装置などの電子部品は、そのままプリント
基板などに良好に半田接続して実装でき、その実施効果
は大である。
第１図乃至第４図は本発明方法を説明するためのもので
、第１図は切断前のリードフレームの部分平面図、第２
図は第１図のＸ−Ｘ線での拡大断面図、第３図及び第４
図は第１図のリードフレームを切断するダイとパンチの
切断前及び切断後の部分断面図である。 第５図は半導体装置製造用リードフレームの部分平面図
、第６図は第５図のリードフレームを切断して得られた
半導体装置の平面図、第７図は従来方法によるリードフ
レーム切断装置の部分断面図、第８図は第６図の半導体
装置の実施例を示すプリント基板断面図である。 （１”）−−リードフレーム、 （１１） −半田メッキ層、 （１２） −ダイ、（１
３） −パンチ。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社第１ 図 第２図 １ ｆｅａメ、パ１ 第３図 第４ 図 第５ 図 第６図
、第１図は切断前のリードフレームの部分平面図、第２
図は第１図のＸ−Ｘ線での拡大断面図、第３図及び第４
図は第１図のリードフレームを切断するダイとパンチの
切断前及び切断後の部分断面図である。 第５図は半導体装置製造用リードフレームの部分平面図
、第６図は第５図のリードフレームを切断して得られた
半導体装置の平面図、第７図は従来方法によるリードフ
レーム切断装置の部分断面図、第８図は第６図の半導体
装置の実施例を示すプリント基板断面図である。 （１”）−−リードフレーム、 （１１） −半田メッキ層、 （１２） −ダイ、（１
３） −パンチ。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社第１ 図 第２図 １ ｆｅａメ、パ１ 第３図 第４ 図 第５ 図 第６図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 切断予定部に半田メッキ層を形成してなる リードフレームを、その板厚の５〜１０％の大きさのク
リアランスを有するダイとパンチで切断することを特徴
とするリードフレーム切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022995A JP2741787B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | リードフレーム切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022995A JP2741787B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | リードフレーム切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03227044A true JPH03227044A (ja) | 1991-10-08 |
| JP2741787B2 JP2741787B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=12098110
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022995A Expired - Fee Related JP2741787B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | リードフレーム切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2741787B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273729A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Electronics Corp | リードカット装置および半導体装置の製造方法 |
| CN111031674A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-17 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2022995A patent/JP2741787B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007273729A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Electronics Corp | リードカット装置および半導体装置の製造方法 |
| KR100803339B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2008-02-13 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 리드 커터, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 |
| CN111031674A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-17 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
| CN111031674B (zh) * | 2019-11-21 | 2023-04-21 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2741787B2 (ja) | 1998-04-22 |
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