JPH03227044A - リードフレーム切断方法 - Google Patents
リードフレーム切断方法Info
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ムの切断方法に関する。
至第7図を参照して説明する。
)の複数箇所を樹脂モールドして樹脂外装部(2) −
を形成する。次に、リードフレーム(1)の複数のリー
ド(3)−・・を一体に連結するタイバー(4)−・を
第7図に示すダイ (5)とパンチ(6)で切断除去し
て、第6図に示す個々の半導体装置(7)を得る。この
半導体装置(7)は、第8図に示すように、プリント基
板(8)にリード(3)−・を挿入して、プリント基板
(8)の導電ランド(9)・・−に半田(10) −で
接続することで実装される。
半田付は性を良好にするため、半導体装置(7)のリー
ド(3)−・に予め半田メッキをしており、この半田メ
ッキは複数の半田装置(7)を治具(図示せず)で整列
保持して、複数の半導体装置(7)のリード(3) −
を熔融半田に浸漬することで一般に行われている。この
ような半田メッキの処理方法は、半導体装置(7)のリ
ード(3) −の全面に半田メッキ層を所望の厚さで形
成することができ、プリント基板(8)への半田付けめ
信頼性を良くすることができるが、複数の半導体装置(
7)を治具に整列させるのが面倒で、半田メッキ処理工
程の作業性が悪い問題があった。また、上記半田メブキ
をリードフレーム(1)の段階で行うことが一部で実施
されているが、この半田メッキ処理方法は、半導体装置
(7)を整列させる手間が省けて作業性が良くなる反面
、半田メッキ処理後のリードフレーム切断で、リード(
3)の切断箇所にリード素材が露出する、次なる問題が
あった。
(2)から露出した部分を溶融半田に浸漬して半田メッ
キしてから、リード(3)−とタイバー(4)の境界線
部分をダイ (5)とパンチ(6)で切断すると、リー
ド(3)−・の切断部分は半田メッキが無くて、この切
断部分にリード素材が露呈する。そのため、半導体装置
(7)におけるリード(3)−・−の切断部分が酸化し
て半田の付きが悪くなり、特にリード(3)−の樹脂外
装部(2)からの導出根元部分での切断部分はプリント
基板(8)に直接半田付けされる部分で、この切断部分
に半田メッキ層が無くてリード素材が露呈していると、
プリント基板(8)との半田付は性が極端に悪くなる不
都合があった。
処理上の問題点に着目してなされたもので、半田メッキ
処理されたリードフレームを、その切断箇所にも半田メ
ッキ層を残した状態にして切断するリードフレーム切断
方法を提供することを目的とする。
ードフレームを、その板厚の5〜10%の大きさのクリ
アランスを有するダイとパンチで板厚方向に切断するこ
とにより、上記目的を達成するものである。
ームを、その板厚の5〜10%のクリアランスを有する
ダイとパンチで切断すると、ダイとパンチのクリアラン
スに相当するリードフレームの切断される部分の半田メ
ッキ層がリードの切断箇所まで延ばされて、リード切断
箇所のリード素材の面に薄く膜状にダして付着し、この
リード切断箇所の半田膜は切断箇所の酸化を防止して半
田付は性を良好に保つ作用をする。
図を参照して説明する。
上記リードフレーム(1)の部分平面図で、このリード
フレーム(1)に樹脂外装部(2)を樹脂モールド成形
してから、リードフレーム(1)の露出部分全面に、第
2図の部分拡大断面図に示すように、半田メッキ層(1
1)を形成する。半田メッキ層(11)は25μ糟程度
の厚さで形成すればよく、このような半田メッキは従来
設備を使用して簡単に、作業性良く行える。しかる後、
リードフレーム(1)のリード(3) −とタイバー(
4)の境界線部分を第3図及び第4図に示すようなダイ
(12)とパンチ(13)で切断して、個々の半導体
装置を得る。
3) −に下から当接し、パンチ(13)はリードフレ
ーム(1)のタイバー(4)に上から当接してリード(
3) −からタイバー(4)を切断するもので、ダイ
(12)とパンチ(13)のリードフレーム切断のだめ
のクリアランスをAとし、リードフレーム(1)の板厚
をBとすると、本発明はクリアランスAを板厚Bの5〜
10%の範囲に設定して、このクリアランスAでもって
リードフレーム(1)を切断することを特徴とする。す
なわち、ダイ (12)上のリードフレーム(1)の真
上からパンチ(13)を降下させてタイバー(4)に押
し当て、そのままパンチ(13)をダイ(12)まで下
すと、ダイ (12)とパンチ(13)のクリアランス
Aに相当する長さのリードフレーム(1)のリード(3
)−とタイバー(4)の境界部分が切断される。このと
き、境界部分の上面の半田メッキ層(11)がパンチ(
13)で延ばされて、いわゆる半田メッキダレとなり、
これが第4図に示すように、リード(3)−・の切断箇
所mの表面に擦り付けられて付着し、切断箇所mのリー
ド素材が空気に触れて酸化されるのを抑制する。つまり
、切断後のリード(3) −の切断箇所mは半田膜でほ
ぼ被覆された状態にあって、リード素材の露出がほとん
ど無く、切断箇所mの半田付は性が良好に保たれる。こ
のことはダイ(12)とパンチ(13)のクリアランス
Aがリードフレーム(1)の板厚Bの5〜10%の範囲
内において効果的に発揮されるもので、クリアランスA
が板厚Bの5%より小さくなると、半田メッキ層(11
)のパンチ(13)により延ばされる量が少なくなって
、リード切断箇所mの素材が多く露呈し、クリアランス
Aが板厚Bの10%を超えると、クリアランスAが大き
くなり過ぎて、ダイ (12)とパンチ(13)でリー
ドフレームを良好に切断することができなくなることが
、実験の結果分っている。
半田メッキ処理後に切断しても、切断用のダイとパンチ
のクリアランスの寸法規制でリードの切断箇所に半田メ
ッキ層のダレに相当する半田膜が切断と同時に付着して
、リードの切断箇所の酸化が抑制され、良好な半田付は
性を保つ。従って、リードフレームを切断して得られた
個々の半導体装置などの電子部品は、そのままプリント
基板などに良好に半田接続して実装でき、その実施効果
は大である。
、第1図は切断前のリードフレームの部分平面図、第2
図は第1図のX−X線での拡大断面図、第3図及び第4
図は第1図のリードフレームを切断するダイとパンチの
切断前及び切断後の部分断面図である。 第5図は半導体装置製造用リードフレームの部分平面図
、第6図は第5図のリードフレームを切断して得られた
半導体装置の平面図、第7図は従来方法によるリードフ
レーム切断装置の部分断面図、第8図は第6図の半導体
装置の実施例を示すプリント基板断面図である。 (1”)−−リードフレーム、 (11) −半田メッキ層、 (12) −ダイ、(1
3) −パンチ。 特 許 出 願 人 関西日本電気株式会社第1 図 第2図 1 feaメ、パ1 第3図 第4 図 第5 図 第6図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 切断予定部に半田メッキ層を形成してなる リードフレームを、その板厚の5〜10%の大きさのク
リアランスを有するダイとパンチで切断することを特徴
とするリードフレーム切断方法。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2022995A JP2741787B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | リードフレーム切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2741787B2 JP2741787B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=12098110
Family Applications (1)
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JP2022995A Expired - Fee Related JP2741787B2 (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | リードフレーム切断方法 |
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JP (1) | JP2741787B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007273729A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Electronics Corp | リードカット装置および半導体装置の製造方法 |
CN111031674A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-17 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2022995A patent/JP2741787B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007273729A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Nec Electronics Corp | リードカット装置および半導体装置の製造方法 |
KR100803339B1 (ko) * | 2006-03-31 | 2008-02-13 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 리드 커터, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 |
CN111031674A (zh) * | 2019-11-21 | 2020-04-17 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
CN111031674B (zh) * | 2019-11-21 | 2023-04-21 | 惠州美锐电子科技有限公司 | 一种pcb上去除特定位置的选择性电镀边的方法 |
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---|---|
JP2741787B2 (ja) | 1998-04-22 |
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