JPH05102381A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH05102381A JPH05102381A JP3290609A JP29060991A JPH05102381A JP H05102381 A JPH05102381 A JP H05102381A JP 3290609 A JP3290609 A JP 3290609A JP 29060991 A JP29060991 A JP 29060991A JP H05102381 A JPH05102381 A JP H05102381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- semiconductor device
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- soldering
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ガルウィングタイプ半導体デバイスの半田付
後の半田付部の強度を増大する。 【構成】 ガルウィングタイプリード半田付部に凹凸状
の溝１０等を設け、半田付部表面積を大きくして半田付
部の強度を増大させ、半導体装置１と基板４の温度変化
による膨張差で発生するリード半田付部のリードと半田
の界面ストレスでの剥離を防止する。 【効果】 半田付後の温度サイクル性を向上し、高信頼
の半導体装置が提供できる。
後の半田付部の強度を増大する。 【構成】 ガルウィングタイプリード半田付部に凹凸状
の溝１０等を設け、半田付部表面積を大きくして半田付
部の強度を増大させ、半導体装置１と基板４の温度変化
による膨張差で発生するリード半田付部のリードと半田
の界面ストレスでの剥離を防止する。 【効果】 半田付後の温度サイクル性を向上し、高信頼
の半導体装置が提供できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、サーフェース・マウ
ント・デバイス（ＳＭＤ）の基板への半田付に係り、特
にガルウィングタイプの半田付性の改良に関するもので
ある。
ント・デバイス（ＳＭＤ）の基板への半田付に係り、特
にガルウィングタイプの半田付性の改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図１４は従来のガルウィングタイプの半
導体デバイスのリード部を示す拡大側面図、図１５は同
じくリード部裏面を示す平面図、図１６は半導体デバイ
スを基板に半田付した状態を示す側面図である。これら
の図において、１は半導体装置、２はリード、３は半
田、４は基板である。
導体デバイスのリード部を示す拡大側面図、図１５は同
じくリード部裏面を示す平面図、図１６は半導体デバイ
スを基板に半田付した状態を示す側面図である。これら
の図において、１は半導体装置、２はリード、３は半
田、４は基板である。
【０００３】次に動作について説明する。リード成形さ
れたガルウィングタイプデバイスが基板にリフロー法等
で半田付けされる。半田が付着する部分は、図１６のよ
うにリード先端部裏面であり、その半田付部強度は表面
積により決定される。又、半田付部表面は平滑であるた
め、リードと半田との間にすべりが生じ易くなる。
れたガルウィングタイプデバイスが基板にリフロー法等
で半田付けされる。半田が付着する部分は、図１６のよ
うにリード先端部裏面であり、その半田付部強度は表面
積により決定される。又、半田付部表面は平滑であるた
め、リードと半田との間にすべりが生じ易くなる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は以
上のように構成されているので、例えば基板への実装後
の信頼性試験の一つである温度サイクル性（例えば−４
０℃〜１２５℃）の試験をした場合、半導体装置と基板
との線膨張係数が違うため、リードと基板の半田付部に
膨張差によるストレスが加わり、図１７に示すように半
田付部が低サイクルで剥離するという問題点があった。
上のように構成されているので、例えば基板への実装後
の信頼性試験の一つである温度サイクル性（例えば−４
０℃〜１２５℃）の試験をした場合、半導体装置と基板
との線膨張係数が違うため、リードと基板の半田付部に
膨張差によるストレスが加わり、図１７に示すように半
田付部が低サイクルで剥離するという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、がルウィングタイプの半導体装
置の基板への半田付後、半田付部が剥離しないような信
頼性の高い半導体装置を提供しようとするものである。
ためになされたもので、がルウィングタイプの半導体装
置の基板への半田付後、半田付部が剥離しないような信
頼性の高い半導体装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るガルウィ
ングタイプの半導体装置は、リードの半田付部つまりリ
ード先端部の形状を凹凸状などに変えたものである。
ングタイプの半導体装置は、リードの半田付部つまりリ
ード先端部の形状を凹凸状などに変えたものである。
【０００７】
【作用】この発明における半導体装置は、リード先端部
の形状を変えることにより、半田付面積を現行のリード
寸法で大きくすることで、半田付け強度が増し、温度サ
イクル性が向上し、実装後の信頼性が高くなる。
の形状を変えることにより、半田付面積を現行のリード
寸法で大きくすることで、半田付け強度が増し、温度サ
イクル性が向上し、実装後の信頼性が高くなる。
【０００８】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例を図につ
いて説明する。図１は本発明のリード成形後のリード部
を拡大した側面図、図２はリード部裏面を示す平面図、
図３はリード部を基板に半田付した状態を示す側面図で
ある。図において、従来装置と同一部分は同一符号によ
り示す。１０は半田付部となるリード先端の裏面に、機
械加工、つまり凸の付いた金型により（図示しない）リ
ード先端を圧縮することにより設けられた凹凸状の溝で
ある。この凹凸１０の加工はリード成形金型内で実施し
ても、又リードフレーム状態、つまりフレームを打ち抜
く際に実施してもよい。このようにリード先端部の半田
付部に凹凸１０を設けることにより、図３に示すように
半田付部の面積が大きくなり、半田付強度が増す。
いて説明する。図１は本発明のリード成形後のリード部
を拡大した側面図、図２はリード部裏面を示す平面図、
図３はリード部を基板に半田付した状態を示す側面図で
ある。図において、従来装置と同一部分は同一符号によ
り示す。１０は半田付部となるリード先端の裏面に、機
械加工、つまり凸の付いた金型により（図示しない）リ
ード先端を圧縮することにより設けられた凹凸状の溝で
ある。この凹凸１０の加工はリード成形金型内で実施し
ても、又リードフレーム状態、つまりフレームを打ち抜
く際に実施してもよい。このようにリード先端部の半田
付部に凹凸１０を設けることにより、図３に示すように
半田付部の面積が大きくなり、半田付強度が増す。
【０００９】実施例２．図４は本発明の他の実施例を示
すリード成形後のリード部を拡大した側面図、図５は同
じくリード部裏面を示す平面図である。実施例１におい
ては、半導体装置からリードが延びている方向に対し直
角に溝を設けているが、図５に示すように交差するよう
に溝を設けてもよい。
すリード成形後のリード部を拡大した側面図、図５は同
じくリード部裏面を示す平面図である。実施例１におい
ては、半導体装置からリードが延びている方向に対し直
角に溝を設けているが、図５に示すように交差するよう
に溝を設けてもよい。
【００１０】実施例３．実施例１、実施例２において
は、機械的にリード先端部に凹凸１０を付けたが、図
６、図７に示すように、リードフレームを化学処理によ
り成形する際に、リードの半田付部となる部分にディン
プル１１を加工しても同様の効果が得られる。
は、機械的にリード先端部に凹凸１０を付けたが、図
６、図７に示すように、リードフレームを化学処理によ
り成形する際に、リードの半田付部となる部分にディン
プル１１を加工しても同様の効果が得られる。
【００１１】実施例４．また、図８、図９に示されるよ
うにリード半田付部にスルーホール１２を設けても上記
実施例１〜３と同様の効果が得られる。このスルーホー
ル１２は機械加工あるいは化学処理のどちらによっても
加工できる。上記の様にスルーホール１２を設けること
で、図１０に示されるように半田付時、上記スルーホー
ル１２内に半田３が入り込むことにより、そのアンカー
効果によって半田付強度が増す。またこのスルーホール
１２は１つのリードに対し複数個設けても良い。
うにリード半田付部にスルーホール１２を設けても上記
実施例１〜３と同様の効果が得られる。このスルーホー
ル１２は機械加工あるいは化学処理のどちらによっても
加工できる。上記の様にスルーホール１２を設けること
で、図１０に示されるように半田付時、上記スルーホー
ル１２内に半田３が入り込むことにより、そのアンカー
効果によって半田付強度が増す。またこのスルーホール
１２は１つのリードに対し複数個設けても良い。
【００１２】実施例５．図１１、図１２は半導体装置１
から突き出たリード２の第１番目の曲げＲ部２ａの内側
に三角状の切り込み１３を設けたもので、図１３に示す
ように半導体装置１と基板４との膨張差を切り込み１３
部の矢印Ａの如き開閉作用により緩衝させ、リード先端
部のリードと半田のすべりをなくし、剥離の発生を押え
ることが出来る。なお上記切り込み１３は機械加工ある
いは化学処理にて形成する。
から突き出たリード２の第１番目の曲げＲ部２ａの内側
に三角状の切り込み１３を設けたもので、図１３に示す
ように半導体装置１と基板４との膨張差を切り込み１３
部の矢印Ａの如き開閉作用により緩衝させ、リード先端
部のリードと半田のすべりをなくし、剥離の発生を押え
ることが出来る。なお上記切り込み１３は機械加工ある
いは化学処理にて形成する。
【００１３】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、リード
先端半田付部の強度を上げるようにしたので、半導体装
置と基板との温度変化により発生する膨張差のストレス
による半田付部の剥離が防止でき、実装後の温度サイク
ル性が向上し、高信頼の半導体デバイスが提供できる。
先端半田付部の強度を上げるようにしたので、半導体装
置と基板との温度変化により発生する膨張差のストレス
による半田付部の剥離が防止でき、実装後の温度サイク
ル性が向上し、高信頼の半導体デバイスが提供できる。
【図１】本発明の実施例１による半導体装置のリード部
を示す拡大側面図である。
を示す拡大側面図である。
【図２】本発明の実施例１によるリード部の裏面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施例１によるリード部を基板に半田
付した状態を示す側面図である。
付した状態を示す側面図である。
【図４】本発明の実施例２による半導体装置のリード部
を示す拡大側面図である。
を示す拡大側面図である。
【図５】本発明の実施例２によるリード部の裏面図であ
る。
る。
【図６】本発明の実施例３による半導体装置のリード部
を示す拡大側面図である。
を示す拡大側面図である。
【図７】本発明の実施例３によるリード部の裏面図であ
る。
る。
【図８】本発明の実施例４による半導体装置のリード部
を示す拡大側面図である。
を示す拡大側面図である。
【図９】本発明の実施例４によるリード部の裏面図であ
る。
る。
【図１０】本発明の実施例４によるリード部を基板に半
田付した状態を示す側面図である。
田付した状態を示す側面図である。
【図１１】本発明の実施例５による半導体装置のリード
部を示す拡大側面図である。
部を示す拡大側面図である。
【図１２】本発明の実施例５によるリード部の裏面図で
ある。
ある。
【図１３】本発明の実施例５によるリード部を基板に半
田付した状態を示す側面図である。
田付した状態を示す側面図である。
【図１４】従来の半導体装置のリード部を示す拡大側面
図である。
図である。
【図１５】従来の半導体装置のリード部の裏面図であ
る。
る。
【図１６】従来の半導体装置のリード部を基板に半田付
した状態を示す側面図である。
した状態を示す側面図である。
【図１７】従来の半導体装置の半田付部が剥離する状態
を示す側面図である。
を示す側面図である。
１ 半導体装置 ２ リード １０ 凹凸 １１ ディンプル １２ スルーホール １３ 切り込み
Claims (5)
- 【請求項１】 ガルウィングリードタイプの半導体装置
において、リード先端部裏面の半田付面に凹凸状の溝を
設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 リード先端部裏面に交差状に溝を設けた
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 リード先端部裏面にディンプルを設けた
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項４】 ガルウィングリードタイプの半導体装置
において、リード先端の半田付部にスルーホールを設け
たことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項５】ガルウィングリードタイプの半導体装置に
おいて、リードの半導体装置に近い方の曲げＲ部の内側
に三角状の切り込みを設けたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290609A JPH05102381A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3290609A JPH05102381A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102381A true JPH05102381A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17758218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3290609A Pending JPH05102381A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102381A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009124095A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Samsung Sdi Co Ltd | 半導体パッケージ及びその実装方法 |
| CN113056098A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-06-29 | 华为技术有限公司 | 电子元件封装体、电子元件组装结构及电子设备 |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP3290609A patent/JPH05102381A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009124095A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Samsung Sdi Co Ltd | 半導体パッケージ及びその実装方法 |
| US8319319B2 (en) | 2007-11-12 | 2012-11-27 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Semiconductor package and mounting method thereof |
| CN113056098A (zh) * | 2021-02-10 | 2021-06-29 | 华为技术有限公司 | 电子元件封装体、电子元件组装结构及电子设备 |
| US12089336B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-09-10 | Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd. | Electronic component package body, electronic component assembly structure, and electronic device |
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