JPH02247089A - リードフレーム - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、最も狭い場所に設置された多数のボンディン
グパッド用の、特に高集積半導体チップ用のリードフレ
ームで、外側の大きな間隔からボンディングパッドへ向
かって連続的に延びてボンディングパッドに接続可能で
ある金属製の導体により構成されるリードフレームに関
する。
グパッド用の、特に高集積半導体チップ用のリードフレ
ームで、外側の大きな間隔からボンディングパッドへ向
かって連続的に延びてボンディングパッドに接続可能で
ある金属製の導体により構成されるリードフレームに関
する。
[従来の技術]
上記のリードフレームは、特に、1個又はそれ以上の高
集積半導体チップのボンディングに用いられる。半導体
チップは、その外側縁部に、ボンディング領域を有し、
半導体チップは今日の技術では四角形であり、−辺の長
さは90μ乃至120μであり、領域間の間隔は少なく
とも30μである。リードフレームの、導体の内端への
ボンディングは、通常、25μ乃至30μの直径を有す
るボンディングワイヤにより行われる。
集積半導体チップのボンディングに用いられる。半導体
チップは、その外側縁部に、ボンディング領域を有し、
半導体チップは今日の技術では四角形であり、−辺の長
さは90μ乃至120μであり、領域間の間隔は少なく
とも30μである。リードフレームの、導体の内端への
ボンディングは、通常、25μ乃至30μの直径を有す
るボンディングワイヤにより行われる。
リードフレームは、通常、外側の周辺部と共に一体的に
製造される。外側の周辺部は、リードワイヤの位置決め
後に除去されるので、リードフレムの個々の導体は互い
に電気的に分離されることとなる。
製造される。外側の周辺部は、リードワイヤの位置決め
後に除去されるので、リードフレムの個々の導体は互い
に電気的に分離されることとなる。
リードフレームを製造す・るには、低コストな方法とし
て、打抜き技術が用いられる。この製造法は、工具コス
トがかなり高いため、適用範囲は制限される。又通常ボ
ンディングパッドの数が多く、工具の複雑さが増すので
、製品の精密性が低下するという問題が生ずる。従って
、打抜き技術の使用はボンディングパッドの数が約12
0個以下の場合に制限される。
て、打抜き技術が用いられる。この製造法は、工具コス
トがかなり高いため、適用範囲は制限される。又通常ボ
ンディングパッドの数が多く、工具の複雑さが増すので
、製品の精密性が低下するという問題が生ずる。従って
、打抜き技術の使用はボンディングパッドの数が約12
0個以下の場合に制限される。
他の周知のリードフレーム製造法はエツチング技術を用
いる方法である。この場合には、−様な金属面から、所
望の構造のエツチングが施され、所望の金属製導体が残
る。エツチング工程は、通常、ホトエツチング工程によ
りなされる。この方法は、工具のコストが低いことと適
用範囲が広いことを特徴とするが、製造コストがかなり
高い。
いる方法である。この場合には、−様な金属面から、所
望の構造のエツチングが施され、所望の金属製導体が残
る。エツチング工程は、通常、ホトエツチング工程によ
りなされる。この方法は、工具のコストが低いことと適
用範囲が広いことを特徴とするが、製造コストがかなり
高い。
何故ならば、コスト低下のための自動化は成功していな
いからである。
いからである。
上記2つの方法によれば、ボンディングパッドの幅を極
めて小さくすることが出来ると共に、例えば厚みが15
0μの導体用のボンディングパッド間の間隔も極めて小
さくできる。従って150μのボンディングパッド幅と
、同様に150μの間隔により、ボンディングラスタC
AnschIussra、5ter )は300μにな
る。しかし上記寸法をとる場合にも、ボンディングワイ
ヤの長さに制約があるため、公知の技術では、−辺の長
さが28mm(日本電子機械工業会規格)の四角形のパ
ッケージの場合、ボンディングパッドの数を最大限16
0以上になすことはできず、これ以上の数のボンディン
グパッドに対しては、コストのかかる特別なパッケージ
を用いなければならない。しかし、この特別なパッケー
ジ、いわゆるアレイには、最新の非貫通接触の実装法及
びはんだ付は法(Bestueckungs−und
Loetverfahren)は適しないという欠点が
ある。
めて小さくすることが出来ると共に、例えば厚みが15
0μの導体用のボンディングパッド間の間隔も極めて小
さくできる。従って150μのボンディングパッド幅と
、同様に150μの間隔により、ボンディングラスタC
AnschIussra、5ter )は300μにな
る。しかし上記寸法をとる場合にも、ボンディングワイ
ヤの長さに制約があるため、公知の技術では、−辺の長
さが28mm(日本電子機械工業会規格)の四角形のパ
ッケージの場合、ボンディングパッドの数を最大限16
0以上になすことはできず、これ以上の数のボンディン
グパッドに対しては、コストのかかる特別なパッケージ
を用いなければならない。しかし、この特別なパッケー
ジ、いわゆるアレイには、最新の非貫通接触の実装法及
びはんだ付は法(Bestueckungs−und
Loetverfahren)は適しないという欠点が
ある。
極めて小さなボンディングラスタの公知の製造法は、フ
ィルム状のキャリヤ材料(例えばポリイミド)を用いる
ことに基づいている。ポジ法又はネガ法で、キャリヤ材
料上に、ボンディングラスタが製造され、該ラスタは組
立ての際にはんだ付は技術でチップに直接に接続される
。このために必要なはんだ量は、チップから始まって幾
つがの追加工程に用いられる。この[テープキャリヤボ
ンディングJ (Tape Automated B
onding)により、30μの間隔を有する50μの
ボンディングパットの幅、すなわち80μのラスタが実
現される。
ィルム状のキャリヤ材料(例えばポリイミド)を用いる
ことに基づいている。ポジ法又はネガ法で、キャリヤ材
料上に、ボンディングラスタが製造され、該ラスタは組
立ての際にはんだ付は技術でチップに直接に接続される
。このために必要なはんだ量は、チップから始まって幾
つがの追加工程に用いられる。この[テープキャリヤボ
ンディングJ (Tape Automated B
onding)により、30μの間隔を有する50μの
ボンディングパットの幅、すなわち80μのラスタが実
現される。
しかし、この方式はかなり高価であり、適用範囲が狭い
。フィルム状の材料及び工具の高いコストは、チップの
デザインが変化する度に、新たに費やされるので、少な
い数の部品には適さない。更に、こうした製品すなわち
リードフレームを使用する購入者は組立作業に際して特
別な技術を必要とする。
。フィルム状の材料及び工具の高いコストは、チップの
デザインが変化する度に、新たに費やされるので、少な
い数の部品には適さない。更に、こうした製品すなわち
リードフレームを使用する購入者は組立作業に際して特
別な技術を必要とする。
[発明が解決する問題]
本発明の課題は、産業上の利用分野で述べた種類の、多
くのボンディングパッドに用いるリードフレームを安価
に製造することである。
くのボンディングパッドに用いるリードフレームを安価
に製造することである。
[課題を解決するための手段]
上記の課題は、上記のリードフレームの外側領域の金属
製の導体を従来の製造法で製造し、ボンディングパッド
に指向する端部を、一体成形の金属材料をレーザで切断
することにより製造することにより、解決される。
製の導体を従来の製造法で製造し、ボンディングパッド
に指向する端部を、一体成形の金属材料をレーザで切断
することにより製造することにより、解決される。
本発明に基づいて、リードフレームの導体を製造するた
めには、複数の製造法を組み合わせる。
めには、複数の製造法を組み合わせる。
本発明は、使用毎に最も好ましく且つ通常最も廉価の方
法を選択するにあたって、リードフレームの外側領域の
り大きな間隔を介して配置されている部分は従来の方法
で十分加工できる、という知識に基づいている。導体配
置の密度(Anschlussdichte )をある
程度以上高めることができないとの制約は、従来の方法
がボンディングパッドに接続される導体の間隔をある程
度以上に狭めることができないという欠点を有している
ことに因る。本発明によれば、導体の内端にレーザによ
る切断加工が適用される。レーザ加工は、導体の外端に
従来の方法を用いた後、残った一体成形の金属面に対し
てレーザ光による切断加工を施し、導体がそれぞれ所望
の寸法を有するように切断するのに用いられる。レーザ
による切断は多くの場合有効に使用されるが、かなり多
くの時間を要する。しかし、上述の多くの時間の問題は
本発明のリードフレームの製造に於ては大きな問題では
ない。何故ならば、レーザ加工は導体内端の小部分にの
み行なわれるのにすぎず、導体の大部分は従来通りの迅
速な方法、例えば打抜きやエツチングにより製造される
からである。
法を選択するにあたって、リードフレームの外側領域の
り大きな間隔を介して配置されている部分は従来の方法
で十分加工できる、という知識に基づいている。導体配
置の密度(Anschlussdichte )をある
程度以上高めることができないとの制約は、従来の方法
がボンディングパッドに接続される導体の間隔をある程
度以上に狭めることができないという欠点を有している
ことに因る。本発明によれば、導体の内端にレーザによ
る切断加工が適用される。レーザ加工は、導体の外端に
従来の方法を用いた後、残った一体成形の金属面に対し
てレーザ光による切断加工を施し、導体がそれぞれ所望
の寸法を有するように切断するのに用いられる。レーザ
による切断は多くの場合有効に使用されるが、かなり多
くの時間を要する。しかし、上述の多くの時間の問題は
本発明のリードフレームの製造に於ては大きな問題では
ない。何故ならば、レーザ加工は導体内端の小部分にの
み行なわれるのにすぎず、導体の大部分は従来通りの迅
速な方法、例えば打抜きやエツチングにより製造される
からである。
[実施例]
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図から明らかなように、多数のほぼ放射状の導体1
は、リードフレームの外側領域で、かなり幅が広く形成
され、相互間にかなりの間隔をおいて配置されており、
導体1の外端は従来の技術によってボンディングされて
いる。
は、リードフレームの外側領域で、かなり幅が広く形成
され、相互間にかなりの間隔をおいて配置されており、
導体1の外端は従来の技術によってボンディングされて
いる。
導体1は、その全長にわたって、従来技術、例えばエツ
チングや打抜きによって製造される。導体1が内側すな
わちボンディング領域6に向かって集束するように延び
ているので、導体の幅が先端部に於ても所定の最小幅以
上になるように、導体の中が余りに狭小とならぬ位置に
段部3が形成され、該段部3より先は中が拡大され、導
体の先端部は一定で幅の極めて狭い間隔2−の間に形成
されている。一定幅の上記間隔2−は、段部3の内側に
元々一体向に形成された金属材料部分をレザで切断する
ことにより形成される。レーザによる切断により、間隔
2′の極めて狭い幅が実現されるので、リードフレーム
の内端における導体1のラスタの間隔は、半導体チップ
5のボンディング領域6のラスタの寸法にほぼ等しいか
、それより僅かに大きい寸法に形成される。
チングや打抜きによって製造される。導体1が内側すな
わちボンディング領域6に向かって集束するように延び
ているので、導体の幅が先端部に於ても所定の最小幅以
上になるように、導体の中が余りに狭小とならぬ位置に
段部3が形成され、該段部3より先は中が拡大され、導
体の先端部は一定で幅の極めて狭い間隔2−の間に形成
されている。一定幅の上記間隔2−は、段部3の内側に
元々一体向に形成された金属材料部分をレザで切断する
ことにより形成される。レーザによる切断により、間隔
2′の極めて狭い幅が実現されるので、リードフレーム
の内端における導体1のラスタの間隔は、半導体チップ
5のボンディング領域6のラスタの寸法にほぼ等しいか
、それより僅かに大きい寸法に形成される。
第2図は半導体チップ5を示している。この半導体チッ
プ5はリードフレームの内側に位置するボンディング領
域6上に位置決めされている。個々のボンディング領域
6は、通常のボンディングワイヤ7により、金属製の導
体1にボンディングされる。
プ5はリードフレームの内側に位置するボンディング領
域6上に位置決めされている。個々のボンディング領域
6は、通常のボンディングワイヤ7により、金属製の導
体1にボンディングされる。
前述のように、間隔2−の幅が狭いことにより、導体1
の内端に生ずるラスタの間隔は狭くなり、導体1はボン
ディング領域6に極めて近接した位置に配置されるので
、導体1とボンディング領域6との間には、短かいボン
ディングワイヤを高い密度で互に接近して配置(Ans
chlussbelegung )することができる。
の内端に生ずるラスタの間隔は狭くなり、導体1はボン
ディング領域6に極めて近接した位置に配置されるので
、導体1とボンディング領域6との間には、短かいボン
ディングワイヤを高い密度で互に接近して配置(Ans
chlussbelegung )することができる。
上記のように多くのボンディングワイヤを配置した位置
は第2図のボンディング領域6に示されている。
は第2図のボンディング領域6に示されている。
第1図はボンディング領域の手前まで延びる本発明のリ
ードフレームの導体の図、第2図は第1図のボンディン
グワイヤが半導体チップとリードフレームの間に接続さ
れている状態を示す図である。 1・・・導体、2,2−・・・間隔、3・・・段部、4
・・・ボンディングパッッド、5・・・チップ、6・・
・ボンディング領域、7・・・ボンディングワイヤ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
ードフレームの導体の図、第2図は第1図のボンディン
グワイヤが半導体チップとリードフレームの間に接続さ
れている状態を示す図である。 1・・・導体、2,2−・・・間隔、3・・・段部、4
・・・ボンディングパッッド、5・・・チップ、6・・
・ボンディング領域、7・・・ボンディングワイヤ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、最も狭い場所に設置された多数のボンディングパッ
ド(4)用、特に高集積半導体チップ(5)用のリード
フレームで、外側の大きな間隔(2)から前記ボンディ
ングパッド(4)へ向かって連続的に延びて前記ボンデ
ィングパッド(4)に接続可能であり、外側の領域は従
来の製造法で製造されると共に、前記ボンディングパッ
ド(4)に指向する端部は一体成形の金属材料をレーザ
で切断して製造される金属製の導体(1)により構成さ
れるリードフレーム。 2、前記金属製の導体(1)はそのほぼ全長が従来の製
造法で製造される請求項1に記載のリードフレーム。
Applications Claiming Priority (2)
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DE3834361.4 | 1988-10-10 | ||
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- 1989-10-06 JP JP1261933A patent/JPH02247089A/ja active Pending
- 1989-10-10 CA CA002000338A patent/CA2000338A1/en not_active Abandoned
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