JPS58169940A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS58169940A
JPS58169940A JP57052100A JP5210082A JPS58169940A JP S58169940 A JPS58169940 A JP S58169940A JP 57052100 A JP57052100 A JP 57052100A JP 5210082 A JP5210082 A JP 5210082A JP S58169940 A JPS58169940 A JP S58169940A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は半導体装ｆｌＩＭ造方法、詳しくは半導体チ、
！上に形成された金属配線を選択的に切断する方法に関
する。
（２）技術の背景 半導体装置の製造において、半導体チップの１ケ所に不
良部分がありた場合、以前にはかかるチ、グは廃棄され
ていた。しかし、半導体装置の集積度が高めらｔシ、１
個のチップに多数のセルが形成されるようになると、ど
こかの部分のセルが不良だという理由てそのチップを捨
て去る仁とは、半導体装置の歩留りの関係からロスが多
いとして、冗長ビットが設けられるようになった。すな
わち、チップのあるセルが不良と判明した場合には、別
に設は九セルを用いるため不良なセルへの配線を切断す
る。半導体装置の配線の選択的切断の技術はこのような
背景の下に開発された。かかる技術はＲＯＭ　（読出し
専用メモリ）の製造におりても利用１れている。
かかる金属配線の選択的切断は、不良セルへの配置１に
電流を流し１該配線を溶融切断する電気的方法、塘九は
轟該配線をエツチングで除去する方法が多用されていた
が最近レーデビームを用いて配線をｆＩＩｌｌＩＩＩ切
断する技術が注目されるようになり九・ （３）　　従来技術と問題点 レーデビームで金属配線を溶断（ｌ融切断）する方法は
、レーデビームの走査をディジタル的に制御し得るとい
う特性を生かし龜れば、選択切断法としては効果的であ
る。
しかし、最近の集積度の高い集積回路（ＩＣ）において
、アルミニウム（ムＬ）配線を例にとると、配線巾が１
〜２μｍ、配線相互間の間隔１〜２μｍ。
配線の厚さは５０００Ｘ−１＾ｍ（この厚さは小になる
傾向にある）程度である。他方、現在使用されているレ
ーデビーム径は最小のもので、数μｍであるが、このよ
うな径のレーデビームをしぼり選択し九特定の配線にビ
ームを当てることは容易でない、加えて、かかる溶断に
おいては対象となる配縁のまわシにマージンをおかない
と他の配線をも溶断しかねないが、そのようなマージン
をとることは前記し九ムＬ配線の巾と配線相互間のスペ
ースを計算に入れると好ましいことでなく、半導体装置
の高集積化の傾向に合致しない・ （４）発明の目的 本発明は上記従来の問題点に鑑み、半導体チップに形成
された金属配線のレーデビームを用いる選択的溶断にお
いて、レーデビームが切断目的箇所以外の周囲に照射さ
れてもその周囲に損害を島えることなく、切断目的箇所
のみを切断する方法を提供することを目的とする。
（５）発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、半導体基体上に形成
された導電層を選択的に切断するに際して、当皺導電層
の切断すべき部分にシリコン膜を付着し、このシリコン
膜にエネルギー線を照射して該導電層を切断することを
％黴とする半導体装置の製造方法を提供することによっ
て達成される。
（６）発明の実施例 以下本発明実施例を図面によって詳述する。
半導体チ、ｆに形成された配線がアルミニウム（ＡＺ）
である場合を例にとる。第１図（ａ）の平面図を参照し
１、ｋｌ配Ｉｌｌの×印を付けた部分２を切断したいと
する０本発明の方法によると、チップ全面にアモルファ
スシリコンを蒸着法または化学気相成長法（ＣＶＤ法）
で成長させる。その厚さは、例えばムを配線１め厚さが
１μｍであれば、１００〜１００ＯＸ程度の厚さとする
。アモルファスシリコンを選ぶ理由はｈｔの融点が低い
ので比較的低温で成長させ得る材料を選ぶ必要があるか
らである。
次いで図示しないレジスト膜を形成し、それを７９ター
ニングしてシリコン膜３を残す。第１図（ａ）はそのと
きのｈｔ配線１の平面図、（ｂ）は断面図である。なお
図において４は基板を示す。かかる工程は通常の技術で
容易に実施し得る。
引続き、シリコン膜３をレーデビーム５で照射スル、Ａ
ｔト比ベシリコンのレーザ光に７・ｊする反射率は小で
あるので、シリコンのエネルギー吸収量はｋｌのそれよ
り大となる。照射エネルギーを適宜設定することＫより
（上述の例の場合Ａｒ　、　ＣＷレーザー、９Ｗ１　ビ
ーム径約２０　ａｍ　）、Ａｔ配線１はシリコン膜３が
のっている部分でのみ溶隔し、その他の部分では溶融し
ない。溶融した部分のｋｌ材料は表面張力の作用で切断
され、第２図に示す如くになる。このとき、シリコンは
ｋｌと合金化してｋｌ材料内に溶は込み単独では存在し
なくなる。
ｋｌ配ｌ＃１１の切断端部分がこのようにシリコンを取
込んだとしても、ｋＡ配線は部分２で切断されさえすれ
ばよいのであるから、シリコンとｋｔの合金化はなんら
の影響を及ぼさない。
レーデビームのスポットが第１図（ａ）に点線で示す如
きものであり、このスポット内に他のｋＡ配線が存在し
たとしても、前述したようにＡｊ配線のレーデ光に対す
る反射率が大であり、レーデエネルギーの吸収量は小で
溶断するようなことはない。
配線にモリブデンの如き高融点金属を用いる場合、アモ
ルファスシリコンに代えて多結晶（ポリ）シリコン膜を
付着するとよい、ポリシリコン膜はアモルファスシリコ
ンより容易に成長させ得るが、温度条件が６００℃程度
であり、ｋｌ配線には適しないが、高融点金属配線には
差支えない拳上記し九如＜、Ａｔ配線上のシリコン材料
はｋｌと合金化するので、ｈｔ配線溶断後の状態は第２
図に示す如くきれいなものであり、ｋｔ配線溶断自体の
周囲への悪影響は全くない。
（７）　　発明の効果 以上、詳細に説明し友ように、本発明の方法によるとき
は、半導体デ、ｆの金属配線が、切断目的部分で容易に
かつ正確に溶融切断可能であり、その際に切断部分以外
にはなんらの悪効果を及ぼすことが々いので、半導体装
置歩留りの向上と信頼性を高めるに効果大である。
【図面の簡単な説明】
第１図（、）と（ｂ）は本発明の方法により切断される
ｋｔ配線の切断されるべき部分を示す平面図と断面図、
第２図は同配線の切断後の平面図である。 １・・・ｈｔ配線、２・・ｔ　ｋｔ配線の切断部分、３
・・・シリコン膜、４・・・基板。 情　１図 （ａ） 第２図 ２０５−

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基体上に形成された導電層を選択的に切断するに
    際して、当該導電層の切断すべき部分にシリコン膜を付
    着し、このシリコン膜にエネルイー線を照射して該導電
    層を切断することを特命とする半導体装置の製造方法。
JP57052100A 1982-03-30 1982-03-30 半導体装置の製造方法 Granted JPS58169940A (ja)

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