JP2793232B2 - イオンビームによる配線の切断および接続に適した半導体装置 - Google Patents
イオンビームによる配線の切断および接続に適した半導体装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は、イオンビームによる配線の切断および接
続に適した半導体装置に関するものである。
続に適した半導体装置に関するものである。
（従来の技術） 従来、例えば半導体メモリには、この半導体メモリの
高密度化、および大規模化に伴う歩留りの低下を補うた
めに、冗長回路（R edundant C ircuit）が組み込まれ
ている。例えば、半導体メモリデバイス内に、あらかじ
め、予備の行、および列のメモリせルを形成しておき、
テストの終了時、本体に何等かの異常が発見された場
合、フューズを切断することによって働く上記冗長回路
により、本体の代わりに上記予備のメモリセルに置換え
るというものである。
高密度化、および大規模化に伴う歩留りの低下を補うた
めに、冗長回路（R edundant C ircuit）が組み込まれ
ている。例えば、半導体メモリデバイス内に、あらかじ
め、予備の行、および列のメモリせルを形成しておき、
テストの終了時、本体に何等かの異常が発見された場
合、フューズを切断することによって働く上記冗長回路
により、本体の代わりに上記予備のメモリセルに置換え
るというものである。
以下、図面を参照して、従来技術による上記フューズ
の切断について説明する。
の切断について説明する。
第３図（ａ）は、従来技術によるフューズ部分の平面
図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ）に示すＣ−Ｃ′線に
沿う断面図である。
図、第３図（ｂ）は、第３図（ａ）に示すＣ−Ｃ′線に
沿う断面図である。
第３図（ａ）および第３図（ｂ）に示すように、シリ
コン基板４上には、絶縁膜（通常シリコン酸化膜）５が
形成されている。この絶縁膜５内には、ポリシリコンフ
ューズ１が形成されている。このポリシリコンフューズ
１の両端には、コンタクト孔２を介して、アルミニウム
配線３が接続されている。このアルミニウム配線３、お
よびポリシリコンフューズ１上には、絶縁膜（通常シリ
コン酸化膜）６が形成されている。
コン基板４上には、絶縁膜（通常シリコン酸化膜）５が
形成されている。この絶縁膜５内には、ポリシリコンフ
ューズ１が形成されている。このポリシリコンフューズ
１の両端には、コンタクト孔２を介して、アルミニウム
配線３が接続されている。このアルミニウム配線３、お
よびポリシリコンフューズ１上には、絶縁膜（通常シリ
コン酸化膜）６が形成されている。
このように、フューズの材料には、通常、ポリシリコ
ンが用いられ、その切断には、YAGレーザが用いられて
いる。このYAGレーザによるポリシリコンフューズ１の
切断は、YAGレーザを、例えば0.3μＪ、200n sec間、上
記ポリシリコンフューズ１に照射すると、このポリシリ
コンフューズ１が溶融蒸発し切断されることによる。
ンが用いられ、その切断には、YAGレーザが用いられて
いる。このYAGレーザによるポリシリコンフューズ１の
切断は、YAGレーザを、例えば0.3μＪ、200n sec間、上
記ポリシリコンフューズ１に照射すると、このポリシリ
コンフューズ１が溶融蒸発し切断されることによる。
しかしながら、このようなYAGレーザによるポリシリ
コンフューズ１の切断によると、エネルギ源としてレー
ザを用いるために、アルミニウム（A1）や、モリブテン
（Mo）のようなメタルだと、レーザ光を吸収できず、溶
融蒸発、すなわち、切断させることができない。したが
って、フューズ部分に用いる材料は、レーザ光を吸収で
きるが高抵抗である、例えばポリシリコンのような材料
に限定されてしまう。このように、フューズ材料が高抵
抗の材料に限定されてしまうので、上記冗長回路の性能
が落ちてしまう。また、上記フューズ材料の溶融蒸発は
瞬時におき、いわば、爆発状態となるため、フューズ周
囲の絶縁膜、特にフューズ１の下方の、絶縁膜６が破壊
され、シリコン基板４が露出してしまう。このように、
シリコン基板４が露出してしまうと、例えばこの露出部
分から装置内に不純物が侵入する、すなわち、装置が汚
染されてしまう等により、半導体装置の特性が劣化して
しまう。さらに、フューズ上の絶縁膜、図中では絶縁膜
６の膜厚を、レーザ光の干渉が生じないように設定しな
いと、このレーザ光がフューズ１に吸収されず、このフ
ューズ１を切断することができなくなる。したがって、
フューズ１の上の絶縁膜６の組成、および膜厚には、高
精度の制御を必要とし、歩留りを落とすことが多い。
コンフューズ１の切断によると、エネルギ源としてレー
ザを用いるために、アルミニウム（A1）や、モリブテン
（Mo）のようなメタルだと、レーザ光を吸収できず、溶
融蒸発、すなわち、切断させることができない。したが
って、フューズ部分に用いる材料は、レーザ光を吸収で
きるが高抵抗である、例えばポリシリコンのような材料
に限定されてしまう。このように、フューズ材料が高抵
抗の材料に限定されてしまうので、上記冗長回路の性能
が落ちてしまう。また、上記フューズ材料の溶融蒸発は
瞬時におき、いわば、爆発状態となるため、フューズ周
囲の絶縁膜、特にフューズ１の下方の、絶縁膜６が破壊
され、シリコン基板４が露出してしまう。このように、
シリコン基板４が露出してしまうと、例えばこの露出部
分から装置内に不純物が侵入する、すなわち、装置が汚
染されてしまう等により、半導体装置の特性が劣化して
しまう。さらに、フューズ上の絶縁膜、図中では絶縁膜
６の膜厚を、レーザ光の干渉が生じないように設定しな
いと、このレーザ光がフューズ１に吸収されず、このフ
ューズ１を切断することができなくなる。したがって、
フューズ１の上の絶縁膜６の組成、および膜厚には、高
精度の制御を必要とし、歩留りを落とすことが多い。
以上説明したような、YAGレーザによるフューズの切
断の欠点を除くために、現在、集束イオンビームによっ
てフューズを切断する方法が提案されている。（例えば
“Redundancy Technology with a Focused Ion Beam "
H.Komano et al.,SPIE's 1989 Symp.on Microlithograp
hy）この集束イオンビームによるフューズの切断の原理
は、ガリウム（Ga）イオン（陽イオン）を、イオン光学
系で集束、移動させ、フューズをスパッタによって切断
するというものである。
断の欠点を除くために、現在、集束イオンビームによっ
てフューズを切断する方法が提案されている。（例えば
“Redundancy Technology with a Focused Ion Beam "
H.Komano et al.,SPIE's 1989 Symp.on Microlithograp
hy）この集束イオンビームによるフューズの切断の原理
は、ガリウム（Ga）イオン（陽イオン）を、イオン光学
系で集束、移動させ、フューズをスパッタによって切断
するというものである。
このような、集束イオンビームによるフューズの切断
によれば、スパッタによる切断であるので材料の組成は
問われない。したがって、従来、レーザ光を吸収できな
かった低抵抗のアルミニウムや、モリブテン等のメタル
を、フューズ部分に用いることが可能となるので、冗長
回路の性能は劣化することがない。また、スパッタ条件
を変更することにより、エッチングの深さの制御がで
き、任意の深さの切断が可能である。しかも半導体基板
を露出させることなく、フューズを切断することができ
るので、半導体装置の特性劣化は生じない。さらに、レ
ーザ光のように、干渉も起こらないので、フューズ上の
絶縁膜の組成、および膜厚の条件に対するマージンが広
くなり、歩留りが向上する。
によれば、スパッタによる切断であるので材料の組成は
問われない。したがって、従来、レーザ光を吸収できな
かった低抵抗のアルミニウムや、モリブテン等のメタル
を、フューズ部分に用いることが可能となるので、冗長
回路の性能は劣化することがない。また、スパッタ条件
を変更することにより、エッチングの深さの制御がで
き、任意の深さの切断が可能である。しかも半導体基板
を露出させることなく、フューズを切断することができ
るので、半導体装置の特性劣化は生じない。さらに、レ
ーザ光のように、干渉も起こらないので、フューズ上の
絶縁膜の組成、および膜厚の条件に対するマージンが広
くなり、歩留りが向上する。
しかしながら、このような集束イオンビームによるフ
ューズの切断によると、イオン（通常陽イオン）、すな
わち、荷電粒子を多量に半導体装置に照射することにな
るので、半導体装置の一部がチャージアップを起こし、
その放電によって、絶縁膜を破壊することがあり、半導
体装置が故障してしまう欠点を持っていた。
ューズの切断によると、イオン（通常陽イオン）、すな
わち、荷電粒子を多量に半導体装置に照射することにな
るので、半導体装置の一部がチャージアップを起こし、
その放電によって、絶縁膜を破壊することがあり、半導
体装置が故障してしまう欠点を持っていた。
（発明が解決しようとする課題） この発明は上記のような点に鑑み為されたもので、イ
オンビームによる配線の切断および接続において、イオ
ンビームによって配線を切断、あるいは接続しても、半
導体装置のチャージアップによる故障を起こすことがな
い、イオンビームによる配線の切断および接続に適した
半導体装置を提供することを目的とする。
オンビームによる配線の切断および接続において、イオ
ンビームによって配線を切断、あるいは接続しても、半
導体装置のチャージアップによる故障を起こすことがな
い、イオンビームによる配線の切断および接続に適した
半導体装置を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため、この発明に係るイオンビー
ムによる配線の切断に適した半導体装置では、第１導電
型の半導体基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、装置に接続される配線層とを
具備し、前記配線層の途中に、前記基板内に形成された
第２導電型の第１の半導体領域に接続される第１の部
位、および前記基板内に形成された第２導電型の第２の
半導体領域に接続される第２の部位が設けられ、前記配
線層にイオンビームにより切断されることを予定される
フューズ部が含まれ、前記フューズ部が、前記第１の部
位と前記第２の部位との間に設定され、前記第１、第２
の半導体領域がそれぞれ、前記フューズ部にイオンビー
ムが照射されたときに、前記配線層に蓄積される電荷を
非破壊ブレークダウンにより逃がすための領域として構
成され、かつ前記第１、第２の半導体領域がそれぞれ、
前記配線層のみに接続される孤立した領域であることを
特徴ととている。
ムによる配線の切断に適した半導体装置では、第１導電
型の半導体基板と、前記基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、装置に接続される配線層とを
具備し、前記配線層の途中に、前記基板内に形成された
第２導電型の第１の半導体領域に接続される第１の部
位、および前記基板内に形成された第２導電型の第２の
半導体領域に接続される第２の部位が設けられ、前記配
線層にイオンビームにより切断されることを予定される
フューズ部が含まれ、前記フューズ部が、前記第１の部
位と前記第２の部位との間に設定され、前記第１、第２
の半導体領域がそれぞれ、前記フューズ部にイオンビー
ムが照射されたときに、前記配線層に蓄積される電荷を
非破壊ブレークダウンにより逃がすための領域として構
成され、かつ前記第１、第２の半導体領域がそれぞれ、
前記配線層のみに接続される孤立した領域であることを
特徴ととている。
また、上記目的を達成するため、この発明に係るイオ
ンビームによる配線の接続に適した半導体装置では、第
１導電型の半導体基板と、前記基板上に形成された絶縁
層と、前記絶縁層上に形成された第１の配線層と、前記
絶縁層上に、前記第１の配線層に隣接した隣接部を有し
て形成された第２の配線層とを具備し、前記隣接部近傍
の、前記第１の配線層および前記第２の配線層の少なく
とも一方に、前記基板内に形成された第２導電型の半導
体領域に接続される部位が設けられ、前記第１の配線層
と前記第２の配線層の前記隣接部との間の間隙に、イオ
ンビームにより接続されることを予定される接続部が設
定され、前記半導体領域が、前記接続部にイオンビーム
が照射されたときに、前記第１の配線層および第２の配
線層の少なくとも一方に蓄積される電荷を非破壊ブレー
クダウンにより逃がすための領域として構成され、かつ
前記半導体領域が、前記第１、第２の配線層の少なくと
も一方のみに接続される孤立した領域であることを特徴
としている。
ンビームによる配線の接続に適した半導体装置では、第
１導電型の半導体基板と、前記基板上に形成された絶縁
層と、前記絶縁層上に形成された第１の配線層と、前記
絶縁層上に、前記第１の配線層に隣接した隣接部を有し
て形成された第２の配線層とを具備し、前記隣接部近傍
の、前記第１の配線層および前記第２の配線層の少なく
とも一方に、前記基板内に形成された第２導電型の半導
体領域に接続される部位が設けられ、前記第１の配線層
と前記第２の配線層の前記隣接部との間の間隙に、イオ
ンビームにより接続されることを予定される接続部が設
定され、前記半導体領域が、前記接続部にイオンビーム
が照射されたときに、前記第１の配線層および第２の配
線層の少なくとも一方に蓄積される電荷を非破壊ブレー
クダウンにより逃がすための領域として構成され、かつ
前記半導体領域が、前記第１、第２の配線層の少なくと
も一方のみに接続される孤立した領域であることを特徴
としている。
（作用） 上記のようなイオンビームによる配線の切断および接
続に適した半導体装置にあっては、上記イオンビームに
より配線層内に電荷が蓄積されても、イオンビームによ
り切断、あるいは接続されることを予定される配線層の
近傍に形成されたpn接合が非破壊ブレークダウンを起こ
すことにより、上記配線層内に蓄積された電荷を逃がす
ことができる。したがって、イオンビームによって配線
を切断、あるいは接続しても、配線層に接続された装置
は、チャージアップを起こさず、故障することがない。
続に適した半導体装置にあっては、上記イオンビームに
より配線層内に電荷が蓄積されても、イオンビームによ
り切断、あるいは接続されることを予定される配線層の
近傍に形成されたpn接合が非破壊ブレークダウンを起こ
すことにより、上記配線層内に蓄積された電荷を逃がす
ことができる。したがって、イオンビームによって配線
を切断、あるいは接続しても、配線層に接続された装置
は、チャージアップを起こさず、故障することがない。
また、上記イオンビームによる配線の切断に適した半
導体装置では、基板と異なる導電型を持つ半導体領域を
２つ設け、配線層の途中に、これら領域に接続された第
１、第２の部位をそれぞれ接続し、これら第１、第２の
部位間をフューズ部とすることにより、配線層が切断さ
れて、配線層が２つに分離された後でも、２つの配線層
それぞれに蓄積される電荷を逃がすことができる。
導体装置では、基板と異なる導電型を持つ半導体領域を
２つ設け、配線層の途中に、これら領域に接続された第
１、第２の部位をそれぞれ接続し、これら第１、第２の
部位間をフューズ部とすることにより、配線層が切断さ
れて、配線層が２つに分離された後でも、２つの配線層
それぞれに蓄積される電荷を逃がすことができる。
また、上記イオンビームによる配線の切断および接続
に適した半導体装置では、配線層の途中に上記第１、第
２の部位を接続し、これら第１、第２の部位間の配線層
にフューズ部を設定する、あるいは隣接部近傍の、第１
の配線層および第２の配線層の少なくとも一方に上記部
位を接続し、第１、第２の配線層間の間隙に接続部を設
定する。
に適した半導体装置では、配線層の途中に上記第１、第
２の部位を接続し、これら第１、第２の部位間の配線層
にフューズ部を設定する、あるいは隣接部近傍の、第１
の配線層および第２の配線層の少なくとも一方に上記部
位を接続し、第１、第２の配線層間の間隙に接続部を設
定する。
このような構成を有する上記イオンビームによる配線
の切断に適した半導体装置では、配線層がフューズ部を
含む、即ち、配線層がそのままフューズ部となるので、
フューズ部に応じてフューズパターンを孤立させる必要
がなく、高集積化に有利となる。
の切断に適した半導体装置では、配線層がフューズ部を
含む、即ち、配線層がそのままフューズ部となるので、
フューズ部に応じてフューズパターンを孤立させる必要
がなく、高集積化に有利となる。
同様に、上記イオンビームによる配線の接続に適した
半導体装置では、第１、第２の配線層間の間隙がそのま
ま接続部となるので、第１、第２の配線層を互いに隣接
させれば良く、高集積化に有利となる。
半導体装置では、第１、第２の配線層間の間隙がそのま
ま接続部となるので、第１、第２の配線層を互いに隣接
させれば良く、高集積化に有利となる。
（実施例） 以下、図面を参照して、この発明の実施例に係わるイ
オンビームによる配線の切断および接続に適した半導体
装置について説明する。
オンビームによる配線の切断および接続に適した半導体
装置について説明する。
（１）第１図（ａ）、および第１図（ｂ）を参照して、
この発明の第１の実施例に係わるイオンビームによる配
線の切断に適した半導体装置について説明する。
この発明の第１の実施例に係わるイオンビームによる配
線の切断に適した半導体装置について説明する。
第１図（ａ）は、この発明の第１の実施例に係わるイ
オンビームによる配線の切断に適した半導体装置の平面
図、第１図（ｂ）は、第１図中に示すＡ−Ａ′線に沿う
断面図である。
オンビームによる配線の切断に適した半導体装置の平面
図、第１図（ｂ）は、第１図中に示すＡ−Ａ′線に沿う
断面図である。
この第１の実施例は、MOS型半導体メモリの冗長回路
に用いたフューズを例にとっている。
に用いたフューズを例にとっている。
第１図（ａ）および第１図（ｂ）に示すように、例え
ばｐ型シリコン基板11内に、通常のシリコンLSI形成工
程にて、ヒ素（As）、およびリン（Ｐ）を拡散させるこ
とにより、ｎ型領域12−１、および12−２を形成する。
このｎ型領域12−１、および12−２が形成されることに
より、このｎ型領域12−１、および12−２と、ｐ型シリ
コン基板11との間に、所定の間隔を持ってpn接合が形成
される。次に、通常のシリコンLSIの形成工程にて、絶
縁膜（通常シリコン酸化膜）14を形成する。次に、この
絶縁膜14を通して、上記ｎ型領域12−１、および12−２
に対し、コンタクト孔16を開孔する。次に、このコンタ
クト孔16を介して、上記ｎ型領域12−１、および12−２
に接続されるように、例えばアルミニウム、またはアル
ミニウム合金による配線13を、例えば8000Å程度形成す
る。この時、上記ｎ型領域12−１、および12−２との間
に存在する配線13には、同図（ａ）に示すように、幅の
狭い領域を形成することにより、上記冗長回路のフュー
ズが設けられている。次に、このフューズが設けられた
配線13上に絶縁膜（通常シリコン酸化膜）15を形成す
る。以上のような所定の間隔を持って形成されたpn接合
が接続されている、フューズを含む配線13を有するMOS
型半導体メモリの構造は、通常の、例えばMOS型半導体
メモリの製造工程によって形成される。
ばｐ型シリコン基板11内に、通常のシリコンLSI形成工
程にて、ヒ素（As）、およびリン（Ｐ）を拡散させるこ
とにより、ｎ型領域12−１、および12−２を形成する。
このｎ型領域12−１、および12−２が形成されることに
より、このｎ型領域12−１、および12−２と、ｐ型シリ
コン基板11との間に、所定の間隔を持ってpn接合が形成
される。次に、通常のシリコンLSIの形成工程にて、絶
縁膜（通常シリコン酸化膜）14を形成する。次に、この
絶縁膜14を通して、上記ｎ型領域12−１、および12−２
に対し、コンタクト孔16を開孔する。次に、このコンタ
クト孔16を介して、上記ｎ型領域12−１、および12−２
に接続されるように、例えばアルミニウム、またはアル
ミニウム合金による配線13を、例えば8000Å程度形成す
る。この時、上記ｎ型領域12−１、および12−２との間
に存在する配線13には、同図（ａ）に示すように、幅の
狭い領域を形成することにより、上記冗長回路のフュー
ズが設けられている。次に、このフューズが設けられた
配線13上に絶縁膜（通常シリコン酸化膜）15を形成す
る。以上のような所定の間隔を持って形成されたpn接合
が接続されている、フューズを含む配線13を有するMOS
型半導体メモリの構造は、通常の、例えばMOS型半導体
メモリの製造工程によって形成される。
このような構造を持つ半導体装置において、上記フュ
ーズを切断するには、例えばガリウムをソースとした集
束イオンビーム（陽イオン）を、加速電圧20KeV、１〜9
0A/cm2の条件でフューズ、すなわち、同図（ａ）、およ
び（ｂ）に示すスパッタ予定部Ｓに対し照射する。この
時、電荷が上記配線13に蓄積され、配線13の電位が上昇
する。しかしながら、この配線13の電位の上昇にともな
い、この配線13に接続されているｎ型領域12−１、およ
び12−２と、ｐ型のシリコン基板11との間のpn接合が非
破壊ブレークダウンを起こすことにより、上記配線13内
に蓄積された電荷がｐ型シリコン基板11に放電される。
したがって、この配線13が接続される半導体装置におい
て、この半導体装置がチャージアップを起こすことはな
くなり、絶縁膜を破壊することもない。よって、イオン
ビームによってフューズを切断しても、半導体装置が故
障することはなくなる。また、上記フューズを、例えば
アルミニウム、あるはアルミニウム合金で形成できるこ
とから、冗長回路の性能の劣化もない。
ーズを切断するには、例えばガリウムをソースとした集
束イオンビーム（陽イオン）を、加速電圧20KeV、１〜9
0A/cm2の条件でフューズ、すなわち、同図（ａ）、およ
び（ｂ）に示すスパッタ予定部Ｓに対し照射する。この
時、電荷が上記配線13に蓄積され、配線13の電位が上昇
する。しかしながら、この配線13の電位の上昇にともな
い、この配線13に接続されているｎ型領域12−１、およ
び12−２と、ｐ型のシリコン基板11との間のpn接合が非
破壊ブレークダウンを起こすことにより、上記配線13内
に蓄積された電荷がｐ型シリコン基板11に放電される。
したがって、この配線13が接続される半導体装置におい
て、この半導体装置がチャージアップを起こすことはな
くなり、絶縁膜を破壊することもない。よって、イオン
ビームによってフューズを切断しても、半導体装置が故
障することはなくなる。また、上記フューズを、例えば
アルミニウム、あるはアルミニウム合金で形成できるこ
とから、冗長回路の性能の劣化もない。
（２）次に、第２図（ａ）、および第２図（ｂ）を参照
して、この発明の第２の実施例に係わるイオンビームに
よる配線の接続に適した半導体装置について説明する。
して、この発明の第２の実施例に係わるイオンビームに
よる配線の接続に適した半導体装置について説明する。
第２図（ａ）は、この発明の第２の実施例に係わるイ
オンビームによる配線の接続に適した半導体装置の平面
図、第２図（ｂ）は、第２図中に示すＢ−Ｂ′線に沿う
断面図である。
オンビームによる配線の接続に適した半導体装置の平面
図、第２図（ｂ）は、第２図中に示すＢ−Ｂ′線に沿う
断面図である。
第２図（ａ）および第２図（ｂ）に示すように、第１
の実施例同様、例えばｐ型シリコン基板21内に、ｎ型領
域22−１、および22−２が形成されている。このｎ型領
域22−１、および22−２が形成されていることにより、
このｎ型領域22−１、および22−２と、ｐ型シリコン基
板21との間に、所定の間隔を持ってpn接合が形成され
る。このｎ型領域22−１、および22−２が形成されたｐ
型シリコン基板21上には、絶縁膜（通常シリコン酸化
膜）24が形成されている。この絶縁膜24内には、これを
通して、上記ｎ型領域22−１、および22−２に対し、コ
ンタクト孔26が開孔されている。このコンタクト孔26内
には、これを介して、上記ｎ型領域22−１に接続される
ように、例えばアルミニウム、またはアルミニウム合金
による配線23が形成されている。一方、同様に、上記ｎ
型領域22−２に接続されるように、例えばアルミニウ
ム、またはアルミニウム合金による配線23′が形成され
ている。これらの配線23、および23′上には、接続予定
部Ｖを残して絶縁膜（通常シリコン酸化膜）25が形成さ
れている。以上のような、所定の間隔を持って形成され
たpn接合が接続されている、配線23、および23′を有す
る半導体装置の構造は、第１の実施例同様、通常の、例
えばMOS型半導体装置の製造工程によって形成される。
の実施例同様、例えばｐ型シリコン基板21内に、ｎ型領
域22−１、および22−２が形成されている。このｎ型領
域22−１、および22−２が形成されていることにより、
このｎ型領域22−１、および22−２と、ｐ型シリコン基
板21との間に、所定の間隔を持ってpn接合が形成され
る。このｎ型領域22−１、および22−２が形成されたｐ
型シリコン基板21上には、絶縁膜（通常シリコン酸化
膜）24が形成されている。この絶縁膜24内には、これを
通して、上記ｎ型領域22−１、および22−２に対し、コ
ンタクト孔26が開孔されている。このコンタクト孔26内
には、これを介して、上記ｎ型領域22−１に接続される
ように、例えばアルミニウム、またはアルミニウム合金
による配線23が形成されている。一方、同様に、上記ｎ
型領域22−２に接続されるように、例えばアルミニウ
ム、またはアルミニウム合金による配線23′が形成され
ている。これらの配線23、および23′上には、接続予定
部Ｖを残して絶縁膜（通常シリコン酸化膜）25が形成さ
れている。以上のような、所定の間隔を持って形成され
たpn接合が接続されている、配線23、および23′を有す
る半導体装置の構造は、第１の実施例同様、通常の、例
えばMOS型半導体装置の製造工程によって形成される。
このような構造を持つ半導体装置において、配線23
と、配線23′とを接続するには、第１の実施例に示した
ような、集束イオンビーム（陽イオン）を照射する際、
例えばWF6ガスのような、メタルを含むガスを吹付ける
ことにより、配線23と、配線23′との間のタングステン
蒸着予定部（接続予定部）Ｖに、タングステン膜を蒸着
させて接続する。この時も、電荷が上記配線23、あるい
は23′に蓄積され、配線23、あるいは23′の電位が上昇
する。しかしながら、この配線23、あるいは23′の電位
の上昇にともない、この配線23に接続されているｎ型領
域22−１、あるいは配線23′に接続されているｎ型領域
22−２と、ｐ型シリコン基板21との間のpn接合が非破壊
ブレークダウンを起こすことにより、上記配線23、ある
いは23′内に蓄積された電荷がｐ型シリコン基板11に放
電される。したがって、この配線23、および23′が接続
される半導体装置において、この半導体装置がチャージ
アップを起こすことはなくなり、絶縁膜を破壊すること
もない。よって、イオンビームによって異なる配線同士
を接続しても、半導体装置が故障することはなくなる。
と、配線23′とを接続するには、第１の実施例に示した
ような、集束イオンビーム（陽イオン）を照射する際、
例えばWF6ガスのような、メタルを含むガスを吹付ける
ことにより、配線23と、配線23′との間のタングステン
蒸着予定部（接続予定部）Ｖに、タングステン膜を蒸着
させて接続する。この時も、電荷が上記配線23、あるい
は23′に蓄積され、配線23、あるいは23′の電位が上昇
する。しかしながら、この配線23、あるいは23′の電位
の上昇にともない、この配線23に接続されているｎ型領
域22−１、あるいは配線23′に接続されているｎ型領域
22−２と、ｐ型シリコン基板21との間のpn接合が非破壊
ブレークダウンを起こすことにより、上記配線23、ある
いは23′内に蓄積された電荷がｐ型シリコン基板11に放
電される。したがって、この配線23、および23′が接続
される半導体装置において、この半導体装置がチャージ
アップを起こすことはなくなり、絶縁膜を破壊すること
もない。よって、イオンビームによって異なる配線同士
を接続しても、半導体装置が故障することはなくなる。
尚、本第２の実施例において、異なる配線同士を接続
するメタルの蒸着を、一方の配線から蒸着させるように
限定した場合、基板との間にpn接合を形成するためのｎ
型領域は、イオンビームが照射される一方の配線にのみ
接続されるように形成してもよい。例えば第２の実施例
において、タングステンを、配線23から、配線23′へと
蒸着させる場合、pn接合を形成するためのｎ型領域22−
１のみ形成すればよい。
するメタルの蒸着を、一方の配線から蒸着させるように
限定した場合、基板との間にpn接合を形成するためのｎ
型領域は、イオンビームが照射される一方の配線にのみ
接続されるように形成してもよい。例えば第２の実施例
において、タングステンを、配線23から、配線23′へと
蒸着させる場合、pn接合を形成するためのｎ型領域22−
１のみ形成すればよい。
また、第１の実施例では、MOS型半導体メモリの冗長
回路に用いたフューズを例にとって説明したが、あらか
じめ、配線に切断、あるいは接続を予定し、この配線を
切断、あるいは接続することにより、半導体装置を完成
とするLSIであれば、この発明が有効であることは言う
までもない。
回路に用いたフューズを例にとって説明したが、あらか
じめ、配線に切断、あるいは接続を予定し、この配線を
切断、あるいは接続することにより、半導体装置を完成
とするLSIであれば、この発明が有効であることは言う
までもない。
さらに、切断、あるいは接続される配線の材料とし
て、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金とした
が、イオンビームにより配線を切断、あるいは接続が行
なわれることから、その他の低抵抗のメタル、例えばモ
リブテン、チタン（Ti）、コバルト（Co）、タングステ
ン、タンタル（Ta）等を、切断、あるいは接続される配
線の材料としてもよい。また、ポリシリコン、およびメ
タルシリサイド、または、それらの積層構造、例えばメ
タルと、ポリシリコンとの積層構造を、切断、あるいは
接続される配線の材料としてもよい。
て、アルミニウム、あるいはアルミニウム合金とした
が、イオンビームにより配線を切断、あるいは接続が行
なわれることから、その他の低抵抗のメタル、例えばモ
リブテン、チタン（Ti）、コバルト（Co）、タングステ
ン、タンタル（Ta）等を、切断、あるいは接続される配
線の材料としてもよい。また、ポリシリコン、およびメ
タルシリサイド、または、それらの積層構造、例えばメ
タルと、ポリシリコンとの積層構造を、切断、あるいは
接続される配線の材料としてもよい。
［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明によれば、イオンビーム
による配線の切断および接続において、このイオンビー
ムにより配線を切断、あるいは接続しても、半導体装置
がチャージアップを起こすことがなくなる。したがっ
て、半導体装置のチャージアップによる故障のない、信
頼性に優れたイオンビームによる配線の切断および接続
に適した半導体装置が提供される。
による配線の切断および接続において、このイオンビー
ムにより配線を切断、あるいは接続しても、半導体装置
がチャージアップを起こすことがなくなる。したがっ
て、半導体装置のチャージアップによる故障のない、信
頼性に優れたイオンビームによる配線の切断および接続
に適した半導体装置が提供される。
第１図（ａ）はこの発明の第１の実施例に係わる半導体
装置の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示すＡ−
Ａ′線に沿う断面図、第２図（ａ）はこの発明の第２の
実施例に係わる半導体装置の平面図、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）に示すＢ−Ｂ′線に沿う断面図、第３図
（ａ）は従来技術による半導体装置の平面図、第３図
（ｂ）は第３図（ａ）に示すＣ−Ｃ′線に沿う断面図で
ある。 １…ポリシリコンフューズ、２…コンタクト孔、３…配
線、４…シリコン基板、５…絶縁膜、６…絶縁膜、11,2
1…ｐ型シリコン基板、12−1,12−2,22−1,22−２…ｎ
型領域、13,23,23′…配線、14,24…絶縁膜、15,5…絶
縁膜、16,26…コンタクト孔。
装置の平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示すＡ−
Ａ′線に沿う断面図、第２図（ａ）はこの発明の第２の
実施例に係わる半導体装置の平面図、第２図（ｂ）は第
２図（ａ）に示すＢ−Ｂ′線に沿う断面図、第３図
（ａ）は従来技術による半導体装置の平面図、第３図
（ｂ）は第３図（ａ）に示すＣ−Ｃ′線に沿う断面図で
ある。 １…ポリシリコンフューズ、２…コンタクト孔、３…配
線、４…シリコン基板、５…絶縁膜、６…絶縁膜、11,2
1…ｐ型シリコン基板、12−1,12−2,22−1,22−２…ｎ
型領域、13,23,23′…配線、14,24…絶縁膜、15,5…絶
縁膜、16,26…コンタクト孔。
Claims (6)
- 【請求項１】第１導電型の半導体基板と、 前記基板上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成され、装置に接続される配線層とを
具備し、 前記配線層の途中に、前記基板内に形成された第２導電
型の第１の半導体領域に接続される第１の部位、および
前記基板内に形成された第２導電型の第２の半導体領域
に接続される第２の部位が設けられ、 前記配線層にイオンビームにより切断されることを予定
されるフューズ部が、前記第１の部位と前記第２の部位
との間に設定され、 前記第１、第２の半導体領域がそれぞれ、前記フューズ
部にイオンビームが照射されたときに、前記配線層に蓄
積される電荷を非破壊ブレークダウンにより逃がすため
の領域として構成され、かつ前記第１、第２の半導体領
域がそれぞれ、前記配線層のみに接続される孤立した領
域であることを特徴とするイオンビームによる配線の切
断に適した半導体装置。 - 【請求項２】第１導電型の半導体基板と、 前記基板上に形成された絶縁層と、 前記絶縁層上に形成された第１の配線層と、 前記絶縁層上に、前記第１の配線層に隣接した隣接部を
有して形成された第２の配線層とを具備し、 前記隣接部近傍の、前記第１の配線層および前記第２の
配線層の少なくとも一方に、前記基板内に形成された第
２導電型の半導体領域に接続される部位が設けられ、 前記第１の配線層と前記第２の配線層の前記隣接部との
間の間隙に、イオンビームにより接続されることを予定
される接続部が設定され、 前記半導体領域が、前記接続部にイオンビームが照射さ
れたときに、前記第１の配線層および第２の配線層の少
なくとも一方に蓄積される電荷を非破壊ブレークダウン
により逃がすための領域として構成され、かつ前記半導
体領域が、前記第１、第２の配線層の少なくとも一方の
みに接続される孤立した領域であることを特徴とするイ
オンビームによる配線の接続に適した半導体装置。 - 【請求項３】前記イオンビームが、集束イオンビームで
あることを特徴とする請求項（１）に記載のイオンビー
ムによる配線の切断に適した半導体装置。 - 【請求項４】前記配線層が、ポリシリコン、メタル、メ
タル合金、高融点メタルシリサイド、およびそれらの積
層構造のいずれかであることを特徴とする請求項（１）
および請求項（３）いずれかに記載のイオンビームによ
る配線の切断に適した半導体装置。 - 【請求項５】前記イオンビームが、集束イオンビームで
あることを特徴とする請求項（２）に記載のイオンビー
ムによる配線の接続に適した半導体装置。 - 【請求項６】前記配線層が、ポリシリコン、メタル、メ
タル合金、高融点メタルシリサイド、およびそれらの積
層構造のいずれかであることを特徴とする請求項（２）
および請求項（５）いずれかに記載のイオンビームによ
る配線の接続に適した半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065576A JP2793232B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | イオンビームによる配線の切断および接続に適した半導体装置 |
| EP19900104976 EP0387887A3 (en) | 1989-03-17 | 1990-03-16 | Semiconductor device suitable for cutting or joining inter connection layer by charged particles and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1065576A JP2793232B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | イオンビームによる配線の切断および接続に適した半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02244740A JPH02244740A (ja) | 1990-09-28 |
| JP2793232B2 true JP2793232B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=13290973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1065576A Expired - Fee Related JP2793232B2 (ja) | 1989-03-17 | 1989-03-17 | イオンビームによる配線の切断および接続に適した半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0387887A3 (ja) |
| JP (1) | JP2793232B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5369054A (en) * | 1993-07-07 | 1994-11-29 | Actel Corporation | Circuits for ESD protection of metal-to-metal antifuses during processing |
| US5498895A (en) * | 1993-07-07 | 1996-03-12 | Actel Corporation | Process ESD protection devices for use with antifuses |
| JP5006604B2 (ja) | 2006-09-08 | 2012-08-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| JP5054370B2 (ja) | 2006-12-19 | 2012-10-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体チップ |
| KR20090070826A (ko) | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 퓨즈를 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4198696A (en) * | 1978-10-24 | 1980-04-15 | International Business Machines Corporation | Laser cut storage cell |
| JPS5948543B2 (ja) * | 1981-10-13 | 1984-11-27 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPS59201441A (ja) * | 1983-04-30 | 1984-11-15 | Toshiba Corp | 集束イオンビ−ムを用いたヒユ−ズ切断方法 |
| JPS6084835A (ja) * | 1983-10-17 | 1985-05-14 | Hitachi Ltd | ヒユ−ズ処理方法 |
| JPS6261342A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-18 | Toshiba Corp | 集束イオンビ−ムによるヒユ−ズの切断方法 |
-
1989
- 1989-03-17 JP JP1065576A patent/JP2793232B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-03-16 EP EP19900104976 patent/EP0387887A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0387887A2 (en) | 1990-09-19 |
| EP0387887A3 (en) | 1991-11-06 |
| JPH02244740A (ja) | 1990-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |