JPS6261342A

JPS6261342A - 集束イオンビ−ムによるヒユ−ズの切断方法

Info

Publication number: JPS6261342A
Application number: JP20044285A
Authority: JP
Inventors: Haruki Komano; 駒野　治樹
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-09-12
Filing date: 1985-09-12
Publication date: 1987-03-18

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の技術分野〕本発明は集束イオンビームによるヒユーズ切断方法に係
り、特に高密度集積回路に適したヒユーズ切断方法に関
する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕

集積回路はますま１高密度化が進み、これを素子の微細
化に依って行っている。しかしながら、加工を微細化す
ればする程、加工不良あるいは欠陥の密度は著しく増加
し、歩留の大きな低下を招く。これらを補うために、冗
長回路を半導体装置に組み込むことが行われている。

半導体メモリにおいては、半導体装置製造時にあらかじ
め、予備のメモリと冗長回路を形成し、テスト時に不良
ビットが発見された時、冗長回路を用いて予備のメモリ
に切り変えるという方式を取ることが多い。冗長回路を
働かせる為には、半導体装置中に何らかのヒユーズを組
み込み、ヒユーズを切断して冗長回路を動作させる。

ヒユーズを切断するためにＦＩＢ装置より得られるイオ
ンビームをヒユーズの幅以上の長さに渡って走査しヒユ
ーズをスパッタエッチする方法がある。この方法に使用
する装置を第２図に示す。

図中（１１）はイオン源、（１２）はアパーチャ、（１
３）は静電レンズ、（１４）はビームブラッキング電極
、（１５）はビームを走査させるための電極、（１６）
は走査されたイオンビーム、（１７）は試料、（１８）
は試料台である。（１１）から引き出され（１２）を通
ったイオンビームを（１３）により（１７）の上に収束
させる。そのイオンビームを（１５）により試料上に走
査させる。

試料がヒユーズの場合の例を第４図に示す。図中（１９
）はヒユーズであり、　（２０）の点から（２１）の点
までイオンビームを走査して（１９）を切断する。

この方法であると、イオンビームを走査させるための装
置が必要であり、またヒユーズの材質や大きさが変わっ
た時、ビームの走査速度あるいは走査範囲を調整しなけ
ればならない。

〔発明の目的〕

本発明は上述した従来方法の欠点を改良したもので、切
断時にイオンビームを走査さぜることなくヒユーズを切
断することができる方法を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明はイオン源から引き出されたイオンビームを成形
アパーチャによりヒユーズを切断するために適当な形に
成形し、そして成形されたイオンビームを走査させるこ
となくヒユーズ上に照射し、ヒユーズを切断する方法で
ある。

〔発明の効果〕

本発明では、切断するヒユーズの材質、形あるいは大き
さが変わっても、成形アパーチャを適当な形のものに変
え、ヒユーズへのイオンビームの照射時間を変えるだけ
でよく、従来の方法に比較して装置が簡単である。ビー
ムの寸法が大きいので、ヒユーズの切断時間が短かい。

〔発明の実施例〕

本発明の一実施例で使用する装置の（Ｊ成を第１図に示
す。図中（υはイオン源、■は成形アパーチャ、■は静
電レンズ、■はビームブラッキング電極、０はビーム偏
向電極、０は成形されたイオンビーム、■は試料、■は
試料台である。（１）から引き出されたイオンビームを
■より成形しく図中では矩形）（３）により■の上に収
束させる。これにより■で成形した形と相似な形に成形
されたイオンビームを■上に得ることができる。そして
第３図に示すように成形ビーム（１０）をヒユーズ０の
上に適当な時間照射し、ヒユーズを切断する。イオンビ
ームの照射時間を第１図のに）に適当な電圧を印加する
ことによ−〕で調節する。また、試料上における成形さ
れたイオンビームの照射位置を制御するために、大まか
な位置決めを第１図中の（８）を移動して行い、細かな
位置決めを■に適当な電圧を印加することにより行う、
０）への電圧の印加、（８）の移動及び■への電圧の印
加を全てコンピュータにより制御する。この装置により
ヒユーズを確実に切断することができた、

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例で用いる装置の構成図、第２
図は従来の成形ビームによるヒユーズを切断する方法に
用いられる装置の構成図、第３図は本発明の方法による
ヒユーズ切断を示す説明図、第４図はイオンビームを走
査させてヒユーズを切断する方法を示す説明図である。１・・・イオン源、２・・・イオンビーム成形用アパーチャ。３・・・静電レンズ。４・・・ビームブラッキング電極。５・・・ビーム偏向電極。６・・・成形されたイオンビーム、７・・・試料、　　　　　　　８・・・試料台、９・・
・ヒユーズ、１０・・・成形されたイオンビーム、１１・・・イオン源、　　　　　１２・・・アパーチャ
、１３・・・静電レンズ、１４・・・ビームブラッキング電極、１５・・・イオンビーム走査用のｉｔｔ極、１６・・・
走査されたイオンビーム、１７・・・試料、　　　　　　１８・・・試料台。１９・・・ヒユーズ、２０・・・走査させるイオンビームの始点、２１・・・
走査させるイオンビームの終点。代理人　弁理士　則　近　憲　佑同　　竹花喜久男第１図 ″に３図１４２図第　　４　　図

Claims

【特許請求の範囲】

基体に形成された素子間を接続するヒューズ上に集束イ
オンビームを照射して該ヒューズをスパッタエッチして
切断する際、前記イオンビームを成形した成形イオンビ
ームを前記ヒューズ上を走査させることなく前記ヒュー
ズに照射し切断することを特徴とする集束イオンビーム
によるヒューズの切断方法。