JPH0645335A - 半導体装置の配線修正装置 - Google Patents
半導体装置の配線修正装置Info
- Publication number
- JPH0645335A JPH0645335A JP4197990A JP19799092A JPH0645335A JP H0645335 A JPH0645335 A JP H0645335A JP 4197990 A JP4197990 A JP 4197990A JP 19799092 A JP19799092 A JP 19799092A JP H0645335 A JPH0645335 A JP H0645335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion beam
- power supply
- terminal
- wiring
- socket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＦＩＢのイオンビーム照射によるエッチングで
ＩＣのカバー膜あるいはアルミ配線の除去を行う場合
に、エッチング部における深さ方向の終点検出を容易に
行う。 【構成】ＩＣの電源−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇｈ’レベル、
入力ピン−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇｈ’または’Ｌｏｗ’レ
ベルの電位を与え、ＩＣ内部の論理を固定する。この状
態でインオビームを照射し、エッチングを行う。カバー
膜が除去され、アルミ配線にビームが照射されると、イ
オンの注入により、照射面と電源あるいはＧＮＤとの間
に電位差が生じる。この電位差により吸収電流が発生
し、照射面の前段にあるトランジスタを介して電源方向
あるいはＧＮＤ方向にこの電流が流れる。さらにエッチ
ングが進み、アルミ配線が除去されると吸収電流はなく
なる。電源−ＧＮＤ間に電源電流の変化を検出する機能
を有することにより、カバー膜及びアルミ配線の除去完
了を判断することができる。
ＩＣのカバー膜あるいはアルミ配線の除去を行う場合
に、エッチング部における深さ方向の終点検出を容易に
行う。 【構成】ＩＣの電源−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇｈ’レベル、
入力ピン−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇｈ’または’Ｌｏｗ’レ
ベルの電位を与え、ＩＣ内部の論理を固定する。この状
態でインオビームを照射し、エッチングを行う。カバー
膜が除去され、アルミ配線にビームが照射されると、イ
オンの注入により、照射面と電源あるいはＧＮＤとの間
に電位差が生じる。この電位差により吸収電流が発生
し、照射面の前段にあるトランジスタを介して電源方向
あるいはＧＮＤ方向にこの電流が流れる。さらにエッチ
ングが進み、アルミ配線が除去されると吸収電流はなく
なる。電源−ＧＮＤ間に電源電流の変化を検出する機能
を有することにより、カバー膜及びアルミ配線の除去完
了を判断することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の配線修正
装置に係わり、特にイオンビームを用いて配線修正を行
う半導体装置の配線修正装置に関する。
装置に係わり、特にイオンビームを用いて配線修正を行
う半導体装置の配線修正装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンビームの局部照射によるエッチン
グを利用して、絶縁物質のカバー膜の除去、アルミ配線
の切断を行う配線修正装置（以下、ＦＩＢと称す）にお
いて、従来、エッチングの終点検出は、イオンビーム照
射時にＩＣから放出される二次電子の量が物質によって
異なる点に着目して行っていた。
グを利用して、絶縁物質のカバー膜の除去、アルミ配線
の切断を行う配線修正装置（以下、ＦＩＢと称す）にお
いて、従来、エッチングの終点検出は、イオンビーム照
射時にＩＣから放出される二次電子の量が物質によって
異なる点に着目して行っていた。
【０００３】走査型イオン顕微鏡機能を有しているＦＩ
Ｂでは、イオンビームをカバー膜に照射した場合、ビー
ム照射面から放出される二次電子の量は少ないため、ビ
ーム照射面は暗い画像となる。一方、アルミ配線にイオ
ンビームを照射した場合、ビーム照射面から放出される
二次電子の量が多いため、ビーム照射面はコントラスト
が強くなり、白い画像となる。このように、物質によっ
て異なる照射面のコントラストを終点検出の目安として
いた。
Ｂでは、イオンビームをカバー膜に照射した場合、ビー
ム照射面から放出される二次電子の量は少ないため、ビ
ーム照射面は暗い画像となる。一方、アルミ配線にイオ
ンビームを照射した場合、ビーム照射面から放出される
二次電子の量が多いため、ビーム照射面はコントラスト
が強くなり、白い画像となる。このように、物質によっ
て異なる照射面のコントラストを終点検出の目安として
いた。
【０００４】次に、アルミ配線上にある絶縁物質のカバ
ー膜を除去する場合について、図面を参照して説明す
る。図４ではカバー膜のエッチング状態を示し、図５で
はＣＲＴ画面における図４の画像を示す。
ー膜を除去する場合について、図面を参照して説明す
る。図４ではカバー膜のエッチング状態を示し、図５で
はＣＲＴ画面における図４の画像を示す。
【０００５】カバー膜１７をエッチングしている状態で
は、ビーム照射面２２は、前述した通り、ＣＲＴ画面２
１において、暗い画像となる。エッチングが進み、カバ
ー膜１７が除去され、アルミ配線１８にイオンビーム１
が照射されると、ＣＲＴ画面２１では、アルミ配線１８
の部分だけ白く映し出され、層間絶縁層１９は、カバー
膜１７と同様な暗い画像となる。アルミ配線部分のコン
トラストが暗い画像から白く変化したことでエッチング
の終点を確認し、カバー膜１７の除去完了と判断する。
は、ビーム照射面２２は、前述した通り、ＣＲＴ画面２
１において、暗い画像となる。エッチングが進み、カバ
ー膜１７が除去され、アルミ配線１８にイオンビーム１
が照射されると、ＣＲＴ画面２１では、アルミ配線１８
の部分だけ白く映し出され、層間絶縁層１９は、カバー
膜１７と同様な暗い画像となる。アルミ配線部分のコン
トラストが暗い画像から白く変化したことでエッチング
の終点を確認し、カバー膜１７の除去完了と判断する。
【０００６】次にアルミ配線１８を切断する場合につい
て説明する。図６ではアルミ配線のエッチング状態を示
し、図７ではＣＲＴ画面における図６の画像を示す。
て説明する。図６ではアルミ配線のエッチング状態を示
し、図７ではＣＲＴ画面における図６の画像を示す。
【０００７】カバー膜１７が除去され、アルミ配線１８
にイオンビーム１が照射されると、前述した通り、ビー
ム照射面２２が白く映し出される。エッチングが進みア
ルミ配線１８が除去されると、ビーム照射面２２は再び
暗い画像となる。このように配線切断においては、白い
画像から暗い画像への変化をとらえることで終点検出が
可能であり、アルミ配線の除去完了を判断することがで
きる。
にイオンビーム１が照射されると、前述した通り、ビー
ム照射面２２が白く映し出される。エッチングが進みア
ルミ配線１８が除去されると、ビーム照射面２２は再び
暗い画像となる。このように配線切断においては、白い
画像から暗い画像への変化をとらえることで終点検出が
可能であり、アルミ配線の除去完了を判断することがで
きる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の終点検出方法で
は、イオンビームの調整が不十分な場合、コントラスト
の変化を確認できないことがあった。
は、イオンビームの調整が不十分な場合、コントラスト
の変化を確認できないことがあった。
【０００９】ＦＩＢでは、チップの表面で集束させたイ
オンビームを、指定したエリア内で走査させ、エッチン
グを行う。エッチングが進むとイオンビームが照射され
ている面は、ビームの集束ポイントから外れることにな
るが、チップ表面でビームが十分に集束されていれば、
ＣＲＴ画面において、照射面のフォーカスは大きくズレ
ることなく、コントラストの変化を確認することができ
る。
オンビームを、指定したエリア内で走査させ、エッチン
グを行う。エッチングが進むとイオンビームが照射され
ている面は、ビームの集束ポイントから外れることにな
るが、チップ表面でビームが十分に集束されていれば、
ＣＲＴ画面において、照射面のフォーカスは大きくズレ
ることなく、コントラストの変化を確認することができ
る。
【００１０】しかし、調整不足等により、ビームが集束
できない状態にあると、照射面がわずかにエッチングさ
れただけで、ＣＲＴ画面に映し出された照射面のフォー
カスは大きくズレてしまい、コントラストの変化を正確
に判断することが困難となってしまう。特に、多層化さ
れたＬＳＩで、最下層にあるアルミ配線を切断する場合
には、エッチング深度が深くなるためイオンビームのよ
り正確な調整が必要である。しかし、イオンビームの正
確な調整は、作業者の熟練を要するため、初心者は、調
整不十分なまま加工を行うことが多い。このため、コン
トラストの変化を確認することができず、加工失敗を繰
り返すという問題があった。
できない状態にあると、照射面がわずかにエッチングさ
れただけで、ＣＲＴ画面に映し出された照射面のフォー
カスは大きくズレてしまい、コントラストの変化を正確
に判断することが困難となってしまう。特に、多層化さ
れたＬＳＩで、最下層にあるアルミ配線を切断する場合
には、エッチング深度が深くなるためイオンビームのよ
り正確な調整が必要である。しかし、イオンビームの正
確な調整は、作業者の熟練を要するため、初心者は、調
整不十分なまま加工を行うことが多い。このため、コン
トラストの変化を確認することができず、加工失敗を繰
り返すという問題があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
装置の配線をイオンビームを照射して修正を行なう半導
体装置のＦＩＢにおいて、前記イオンビームの照射を行
なう真空試料室内に前記半導体装置を搭載するＩＣソケ
ットを載置し、前記ＩＣソケットの端子を電源に接続
し、前記イオンビーム照射中の電源電流の変化を検出す
る機能を有する半導体装置のＦＩＢにある。
装置の配線をイオンビームを照射して修正を行なう半導
体装置のＦＩＢにおいて、前記イオンビームの照射を行
なう真空試料室内に前記半導体装置を搭載するＩＣソケ
ットを載置し、前記ＩＣソケットの端子を電源に接続
し、前記イオンビーム照射中の電源電流の変化を検出す
る機能を有する半導体装置のＦＩＢにある。
【００１２】
【実施例】次に図面を参照して本発明を説明する。
【００１３】図１は本発明の第１の実施例の構成を示す
図であり、図２は第１の実施例における吸収電流の流れ
を示す回路図である。
図であり、図２は第１の実施例における吸収電流の流れ
を示す回路図である。
【００１４】第１の実施例では、真空試料室２３内にＩ
Ｃ２のＩＣソケット３を備え、図１に示すとおり、全て
のソケット端子４は切換部出力端子１２に接続されてい
る。切換部電源端子９及び切換部ＧＮＤ端子１０は、そ
れぞれ電源５の電源端子７及びＧＮＤ端子６に接続され
ており、さらに電流計８が両者間の任意の箇所に備えら
れている。端子接続切換部において、切換部電源端子９
及び切換部ＧＮＤ端子１０は、複数の切換部出力端子１
２と任意に接続することができ、ＩＣによって異なる電
源ピン、ＧＮＤピン及び入出力ピンの配置に対応して、
バイアス印加端子、ＧＮＤ端子を選択することができ
る。
Ｃ２のＩＣソケット３を備え、図１に示すとおり、全て
のソケット端子４は切換部出力端子１２に接続されてい
る。切換部電源端子９及び切換部ＧＮＤ端子１０は、そ
れぞれ電源５の電源端子７及びＧＮＤ端子６に接続され
ており、さらに電流計８が両者間の任意の箇所に備えら
れている。端子接続切換部において、切換部電源端子９
及び切換部ＧＮＤ端子１０は、複数の切換部出力端子１
２と任意に接続することができ、ＩＣによって異なる電
源ピン、ＧＮＤピン及び入出力ピンの配置に対応して、
バイアス印加端子、ＧＮＤ端子を選択することができ
る。
【００１５】ＣＭＯＳトランジスタで構成されたＩＣに
おいて配線修正を行う際、予め、端子接続切換部１１を
操作することにより、ＩＣの電源−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇ
ｈ’レベルの電位、入力ピン−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇｈ’
または’Ｌｏｗ’レベルの電位を与え、出力ピンをオー
プン状態にして、ＩＣ内部の論理を固定する。この状態
でイオンビーム１を照射し、加工を行う。
おいて配線修正を行う際、予め、端子接続切換部１１を
操作することにより、ＩＣの電源−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇ
ｈ’レベルの電位、入力ピン−ＧＮＤ間に’Ｈｉｇｈ’
または’Ｌｏｗ’レベルの電位を与え、出力ピンをオー
プン状態にして、ＩＣ内部の論理を固定する。この状態
でイオンビーム１を照射し、加工を行う。
【００１６】図２に示すようなドレイン−ゲート間の配
線を切断する場合、この配線の電位は、前段のインバー
タ回路１３の論理が固定されているため’Ｈｉｇｈ’レ
ベルまたは’Ｌｏｗ’レベルとなっている。
線を切断する場合、この配線の電位は、前段のインバー
タ回路１３の論理が固定されているため’Ｈｉｇｈ’レ
ベルまたは’Ｌｏｗ’レベルとなっている。
【００１７】先に説明した図４に示すとおり、エッチン
グによりカバー膜１７が除去され、アルミ（Ａｌ）配線
１８にビームが照射されると、イオンの注入により、ビ
ーム照射面２２と電源あるいはＧＮＤとの間に電位差が
生じる。この電位差により、吸収電流が発生し、ビーム
照射部の前段にあるインバータ回路１３のトランジスタ
を介して、電源あるいはＧＮＤ方向へ流れる。この吸収
電流による電源電流の変化は、電源−ＧＮＤ間に備えた
電流計８で確認することができる。
グによりカバー膜１７が除去され、アルミ（Ａｌ）配線
１８にビームが照射されると、イオンの注入により、ビ
ーム照射面２２と電源あるいはＧＮＤとの間に電位差が
生じる。この電位差により、吸収電流が発生し、ビーム
照射部の前段にあるインバータ回路１３のトランジスタ
を介して、電源あるいはＧＮＤ方向へ流れる。この吸収
電流による電源電流の変化は、電源−ＧＮＤ間に備えた
電流計８で確認することができる。
【００１８】さらに、先に説明した図６に示すとおり、
アルミ配線１８のエッチングが進み、イオンビーム照射
面２２のアルミが除去されると吸収電流は流れなくな
る。吸収電流が流れなくなることも電流計８をモニター
することで確認できる。
アルミ配線１８のエッチングが進み、イオンビーム照射
面２２のアルミが除去されると吸収電流は流れなくな
る。吸収電流が流れなくなることも電流計８をモニター
することで確認できる。
【００１９】次に、本発明の第２の実施例について図３
を参照して説明する。図３では、第２の実施例の構成と
吸収電流の流れを示す。
を参照して説明する。図３では、第２の実施例の構成と
吸収電流の流れを示す。
【００２０】この第２の実施例では、電源−ＧＮＤ間の
任意の箇所に電流検出部１４を有し、さらに電流検出部
１４はブランカー制御部を介してブランカーと接続され
ている。
任意の箇所に電流検出部１４を有し、さらに電流検出部
１４はブランカー制御部を介してブランカーと接続され
ている。
【００２１】第２の実施例でも第１の実施例と同様に、
ＩＣは内部の論理を固定させておく。エッチングにより
カバー膜が除去され、アルミ配線１８にイオンビーム１
が照射されると吸収電流が発生し、定常的に流れていた
電源電流が変化する。さらにエッチングが進み、アルミ
配線が除去されると吸収電流はなくなり、電源電流は定
常状態に戻る。電源電流は電源−ＧＮＤ間の任意の箇所
に接続された電流検出部１４で検出され、電流値がしき
い値を越えた時、電流検出部１４からブランカー制御部
１５へ制御信号が送られる。この制御信号により、ブラ
ンカー制御部１５はブランカー１６を動作させる。ブラ
ンカー１６はイオンビーム１に電界をかけ、ビームの照
射方向を変える機能を有している。
ＩＣは内部の論理を固定させておく。エッチングにより
カバー膜が除去され、アルミ配線１８にイオンビーム１
が照射されると吸収電流が発生し、定常的に流れていた
電源電流が変化する。さらにエッチングが進み、アルミ
配線が除去されると吸収電流はなくなり、電源電流は定
常状態に戻る。電源電流は電源−ＧＮＤ間の任意の箇所
に接続された電流検出部１４で検出され、電流値がしき
い値を越えた時、電流検出部１４からブランカー制御部
１５へ制御信号が送られる。この制御信号により、ブラ
ンカー制御部１５はブランカー１６を動作させる。ブラ
ンカー１６はイオンビーム１に電界をかけ、ビームの照
射方向を変える機能を有している。
【００２２】吸収電流によって電源電流が変化したとき
にブランカー１６が動作するようにブランカー制御部１
５を設定した場合、カバー膜が除去された時点で、ブラ
ンカー１６がイオンビーム１の照射方向を変え、エッチ
ングを止める。吸収電流がなくなり、電源電流が定常状
態に戻ったときにブランカー１６が動作するようにブラ
ンカー制御部１５を設定した場合、アルミ配線１８が除
去された時点でブランカー１６がイオンビームの照射方
向を変え、エッチングを止める。
にブランカー１６が動作するようにブランカー制御部１
５を設定した場合、カバー膜が除去された時点で、ブラ
ンカー１６がイオンビーム１の照射方向を変え、エッチ
ングを止める。吸収電流がなくなり、電源電流が定常状
態に戻ったときにブランカー１６が動作するようにブラ
ンカー制御部１５を設定した場合、アルミ配線１８が除
去された時点でブランカー１６がイオンビームの照射方
向を変え、エッチングを止める。
【００２３】電源−ＧＮＤ間に電流計のみを接続した第
１の実施例と比べ、カバー膜除去あるいはアルミ配線の
完了と同時にエッチングを止めることが可能となること
が第２の実施例の特徴である。
１の実施例と比べ、カバー膜除去あるいはアルミ配線の
完了と同時にエッチングを止めることが可能となること
が第２の実施例の特徴である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、イオンビ
ームが調整不十分で、コントラストの変化を正確に判断
できない状態であっても、イオンビーム照射によって変
化する電源電流を検出することにより、カバー膜やアル
ミ配線の除去完了を判断することができるという効果を
有する。
ームが調整不十分で、コントラストの変化を正確に判断
できない状態であっても、イオンビーム照射によって変
化する電源電流を検出することにより、カバー膜やアル
ミ配線の除去完了を判断することができるという効果を
有する。
【図１】本発明の第１の実施例を示す構成図。
【図２】本発明の第１の実施例の吸収電流の流れを示す
回路図。
回路図。
【図３】本発明の第２の実施例の吸収電流の流れを示す
回路図。
回路図。
【図４】カバー膜のエッチングを示す断面図。
【図５】カバー膜エッチング時のＣＲＴ画面におけるイ
オンビーム照射面を示す平面図。
オンビーム照射面を示す平面図。
【図６】アルミ配線のエッチングを示す断面図。
【図７】アルミ配線エッチング時のＣＲＴ画面における
イオンビーム照射面を示す平面図。
イオンビーム照射面を示す平面図。
１ イオンビーム ２ ＩＣ ３ ＩＣソケット ４ ソケット端子 ５ 電源 ６ ＧＮＤ端子 ７ ＶＤＤ端子 ８ 電流計 ９ 切換部電源端子 １０ 切換部ＧＮＤ端子 １１ 端子接続切換部 １２ 切換部出力端子 １３ インバータ回路 １４ 電流検出部 １５ ブランカー制御部 １６ ブランカー １７ カバー膜 １８ アルミ配線 １９ 層間膜 ２０ 二次電子 ２１ ＣＲＴ画面 ２２ ビーム照射面 ２３ 真空試料室
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体装置の配線をイオンビームを照射
して修正を行なう半導体装置の配線修正装置において、
前記イオンビームの照射を行なう真空試料室内に前記半
導体装置を搭載するＩＣソケットを載置し、前記ＩＣソ
ケットの端子を電源に接続し、前記イオンビーム照射中
の電源電流の変化を検出する機能を有することを特徴と
する半導体装置の配線修正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4197990A JPH0645335A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置の配線修正装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4197990A JPH0645335A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置の配線修正装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645335A true JPH0645335A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16383681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4197990A Withdrawn JPH0645335A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置の配線修正装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645335A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7935188B2 (en) | 2004-08-26 | 2011-05-03 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal processing apparatus and method of using the same |
| CN105509787A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-04-20 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法 |
| US10825701B2 (en) | 2014-11-25 | 2020-11-03 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Baking device for a wafer coated with a coating containing a solvent |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4197990A patent/JPH0645335A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7935188B2 (en) | 2004-08-26 | 2011-05-03 | Tokyo Electron Limited | Vertical thermal processing apparatus and method of using the same |
| US10825701B2 (en) | 2014-11-25 | 2020-11-03 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Baking device for a wafer coated with a coating containing a solvent |
| CN105509787A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-04-20 | 浪潮电子信息产业股份有限公司 | 一种提高小尺寸金氧半场效晶体管测试稳定性的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2864347B2 (ja) | 自己マスク型ｆｉｂミリング | |
| US6465781B1 (en) | Method and apparatus for inspecting or measuring a sample based on charged-particle beam imaging, and a charged-particle beam apparatus | |
| US7521679B2 (en) | Inspection method and inspection system using charged particle beam | |
| KR19990068026A (ko) | 집속 이온 빔에 의한 이차 이온 이미지 관찰방법 | |
| US6441398B2 (en) | Algorithm for detecting sloped contact holes using a critical-dimension waveform | |
| JPH0645335A (ja) | 半導体装置の配線修正装置 | |
| JP3836735B2 (ja) | 回路パターンの検査装置 | |
| US20050173631A1 (en) | Determining end points during charged particle beam processing | |
| JPH10300450A (ja) | 荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法 | |
| JP2953751B2 (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| US20060097194A1 (en) | Ion beam processing method | |
| JP2518540B2 (ja) | 半導体集積回路内部相互配線の検査装置 | |
| JP2003133379A (ja) | 半導体装置の検査装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2001092111A (ja) | 電子線用転写マスクのパターン形状の検査方法 | |
| JP2519512B2 (ja) | 集束イオンビ―ム装置 | |
| KR20060070003A (ko) | 반도체 기판의 결함 검출 방법 | |
| JP2992682B2 (ja) | 集積回路の断面観察方法 | |
| JP2004347483A (ja) | 電子線を用いたパターン検査装置、及び、電子線を用いたパターン検査方法 | |
| CN114252680B (zh) | 检测源漏间漏电的电压衬度方法 | |
| JP5098138B2 (ja) | スパッタリング方法及びスパッタリング装置 | |
| JP2655513B2 (ja) | 電子線露光装置 | |
| JPH07105321B2 (ja) | イオンビ−ム加工方法およびその装置 | |
| US6093512A (en) | Method and apparatus for dimension measurement and inspection of structures utilizing corpuscular beam | |
| JP2912745B2 (ja) | 半導体装置の故障解析方法 | |
| KR20070001360A (ko) | 반도체 기판의 결함 검출 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |