JPH10300450A - 荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法 - Google Patents
荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法Info
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- JPH10300450A JPH10300450A JP9109041A JP10904197A JPH10300450A JP H10300450 A JPH10300450 A JP H10300450A JP 9109041 A JP9109041 A JP 9109041A JP 10904197 A JP10904197 A JP 10904197A JP H10300450 A JPH10300450 A JP H10300450A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的短時間に多数のホールの状態を検査す
ることができる荷電粒子ビームを用いたホールの検査方
法を実現する。 【解決手段】 試料４に形成されたコンタクトホールの
内、基準となるコンタクトホールＨ1 を基点とした各コ
ンタクトホールの位置のデータに基づき、制御装置１１
は偏向制御回路７を制御し、電子ビームＥＢを各コンタ
クトホールの中心部分に飛び飛びに偏向する。この電子
ビームの偏向は、２段の偏向コイル５，６によって行わ
れるが、その際、ビームシフトと呼ばれる機能により電
子ビームは偏向される。
ることができる荷電粒子ビームを用いたホールの検査方
法を実現する。 【解決手段】 試料４に形成されたコンタクトホールの
内、基準となるコンタクトホールＨ1 を基点とした各コ
ンタクトホールの位置のデータに基づき、制御装置１１
は偏向制御回路７を制御し、電子ビームＥＢを各コンタ
クトホールの中心部分に飛び飛びに偏向する。この電子
ビームの偏向は、２段の偏向コイル５，６によって行わ
れるが、その際、ビームシフトと呼ばれる機能により電
子ビームは偏向される。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、電子ビームや荷電粒子
ビームを用い、半導体デバイスの製造過程で形成される
ホールの状態を検査するための荷電粒子ビームを用いた
ホールの検査方法に関する。
ビームを用い、半導体デバイスの製造過程で形成される
ホールの状態を検査するための荷電粒子ビームを用いた
ホールの検査方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスは、シリコン等のウエハ
上に多層構造が形成されている。この場合、特定の層の
間には絶縁層が形成され、特定の層の間は絶縁層に形成
されたコンタクトホール（スルーホールともいう）に導
電性材料を埋め込むことによって電気的接続を行うよう
にしている。
上に多層構造が形成されている。この場合、特定の層の
間には絶縁層が形成され、特定の層の間は絶縁層に形成
されたコンタクトホール（スルーホールともいう）に導
電性材料を埋め込むことによって電気的接続を行うよう
にしている。
【０００３】半導体デバイスを製造する過程で、このコ
ンタクトホールは、絶縁層にレジストを塗布し、その上
にコンタクトホールのパターンを露光し、その後現像処
理やエッチング処理を施して形成される。
ンタクトホールは、絶縁層にレジストを塗布し、その上
にコンタクトホールのパターンを露光し、その後現像処
理やエッチング処理を施して形成される。
【０００４】このようなコンタクトホールの形成におい
て、正確に絶縁層を貫通してホールが形成されなかった
り、あるいは、ホールの中にレジストの残渣などがある
と、最終的に製造された半導体デバイスは正常な動作を
せず欠陥となる。
て、正確に絶縁層を貫通してホールが形成されなかった
り、あるいは、ホールの中にレジストの残渣などがある
と、最終的に製造された半導体デバイスは正常な動作を
せず欠陥となる。
【０００５】このためコンタクトホールを形成した後、
ホールの形成状態を検査することは、その後の製造工程
を行うかどうかの決定上重要である。また、この検査に
よって得られたホールの形成状態によって、ホールの形
成工程の不良原因の解析を行うこともできる。
ホールの形成状態を検査することは、その後の製造工程
を行うかどうかの決定上重要である。また、この検査に
よって得られたホールの形成状態によって、ホールの形
成工程の不良原因の解析を行うこともできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したコンタクトホ
ールの状態の検査は、ホールが形成された試料に対し
て、例えば電子ビームを走査し、各ホールから得られた
信号、例えば２次電子を検出することによって行うこと
が考えられる。しかしながら、コンタクトホールはシリ
コン等のウエハの極めて多数のチップごとに多数設けら
れており、このため、ウエハ試料のほぼ全面に渡って電
子ビームを走査しなければならない。
ールの状態の検査は、ホールが形成された試料に対し
て、例えば電子ビームを走査し、各ホールから得られた
信号、例えば２次電子を検出することによって行うこと
が考えられる。しかしながら、コンタクトホールはシリ
コン等のウエハの極めて多数のチップごとに多数設けら
れており、このため、ウエハ試料のほぼ全面に渡って電
子ビームを走査しなければならない。
【０００７】例えば、８インチウエハの面積は、約３１
４ｃｍ2 であり、この結果、電子ビームの全ウエハ領域
を走査する時間が極めて長時間となる。また、仮にウエ
ハの全面を検査せず、特定の領域だけを検査する場合で
も電子ビームの走査面積は電子ビームの走査にとって非
常に大きいもので、この場合でも電子ビームの走査時間
は長時間となる。
４ｃｍ2 であり、この結果、電子ビームの全ウエハ領域
を走査する時間が極めて長時間となる。また、仮にウエ
ハの全面を検査せず、特定の領域だけを検査する場合で
も電子ビームの走査面積は電子ビームの走査にとって非
常に大きいもので、この場合でも電子ビームの走査時間
は長時間となる。
【０００８】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、比較的短時間に多数のホールの状
態を検査することができる荷電粒子ビームを用いたホー
ルの検査方法を実現するにある。
もので、その目的は、比較的短時間に多数のホールの状
態を検査することができる荷電粒子ビームを用いたホー
ルの検査方法を実現するにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】第１の発明に基づく荷電
粒子ビームを用いたホールの検査方法は、多数のホール
が形成された試料に荷電粒子ビームを照射し、ホール部
分への荷電粒子ビームの照射によって得られた信号に基
づいてホールの状態を検査する検査方法において、試料
に形成されたホールの位置データに基づき、荷電粒子ビ
ームをホール部分に飛び飛びに偏向し、各ホール部分の
みに荷電粒子ビームを照射するようにしたことを特徴と
している。
粒子ビームを用いたホールの検査方法は、多数のホール
が形成された試料に荷電粒子ビームを照射し、ホール部
分への荷電粒子ビームの照射によって得られた信号に基
づいてホールの状態を検査する検査方法において、試料
に形成されたホールの位置データに基づき、荷電粒子ビ
ームをホール部分に飛び飛びに偏向し、各ホール部分の
みに荷電粒子ビームを照射するようにしたことを特徴と
している。
【００１０】第１の発明では、荷電粒子ビームをホール
部分に飛び飛びに偏向し、各ホール部分のみに荷電粒子
ビームを照射するようにして、検査時間を短縮する。第
２の発明では、請求項１の発明において各ホールの中に
荷電粒子ビームを所定時間照射位置を固定して照射す
る。
部分に飛び飛びに偏向し、各ホール部分のみに荷電粒子
ビームを照射するようにして、検査時間を短縮する。第
２の発明では、請求項１の発明において各ホールの中に
荷電粒子ビームを所定時間照射位置を固定して照射す
る。
【００１１】第３の発明では、請求項１の発明におい
て、各ホール部分で荷電粒子ビームを走査するようにし
た。第４の発明では、請求項１の発明において、試料に
ホールを形成する際に用意された各ホールの位置データ
に基づき、荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏
向する。
て、各ホール部分で荷電粒子ビームを走査するようにし
た。第４の発明では、請求項１の発明において、試料に
ホールを形成する際に用意された各ホールの位置データ
に基づき、荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏
向する。
【００１２】第５の発明では、請求項４の発明におい
て、試料にホールを形成する際に用意された各ホールの
位置データは、ＣＡＤによって作成されたデータである
ことを特徴としている。
て、試料にホールを形成する際に用意された各ホールの
位置データは、ＣＡＤによって作成されたデータである
ことを特徴としている。
【００１３】第６の発明では、請求項１の発明におい
て、試料に、荷電粒子ビームを走査し、この走査に基づ
いて得られた信号に基づき、試料上の各ホールの位置デ
ータを得ることを特徴としている。
て、試料に、荷電粒子ビームを走査し、この走査に基づ
いて得られた信号に基づき、試料上の各ホールの位置デ
ータを得ることを特徴としている。
【００１４】第７の発明では、請求項１の発明におい
て、各ホールの位置データと実試料の位置との間に、何
らかの理由により歪がある場合、若干の測定によって位
置データに補正を加えたことを特徴としている。
て、各ホールの位置データと実試料の位置との間に、何
らかの理由により歪がある場合、若干の測定によって位
置データに補正を加えたことを特徴としている。
【００１５】第８の発明では、多数のホールが形成され
た領域が繰り返し多数配列された試料の場合、試料の特
定の領域において荷電粒子ビームを走査し、この走査に
基づいて得られた信号に基づき、その特定の領域に含ま
れるホールの位置を測定し、この得られた位置データに
基づいて他の領域における測定を行うことを特徴として
いる。
た領域が繰り返し多数配列された試料の場合、試料の特
定の領域において荷電粒子ビームを走査し、この走査に
基づいて得られた信号に基づき、その特定の領域に含ま
れるホールの位置を測定し、この得られた位置データに
基づいて他の領域における測定を行うことを特徴として
いる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明を実施するた
めの走査電子顕微鏡システムの一例を示しており、１は
電子銃である。電子銃１から発生し加速された電子ビー
ムＥＢは、コンデンサレンズ２と対物レンズ３によって
試料４に細く集束される。
施の形態を詳細に説明する。図１は本発明を実施するた
めの走査電子顕微鏡システムの一例を示しており、１は
電子銃である。電子銃１から発生し加速された電子ビー
ムＥＢは、コンデンサレンズ２と対物レンズ３によって
試料４に細く集束される。
【００１７】電子ビームＥＢは更に２段の偏向コイル
５，６によって偏向され、試料４に照射される。偏向コ
イル５，６には偏向制御回路７から偏向信号が供給され
る。試料４への電子ビームＥＢの照射によって発生した
２次電子は、２次電子検出器８によって検出される。
５，６によって偏向され、試料４に照射される。偏向コ
イル５，６には偏向制御回路７から偏向信号が供給され
る。試料４への電子ビームＥＢの照射によって発生した
２次電子は、２次電子検出器８によって検出される。
【００１８】検出器８の検出信号は、増幅器９によって
増幅された後、ＡＤ変換器１０によってデジタル信号に
変換され、メモリー１４に格納される。制御装置１１は
偏向制御回路７、ＡＤ変換器１０や試料４が載せられた
ステージ１２を駆動する駆動機構１３を制御する。ま
た、メモリー１４には信号処理装置１５が接続されてい
る。このような構成の動作を図２に示したウエハ試料の
検査を例にして、次に説明する。
増幅された後、ＡＤ変換器１０によってデジタル信号に
変換され、メモリー１４に格納される。制御装置１１は
偏向制御回路７、ＡＤ変換器１０や試料４が載せられた
ステージ１２を駆動する駆動機構１３を制御する。ま
た、メモリー１４には信号処理装置１５が接続されてい
る。このような構成の動作を図２に示したウエハ試料の
検査を例にして、次に説明する。
【００１９】図２は検査対象としてのウエハ試料４を示
しており、図２（ａ）はウエハ試料全体を示している。
ウエハ試料４には多数のチップＣが形成されており、Ｃ
ｏｌｕｍｎ方向のｉ、Ｒｏｍ方向のｊの位置座標のｍ器
目のチップＣm （ｉ，ｊ）を図２（ｂ）に示す。
しており、図２（ａ）はウエハ試料全体を示している。
ウエハ試料４には多数のチップＣが形成されており、Ｃ
ｏｌｕｍｎ方向のｉ、Ｒｏｍ方向のｊの位置座標のｍ器
目のチップＣm （ｉ，ｊ）を図２（ｂ）に示す。
【００２０】図２（ｂ）に示したチップＣm （ｉ，ｊ）
の内、一般的には電子ビームによって検査される領域は
制限されているが、チップ全体であっても良い。また検
査される領域は試料（ステージ）の移動を伴わずに電子
ビームの偏向によってのみ検査を行う観察小領域Ａ1 〜
Ａn に仮想的に分割されている。
の内、一般的には電子ビームによって検査される領域は
制限されているが、チップ全体であっても良い。また検
査される領域は試料（ステージ）の移動を伴わずに電子
ビームの偏向によってのみ検査を行う観察小領域Ａ1 〜
Ａn に仮想的に分割されている。
【００２１】このチップＣm （ｉ，ｊ）に含まれる観察
小領域Ａ1 〜Ａn の内の任意の小領域Ａk を図２（ｃ）
に示す。この小領域Ａk には、多数のコンタクトホール
Ｈ1〜Ｈn が形成されている。なお、他の小領域にも図
２（ｃ）に示したと同様のコンタクトホールが任意の位
置に形成されている。
小領域Ａ1 〜Ａn の内の任意の小領域Ａk を図２（ｃ）
に示す。この小領域Ａk には、多数のコンタクトホール
Ｈ1〜Ｈn が形成されている。なお、他の小領域にも図
２（ｃ）に示したと同様のコンタクトホールが任意の位
置に形成されている。
【００２２】ここで、小領域Ａk 内のコンタクトホール
Ｈ1 〜Ｈn の検査について説明する。まず、小領域Ａk
のほぼ中心位置が電子ビームＥＢの光軸Ｏと一致するよ
うにステージ１２を駆動する。このステージ１２の駆動
は、制御装置１１によってステージ駆動機構１３を制御
することによって行う。
Ｈ1 〜Ｈn の検査について説明する。まず、小領域Ａk
のほぼ中心位置が電子ビームＥＢの光軸Ｏと一致するよ
うにステージ１２を駆動する。このステージ１２の駆動
は、制御装置１１によってステージ駆動機構１３を制御
することによって行う。
【００２３】なお、小領域Ａk の座標およびその中に形
成されているコンタクトホールＨ1〜Ｈn の座標位置
は、通常事前に知ることができる。すなわち、各コンタ
クトホールの位置はＣＡＤによって設計され、このＣＡ
Ｄデータに基づいて各処理工程によりホールが形成され
ているから、ＣＡＤデータを利用することによりコンタ
クトホールＨ1 〜Ｈn の座標位置は、既知となる。
成されているコンタクトホールＨ1〜Ｈn の座標位置
は、通常事前に知ることができる。すなわち、各コンタ
クトホールの位置はＣＡＤによって設計され、このＣＡ
Ｄデータに基づいて各処理工程によりホールが形成され
ているから、ＣＡＤデータを利用することによりコンタ
クトホールＨ1 〜Ｈn の座標位置は、既知となる。
【００２４】このコンタクトホールＨ1 〜Ｈn の座標位
置を含むＣＡＤデータは、データメモリー１４に格納さ
れており、このデータに基づいて制御装置１１はステー
ジ１２の駆動を行う。ステージ１２の所定の移動が終了
した後、次に小領域Ａk 内の特定のコンタクトホールを
用いて、ステージ１２の移動精度に伴う位置ずれの検出
を行う。
置を含むＣＡＤデータは、データメモリー１４に格納さ
れており、このデータに基づいて制御装置１１はステー
ジ１２の駆動を行う。ステージ１２の所定の移動が終了
した後、次に小領域Ａk 内の特定のコンタクトホールを
用いて、ステージ１２の移動精度に伴う位置ずれの検出
を行う。
【００２５】この位置ずれの検出は、特定のコンタクト
ホール、例えばホールＨ1 の部分に電子ビームを偏向
し、更に、このホールＨ1 を含む微小な領域で電子ビー
ムを２次元的に走査することによって行う。すなわち、
この走査によって得られた２次電子を検出器８で検出
し、この検出信号に基づき、ホールＨ1 のデータ上の位
置と実際の位置とのずれ量を測定することができる。こ
のようにして測定された位置のずれ量に基づき、他のコ
ンタクトホールの位置のデータはキャリブレーションさ
れる。もちろん、十分精度のあるステージでは、この処
理は不要である。
ホール、例えばホールＨ1 の部分に電子ビームを偏向
し、更に、このホールＨ1 を含む微小な領域で電子ビー
ムを２次元的に走査することによって行う。すなわち、
この走査によって得られた２次電子を検出器８で検出
し、この検出信号に基づき、ホールＨ1 のデータ上の位
置と実際の位置とのずれ量を測定することができる。こ
のようにして測定された位置のずれ量に基づき、他のコ
ンタクトホールの位置のデータはキャリブレーションさ
れる。もちろん、十分精度のあるステージでは、この処
理は不要である。
【００２６】次に、基準となるコンタクトホールＨ1 を
基点とした各コンタクトホールの位置のデータに基づ
き、制御装置１１は偏向制御回路７を制御し、電子ビー
ムＥＢを各コンタクトホールの中心部分に飛び飛びに偏
向する。この電子ビームの偏向は、２段の偏向コイル
５，６によって行われるが、その際、ビームシフトと呼
ばれる機能により電子ビームは偏向される。
基点とした各コンタクトホールの位置のデータに基づ
き、制御装置１１は偏向制御回路７を制御し、電子ビー
ムＥＢを各コンタクトホールの中心部分に飛び飛びに偏
向する。この電子ビームの偏向は、２段の偏向コイル
５，６によって行われるが、その際、ビームシフトと呼
ばれる機能により電子ビームは偏向される。
【００２７】すなわち、偏向コイル５で光軸Ｏから所定
の角度で偏向された電子ビームは、偏向コイル６により
光軸Ｏに平行となるように偏向される。この結果、電子
ビームは各コンタクトホールに垂直に照射され、アスペ
クト比の大きなホール（ホールの開口径に比べて深さ方
向の長さが長いホール）であっても、ホールの底部に電
子ビームを照射することを可能とする。
の角度で偏向された電子ビームは、偏向コイル６により
光軸Ｏに平行となるように偏向される。この結果、電子
ビームは各コンタクトホールに垂直に照射され、アスペ
クト比の大きなホール（ホールの開口径に比べて深さ方
向の長さが長いホール）であっても、ホールの底部に電
子ビームを照射することを可能とする。
【００２８】ただし、ビームシフト機能で電子ビームを
各コンタクトホールに飛び飛びに偏向することは本発明
の絶対条件ではなく、ホールのアスペクト比等の条件に
応じ、電子ビーム光軸Ｏ上の特定の位置を偏向支点とし
て電子ビームを偏向するようにしても良い。
各コンタクトホールに飛び飛びに偏向することは本発明
の絶対条件ではなく、ホールのアスペクト比等の条件に
応じ、電子ビーム光軸Ｏ上の特定の位置を偏向支点とし
て電子ビームを偏向するようにしても良い。
【００２９】上記電子ビームの飛び飛びの偏向の際、電
子ビームＥＢは各コンタクトホールの中心部分で所定の
短い時間停止して照射されるように制御される。このコ
ンタクトホールへの電子ビームの照射によって発生した
２次電子は、２次電子検出器８によって検出される。
子ビームＥＢは各コンタクトホールの中心部分で所定の
短い時間停止して照射されるように制御される。このコ
ンタクトホールへの電子ビームの照射によって発生した
２次電子は、２次電子検出器８によって検出される。
【００３０】検出器８の検出信号は、増幅器９によって
増幅され、ＡＤ変換器１０によってデジタル信号に変換
された後、メモリー１４に供給される。信号処理装置１
５ではメモリー１４の内容を読みだし、電子ビームの照
射によって得られた検出信号の強度そのものや信号強度
の変化の状態により、それぞれのコンタクトホールが正
常か欠陥かの判断を行い、その結果をそれぞれのコンタ
クトホールの位置座標と共に記憶する。
増幅され、ＡＤ変換器１０によってデジタル信号に変換
された後、メモリー１４に供給される。信号処理装置１
５ではメモリー１４の内容を読みだし、電子ビームの照
射によって得られた検出信号の強度そのものや信号強度
の変化の状態により、それぞれのコンタクトホールが正
常か欠陥かの判断を行い、その結果をそれぞれのコンタ
クトホールの位置座標と共に記憶する。
【００３１】このようにして特定の小領域Ａｋ内の全て
のコンタクトホールへの電子ビームの飛び飛びの照射が
終了した後、ステージ１２が移動され、小領域Ａｋと隣
り合った小領域の中心に電子ビームの光軸Ｏが一致さ
れ、同様のステップで小領域内のコンタクトホールの検
査が行われる。特定のチップ内の全ての検査対象の小領
域のコンタクトホールの検査が終了した後、他のチップ
内のコンタクトホールの検査が行われ、ウエハ試料４全
体のコンタクトホールの検査が行われる。
のコンタクトホールへの電子ビームの飛び飛びの照射が
終了した後、ステージ１２が移動され、小領域Ａｋと隣
り合った小領域の中心に電子ビームの光軸Ｏが一致さ
れ、同様のステップで小領域内のコンタクトホールの検
査が行われる。特定のチップ内の全ての検査対象の小領
域のコンタクトホールの検査が終了した後、他のチップ
内のコンタクトホールの検査が行われ、ウエハ試料４全
体のコンタクトホールの検査が行われる。
【００３２】なお、上記した各コンタクトホールの検査
では、コンタクトホールの中心部分に電子ビームＥＢを
短い時間照射位置を固定して照射するようにしたが、各
コンタクトホール部分で電子ビームを１次元あるいは２
次元的に走査しても良い。
では、コンタクトホールの中心部分に電子ビームＥＢを
短い時間照射位置を固定して照射するようにしたが、各
コンタクトホール部分で電子ビームを１次元あるいは２
次元的に走査しても良い。
【００３３】上記した実施の形態では、電子ビームを各
コンタクトホール部分に飛び飛びに偏向したので、ウエ
ハ試料上のコンタクトホール部分以外の領域には電子ビ
ームの走査が行われず、その結果、短い時間で検査対象
のコンタクトホールの検査を実行することができる。
コンタクトホール部分に飛び飛びに偏向したので、ウエ
ハ試料上のコンタクトホール部分以外の領域には電子ビ
ームの走査が行われず、その結果、短い時間で検査対象
のコンタクトホールの検査を実行することができる。
【００３４】なお、上記実施の形態では、各コンタクト
ホール部分の位置データは、ＣＡＤ等の事前に知られた
データを用いたが、ＣＡＤデータが存在しない場合、あ
るいは、コンタクトホール形成過程で用いたステッパに
使用されているレンズの歪みによる影響が大きく、ＣＡ
Ｄデータでは正確に各コンタクトホール位置に電子ビー
ムを偏向できない場合には、各ホールの検査に先立っ
て、ホール位置の学習を行う必要がある。以下この学習
ステップの一例を図２に示したウエハ試料を例に説明す
る。
ホール部分の位置データは、ＣＡＤ等の事前に知られた
データを用いたが、ＣＡＤデータが存在しない場合、あ
るいは、コンタクトホール形成過程で用いたステッパに
使用されているレンズの歪みによる影響が大きく、ＣＡ
Ｄデータでは正確に各コンタクトホール位置に電子ビー
ムを偏向できない場合には、各ホールの検査に先立っ
て、ホール位置の学習を行う必要がある。以下この学習
ステップの一例を図２に示したウエハ試料を例に説明す
る。
【００３５】［ステップ１］検査対象とするチップアド
レスＣm （ｉ，ｊ）、各チップごとに決められた矩形状
の検査対象領域の始点座標Ｓn （Ｘs ，Ｙs ）、およ
び、終点座標Ｅn （Ｘ e ，Ｙe ）をウエハ試料検査のデ
ータベースから得る。ただし、ｍ＝１，２，３，……，
Ｍ、ｎ＝１，２，３，……，Ｎである。
レスＣm （ｉ，ｊ）、各チップごとに決められた矩形状
の検査対象領域の始点座標Ｓn （Ｘs ，Ｙs ）、およ
び、終点座標Ｅn （Ｘ e ，Ｙe ）をウエハ試料検査のデ
ータベースから得る。ただし、ｍ＝１，２，３，……，
Ｍ、ｎ＝１，２，３，……，Ｎである。
【００３６】［ステップ２］ｍ＝１とする。 ［ステップ３］Ｃm （ｉ，ｊ）すなわち、Ｃｏｌｕｍｎ
＝ｉ，Ｒｏｗ＝ｊへステージ１２を移動する。
＝ｉ，Ｒｏｗ＝ｊへステージ１２を移動する。
【００３７】［ステップ４］ｎ＝１とする。 ［ステップ５］Ｓn （Ｘs ，Ｙs ）、Ｅn （Ｘe ，
Ｙe ）の組を読みだし、Ｘ＝Ｘs ，Ｙ＝Ｙ s とする。
Ｙe ）の組を読みだし、Ｘ＝Ｘs ，Ｙ＝Ｙ s とする。
【００３８】［ステップ６］検査視野（Ｘ，Ｙ）へ視野
を移動する。視野移動はステージの移動もしくはビーム
シフトによりビーム走査の原点を光軸に対して平行移動
することで行う。
を移動する。視野移動はステージの移動もしくはビーム
シフトによりビーム走査の原点を光軸に対して平行移動
することで行う。
【００３９】［ステップ７］検査対象領域を電子ビーム
で走査し、適切な倍率で走査電子顕微鏡により撮影（デ
ジタルデータ変換）する。この場合、例えば、倍率を１
万倍とする。また、Ｘ，Ｙ方向の視野の幅、すなわち、
電子ビームの走査幅をそれぞれδｘ，δｙとする。
で走査し、適切な倍率で走査電子顕微鏡により撮影（デ
ジタルデータ変換）する。この場合、例えば、倍率を１
万倍とする。また、Ｘ，Ｙ方向の視野の幅、すなわち、
電子ビームの走査幅をそれぞれδｘ，δｙとする。
【００４０】［ステップ８］撮影した走査電子顕微鏡画
像を画像処理し、画面内の全てのコンタクトホールを探
し、それぞれのコンタクトホールの中心位置（Ｘｃ，Ｙ
ｃ）と大きさ（開口径ｒ）を求め（図２（ｄ）参照）、
それぞれを検査データベースへ記録する。
像を画像処理し、画面内の全てのコンタクトホールを探
し、それぞれのコンタクトホールの中心位置（Ｘｃ，Ｙ
ｃ）と大きさ（開口径ｒ）を求め（図２（ｄ）参照）、
それぞれを検査データベースへ記録する。
【００４１】［ステップ９］Ｘ＝Ｘ＋δｘ（検査対象領
域内のＸ方向に隣接した視野）とし、ステップ６以降を
繰り返す。
域内のＸ方向に隣接した視野）とし、ステップ６以降を
繰り返す。
【００４２】［ステップ１０］Ｘ＞Ｘｅ（Ｘ方向の領域
外へ視野が出た）なら、Ｘ＝Ｘｓ，Ｙ＝Ｙ＋δｙとし、
ステップ６以降を繰り返す。
外へ視野が出た）なら、Ｘ＝Ｘｓ，Ｙ＝Ｙ＋δｙとし、
ステップ６以降を繰り返す。
【００４３】［ステップ１１］Ｙ＞Ｙｅ（Ｙ方向の領域
外へ視野が出た）なら、ｎ＝ｎ＋１とし、ステップ５以
降を繰り返す。
外へ視野が出た）なら、ｎ＝ｎ＋１とし、ステップ５以
降を繰り返す。
【００４４】［ステップ１２］ｎ＞Ｎ（チップ内の全領
域の処理が終了した）なら、ｍ＝ｍ＋１とし、ステップ
３から繰り返す。
域の処理が終了した）なら、ｍ＝ｍ＋１とし、ステップ
３から繰り返す。
【００４５】［ステップ１３］ｍ＞Ｍ（全チップの処理
が終了した）なら、処理を終了する。なお、一般的にウ
エハ上のチップは全て同一パターンが描画される。従っ
て、１チップのコンタクトホールの位置を学習すれば、
他のチップのコンタクトホールの位置は、そのデータで
代表することができる。その場合は、ステップ１３は不
要である。
が終了した）なら、処理を終了する。なお、一般的にウ
エハ上のチップは全て同一パターンが描画される。従っ
て、１チップのコンタクトホールの位置を学習すれば、
他のチップのコンタクトホールの位置は、そのデータで
代表することができる。その場合は、ステップ１３は不
要である。
【００４６】このようにして各コンタクトホールの中心
位置と大きさは求められ、それらのデータは、図１のシ
ステムではデータメモリー１４に記憶される。ＣＡＤあ
るいは学習によって得た位置データに基づいて、位置デ
ータをＣｏｌｕｍｎ別、Ｒｏｗ別のチップ毎に、チップ
内についてもＣｏｌｕｍｎ別、Ｒｏｗ別の小領域毎に、
小領域内のホール位置についても同様にソートし配列し
ておく。この様にしておけば、速度の遅いステージの駆
動距離をできる限り短くして時間的効率を高めることが
容易となる。検査はこの位置データに基づき、順序よく
行われる。
位置と大きさは求められ、それらのデータは、図１のシ
ステムではデータメモリー１４に記憶される。ＣＡＤあ
るいは学習によって得た位置データに基づいて、位置デ
ータをＣｏｌｕｍｎ別、Ｒｏｗ別のチップ毎に、チップ
内についてもＣｏｌｕｍｎ別、Ｒｏｗ別の小領域毎に、
小領域内のホール位置についても同様にソートし配列し
ておく。この様にしておけば、速度の遅いステージの駆
動距離をできる限り短くして時間的効率を高めることが
容易となる。検査はこの位置データに基づき、順序よく
行われる。
【００４７】次に従来考えられていた試料の全面を電子
ビームで走査する方式（以下従来方式という）と、本発
明に基づく電子ビームの飛び飛び偏向方式（以下本発明
方式という）との検査時間の比較を行う。
ビームで走査する方式（以下従来方式という）と、本発
明に基づく電子ビームの飛び飛び偏向方式（以下本発明
方式という）との検査時間の比較を行う。
【００４８】例えば、従来方式では電子ビームの電流Ｉ
ｂが５０ｎＡ、サンプリング時間Ｔｓ＝１０ｎＳ（１０
０ＭＨｚ）でサンプリングしていると仮定する。この
時、試料上の１点へ照射される電荷ｑは、次の通りとな
る。
ｂが５０ｎＡ、サンプリング時間Ｔｓ＝１０ｎＳ（１０
０ＭＨｚ）でサンプリングしていると仮定する。この
時、試料上の１点へ照射される電荷ｑは、次の通りとな
る。
【００４９】ｑ＝Ｉｂ・Ｔｓ＝５０ｎＡ・１０ｎＳ＝
５．０×１０-16 ［Ａ・Ｓ］ 本発明方式で従来方式と同じ電荷を照射するためには、
例えば電子ビーム電流をＩｂ＝２０ｐＡとし、リークが
ないものとすると、照射時間Ｔｓ（Ｉｂ＝２０ｐＡ）
は、次の通りとなる。
５．０×１０-16 ［Ａ・Ｓ］ 本発明方式で従来方式と同じ電荷を照射するためには、
例えば電子ビーム電流をＩｂ＝２０ｐＡとし、リークが
ないものとすると、照射時間Ｔｓ（Ｉｂ＝２０ｐＡ）
は、次の通りとなる。
【００５０】Ｔｓ（Ｉｂ＝２０ｐＡ）＝ｑ／Ｉｂ＝５．
０×１０-16 ［Ａ・Ｓ］／２０．０×１０-12 ［Ａ］＝
２５．０［μＳ］ また、例えば電子ビーム電流を１ｎＡにすることができ
るなら、照射時間Ｔｓ（１ｎＡ）は、次の通りとなる。
０×１０-16 ［Ａ・Ｓ］／２０．０×１０-12 ［Ａ］＝
２５．０［μＳ］ また、例えば電子ビーム電流を１ｎＡにすることができ
るなら、照射時間Ｔｓ（１ｎＡ）は、次の通りとなる。
【００５１】Ｔｓ（Ｉｂ＝１ｎＡ）＝ｑ／Ｉｂ＝５．０
×１０-16 ［Ａ・Ｓ］／２０．０×１０-9［Ａ］＝０．
５［μＳ］ コンタクトホールからコンタクトホールへの電子ビーム
の移動時間Ｔｈ（セトリングタイムを含む）を５００ｎ
Ｓと仮定すると、１画面中に１００点のコンタクトホー
ルがある場合のコンタクトホールを検査する時間Ｔｊ
は、次と通りとなる。
×１０-16 ［Ａ・Ｓ］／２０．０×１０-9［Ａ］＝０．
５［μＳ］ コンタクトホールからコンタクトホールへの電子ビーム
の移動時間Ｔｈ（セトリングタイムを含む）を５００ｎ
Ｓと仮定すると、１画面中に１００点のコンタクトホー
ルがある場合のコンタクトホールを検査する時間Ｔｊ
は、次と通りとなる。
【００５２】Ｔｊ（２０ｐＡ）＝（Ｔｈ＋Ｔｓ（２０ｐ
Ａ））×１００＝２５．５［μＳ］×１００＝２．５５
［ｍＳ］ Ｔｊ（１ｎＡ）＝（Ｔｈ＋Ｔｓ（１ｎＡ））×１００＝
１．０［μＳ］×１００＝１００［μＳ］ 従来方式で、１画面（５１２×５１２）ピクセルを検査
する時間Ｔｋは、高速走査時でも１画素１０ｎｓ程度で
あるから、Ｔｋ＝５１２×５１２×１０［ｎＳ］−２．
６２［ｍＳ］であるので、本発明方式では、電子ビーム
電流が２０ｐＡでも１画面の検査時間は、従来方式に匹
敵し、電子ビーム電流が１ｎＡであれば、従来方式より
コンタクトホールを２５倍高速に検査することが可能と
なる。
Ａ））×１００＝２５．５［μＳ］×１００＝２．５５
［ｍＳ］ Ｔｊ（１ｎＡ）＝（Ｔｈ＋Ｔｓ（１ｎＡ））×１００＝
１．０［μＳ］×１００＝１００［μＳ］ 従来方式で、１画面（５１２×５１２）ピクセルを検査
する時間Ｔｋは、高速走査時でも１画素１０ｎｓ程度で
あるから、Ｔｋ＝５１２×５１２×１０［ｎＳ］−２．
６２［ｍＳ］であるので、本発明方式では、電子ビーム
電流が２０ｐＡでも１画面の検査時間は、従来方式に匹
敵し、電子ビーム電流が１ｎＡであれば、従来方式より
コンタクトホールを２５倍高速に検査することが可能と
なる。
【００５３】ところで、電子ビームのシフト機能により
視野移動が可能であり、しかも位置精度が十分に保てる
場合、電子ビームでシフト可能な領域内で視野を移動す
る場合にはステージを移動する必要がない。
視野移動が可能であり、しかも位置精度が十分に保てる
場合、電子ビームでシフト可能な領域内で視野を移動す
る場合にはステージを移動する必要がない。
【００５４】１画面検査ごとに電子ビームをシフトする
時間Ｔｂを１μＳとすると、この時間は、１画面を検査
する時間Ｔｊ（１００［μＳ］または２．５５［ｍ
Ｓ］）に比較して十分に小さいので無視することができ
る。
時間Ｔｂを１μＳとすると、この時間は、１画面を検査
する時間Ｔｊ（１００［μＳ］または２．５５［ｍ
Ｓ］）に比較して十分に小さいので無視することができ
る。
【００５５】電子ビームシフトにより移動できる領域を
１ｍｍ×１ｍｍと仮定し、撮影倍率Ｍａ＝８，０００と
すると、１ｍｍ×１ｍｍの検査には、１，６００画面
（＝１，０００2 ／２５2 ）の検査が必要となる。した
がって、１ｍｍ2 の検査時間は次の通りとなる。
１ｍｍ×１ｍｍと仮定し、撮影倍率Ｍａ＝８，０００と
すると、１ｍｍ×１ｍｍの検査には、１，６００画面
（＝１，０００2 ／２５2 ）の検査が必要となる。した
がって、１ｍｍ2 の検査時間は次の通りとなる。
【００５６】Ｔｕ（２０ｐＡ）＝Ｔｊ（２０ｐＡ）×
１，６００＝２．５５［ｍＳ］×１，６００＝４．１
［Ｓ］ Ｔｕ（１ｎＡ）＝Ｔｊ（１ｎＡ）×１，６００＝１００
［μＳ］×１，６００＝０．１６［Ｓ］ ステージ移動を行った場合、ステージの停止位置精度が
コンタクトホールの直径（０．１μｍ）に比較して十分
な精度がない場合、基準コンタクトホールを検出し、キ
ャリブレーションを行う必要がある。
１，６００＝２．５５［ｍＳ］×１，６００＝４．１
［Ｓ］ Ｔｕ（１ｎＡ）＝Ｔｊ（１ｎＡ）×１，６００＝１００
［μＳ］×１，６００＝０．１６［Ｓ］ ステージ移動を行った場合、ステージの停止位置精度が
コンタクトホールの直径（０．１μｍ）に比較して十分
な精度がない場合、基準コンタクトホールを検出し、キ
ャリブレーションを行う必要がある。
【００５７】ステージ停止位置精度が±１μｍと仮定し
た場合、基準コンタクトホールの探索領域は、パターン
幅を含めて約３μｍ角の領域となる。倍率Ｍａ（＝８，
０００）で観察する場合、視野の一辺は、２５μｍ（＝
２０［ｃｍ］／８，０００）であるので、３μｍ角の領
域は６２×６２ピクセルである。６２×６２ピクセルの
領域のみ、１フレームを３０ｎｓ、電子ビーム電流Ｉｂ
＝２０ｐＡで２００回積算すると仮定すると、走査電子
顕微鏡画像の撮影時間Ｔｉは次の通りとなる。
た場合、基準コンタクトホールの探索領域は、パターン
幅を含めて約３μｍ角の領域となる。倍率Ｍａ（＝８，
０００）で観察する場合、視野の一辺は、２５μｍ（＝
２０［ｃｍ］／８，０００）であるので、３μｍ角の領
域は６２×６２ピクセルである。６２×６２ピクセルの
領域のみ、１フレームを３０ｎｓ、電子ビーム電流Ｉｂ
＝２０ｐＡで２００回積算すると仮定すると、走査電子
顕微鏡画像の撮影時間Ｔｉは次の通りとなる。
【００５８】Ｔｉ＝（６２×６２）／（５１２×５１
２）×３０［ｍＳ／フレーム］×２００［フレーム］＝
８８［ｍＳ］ 電子ビームの電流Ｉｂを大きくすれば、Ｔｉの短縮を図
ることも可能である。
２）×３０［ｍＳ／フレーム］×２００［フレーム］＝
８８［ｍＳ］ 電子ビームの電流Ｉｂを大きくすれば、Ｔｉの短縮を図
ることも可能である。
【００５９】撮影した画像に対して、パターン認識によ
りコンタクトホールを検出する時間Ｔｐは、５１２×５
１２ピクセルの画像で１０秒と仮定すると、次の通りと
なる。
りコンタクトホールを検出する時間Ｔｐは、５１２×５
１２ピクセルの画像で１０秒と仮定すると、次の通りと
なる。
【００６０】Ｔｐ＝（６２×６２）／（５１２×５１
２）×１０［Ｓ］＝１４６［ｍＳ］ 検査対象領域が、電子ビームシフトによる移動できる範
囲を越える場合、ステージ移動が必要となる。今、ステ
ージの移動最小単位を０．０５μｍとし、平均レート１
００ＫＰＰＳで送れるものとすると、ステージを１ｍｍ
送る時間Ｔｍは、次の通りとなる。
２）×１０［Ｓ］＝１４６［ｍＳ］ 検査対象領域が、電子ビームシフトによる移動できる範
囲を越える場合、ステージ移動が必要となる。今、ステ
ージの移動最小単位を０．０５μｍとし、平均レート１
００ＫＰＰＳで送れるものとすると、ステージを１ｍｍ
送る時間Ｔｍは、次の通りとなる。
【００６１】Ｔｍ＝１ｍｍ／０．０５［μｍ］／１００
Ｋ＝２００［ｍＳ］ 電子ビームシフトにより移動できる領域を１ｍｍ×１ｍ
ｍと仮定し、チップ当たり５か所を検査する場合、１チ
ップの検査時間Ｔｃは次の通りとなる。
Ｋ＝２００［ｍＳ］ 電子ビームシフトにより移動できる領域を１ｍｍ×１ｍ
ｍと仮定し、チップ当たり５か所を検査する場合、１チ
ップの検査時間Ｔｃは次の通りとなる。
【００６２】 Ｔｃ（２０ｐＡ）＝５×（Ｔｍ＋Ｔｉ＋Ｔｐ＋Ｔｕ（２０ｐＡ）） ＝５×（２００＋８８＋１４７＋４１００）［ｍＳ］ ＝２２．７［Ｓ］ Ｔｃ（１ｎＡ） ＝５×（Ｔｍ＋Ｔｉ＋Ｔｐ＋Ｔｕ（１ｎＡ）） ＝５×（２００＋８８＋１４７＋１６０）［ｍＳ］ ＝２．９８［Ｓ］ ８インチウエハの面積は、約３１４ｃｍ2 である。その
９０％の領域にチップが配置されるとすると、約２８２
個のチップが実装される。チップ間移動時間Ｔｖは、１
秒程度とすると、ウエハ上の２８２個のチップ全てを検
査する時間Ｔｗは次の通りとなる。
９０％の領域にチップが配置されるとすると、約２８２
個のチップが実装される。チップ間移動時間Ｔｖは、１
秒程度とすると、ウエハ上の２８２個のチップ全てを検
査する時間Ｔｗは次の通りとなる。
【００６３】 Ｔｗ（２０ｐＡ）＝（Ｔｃ（２０ｐＡ）＋Ｔｖ）×２８２ ＝（２２．７＋１）×２８２ ＝６，６８３［Ｓ］＝１１２［ｍｉｎ］ Ｔｗ（１ｎＡ） ＝（Ｔｃ（１ｎＡ）＋Ｔｖ）×２８２ ＝（２．９８＋１）×２８２ ＝１，１２２［Ｓ］＝１８．７［ｍｉｎ］ なお、従来の方法では、５０ｎＡ程度の電子ビーム電流
を用いて、１ｃｍ2 を検査するのに７分程度かかってい
る。コンタクトホールのある領域を５カ所に制限して
も、７［ｍｉｎ］×１［ｍｍ2 ］×５×２８２／１００
［ｍｍ2 ］＝９８．７［ｍｉｎ］である。
を用いて、１ｃｍ2 を検査するのに７分程度かかってい
る。コンタクトホールのある領域を５カ所に制限して
も、７［ｍｉｎ］×１［ｍｍ2 ］×５×２８２／１００
［ｍｍ2 ］＝９８．７［ｍｉｎ］である。
【００６４】このように本発明による方法では、ウエハ
上のチップ全てを検査する時間Ｔｗは、電子ビームの電
流が２０ｐＡであっても従来方法と同等となる。また、
電子ビームの電流を１ｎＡにすれば、本発明の方法は、
従来方法に比べて５倍、電流が５０ｎＡであれば、２５
０倍高速に検査を行うことができる。
上のチップ全てを検査する時間Ｔｗは、電子ビームの電
流が２０ｐＡであっても従来方法と同等となる。また、
電子ビームの電流を１ｎＡにすれば、本発明の方法は、
従来方法に比べて５倍、電流が５０ｎＡであれば、２５
０倍高速に検査を行うことができる。
【００６５】以上本発明の一実施形態を説明したが、本
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、電子ビ
ームでコタンクトホールを検査する例を説明したが、イ
オンビームをコンタクトホール部分に照射するようにし
ていも良い。また、２次電子をを検出するようにした
が、反射電子、Ｘ線、吸収電流等を検出するようにして
も良い。
発明はこの実施の形態に限定されない。例えば、電子ビ
ームでコタンクトホールを検査する例を説明したが、イ
オンビームをコンタクトホール部分に照射するようにし
ていも良い。また、２次電子をを検出するようにした
が、反射電子、Ｘ線、吸収電流等を検出するようにして
も良い。
【００６６】
【発明の効果】以上説明したように、第１の発明では、
荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏向し、各ホ
ール部分のみに荷電粒子ビームを照射するようにしたの
で、多数のコンタクトホールの検査時間を短縮すること
ができる。
荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏向し、各ホ
ール部分のみに荷電粒子ビームを照射するようにしたの
で、多数のコンタクトホールの検査時間を短縮すること
ができる。
【００６７】第２の発明では、請求項１の発明において
各ホールの中に荷電粒子ビームを所定時間照射位置を固
定して照射するようにしたので、多数のコンタクトホー
ルの検査時間を短縮することができる。
各ホールの中に荷電粒子ビームを所定時間照射位置を固
定して照射するようにしたので、多数のコンタクトホー
ルの検査時間を短縮することができる。
【００６８】第３の発明では、請求項１の発明におい
て、各ホール部分で荷電粒子ビームを走査するようにし
たので、多数のコンタクトホールの検査時間を短縮する
ことができる。
て、各ホール部分で荷電粒子ビームを走査するようにし
たので、多数のコンタクトホールの検査時間を短縮する
ことができる。
【００６９】第４および第５の発明では、請求項１の発
明において、試料にホールを形成する際に用意された各
ホールの位置データに基づき、荷電粒子ビームをホール
部分に飛び飛びに偏向するようにしたので、多数のコン
タクトホールの検査時間を短縮することができる。
明において、試料にホールを形成する際に用意された各
ホールの位置データに基づき、荷電粒子ビームをホール
部分に飛び飛びに偏向するようにしたので、多数のコン
タクトホールの検査時間を短縮することができる。
【００７０】第６の発明では、請求項１の発明におい
て、何らかの理由で位置デターが用意できない場合で
も、試料上の各ホールの位置データを測定し、これに基
づき、荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏向す
るようにしたので、多数のコンタクトホールの検査時間
を短縮することができる。
て、何らかの理由で位置デターが用意できない場合で
も、試料上の各ホールの位置データを測定し、これに基
づき、荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏向す
るようにしたので、多数のコンタクトホールの検査時間
を短縮することができる。
【００７１】第７の発明では、請求項１の発明におい
て、何らかの理由で用意した位置データと実試料の位置
との間で歪がある場合でも、試料上の若干のホールを測
定し、これを基に歪の補正を施し、この位置データに基
づき、荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏向す
るようにしたので、多数のコンタクトホールの検査時間
を短縮することができる。
て、何らかの理由で用意した位置データと実試料の位置
との間で歪がある場合でも、試料上の若干のホールを測
定し、これを基に歪の補正を施し、この位置データに基
づき、荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛びに偏向す
るようにしたので、多数のコンタクトホールの検査時間
を短縮することができる。
【００７２】第８の発明では、多数のホールが形成され
た領域が繰り返し多数配列された試料の場合であれば、
試料の特定の領域において荷電粒子ビームを走査し、こ
の走査に基づいて得られた信号に基づき、その特定の領
域に含まれるホールの位置を測定し、この得られた位置
データに基づいて他の領域においても、荷電粒子ビーム
をホール部分に飛び飛びに偏向するようにしたので、多
数のコンタクトホールの検査時間を短縮することができ
る。
た領域が繰り返し多数配列された試料の場合であれば、
試料の特定の領域において荷電粒子ビームを走査し、こ
の走査に基づいて得られた信号に基づき、その特定の領
域に含まれるホールの位置を測定し、この得られた位置
データに基づいて他の領域においても、荷電粒子ビーム
をホール部分に飛び飛びに偏向するようにしたので、多
数のコンタクトホールの検査時間を短縮することができ
る。
【図１】本発明の検査方法を実施するための走査電子顕
微鏡システムの一例を示す図である。
微鏡システムの一例を示す図である。
【図２】検査対象のウエハ試料、チップ、コンタクトホ
ールの様子を示す図である。
ールの様子を示す図である。
１ 電子銃 ２ コンデンサレンズ ３ 対物レンズ ４ ウエハ試料 ５，６ 偏向コイル ７ 偏向制御回路 ８ ２次電子検出器 ９ 増幅器 １０ ＡＤ変換器 １１ 制御装置 １２ ステージ １３ ステージ駆動機構 １４ データメモリー １５ 信号処理装置
Claims (8)
- 【請求項１】 多数のホールが形成された試料に荷電粒
子ビームを照射し、ホール部分への荷電粒子ビームの照
射によって得られた信号に基づいてホールの状態を検査
する検査方法において、試料に形成されたホールの位置
データに基づき、荷電粒子ビームをホール部分に飛び飛
びに偏向し、各ホール部分のみに荷電粒子ビームを照射
するようにした荷電粒子ビームを用いたホールの検査方
法。 - 【請求項２】 各ホールの中に荷電粒子ビームを所定時
間照射位置を固定して照射するようにした請求項１記載
の荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法。 - 【請求項３】 各ホール部分で荷電粒子ビームを走査す
るようにした請求項１記載の荷電粒子ビームを用いたホ
ールの検査方法。 - 【請求項４】 試料にホールを形成する際に用意された
各ホールの位置データに基づき、荷電粒子ビームをホー
ル部分に飛び飛びに偏向するようにした請求項１記載の
荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法。 - 【請求項５】 試料にホールを形成する際に用意された
各ホールの位置データは、ＣＡＤによって作成された請
求項１記載の荷電粒子ビームを用いたホールの検査方
法。 - 【請求項６】 試料に、荷電粒子ビームを走査し、この
走査に基づいて得られた信号に基づき、試料上の各ホー
ルの位置データを得る、請求項１記載の荷電粒子ビーム
を用いたホールの検査方法。 - 【請求項７】 位置データに基づき、試料上の少なくと
も一カ所の領域あるいはチップの、少なくともひとつの
ホールの位置を測定して、位置データと実試料間の位置
的な歪を補正する機能を有する請求項１記載の荷電粒子
ビームを用いたホールの検査方法。 - 【請求項８】 多数のホールが形成された領域が繰り返
し多数配列された試料の特定の領域において荷電粒子ビ
ームを走査し、この走査に基づいて得られた信号に基づ
き、特定の領域に含まれるホールの位置を測定し、得ら
れた位置データに基づき、他の領域におけるホール部分
に飛び飛びに荷電粒子ビームを偏向するようにした荷電
粒子ビームを用いたホールの検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109041A JPH10300450A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9109041A JPH10300450A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10300450A true JPH10300450A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14500117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9109041A Pending JPH10300450A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 荷電粒子ビームを用いたホールの検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10300450A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2017021048A (ja) * | 2016-09-30 | 2017-01-26 | 株式会社ホロン | 電子ビーム測定装置および電子ビーム測定方法 |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP9109041A patent/JPH10300450A/ja active Pending
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