JP2864347B2 - 自己マスク型ｆｉｂミリング - Google Patents
自己マスク型ｆｉｂミリングInfo
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は荷電粒子ビーム処理技術
に関するものであって、更に詳細には、例えばフォーカ
ストイオンビーム（ＦＩＢ）等のフォーカスさせた荷電
粒子ビームを使用して試料のミリングを制御する方法及
び装置に関するものである。
に関するものであって、更に詳細には、例えばフォーカ
ストイオンビーム（ＦＩＢ）等のフォーカスさせた荷電
粒子ビームを使用して試料のミリングを制御する方法及
び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】３層乃至５層又はそれ以上の数のメタル
層を有するＩＣ装置はますます一般的なものとなってい
る。平坦化させた装置の場合には、下側の存在する層は
隠れており且つ埋込導体を探し出すことは困難である。
パワープレーン即ち電力面は、ＩＣの大きな区域をカバ
ーすることが可能であり、特にマイクロプロセサ等の進
歩し且つ高度に集積化した論理装置の場合にはそうであ
る。図１（ａ）は拡散領域１１０，１２０と、第一メタ
ル層Ｍ１と、第二メタル層Ｍ２と、第三メタル層Ｍ３
と、第四メタル層Ｍ４と、誘電体１３０と、パッシベー
ション１４０とを具備するシリコン基板１００を有する
装置の一部を断面図（縮尺通りではない）で示してあ
る。層Ｍ４はパワープレーンであり、その下側には導体
即ち層Ｍ３，Ｍ２，Ｍ１が被覆された状態で存在してい
る。
層を有するＩＣ装置はますます一般的なものとなってい
る。平坦化させた装置の場合には、下側の存在する層は
隠れており且つ埋込導体を探し出すことは困難である。
パワープレーン即ち電力面は、ＩＣの大きな区域をカバ
ーすることが可能であり、特にマイクロプロセサ等の進
歩し且つ高度に集積化した論理装置の場合にはそうであ
る。図１（ａ）は拡散領域１１０，１２０と、第一メタ
ル層Ｍ１と、第二メタル層Ｍ２と、第三メタル層Ｍ３
と、第四メタル層Ｍ４と、誘電体１３０と、パッシベー
ション１４０とを具備するシリコン基板１００を有する
装置の一部を断面図（縮尺通りではない）で示してあ
る。層Ｍ４はパワープレーンであり、その下側には導体
即ち層Ｍ３，Ｍ２，Ｍ１が被覆された状態で存在してい
る。
【０００３】プロービング即ち探査（例えば、電子ビー
ムプローブ及び／又は機械的プローブにより）及び／又
は修復を行なうため（例えばＦＩＢ及び／又はレーザー
システムを使用して）低いレベルの信号導体を露出させ
るために上側の層のパワープレーン内に窓を刻設するこ
とが必要である場合が多々ある。メタル層へ到達するま
で下方向に孔をミリングによって形成し、そのメタル層
が所望の区域内において露出された場合にミリングを停
止することが所望される場合がある。図１（ｂ）はパッ
シベーション１４０と層Ｍ４と誘電体１３０とを貫通し
て理想的な窓１５０（縮尺通りではない）を刻設し、図
１（ａ）の装置の導体１６０を露出させた状態を示して
いる。
ムプローブ及び／又は機械的プローブにより）及び／又
は修復を行なうため（例えばＦＩＢ及び／又はレーザー
システムを使用して）低いレベルの信号導体を露出させ
るために上側の層のパワープレーン内に窓を刻設するこ
とが必要である場合が多々ある。メタル層へ到達するま
で下方向に孔をミリングによって形成し、そのメタル層
が所望の区域内において露出された場合にミリングを停
止することが所望される場合がある。図１（ｂ）はパッ
シベーション１４０と層Ｍ４と誘電体１３０とを貫通し
て理想的な窓１５０（縮尺通りではない）を刻設し、図
１（ａ）の装置の導体１６０を露出させた状態を示して
いる。
【０００４】しばしば不均一な表面が形成されるが、こ
れらの目的のためにはＦＩＢを使用することが一般的で
ある。異なる速度での優先的なエッチング乃至はミリン
グによって孔又はピットが形成される。このような孔又
はピットは表面トポグラフィにおけるエッジや、下側に
存在する層における不均一性や、ミリングしている物質
における結晶配向又はグレイン構成が異なることや、そ
の他のファクタによって発生される場合がある。そのよ
うな窓の内側即ち下側の表面は極めて粗いものとなり、
ある場合には、更なる処理又は修復を行なうことを制限
したり阻止する場合がある。装置製造プロセスごとの変
動及び装置ごとの変動が著しいものである場合がある。
タングステンのミリングは特に制御が困難である。何故
ならば、タングステンは他の物質よりもかなりゆっくり
とミリングされるものであり、且つ異なるグレイン配向
は異なる速度でミリングを行なうものと思われるからで
ある。オペレータが充分に熟練している場合には適切な
る窓をミリングすることが可能な場合が多いが、それで
あっても、ピッチング効果が激しく更なるミリング処理
を行なうことが困難となるか又は不可能となる場合があ
る。熟練したオペレータの場合には不均一なミリングに
対処することが可能な場合があるが（例えば、適宜試料
を傾斜させることによって）、熟練したオペレータに対
する必要性を取除くことが望ましい。
れらの目的のためにはＦＩＢを使用することが一般的で
ある。異なる速度での優先的なエッチング乃至はミリン
グによって孔又はピットが形成される。このような孔又
はピットは表面トポグラフィにおけるエッジや、下側に
存在する層における不均一性や、ミリングしている物質
における結晶配向又はグレイン構成が異なることや、そ
の他のファクタによって発生される場合がある。そのよ
うな窓の内側即ち下側の表面は極めて粗いものとなり、
ある場合には、更なる処理又は修復を行なうことを制限
したり阻止する場合がある。装置製造プロセスごとの変
動及び装置ごとの変動が著しいものである場合がある。
タングステンのミリングは特に制御が困難である。何故
ならば、タングステンは他の物質よりもかなりゆっくり
とミリングされるものであり、且つ異なるグレイン配向
は異なる速度でミリングを行なうものと思われるからで
ある。オペレータが充分に熟練している場合には適切な
る窓をミリングすることが可能な場合が多いが、それで
あっても、ピッチング効果が激しく更なるミリング処理
を行なうことが困難となるか又は不可能となる場合があ
る。熟練したオペレータの場合には不均一なミリングに
対処することが可能な場合があるが（例えば、適宜試料
を傾斜させることによって）、熟練したオペレータに対
する必要性を取除くことが望ましい。
【０００５】図１（ｃ）はＦＩＢミリングの場合に発生
することのある問題の１つの例を示している。パッシベ
ーション層１４０をミリングすると、ミリングされたパ
ッシベーション層１４０の表面１７０はピットが形成さ
れ且つ不均一なものとなる。図１（ｄ）は層Ｍ４を介し
てＦＩＢミリングを継続して行なった場合に得られる典
型的な結果を示している。窓１８０の底部においてメタ
ル即ち金属からなる層が貫通してミリングされ、誘電体
１３０が露出されている領域の間にメタルの島状部が形
成される。
することのある問題の１つの例を示している。パッシベ
ーション層１４０をミリングすると、ミリングされたパ
ッシベーション層１４０の表面１７０はピットが形成さ
れ且つ不均一なものとなる。図１（ｄ）は層Ｍ４を介し
てＦＩＢミリングを継続して行なった場合に得られる典
型的な結果を示している。窓１８０の底部においてメタ
ル即ち金属からなる層が貫通してミリングされ、誘電体
１３０が露出されている領域の間にメタルの島状部が形
成される。
【０００６】図２は断面をとった装置の一部のＦＩＢ画
像である。この画像は物質と物質との間の遷移を強調す
るために実線で強調して示してある。図２においては、
シリコン基板２１０と、シリコン酸化物層２１５と、タ
ングステンからなる第二メタル層２２０と、タングステ
ン２２５及びアルミニウム２３０のサンドイッチとして
形成された第三メタル層と、シリコン酸化物層２３５
と、Ｓｉ3 Ｎ4 パッシベーション２４０と、第二メタル
層及び第三メタル層の間のタングステンビア２４５，２
５０，２５５と、シリコン酸化物領域２６０，２６５，
２７０，２７５が示されている。第三メタル層のアルミ
ニウム２３０及びタングステン２２５は凹凸であり不均
一な厚さを有しており、第二金属層からなる導体を露出
させるための理想的な窓をミリングするのに適したもの
ではない。
像である。この画像は物質と物質との間の遷移を強調す
るために実線で強調して示してある。図２においては、
シリコン基板２１０と、シリコン酸化物層２１５と、タ
ングステンからなる第二メタル層２２０と、タングステ
ン２２５及びアルミニウム２３０のサンドイッチとして
形成された第三メタル層と、シリコン酸化物層２３５
と、Ｓｉ3 Ｎ4 パッシベーション２４０と、第二メタル
層及び第三メタル層の間のタングステンビア２４５，２
５０，２５５と、シリコン酸化物領域２６０，２６５，
２７０，２７５が示されている。第三メタル層のアルミ
ニウム２３０及びタングステン２２５は凹凸であり不均
一な厚さを有しており、第二金属層からなる導体を露出
させるための理想的な窓をミリングするのに適したもの
ではない。
【０００７】図３は約２０×２５ミクロンの窓３００を
ミリングすることを開始するためにＦＩＢを使用した後
の図２の装置のＦＩＢ画像を示している。パッシベーシ
ョン２８０は窓３００を取囲む区域内に示されている。
窓内においては、明るい区域３１０はアルミニウムであ
り、より暗い灰色の区域３２０はタングステンであり、
最も暗い区域３３０は誘電体であり、ＦＩＢは第二金属
層を貫通して完全に切断している。この窓のエッジ即ち
端部は明るいライン３４０として示されている。
ミリングすることを開始するためにＦＩＢを使用した後
の図２の装置のＦＩＢ画像を示している。パッシベーシ
ョン２８０は窓３００を取囲む区域内に示されている。
窓内においては、明るい区域３１０はアルミニウムであ
り、より暗い灰色の区域３２０はタングステンであり、
最も暗い区域３３０は誘電体であり、ＦＩＢは第二金属
層を貫通して完全に切断している。この窓のエッジ即ち
端部は明るいライン３４０として示されている。
【０００８】図４は窓３００を更にＦＩＢミリングを行
なった後の図３の装置のＦＩＢ画像を示している。窓の
端部及びミリングした表面をよりよく示すために装置を
傾斜して示している。パッシベーション層２８０のミリ
ングしなかった表面は粗雑となっており、図１（ａ）乃
至（ｄ）に示した理想的な場合と異なっている。窓３０
０内において、クレータ及びピットが（明るい）メタル
層の下側の（暗い）誘電体物質まで下方向へ延在してお
り、一方第三金属層の島状部はそのまま残存している。
窓３００の端部及びクレータの周りの端部は明るく示さ
れている。エッジ即ち端部における優先的なミリングが
ミリングされた表面にピットを形成し且つ不均一なもの
とさせている。
なった後の図３の装置のＦＩＢ画像を示している。窓の
端部及びミリングした表面をよりよく示すために装置を
傾斜して示している。パッシベーション層２８０のミリ
ングしなかった表面は粗雑となっており、図１（ａ）乃
至（ｄ）に示した理想的な場合と異なっている。窓３０
０内において、クレータ及びピットが（明るい）メタル
層の下側の（暗い）誘電体物質まで下方向へ延在してお
り、一方第三金属層の島状部はそのまま残存している。
窓３００の端部及びクレータの周りの端部は明るく示さ
れている。エッジ即ち端部における優先的なミリングが
ミリングされた表面にピットを形成し且つ不均一なもの
とさせている。
【０００９】デバイス即ち装置の修復を行なう場合に、
導体を切断するためにＦＩＢミリングを必要とする場合
がある。図１４（ａ）は、下側に誘電体層１４０５を有
すると共に誘電体層１４０５及び第二メタルパワーバス
導体１４１０を被覆するパッシベーション層１４１５を
有するＩＣの一部１４００の理想的な概略断面（縮尺通
りではない）を示している。図１４（ａ）は、更に、基
板１４２０、誘電体層１４２５及び第一メタル導体１４
３０を示している。図１４（ｂ）はほぼＦＩＢ画像に表
われるような態様でＩＣの一部を示した平面図であり、
導体１４１０のエッジ即ち端部がライン１４３５及び１
４４０に沿っての画像におけるトポグラフィ即ち地形的
なコントラストとして示されている。導体１４１０を切
断することによってパワーバスを分離状態とさせること
が所望される場合には、ＦＩＢシステムのオペレータが
表示されているＦＩＢ画像上に「切断ボックス」を定義
し、ミリングされるべき領域の境界を確立する。このよ
うな「切断ボックス」は図１４（ｂ）において１４４５
として示してある。次いで、ＦＩＢミリングを制御して
「切断ボックス」の内部領域のみをミリングし、即ち、
図１４（ｃ）の断面に示した如く、スキャン限界１４５
５と１４６０との間においてＦＩＢ１４５０をスキャニ
ングさせる。
導体を切断するためにＦＩＢミリングを必要とする場合
がある。図１４（ａ）は、下側に誘電体層１４０５を有
すると共に誘電体層１４０５及び第二メタルパワーバス
導体１４１０を被覆するパッシベーション層１４１５を
有するＩＣの一部１４００の理想的な概略断面（縮尺通
りではない）を示している。図１４（ａ）は、更に、基
板１４２０、誘電体層１４２５及び第一メタル導体１４
３０を示している。図１４（ｂ）はほぼＦＩＢ画像に表
われるような態様でＩＣの一部を示した平面図であり、
導体１４１０のエッジ即ち端部がライン１４３５及び１
４４０に沿っての画像におけるトポグラフィ即ち地形的
なコントラストとして示されている。導体１４１０を切
断することによってパワーバスを分離状態とさせること
が所望される場合には、ＦＩＢシステムのオペレータが
表示されているＦＩＢ画像上に「切断ボックス」を定義
し、ミリングされるべき領域の境界を確立する。このよ
うな「切断ボックス」は図１４（ｂ）において１４４５
として示してある。次いで、ＦＩＢミリングを制御して
「切断ボックス」の内部領域のみをミリングし、即ち、
図１４（ｃ）の断面に示した如く、スキャン限界１４５
５と１４６０との間においてＦＩＢ１４５０をスキャニ
ングさせる。
【００１０】このようなミリング処理の典型的な結果を
図１４（ｃ）に示してある。導体１４１０の端部におい
てのパッシベーション層１４１５におけるトポグラフィ
レリーフ即ち地形的な凹凸によって、優先的ミリングが
発生し、ミリングされた領域の各端部において深いピッ
ト１４６５，１４７０が形成され、一方導体１４１０は
未だにそれを貫通してミリングされていない。図１４
（ｄ）はＦＩＢ画像で表われるような態様で該ＩＣの一
部を示した平面図であり、ミリングされた領域の端部は
ライン１４７５及び１４８０に沿ってのトポグラフィコ
ントラストとして示されており且つピット１４５０及び
１４５５の急峻な壁はトポグラフィコントラストとして
及び部分的に領域１４８５及び１４９０における物質コ
ントラストとして該画像内において示されている。この
ような態様で継続してミリングを行なうと、ピット１４
５０，１４５５が他の構成部分へ進行しＩＣを損傷する
可能性がある。
図１４（ｃ）に示してある。導体１４１０の端部におい
てのパッシベーション層１４１５におけるトポグラフィ
レリーフ即ち地形的な凹凸によって、優先的ミリングが
発生し、ミリングされた領域の各端部において深いピッ
ト１４６５，１４７０が形成され、一方導体１４１０は
未だにそれを貫通してミリングされていない。図１４
（ｄ）はＦＩＢ画像で表われるような態様で該ＩＣの一
部を示した平面図であり、ミリングされた領域の端部は
ライン１４７５及び１４８０に沿ってのトポグラフィコ
ントラストとして示されており且つピット１４５０及び
１４５５の急峻な壁はトポグラフィコントラストとして
及び部分的に領域１４８５及び１４９０における物質コ
ントラストとして該画像内において示されている。この
ような態様で継続してミリングを行なうと、ピット１４
５０，１４５５が他の構成部分へ進行しＩＣを損傷する
可能性がある。
【００１１】図１５はこのような従来技術のＦＩＢミリ
ング方法を使用してパワーバスを切断するためにミリン
グを行なったトレンチ即ち溝の実際的なＦＩＢ画像であ
る。該画像は、コントラストの特徴を強調して示すため
にインクラインで強調して示してある。領域１５０５及
び１５１０は導体の上側に存在するパッシベーション領
域である。ミリング形成したトレンチのエッジ即ち端部
はコントラスト区域１５１５及び１５２０として示され
ている。ミリング形成したトレンチの各端部には不所望
の深いピット１５２５及び１５３０が形成されている。
該トレンチの端部におけるピッティング即ちピット形成
の量を減少させるためにＦＩＢシステムのオペレータに
よって使用されている技術ではミリングを開始し、次い
で該トレンチを包含する領域のコントラスト画像を採取
し、且つ検査し、次いで「切断ボックス」の境界を手作
業によって減少させて更なるミリング処理期間中にピッ
トが深くされることを回避する。このような導体切断処
理は時間がかかり、且つ得られる結果はオペレータの熟
練度に依存するものである。
ング方法を使用してパワーバスを切断するためにミリン
グを行なったトレンチ即ち溝の実際的なＦＩＢ画像であ
る。該画像は、コントラストの特徴を強調して示すため
にインクラインで強調して示してある。領域１５０５及
び１５１０は導体の上側に存在するパッシベーション領
域である。ミリング形成したトレンチのエッジ即ち端部
はコントラスト区域１５１５及び１５２０として示され
ている。ミリング形成したトレンチの各端部には不所望
の深いピット１５２５及び１５３０が形成されている。
該トレンチの端部におけるピッティング即ちピット形成
の量を減少させるためにＦＩＢシステムのオペレータに
よって使用されている技術ではミリングを開始し、次い
で該トレンチを包含する領域のコントラスト画像を採取
し、且つ検査し、次いで「切断ボックス」の境界を手作
業によって減少させて更なるミリング処理期間中にピッ
トが深くされることを回避する。このような導体切断処
理は時間がかかり、且つ得られる結果はオペレータの熟
練度に依存するものである。
【００１２】ミリングした表面の品質を改善するために
化学的に補助したイオンビームエッチング（ＣＡＩＢ
Ｅ）を使用することが可能である。ＣＡＩＢＥの場合に
は、イオンビームを付与すべき表面位置に向けて適宜の
化学物質からなるジェット即ち噴流を指向させる。然し
ながら、不均一な表面又は複合的な構成体のＣＩＡＢＥ
では、ミリングした表面から突出する物質からなる「島
状部」が形成される場合がある。
化学的に補助したイオンビームエッチング（ＣＡＩＢ
Ｅ）を使用することが可能である。ＣＡＩＢＥの場合に
は、イオンビームを付与すべき表面位置に向けて適宜の
化学物質からなるジェット即ち噴流を指向させる。然し
ながら、不均一な表面又は複合的な構成体のＣＩＡＢＥ
では、ミリングした表面から突出する物質からなる「島
状部」が形成される場合がある。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、例えばＦＩ
Ｂ等の荷電粒子ビームでサンプル即ち試料をミリングし
た場合に発生する優先的ミリングを補償し、ミリングさ
れた表面の不均一性を最小とすることの可能な方法及び
装置を提供することを目的とする。
Ｂ等の荷電粒子ビームでサンプル即ち試料をミリングし
た場合に発生する優先的ミリングを補償し、ミリングさ
れた表面の不均一性を最小とすることの可能な方法及び
装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明方法及び装置は、
特に、ＩＣ装置のＦＩＢ修正及び修復に特に適してい
る。本発明の好適実施例によれば、ミリングされるべき
表面の画像を使用してＦＩＢミリングを制御するために
使用するマスクデータを発生させる。
特に、ＩＣ装置のＦＩＢ修正及び修復に特に適してい
る。本発明の好適実施例によれば、ミリングされるべき
表面の画像を使用してＦＩＢミリングを制御するために
使用するマスクデータを発生させる。
【００１５】例えば、本発明に基づいてＦＩＢシステム
を動作させて、上側の層のパワープレーンを貫通して窓
をミリングによって形成し被覆されていた層を露出させ
る。その窓は部分的にミリングを行なう。ミリングした
領域の画像（例えば、ＦＩＢ画像又はＳＥＭ画像）を採
取し且つスレッシュホールド処理してマスク画像を形成
する。このマスク画像はパワープレーンがそれを貫通し
てミリングされている区域を、そうでない区域から区別
する。ＦＩＢを制御するためにそのマスク画像を使用し
てミリングを再開する。ミリングが完了するまでそのマ
スクを時折アップデートさせる。
を動作させて、上側の層のパワープレーンを貫通して窓
をミリングによって形成し被覆されていた層を露出させ
る。その窓は部分的にミリングを行なう。ミリングした
領域の画像（例えば、ＦＩＢ画像又はＳＥＭ画像）を採
取し且つスレッシュホールド処理してマスク画像を形成
する。このマスク画像はパワープレーンがそれを貫通し
てミリングされている区域を、そうでない区域から区別
する。ＦＩＢを制御するためにそのマスク画像を使用し
てミリングを再開する。ミリングが完了するまでそのマ
スクを時折アップデートさせる。
【００１６】
【実施例】本発明を実施するのに適したＦＩＢシステム
は、アメリカ合衆国カリフォルニア州サンノゼのシュル
ンベルジェテクノロジーズインコーポレイテッドから市
販されているＩＤＳ７０００ＦＩＢｓｔａｔｉｏｎであ
る。このようなシステムについては、例えば、米国特許
第５，１４０，１６４号に記載されている。
は、アメリカ合衆国カリフォルニア州サンノゼのシュル
ンベルジェテクノロジーズインコーポレイテッドから市
販されているＩＤＳ７０００ＦＩＢｓｔａｔｉｏｎであ
る。このようなシステムについては、例えば、米国特許
第５，１４０，１６４号に記載されている。
【００１７】図５はこのようなシステムを模式的に示し
ている。ポンプ５０４によって排気される真空室５０２
がＦＩＢカラム５０６と、例えば修復すべきＩＣ装置等
の試料５１０を保持する試料ステージ５０８と、検知器
５１２と、ガス注入器５１４とを取囲んでいる。カラム
５０６はイオン源５１６と、イオンビーム５２０のアラ
イメント及び偏向を制御するためのイオン・光学要素５
１８とを有している。検知器５１２はシンチレータ５２
２及びイオンビーム５２０が試料５１０に衝突する場合
に射出される二次電子５２６を検知するための光倍増管
５２４を有することが可能である。
ている。ポンプ５０４によって排気される真空室５０２
がＦＩＢカラム５０６と、例えば修復すべきＩＣ装置等
の試料５１０を保持する試料ステージ５０８と、検知器
５１２と、ガス注入器５１４とを取囲んでいる。カラム
５０６はイオン源５１６と、イオンビーム５２０のアラ
イメント及び偏向を制御するためのイオン・光学要素５
１８とを有している。検知器５１２はシンチレータ５２
２及びイオンビーム５２０が試料５１０に衝突する場合
に射出される二次電子５２６を検知するための光倍増管
５２４を有することが可能である。
【００１８】このシステムは、プロセサユニット（ＣＰ
Ｕ）５３４と、モニタ５３６と、例えばキーボード及び
／又はマウス等の入力／出力（Ｉ／Ｏ）装置５３８とを
有するワークステーション５３０を有している。ワーク
ステーション５３０はバス５４０によって、制御ＣＰ
Ｕ、画像プロセサ、画像メモリからなるシステム制御ユ
ニット５４２へ接続されている。システム制御ユニット
５４２は、バス５４４を介して、真空ポンプ５０４を制
御するための真空ポンプ制御器５４６、ガス注入器５１
４を制御するためのガス注入器制御器５４８、イオン源
５１６を制御するためのＦＩＢ高電圧制御器５５０、イ
オン光学要素５１８を制御するためのＦＩＢアライメン
ト・偏向制御器５５２、検知器５１２からの検知器信号
を受取る画像エレクトロニクス５５４、試料５１０の位
置決めを行なうために試料ステージ５０８を制御する試
料ステージ制御器５５６と通信を行なう。システム制御
ユニット５４２は、好適には、画像エレクトロニクス５
５４から画像情報を受取り、且つ、例えば以下に説明す
るように画像処理を行なった後に、ビーム制御情報をＦ
ＩＢアライメント・偏向制御器５５２へ供給する。
Ｕ）５３４と、モニタ５３６と、例えばキーボード及び
／又はマウス等の入力／出力（Ｉ／Ｏ）装置５３８とを
有するワークステーション５３０を有している。ワーク
ステーション５３０はバス５４０によって、制御ＣＰ
Ｕ、画像プロセサ、画像メモリからなるシステム制御ユ
ニット５４２へ接続されている。システム制御ユニット
５４２は、バス５４４を介して、真空ポンプ５０４を制
御するための真空ポンプ制御器５４６、ガス注入器５１
４を制御するためのガス注入器制御器５４８、イオン源
５１６を制御するためのＦＩＢ高電圧制御器５５０、イ
オン光学要素５１８を制御するためのＦＩＢアライメン
ト・偏向制御器５５２、検知器５１２からの検知器信号
を受取る画像エレクトロニクス５５４、試料５１０の位
置決めを行なうために試料ステージ５０８を制御する試
料ステージ制御器５５６と通信を行なう。システム制御
ユニット５４２は、好適には、画像エレクトロニクス５
５４から画像情報を受取り、且つ、例えば以下に説明す
るように画像処理を行なった後に、ビーム制御情報をＦ
ＩＢアライメント・偏向制御器５５２へ供給する。
【００１９】動作について説明すると、試料５１０を真
空室５０２内に配置させる。真空室５０２が排気されて
真空状態となる。システム制御ユニット５４２の制御下
において、試料の選択した領域においてＦＩＢ５２０を
スキャニングさせてスパッタリングによって物質をミリ
ングする。今日使用されている市販のシステムの場合に
は、ミリングは、通常、５０ｐＡ乃至６ｎＡの範囲内の
ＦＩＢ電流で行なわれる。ある時間にわたってミリング
を行なった後に、好適には、ＦＩＢ電流を減少させ、そ
のＦＩＢで画像形成のためのスキャニングを行ない、二
次粒子検知器信号が検知器５１２によって画像エレクト
ロニクス５５４へ供給され、且つその結果得られる試料
５１０のＦＩＢ画像が採取され且つ画像メモリ内に格納
される。画像形成のためのＦＩＢ電流を減少させること
によって、ＦＩＢのスポットの寸法はより小さくなり、
従ってより良好な画像分解能が与えられる。ＦＩＢ画像
の画素値をスレッシュホールド処理して、二進画像を形
成し、且つその二進画像を「マスク」として使用してそ
の後の時間期間においてのミリングに対してＦＩＢ５２
０を制御する。具体的な仕様に依存してビーム電流を変
化させることによって画像オフセットが発生される場合
があり、それはアライメントによって補正される。
空室５０２内に配置させる。真空室５０２が排気されて
真空状態となる。システム制御ユニット５４２の制御下
において、試料の選択した領域においてＦＩＢ５２０を
スキャニングさせてスパッタリングによって物質をミリ
ングする。今日使用されている市販のシステムの場合に
は、ミリングは、通常、５０ｐＡ乃至６ｎＡの範囲内の
ＦＩＢ電流で行なわれる。ある時間にわたってミリング
を行なった後に、好適には、ＦＩＢ電流を減少させ、そ
のＦＩＢで画像形成のためのスキャニングを行ない、二
次粒子検知器信号が検知器５１２によって画像エレクト
ロニクス５５４へ供給され、且つその結果得られる試料
５１０のＦＩＢ画像が採取され且つ画像メモリ内に格納
される。画像形成のためのＦＩＢ電流を減少させること
によって、ＦＩＢのスポットの寸法はより小さくなり、
従ってより良好な画像分解能が与えられる。ＦＩＢ画像
の画素値をスレッシュホールド処理して、二進画像を形
成し、且つその二進画像を「マスク」として使用してそ
の後の時間期間においてのミリングに対してＦＩＢ５２
０を制御する。具体的な仕様に依存してビーム電流を変
化させることによって画像オフセットが発生される場合
があり、それはアライメントによって補正される。
【００２０】アライメントは、オフセット値を決定する
ために画像形成用（低）ビーム電流において得られた画
像をミリング（高）ビーム電流において得られた画像と
比較することによるか、又はシステムのキャリブレーシ
ョン即ち較正によって前もって決定されているオフセッ
トを与えることによって実施することが可能である。以
下に説明する実施例においては、画像形成用の電流とミ
リング用の電流との間でスイッチングを行なう場合に必
要に応じてアライメントが実施されるものと仮定する。
新たなＦＩＢ画像を採取し且つスレッシュホールド処理
を行なうことによって時折このマスクをアップデートさ
せることが可能である。画像をアップデートすること
は、プロセスを環境に対して適用的なものとさせ、従っ
てプロセスを閉ループプロセスとさせる。
ために画像形成用（低）ビーム電流において得られた画
像をミリング（高）ビーム電流において得られた画像と
比較することによるか、又はシステムのキャリブレーシ
ョン即ち較正によって前もって決定されているオフセッ
トを与えることによって実施することが可能である。以
下に説明する実施例においては、画像形成用の電流とミ
リング用の電流との間でスイッチングを行なう場合に必
要に応じてアライメントが実施されるものと仮定する。
新たなＦＩＢ画像を採取し且つスレッシュホールド処理
を行なうことによって時折このマスクをアップデートさ
せることが可能である。画像をアップデートすること
は、プロセスを環境に対して適用的なものとさせ、従っ
てプロセスを閉ループプロセスとさせる。
【００２１】一例を図６（ａ）乃至（ｐ）に示してあ
る。図６（ａ）はシリコン基板６０２と第一メタル（金
属）層Ｍ１の導体６０４と，第二メタル層Ｍ２の導体６
０６と、第三メタル層Ｍ３の例えばパワープレーン又は
接地プレーン等のプレーン６０８と、誘電体６１０と、
パッシベーション６１２とを有する典型的なＩＣの一部
６００の理想的な概略断面（縮尺通りではない）を示し
ている。図６（ｂ）はＦＩＢ画像に表われるようなＩＣ
の一部を示した平面図であり、且つ点線で埋設されてい
る導体６０４及び６０６を示している。
る。図６（ａ）はシリコン基板６０２と第一メタル（金
属）層Ｍ１の導体６０４と，第二メタル層Ｍ２の導体６
０６と、第三メタル層Ｍ３の例えばパワープレーン又は
接地プレーン等のプレーン６０８と、誘電体６１０と、
パッシベーション６１２とを有する典型的なＩＣの一部
６００の理想的な概略断面（縮尺通りではない）を示し
ている。図６（ｂ）はＦＩＢ画像に表われるようなＩＣ
の一部を示した平面図であり、且つ点線で埋設されてい
る導体６０４及び６０６を示している。
【００２２】この例においては、層Ｍ３へのアクセスを
与えるためにパッシベーション６１２内に窓をミリング
によって形成するものである。図６（ｃ）を参照する
と、その場合のミリングは、側壁６２２を有する窓６２
０を形成する目的のために、スキャニング限界６１６と
６１８との間でＩＣの領域にわたってＦＩＢ６１４をス
キャニングすることによって行なう。図６（ｄ）はＦＩ
Ｂ画像において表われるようなＩＣの一部を示した平面
図であり、窓６２０は壁６２２に対応する明るい周辺端
部６２６によって取囲まれると共にパッシベーション６
１２に対応するより暗い領域６２８によって取囲まれて
いるメタル６０８の明るい領域６２４として表われる。
典型的なＦＩＢ画像ディスプレイにおいては、メタルは
明るい領域として表われ、一方パッシベーション及び誘
電体は暗い領域として表われる。なお、図面で示す上で
の便宜上、メタルは斜線を付して示してあり、一方パッ
シベーション及び誘電体は黒点を付して示してある。
与えるためにパッシベーション６１２内に窓をミリング
によって形成するものである。図６（ｃ）を参照する
と、その場合のミリングは、側壁６２２を有する窓６２
０を形成する目的のために、スキャニング限界６１６と
６１８との間でＩＣの領域にわたってＦＩＢ６１４をス
キャニングすることによって行なう。図６（ｄ）はＦＩ
Ｂ画像において表われるようなＩＣの一部を示した平面
図であり、窓６２０は壁６２２に対応する明るい周辺端
部６２６によって取囲まれると共にパッシベーション６
１２に対応するより暗い領域６２８によって取囲まれて
いるメタル６０８の明るい領域６２４として表われる。
典型的なＦＩＢ画像ディスプレイにおいては、メタルは
明るい領域として表われ、一方パッシベーション及び誘
電体は暗い領域として表われる。なお、図面で示す上で
の便宜上、メタルは斜線を付して示してあり、一方パッ
シベーション及び誘電体は黒点を付して示してある。
【００２３】図６（ｅ）はミリング操作の開始時を示し
ておりＦＩＢ６１４がスキャニング限界６１６と６１８
との間でスキャニングされてパッシベーション物質を取
除く。図６（ｆ）は図６（ｅ）に示した程度にミリング
を行なった後に採取したＦＩＢ画像において表われるよ
うなＩＣの一部を示した平面図である。図６（ｆ）にお
いて、窓区域６３２内に示されるパッシベーション及び
該窓区域の周りのパッシベーション６３４は暗い領域で
あるが、初期の窓の端部６３０はミリングした領域の周
辺部周りに明るいライン６３６として表われる。
ておりＦＩＢ６１４がスキャニング限界６１６と６１８
との間でスキャニングされてパッシベーション物質を取
除く。図６（ｆ）は図６（ｅ）に示した程度にミリング
を行なった後に採取したＦＩＢ画像において表われるよ
うなＩＣの一部を示した平面図である。図６（ｆ）にお
いて、窓区域６３２内に示されるパッシベーション及び
該窓区域の周りのパッシベーション６３４は暗い領域で
あるが、初期の窓の端部６３０はミリングした領域の周
辺部周りに明るいライン６３６として表われる。
【００２４】図６（ｇ）は継続してミリングを行なった
場合に得られる結果を示している。不均一なミリングに
よって１つ又はそれ以上の不規則的な区域６３８におい
てＭ３層が露出され、一方パッシベーション６１２は窓
区域のかなりの部分にわたって残存している。図６
（ｈ）は、図６（ｇ）に示した程度にミリングを行なっ
た後に採取したＦＩＢ画像において表われるようなＩＣ
を一部を示した平面図である。図６（ｈ）において、Ｍ
３層の露出された区域は明るいスポット６４０として表
われ、一方周りのパッシベーションは暗い領域６４２と
して表われる。端部６３０はミリングした領域の周辺部
周りに明るいライン６３６として表われる。図６（ｈ）
のＦＩＢ画像は容易に格納することが可能であり、且つ
画素強度値をスレッシュホールド処理して格納した二進
画像を発生させることが可能である。図６（ｊ）はこの
ような１つの画像を示している。図６（ｈ）の明るいメ
タル区域６４０及び明るい端部区域６３６は、中実の黒
い区域６４４及び中実の黒いライン６４６へ夫々変換さ
れ、一方パッシベーション領域は白色となる。説明の便
宜上、図６（ｊ）において、メタルは黒色として示して
あり且つパッシベーションは白色として示してある。画
素値を二進化する場合に、このような取決めと反対の取
決めを採用することも可能である。
場合に得られる結果を示している。不均一なミリングに
よって１つ又はそれ以上の不規則的な区域６３８におい
てＭ３層が露出され、一方パッシベーション６１２は窓
区域のかなりの部分にわたって残存している。図６
（ｈ）は、図６（ｇ）に示した程度にミリングを行なっ
た後に採取したＦＩＢ画像において表われるようなＩＣ
を一部を示した平面図である。図６（ｈ）において、Ｍ
３層の露出された区域は明るいスポット６４０として表
われ、一方周りのパッシベーションは暗い領域６４２と
して表われる。端部６３０はミリングした領域の周辺部
周りに明るいライン６３６として表われる。図６（ｈ）
のＦＩＢ画像は容易に格納することが可能であり、且つ
画素強度値をスレッシュホールド処理して格納した二進
画像を発生させることが可能である。図６（ｊ）はこの
ような１つの画像を示している。図６（ｈ）の明るいメ
タル区域６４０及び明るい端部区域６３６は、中実の黒
い区域６４４及び中実の黒いライン６４６へ夫々変換さ
れ、一方パッシベーション領域は白色となる。説明の便
宜上、図６（ｊ）において、メタルは黒色として示して
あり且つパッシベーションは白色として示してある。画
素値を二進化する場合に、このような取決めと反対の取
決めを採用することも可能である。
【００２５】図６（ｉ）は更なるミリングを制御するた
めのマスクとして図６（ｊ）に示した二進化した画像デ
ータの使用を示している。その目的は、窓区域内の露出
されたメタルの更なるミリングを回避するか又は最小状
態に維持しながら、窓区域内のパッシベーションのＦＩ
Ｂミリングを継続して行なうことである。図６（ｉ）を
参照すると、その目的は、限界６１６と６４６との間及
び限界６４８と６１８との間でミリングを行ない、一方
限界６４６と６４８との間での更なるミリングを最小状
態とすることである。このことは、多数の方法のうちの
いずれかによって実現することが可能である。例えば、
ＦＩＢ６１４は、限界６１６と６１８との間でスキャニ
ングを行なう場合に限界６４６と６４８との間ではブラ
ンク状態とさせることが可能である。一方、通常限界６
１６と６１８との間でのミリングのために使用される比
較的遅いスキャニング速度を、限界６４０と６４８との
間においては著しく増加させることによってＦＩＢ６１
４のスキャニング速度を変化させることが可能である。
ミリングパターンを選択的に変化させるこれらの方法及
びその他の方法については後に更に詳細に説明する。
めのマスクとして図６（ｊ）に示した二進化した画像デ
ータの使用を示している。その目的は、窓区域内の露出
されたメタルの更なるミリングを回避するか又は最小状
態に維持しながら、窓区域内のパッシベーションのＦＩ
Ｂミリングを継続して行なうことである。図６（ｉ）を
参照すると、その目的は、限界６１６と６４６との間及
び限界６４８と６１８との間でミリングを行ない、一方
限界６４６と６４８との間での更なるミリングを最小状
態とすることである。このことは、多数の方法のうちの
いずれかによって実現することが可能である。例えば、
ＦＩＢ６１４は、限界６１６と６１８との間でスキャニ
ングを行なう場合に限界６４６と６４８との間ではブラ
ンク状態とさせることが可能である。一方、通常限界６
１６と６１８との間でのミリングのために使用される比
較的遅いスキャニング速度を、限界６４０と６４８との
間においては著しく増加させることによってＦＩＢ６１
４のスキャニング速度を変化させることが可能である。
ミリングパターンを選択的に変化させるこれらの方法及
びその他の方法については後に更に詳細に説明する。
【００２６】図６（ｋ）は、図６（ｉ）を参照して説明
した如く、選択的ミリングによって得られる結果を示し
ている。図６（ｌ）は、図６（ｋ）に示した程度にミリ
ングを行なった後に採取したものであってアップデート
したＦＩＢ画像内に表われるようなＩＣを示している。
露出されたＭ３メタル区域６５０は、今や、前に露出さ
れたメタル区域６３８よりもかなり大きいが、その区域
は深く形成されるものではない。周りのパッシベーショ
ン６５２はより暗い領域６５４として表われる。端部６
５６はミリングした領域の周辺部周りの明るいライン６
５８として表われる。
した如く、選択的ミリングによって得られる結果を示し
ている。図６（ｌ）は、図６（ｋ）に示した程度にミリ
ングを行なった後に採取したものであってアップデート
したＦＩＢ画像内に表われるようなＩＣを示している。
露出されたＭ３メタル区域６５０は、今や、前に露出さ
れたメタル区域６３８よりもかなり大きいが、その区域
は深く形成されるものではない。周りのパッシベーショ
ン６５２はより暗い領域６５４として表われる。端部６
５６はミリングした領域の周辺部周りの明るいライン６
５８として表われる。
【００２７】図６（ｌ）は、格納することが可能であ
り、且つ画素強度値をスレッシュホールド処理して格納
した二進画像を形成することが可能である。図６（ｍ）
はこのような画像を示している。図６（ｌ）の明るいメ
タル区域６５０及び明るい端部区域６５８は、夫々、中
実の暗い区域６６０及び中実の黒いライン６６２へ変換
され、一方パッシベーション領域は白色となる。図６
（ｊ）の場合と同じように、説明の便宜上、メタルは黒
色として示してあり且つパッシベーションは図６（ｎ）
において白色として示してある。
り、且つ画素強度値をスレッシュホールド処理して格納
した二進画像を形成することが可能である。図６（ｍ）
はこのような画像を示している。図６（ｌ）の明るいメ
タル区域６５０及び明るい端部区域６５８は、夫々、中
実の暗い区域６６０及び中実の黒いライン６６２へ変換
され、一方パッシベーション領域は白色となる。図６
（ｊ）の場合と同じように、説明の便宜上、メタルは黒
色として示してあり且つパッシベーションは図６（ｎ）
において白色として示してある。
【００２８】図６（ｍ）は更なるミリングを制御するた
めにマスクとして図６（ｎ）に表わした二進化画像デー
タを使用する状態を示している。この場合にも、その目
的は、露出したメタルの更なるミリングを回避するか又
は最小としながら、窓区域内のパッシベーションのＦＩ
Ｂミリングを継続して行なうことである。図６（ｍ）を
参照すると、限界６６４と６６６との間の更なるミリン
グを最小のものとしながら、限界６１６と６６４との間
及び限界６６６と６１８との間のミリングを行なう。そ
の結果、壁６２２を有する窓６２０が得られ、且つ図６
（ｏ）に示した如く、露出されたＭ３メタルは比較的平
坦な中央領域を有している。図６（ｐ）は、ＦＩＢ画像
において表われるような図６（ｏ）のＩＣの一部を示し
た平面図であり、窓６２０は壁６２２に対応する明るい
周辺端部６２６によって取囲まれると共にパッシベーシ
ョン６１２に対応するより暗い領域６２８によって取囲
まれるメタル６０８の明るい領域６２４として表われ
る。
めにマスクとして図６（ｎ）に表わした二進化画像デー
タを使用する状態を示している。この場合にも、その目
的は、露出したメタルの更なるミリングを回避するか又
は最小としながら、窓区域内のパッシベーションのＦＩ
Ｂミリングを継続して行なうことである。図６（ｍ）を
参照すると、限界６６４と６６６との間の更なるミリン
グを最小のものとしながら、限界６１６と６６４との間
及び限界６６６と６１８との間のミリングを行なう。そ
の結果、壁６２２を有する窓６２０が得られ、且つ図６
（ｏ）に示した如く、露出されたＭ３メタルは比較的平
坦な中央領域を有している。図６（ｐ）は、ＦＩＢ画像
において表われるような図６（ｏ）のＩＣの一部を示し
た平面図であり、窓６２０は壁６２２に対応する明るい
周辺端部６２６によって取囲まれると共にパッシベーシ
ョン６１２に対応するより暗い領域６２８によって取囲
まれるメタル６０８の明るい領域６２４として表われ
る。
【００２９】別の実施例を図７（ａ）乃至（ｐ）に示し
てある。図７（ａ）は、シリコン基板７０２と、第一メ
タル層Ｍ１の導体７０４と、第二メタル層Ｍ２の導体７
０６と、第三メタル層Ｍ３の例えばパワープレーン又は
接地プレーン等のプレーン７０８と、誘電体７１０と、
パッシベーション７１２とを有する典型的なＩＣの一部
７００の理想的な概略断面（縮尺通りではない）を示し
ている。図７（ｂ）は、ＦＩＢ画像において表われるよ
うなそのＩＣの一部を示した平面図である。
てある。図７（ａ）は、シリコン基板７０２と、第一メ
タル層Ｍ１の導体７０４と、第二メタル層Ｍ２の導体７
０６と、第三メタル層Ｍ３の例えばパワープレーン又は
接地プレーン等のプレーン７０８と、誘電体７１０と、
パッシベーション７１２とを有する典型的なＩＣの一部
７００の理想的な概略断面（縮尺通りではない）を示し
ている。図７（ｂ）は、ＦＩＢ画像において表われるよ
うなそのＩＣの一部を示した平面図である。
【００３０】この実施例においては、層Ｍ２及びＭ１の
導体へのアクセスを与えるためにパッシベーション７１
２とＭ３メタル層７０８とを貫通して窓をミリングによ
って形成する。図７（ｃ）は所望の窓７２０を示してお
り、且つ図７（ｄ）はＦＩＢ画像において表われるよう
なその窓を示している。窓７２０は、壁７２２に対応す
る明るい周辺端部７２６によって取囲まれると共にパッ
シベーション７１２に対応するより暗い領域７２８によ
って取囲まれるメタルの明るい領域７２４として表われ
る。
導体へのアクセスを与えるためにパッシベーション７１
２とＭ３メタル層７０８とを貫通して窓をミリングによ
って形成する。図７（ｃ）は所望の窓７２０を示してお
り、且つ図７（ｄ）はＦＩＢ画像において表われるよう
なその窓を示している。窓７２０は、壁７２２に対応す
る明るい周辺端部７２６によって取囲まれると共にパッ
シベーション７１２に対応するより暗い領域７２８によ
って取囲まれるメタルの明るい領域７２４として表われ
る。
【００３１】図７（ｅ）はミリング操作の開始時を示し
ており、ＦＩＢ７１４は限界７１６と７１８との間でス
キャニングされてパッシベーション物質を除去する。図
７（ｆ）は、図７（ｅ）に示した程度にミリングを行な
った後に採取したＦＩＢ画像において表われるようなＩ
Ｃの一部を示した平面図である。その窓区域内における
パッシベーション７３２及び窓区域の周りのパッシベー
ション７３４は暗い領域である。初期の窓の端部７３０
は明るいライン７３６として表われる。
ており、ＦＩＢ７１４は限界７１６と７１８との間でス
キャニングされてパッシベーション物質を除去する。図
７（ｆ）は、図７（ｅ）に示した程度にミリングを行な
った後に採取したＦＩＢ画像において表われるようなＩ
Ｃの一部を示した平面図である。その窓区域内における
パッシベーション７３２及び窓区域の周りのパッシベー
ション７３４は暗い領域である。初期の窓の端部７３０
は明るいライン７３６として表われる。
【００３２】図７（ｇ）は継続してミリングを行なうこ
とによって得られる結果を示している。不均一なミリン
グを行なう結果として、誘電体７１０は１つ又はそれ以
上の不規則的な区域７３８において露出され、一方Ｍ３
メタル層７０８は窓区域の殆どにわたって残存してい
る。図７（ｈ）は、図７（ｇ）に示した程度にミリング
を行なった後に採取したＦＩＢ画像において表われるよ
うなＩＣの一部を示した平面図である。誘電体層の露出
した区域は暗いスポット７４０として表われ、一方周り
のＭ３メタルは明るい領域７４２として表われる。端部
７３０はミリングした領域の周辺部周りに明るいライン
７３６として表われる。
とによって得られる結果を示している。不均一なミリン
グを行なう結果として、誘電体７１０は１つ又はそれ以
上の不規則的な区域７３８において露出され、一方Ｍ３
メタル層７０８は窓区域の殆どにわたって残存してい
る。図７（ｈ）は、図７（ｇ）に示した程度にミリング
を行なった後に採取したＦＩＢ画像において表われるよ
うなＩＣの一部を示した平面図である。誘電体層の露出
した区域は暗いスポット７４０として表われ、一方周り
のＭ３メタルは明るい領域７４２として表われる。端部
７３０はミリングした領域の周辺部周りに明るいライン
７３６として表われる。
【００３３】図７（ｈ）のＦＩＢ画像を格納し、且つ画
素強度値をスレッシュホールド処理して格納した二進画
像を発生させることが可能である。図７（ｊ）はこのよ
うな画像を示しており、その場合に、図７（ｈ）のパッ
シベーション区域７４０は中実の黒い区域７４４へ変換
されており、周りのメタル領域７４２は中実の白い区域
７４６へ変換されており、端部７３０は中実の白いライ
ン７４８へ変換されており、且つ窓の周りのパッシベー
ションは黒い区域へ変換されている。図７（ｉ）は図７
（ｇ）と同一であり、ミリングした構成体をスレッシュ
ホールド処理した画像図７（ｊ）の特徴と比較すること
を可能としている。図７（ｊ）において、メタル及び端
部は白色の領域として示してあり、且つパッシベーショ
ン及び誘電体は黒色の領域として示してある。尚、画素
値を二進化する場合にこれと反対の表記方法を採用する
ことも可能である。図７（ｌ）は図７（ｊ）の画像の修
正したものであり、その場合に、窓の明るい端部７３０
に対応するライン７４８は二進化画像からマスクされて
いる。
素強度値をスレッシュホールド処理して格納した二進画
像を発生させることが可能である。図７（ｊ）はこのよ
うな画像を示しており、その場合に、図７（ｈ）のパッ
シベーション区域７４０は中実の黒い区域７４４へ変換
されており、周りのメタル領域７４２は中実の白い区域
７４６へ変換されており、端部７３０は中実の白いライ
ン７４８へ変換されており、且つ窓の周りのパッシベー
ションは黒い区域へ変換されている。図７（ｉ）は図７
（ｇ）と同一であり、ミリングした構成体をスレッシュ
ホールド処理した画像図７（ｊ）の特徴と比較すること
を可能としている。図７（ｊ）において、メタル及び端
部は白色の領域として示してあり、且つパッシベーショ
ン及び誘電体は黒色の領域として示してある。尚、画素
値を二進化する場合にこれと反対の表記方法を採用する
ことも可能である。図７（ｌ）は図７（ｊ）の画像の修
正したものであり、その場合に、窓の明るい端部７３０
に対応するライン７４８は二進化画像からマスクされて
いる。
【００３４】図７（ｋ）は更なるミリングを制御するた
めのマスクとして図７（ｌ）に示された二進化画像デー
タの使用状態を示している。その目的とするところは、
窓区域内の露出されている誘電体の更なるミリングを回
避するか又は最小状態に維持しながら、窓区域内のＭ３
メタルのＦＩＢミリングを継続して行なうことである。
又、窓の端部における更なるミリングを回避することが
望ましい場合がある。図７（ｋ）を参照すると、その目
的とするところは、限界７５４と７５６との間の更なる
ミリングを最小に維持しながら、限界７５２と７５４と
の間及び限界７５６と７５８との間のミリングを行なう
ことである。限界７５２及び７５８は、限界７１６及び
７１８の幾分内側に位置しており、窓の端部において更
なるミリングが行なわれることを回避するためである。
めのマスクとして図７（ｌ）に示された二進化画像デー
タの使用状態を示している。その目的とするところは、
窓区域内の露出されている誘電体の更なるミリングを回
避するか又は最小状態に維持しながら、窓区域内のＭ３
メタルのＦＩＢミリングを継続して行なうことである。
又、窓の端部における更なるミリングを回避することが
望ましい場合がある。図７（ｋ）を参照すると、その目
的とするところは、限界７５４と７５６との間の更なる
ミリングを最小に維持しながら、限界７５２と７５４と
の間及び限界７５６と７５８との間のミリングを行なう
ことである。限界７５２及び７５８は、限界７１６及び
７１８の幾分内側に位置しており、窓の端部において更
なるミリングが行なわれることを回避するためである。
【００３５】図７（ｍ）は図７（ｋ）を参照して説明し
た如く、選択的ミリングの結果として得られる状態を示
している。図７（ｎ）は、図７（ｍ）に示した程度にミ
リングを行なった後に採取したアップデートしたＦＩＢ
画像において表われるようなＩＣの状態を示している。
露出された誘電体区域７６０は、この場合には、前に露
出された誘電体区域７３８よりもかなり大きく、且つ暗
い領域７６２として表われている。周りのＭ３メタル７
６４は明るい領域７６６として表われている。端部７６
８はミリングした領域の周辺部周りに明るいライン７７
０として表われている。パッシベーションはより暗い領
域７７２として表われている。
た如く、選択的ミリングの結果として得られる状態を示
している。図７（ｎ）は、図７（ｍ）に示した程度にミ
リングを行なった後に採取したアップデートしたＦＩＢ
画像において表われるようなＩＣの状態を示している。
露出された誘電体区域７６０は、この場合には、前に露
出された誘電体区域７３８よりもかなり大きく、且つ暗
い領域７６２として表われている。周りのＭ３メタル７
６４は明るい領域７６６として表われている。端部７６
８はミリングした領域の周辺部周りに明るいライン７７
０として表われている。パッシベーションはより暗い領
域７７２として表われている。
【００３６】図７（ｎ）は格納することが可能であり、
画素強度値をスレッシュホールド処理して格納した二進
画像を発生することが可能である。図７（ｐ）はこのよ
うな画像を示している。図７（ｎ）の誘電体区域７６２
及びパッシベーション区域７７２は、夫々、中実の黒色
即ち真っ黒の区域７７４及び７７６へ変換されている。
図７（ｎ）のメタルＭ３領域７６６は白色領域７７８と
なる。図７（ｎ）のボーダーライン７７０は窓端部にお
いての更なるミリングを回避するために、領域７７６と
隣接した中実の黒色のラインへ変換される。
画素強度値をスレッシュホールド処理して格納した二進
画像を発生することが可能である。図７（ｐ）はこのよ
うな画像を示している。図７（ｎ）の誘電体区域７６２
及びパッシベーション区域７７２は、夫々、中実の黒色
即ち真っ黒の区域７７４及び７７６へ変換されている。
図７（ｎ）のメタルＭ３領域７６６は白色領域７７８と
なる。図７（ｎ）のボーダーライン７７０は窓端部にお
いての更なるミリングを回避するために、領域７７６と
隣接した中実の黒色のラインへ変換される。
【００３７】図７（ｏ）は、更なるミリングを制御する
ためのマスクとして、図７（ｐ）に示した二進化画像デ
ータの使用状態を示している。この場合にも、その目的
とするところは、露出されたパッシベーションの更なる
ミリングを回避するか又は最小状態に維持しながら、窓
区域内のＭ３メタルのＦＩＢミリングを継続して行なう
ことである。図７（ｏ）を参照すると、限界７８０と７
８２との間の更なるミリングを最小状態に維持しなが
ら、限界７５２と７８０との間及び限界７８２と７５８
との間においてミリングを行なう。その結果、図７
（ｃ）に示したような窓７２０が得られる。
ためのマスクとして、図７（ｐ）に示した二進化画像デ
ータの使用状態を示している。この場合にも、その目的
とするところは、露出されたパッシベーションの更なる
ミリングを回避するか又は最小状態に維持しながら、窓
区域内のＭ３メタルのＦＩＢミリングを継続して行なう
ことである。図７（ｏ）を参照すると、限界７８０と７
８２との間の更なるミリングを最小状態に維持しなが
ら、限界７５２と７８０との間及び限界７８２と７５８
との間においてミリングを行なう。その結果、図７
（ｃ）に示したような窓７２０が得られる。
【００３８】更に別の実施例を図８（ａ）乃至（ｐ）に
示してある。図８（ａ）は、シリコン基板８０２と、第
一メタル層Ｍ１の導体８０４と第二メタル層Ｍ２の導体
８０６と第三メタル層Ｍ３の例えばパワープレーン又は
接地プレーン等のプレーン８０８と誘電体層８１０及び
８１２と、パッシベーション８１４とを有する典型的な
ＩＣの一部８００の理想的な概略断面（縮尺通りではな
い）を示している。更に、製造期間中にＩＣ構成体内に
トラップされた粒子８１６（例えば、タングステンから
なる）が存在している。図８（ｂ）は、それがＦＩＢ画
像において表われるようなＩＣの一部を示している。埋
設されている粒子８１６の位置は点線８１８で示してあ
り（然しながら、それはＦＩＢ画像において見ることは
できない）、一方パッシベーション８１４の隆起した区
域は８１９で示してある。
示してある。図８（ａ）は、シリコン基板８０２と、第
一メタル層Ｍ１の導体８０４と第二メタル層Ｍ２の導体
８０６と第三メタル層Ｍ３の例えばパワープレーン又は
接地プレーン等のプレーン８０８と誘電体層８１０及び
８１２と、パッシベーション８１４とを有する典型的な
ＩＣの一部８００の理想的な概略断面（縮尺通りではな
い）を示している。更に、製造期間中にＩＣ構成体内に
トラップされた粒子８１６（例えば、タングステンから
なる）が存在している。図８（ｂ）は、それがＦＩＢ画
像において表われるようなＩＣの一部を示している。埋
設されている粒子８１６の位置は点線８１８で示してあ
り（然しながら、それはＦＩＢ画像において見ることは
できない）、一方パッシベーション８１４の隆起した区
域は８１９で示してある。
【００３９】例えば製造プロセスにおける問題を診断す
る場合の助けとして、検査又は解析を行なうために粒子
８１６を露出させることが所望される。通常、その粒子
の組成は未知である。図８（ｃ）は粒子８１６を露出さ
せるためにミリングによって形成されるような窓８２０
を示している。図８（ｄ）は、例えば試料を構成する原
子又は分子化合物を互いに区別することが可能な画像等
の、粒子８１６とＩＣの周囲構造との間の何等かのタイ
プのコントラストを有する画像において表われるような
窓８２０を示している。このようなコントラスト画像
は、例えば、二次イオン質量スペクトロスコピー（ＳＩ
ＭＳ）又はオージェ（Ａｕｇｅｒ）又はＥＤＸ技術を使
用して発生させることが可能である。オージェ技術で
は、試料の表面において数ｋＶの範囲内のエネルギを有
する電子を衝突させ、且つ跳ね返る電子（二次電子では
ない）のエネルギを解析するものである。跳ね返ってく
る電子のエネルギは、その電子が相互作用を行なう原子
の特性である。ＥＤＸ技術では、構成体内の原子の電子
がより高い状態に励起されるように試料に電子を衝突さ
せる。これらの電子がより低い状態に落ち込む場合に、
その原子のＸ線特性が発生される。周りのＩＣ構造と粒
子８１６（例えば、必ずしも原子を区別するものではな
い物質コントラスト画像）又は粒子８１６の輪郭（例え
ば、トポグラフィコントラスト画像）との間のコントラ
ストを与えるその他の画像形成技術を使用することも可
能である。どのような技術が使用されようとも、図８
（ｄ）の画像は、中央円形領域８２２（例えば、タング
ステン）として粒子８１６、誘電体境界８２６（例え
ば、ＳｉＯ2 ）及び金属境界８２８（例えば、アルミニ
ウム）を有する矩形状の窓領域８２４（例えば、アルミ
ニウム）及び周りのパッシベーション８３０を示してい
る。このコントラスト画像は、タングステン粒子８１６
をミリングすることなしに、Ｍ３層をミリングによって
除去することを可能としている。
る場合の助けとして、検査又は解析を行なうために粒子
８１６を露出させることが所望される。通常、その粒子
の組成は未知である。図８（ｃ）は粒子８１６を露出さ
せるためにミリングによって形成されるような窓８２０
を示している。図８（ｄ）は、例えば試料を構成する原
子又は分子化合物を互いに区別することが可能な画像等
の、粒子８１６とＩＣの周囲構造との間の何等かのタイ
プのコントラストを有する画像において表われるような
窓８２０を示している。このようなコントラスト画像
は、例えば、二次イオン質量スペクトロスコピー（ＳＩ
ＭＳ）又はオージェ（Ａｕｇｅｒ）又はＥＤＸ技術を使
用して発生させることが可能である。オージェ技術で
は、試料の表面において数ｋＶの範囲内のエネルギを有
する電子を衝突させ、且つ跳ね返る電子（二次電子では
ない）のエネルギを解析するものである。跳ね返ってく
る電子のエネルギは、その電子が相互作用を行なう原子
の特性である。ＥＤＸ技術では、構成体内の原子の電子
がより高い状態に励起されるように試料に電子を衝突さ
せる。これらの電子がより低い状態に落ち込む場合に、
その原子のＸ線特性が発生される。周りのＩＣ構造と粒
子８１６（例えば、必ずしも原子を区別するものではな
い物質コントラスト画像）又は粒子８１６の輪郭（例え
ば、トポグラフィコントラスト画像）との間のコントラ
ストを与えるその他の画像形成技術を使用することも可
能である。どのような技術が使用されようとも、図８
（ｄ）の画像は、中央円形領域８２２（例えば、タング
ステン）として粒子８１６、誘電体境界８２６（例え
ば、ＳｉＯ2 ）及び金属境界８２８（例えば、アルミニ
ウム）を有する矩形状の窓領域８２４（例えば、アルミ
ニウム）及び周りのパッシベーション８３０を示してい
る。このコントラスト画像は、タングステン粒子８１６
をミリングすることなしに、Ｍ３層をミリングによって
除去することを可能としている。
【００４０】図８（ｅ）の断面に示した如く、スキャン
限界８３４と８３６との間でＦＩＢ８３２をスキャニン
グさせることによってミリングが開始される。図８
（ｆ）の画像を参照すると、粒子８１６の上側に存在す
るＭ３メタル層８０８の一部８３８が露出され、一方パ
ッシベーション８１４は窓の残部８４０内及び窓の周り
において残存したままとなる。図８（ｇ）の断面に示し
た如く、ミリングが継続して行なわれる。図８（ｈ）の
画像を参照すると、誘電体物質８１２の円形領域８４２
が示されている。メタル８０８はパッシベーション８４
６によって取囲まれている窓の残部８４４内に示されて
いる。図８（ｉ）の断面に示される如く、更なるミリン
グが継続して行なわれる。図８（ｊ）の画像を参照する
と誘電体領域８４２の中心において８４８で示される如
く、粒子８１６が見えるようになるとミリングが停止さ
れる。
限界８３４と８３６との間でＦＩＢ８３２をスキャニン
グさせることによってミリングが開始される。図８
（ｆ）の画像を参照すると、粒子８１６の上側に存在す
るＭ３メタル層８０８の一部８３８が露出され、一方パ
ッシベーション８１４は窓の残部８４０内及び窓の周り
において残存したままとなる。図８（ｇ）の断面に示し
た如く、ミリングが継続して行なわれる。図８（ｈ）の
画像を参照すると、誘電体物質８１２の円形領域８４２
が示されている。メタル８０８はパッシベーション８４
６によって取囲まれている窓の残部８４４内に示されて
いる。図８（ｉ）の断面に示される如く、更なるミリン
グが継続して行なわれる。図８（ｊ）の画像を参照する
と誘電体領域８４２の中心において８４８で示される如
く、粒子８１６が見えるようになるとミリングが停止さ
れる。
【００４１】粒子８１６が見える領域内の画素を第一値
（例えば、黒）へ設定し且つ残りの画素を第二値（例え
ば、白）へ設定することによって図８（ｊ）の画像を二
進化させる。次いで、その二進化画像をマスクとして使
用して、図８（ｋ）に示した如くミリングを制御し、領
域８４８においての更なるミリングを回避する。即ち、
窓のミリングは限界８３４と８５０との間及び限界８５
２と８３６との間においては継続して行ない、従って粒
子８１６は保存される。図８（ｌ）の画像は、粒子８１
６のより多くの部分が８５４において見えるようになっ
ているばかりか、Ｍ３メタル層８０８を介して誘電体８
１２が見えるようになっている区域８５６，８５８，８
６０が示されている。次いで、例えば限界８３４と８６
２との間及び限界８６４と８３６との間において、図８
（ｍ）に示した如く、継続してミリングを行なうための
マスクとして使用するために図８（ｌ）の画像を二進化
する。図８（ｎ）の画像は、誘電体領域８６８によって
取囲まれている粒子８１６を８６６で示しており、Ｍ３
メタルの周辺部を８７０で示しており、且つパッシベー
ション８１４を８７２で示してある。図８（ｎ）は図８
（ｏ）における如く、更なるミリングを制御するための
マスクとして使用するために二進化させる。図８（ｐ）
の画像は、粒子８１６の更により多くの部分が見える状
態に８７４で示してあり、且つ更なるミリングを制御す
るためのマスクとして使用するために二進化することが
可能である。マスクを時々アップデートすることによっ
て、周囲の物質をミリングによって除去しながら粒子８
１６を保存することが可能である。
（例えば、黒）へ設定し且つ残りの画素を第二値（例え
ば、白）へ設定することによって図８（ｊ）の画像を二
進化させる。次いで、その二進化画像をマスクとして使
用して、図８（ｋ）に示した如くミリングを制御し、領
域８４８においての更なるミリングを回避する。即ち、
窓のミリングは限界８３４と８５０との間及び限界８５
２と８３６との間においては継続して行ない、従って粒
子８１６は保存される。図８（ｌ）の画像は、粒子８１
６のより多くの部分が８５４において見えるようになっ
ているばかりか、Ｍ３メタル層８０８を介して誘電体８
１２が見えるようになっている区域８５６，８５８，８
６０が示されている。次いで、例えば限界８３４と８６
２との間及び限界８６４と８３６との間において、図８
（ｍ）に示した如く、継続してミリングを行なうための
マスクとして使用するために図８（ｌ）の画像を二進化
する。図８（ｎ）の画像は、誘電体領域８６８によって
取囲まれている粒子８１６を８６６で示しており、Ｍ３
メタルの周辺部を８７０で示しており、且つパッシベー
ション８１４を８７２で示してある。図８（ｎ）は図８
（ｏ）における如く、更なるミリングを制御するための
マスクとして使用するために二進化させる。図８（ｐ）
の画像は、粒子８１６の更により多くの部分が見える状
態に８７４で示してあり、且つ更なるミリングを制御す
るためのマスクとして使用するために二進化することが
可能である。マスクを時々アップデートすることによっ
て、周囲の物質をミリングによって除去しながら粒子８
１６を保存することが可能である。
【００４２】図９は図５のシステムを修正したシステム
９００を示しており、同一の部品には同一の参照番号を
付してある。修正した部分は、二次イオン質量分析検知
器９０２を付加しており、該検知器の出力信号は画像エ
レクトロニクス５５４へ供給される。検知器９０２から
の信号は、試料５１０の物質を区別することを可能とし
ており、且つ元素を区別するような態様でサンプルの画
像を発生するために使用される。このような画像は、例
えば図８（ａ）乃至８（ｐ）の実施例における如く、タ
ングステンのミリングを最小状態に維持しながらアルミ
ニウムと誘電体とを選択的にミリングする場合のような
特定の物質の選択的ミリングを行なうためのマスクを用
意するために使用することが可能である。
９００を示しており、同一の部品には同一の参照番号を
付してある。修正した部分は、二次イオン質量分析検知
器９０２を付加しており、該検知器の出力信号は画像エ
レクトロニクス５５４へ供給される。検知器９０２から
の信号は、試料５１０の物質を区別することを可能とし
ており、且つ元素を区別するような態様でサンプルの画
像を発生するために使用される。このような画像は、例
えば図８（ａ）乃至８（ｐ）の実施例における如く、タ
ングステンのミリングを最小状態に維持しながらアルミ
ニウムと誘電体とを選択的にミリングする場合のような
特定の物質の選択的ミリングを行なうためのマスクを用
意するために使用することが可能である。
【００４３】図１０は、オージェ又はＥＤＸ技術を使用
して試料５１０の画像形成を行なうための構成を有する
図５のシステムの更に修正したシステム１０００を示し
ている。電子・光学カラム１００５が試料５１０に対し
て電子ビーム１０１０を指向させる。カラム１００５
は、供給源１０１５及びアライメント／偏向コイル１０
２０を有している。Ｅビームエネルギは、ＳＥＭ高電圧
制御器１０２５によって制御され、一方、Ｅビームアラ
イメント及び偏向はＳＥＭアライメント・偏向制御器１
０３０によって制御される。制御器１０２５及び１０３
０は、システム制御ユニット５４２と通信を行なう。検
知器１０３５は、試料５１０から跳ね返ってくる電子の
エネルギを検知し且つ解析するため（オージェ技術が使
用される）、又は試料５１０の原子から発生するＸ線を
検知するため（ＥＤＸ技術が使用される場合）に設けら
れている。いずれの場合においても、検知器１０３５
は、試料５１０の基本的な構成物質を区別することを可
能とする信号を供給する。その信号はその試料の画像を
発生するために使用される。その基本的な画像は、例え
ば、図８（ａ）乃至（ｐ）の実施例における如く、選択
的ミリングを行なうためのマスクを作成するために使用
される。
して試料５１０の画像形成を行なうための構成を有する
図５のシステムの更に修正したシステム１０００を示し
ている。電子・光学カラム１００５が試料５１０に対し
て電子ビーム１０１０を指向させる。カラム１００５
は、供給源１０１５及びアライメント／偏向コイル１０
２０を有している。Ｅビームエネルギは、ＳＥＭ高電圧
制御器１０２５によって制御され、一方、Ｅビームアラ
イメント及び偏向はＳＥＭアライメント・偏向制御器１
０３０によって制御される。制御器１０２５及び１０３
０は、システム制御ユニット５４２と通信を行なう。検
知器１０３５は、試料５１０から跳ね返ってくる電子の
エネルギを検知し且つ解析するため（オージェ技術が使
用される）、又は試料５１０の原子から発生するＸ線を
検知するため（ＥＤＸ技術が使用される場合）に設けら
れている。いずれの場合においても、検知器１０３５
は、試料５１０の基本的な構成物質を区別することを可
能とする信号を供給する。その信号はその試料の画像を
発生するために使用される。その基本的な画像は、例え
ば、図８（ａ）乃至（ｐ）の実施例における如く、選択
的ミリングを行なうためのマスクを作成するために使用
される。
【００４４】図１１乃至図１３は、例えば図５のシステ
ムのようなＦＩＢシステムで選択的ミリングを行なうた
めのＦＩＢ電流を制御するためのマスクを使用する幾つ
かの可能な方法を概略的に示している。尚、同一の構成
要素には同一の参照番号を付してある。ＦＩＢ５２０
は、ＦＩＢカラム５０６によって試料５１０へ指向され
る。イオン供給源５１６からのイオンは、夫々レンズ電
圧供給源１１９０及び１１９５の制御下にある第一イオ
ン光学レンズ１１０５及び第二イオン光学レンズ１１１
０によってフォーカス即ち合焦される。８極子１１１５
の偏向要素が、Ｘ偏向制御器１１２０及びＹ偏向制御器
１１２５によって供給される偏向電圧に応答してＦＩＢ
を偏向させる。これらの偏向電圧は、例えばシステム制
御ユニット５４２における画像メモリ１１４０内に格納
されているＸアドレス値１１３０及び、アドレス値１１
３５によって決定される。制御ＣＰＵ１１４５が、Ｘア
ドレス値及びＹアドレス値を収容するカウンタをインク
リメントさせて試料５１０上においてＦＩＢ５２０のス
キャニングを実行させる。従来のＦＩＢミリングにおけ
る如く、ミリングすべき物質のタイプ及び区域、及び所
望の精度及び分解能に基づいて、ユーザによって公称の
ＦＩＢミリング電流及びラスタ速度が選択される。
ムのようなＦＩＢシステムで選択的ミリングを行なうた
めのＦＩＢ電流を制御するためのマスクを使用する幾つ
かの可能な方法を概略的に示している。尚、同一の構成
要素には同一の参照番号を付してある。ＦＩＢ５２０
は、ＦＩＢカラム５０６によって試料５１０へ指向され
る。イオン供給源５１６からのイオンは、夫々レンズ電
圧供給源１１９０及び１１９５の制御下にある第一イオ
ン光学レンズ１１０５及び第二イオン光学レンズ１１１
０によってフォーカス即ち合焦される。８極子１１１５
の偏向要素が、Ｘ偏向制御器１１２０及びＹ偏向制御器
１１２５によって供給される偏向電圧に応答してＦＩＢ
を偏向させる。これらの偏向電圧は、例えばシステム制
御ユニット５４２における画像メモリ１１４０内に格納
されているＸアドレス値１１３０及び、アドレス値１１
３５によって決定される。制御ＣＰＵ１１４５が、Ｘア
ドレス値及びＹアドレス値を収容するカウンタをインク
リメントさせて試料５１０上においてＦＩＢ５２０のス
キャニングを実行させる。従来のＦＩＢミリングにおけ
る如く、ミリングすべき物質のタイプ及び区域、及び所
望の精度及び分解能に基づいて、ユーザによって公称の
ＦＩＢミリング電流及びラスタ速度が選択される。
【００４５】画像を採取するために、ＦＩＢ電流を適宜
のレベルへ設定し、ＦＩＢ５２０を試料５１０にわたっ
てスキャニングし、且つ信号検知器５１２が検知器信号
を発生する。この検知器信号は、アナログ・デジタル変
換器１１５５によって変換され且つＦＩＢ画像を記述す
る１組のデータ１１６０として画像メモリ１１４０内に
格納される。このＦＩＢ画像は、モニタ５３６のＦＩＢ
画像窓１１６５内に表示させることが可能である。（Ｆ
ＩＢ画像の代わりに元素レベルのコントラスト画像を発
生させるために、図９における如くＳＩＭＳ検知器９０
２を置換させるか、又は図１０におけるようにＥＤＸ又
はオージェ検知器１０３５を置換させることが可能であ
る。説明の便宜上、図１１乃至１３は、ＦＩＢ画像を発
生するための二次粒子検知器を使用するものと仮定して
いる。）格納されたＦＩＢ画像データ１１６０の個別的
な画素値をスレッシュホールド処理し、且つ画像メモリ
１１４０内に格納する。格納した１組のデータ１１７０
は、このＦＩＢ画像データ１１６０からマスク画像を定
義する１組のデータ１１７５を発生する場合に実行され
るべき操作を記述する。画像メモリ１１４０はマスク画
像を定義するデータ１１７５を格納する。例えば窓の端
部又は選択的ミリングが行なわれることを回避すべきそ
の他の区域をマスキングすること等の、マスク画像を発
生する場合にその他の処理を実施することも可能であ
る。マスク画像データ１１７５は、更なるミリングを制
御するために使用され、且つモニタ５３６のマスク画像
窓１１８０内に表示させることが可能である。
のレベルへ設定し、ＦＩＢ５２０を試料５１０にわたっ
てスキャニングし、且つ信号検知器５１２が検知器信号
を発生する。この検知器信号は、アナログ・デジタル変
換器１１５５によって変換され且つＦＩＢ画像を記述す
る１組のデータ１１６０として画像メモリ１１４０内に
格納される。このＦＩＢ画像は、モニタ５３６のＦＩＢ
画像窓１１６５内に表示させることが可能である。（Ｆ
ＩＢ画像の代わりに元素レベルのコントラスト画像を発
生させるために、図９における如くＳＩＭＳ検知器９０
２を置換させるか、又は図１０におけるようにＥＤＸ又
はオージェ検知器１０３５を置換させることが可能であ
る。説明の便宜上、図１１乃至１３は、ＦＩＢ画像を発
生するための二次粒子検知器を使用するものと仮定して
いる。）格納されたＦＩＢ画像データ１１６０の個別的
な画素値をスレッシュホールド処理し、且つ画像メモリ
１１４０内に格納する。格納した１組のデータ１１７０
は、このＦＩＢ画像データ１１６０からマスク画像を定
義する１組のデータ１１７５を発生する場合に実行され
るべき操作を記述する。画像メモリ１１４０はマスク画
像を定義するデータ１１７５を格納する。例えば窓の端
部又は選択的ミリングが行なわれることを回避すべきそ
の他の区域をマスキングすること等の、マスク画像を発
生する場合にその他の処理を実施することも可能であ
る。マスク画像データ１１７５は、更なるミリングを制
御するために使用され、且つモニタ５３６のマスク画像
窓１１８０内に表示させることが可能である。
【００４６】実効的なＦＩＢミリング電流を制御するた
めにそのマスク画像データを種々の態様で使用すること
が可能である。その１つの態様を図１１に示してある。
各ＸＹアドレスにおけるマスク画像データ１１７５の二
進値は、ＦＩＢ電流制御器１１５０への入力信号として
使用され、該制御器はビームブランカ１１８５へブラン
キング信号を供給する。そのビームは、ＦＩＢ５２０が
ミリングされるべき試料５１０のＸＹ領域上をスキャニ
ングする場合にはブランクせずに実効的ＦＩＢミリング
電流を高レベルに維持し、且つミリングを最小とすべき
ＸＹ領域上をスキャニングする場合にはブランキングを
行なって実効的ＦＩＢミリング電流を減少させたレベル
に維持する。
めにそのマスク画像データを種々の態様で使用すること
が可能である。その１つの態様を図１１に示してある。
各ＸＹアドレスにおけるマスク画像データ１１７５の二
進値は、ＦＩＢ電流制御器１１５０への入力信号として
使用され、該制御器はビームブランカ１１８５へブラン
キング信号を供給する。そのビームは、ＦＩＢ５２０が
ミリングされるべき試料５１０のＸＹ領域上をスキャニ
ングする場合にはブランクせずに実効的ＦＩＢミリング
電流を高レベルに維持し、且つミリングを最小とすべき
ＸＹ領域上をスキャニングする場合にはブランキングを
行なって実効的ＦＩＢミリング電流を減少させたレベル
に維持する。
【００４７】マスク画像データで実効的ＦＩＢミリング
電流を制御する別の方法を図１２に示してある。各ＸＹ
アドレスにおけるマスク画像データ１１７５の二進値を
ＦＩＢ電流制御器１１５０への入力信号として使用し、
それは第一レンズ電圧供給源１１９０及び第二レンズ電
圧供給源１１９５への制御信号を供給する。ＦＩＢ５２
０の実効的ミリング電流は、第一及び第二イオン・光学
レンズ１１０５及び１１１０の特性を調節することによ
って制御され、例えばビーム制限用アパーチャ１２８５
と相対的にイオン・光学レンズ対の共役点をシフトさせ
ることによって制御される。実効的ＦＩＢミリング電流
は、ＦＩＢ５２０がミリングされるべき試料５１０のＸ
Ｙ領域にわたってスキャニングされる場合に高レベルに
維持され、且つミリングを最小とすべきＸＹ領域にわた
ってビームがスキャニングされる場合には減少される。
電流を制御する別の方法を図１２に示してある。各ＸＹ
アドレスにおけるマスク画像データ１１７５の二進値を
ＦＩＢ電流制御器１１５０への入力信号として使用し、
それは第一レンズ電圧供給源１１９０及び第二レンズ電
圧供給源１１９５への制御信号を供給する。ＦＩＢ５２
０の実効的ミリング電流は、第一及び第二イオン・光学
レンズ１１０５及び１１１０の特性を調節することによ
って制御され、例えばビーム制限用アパーチャ１２８５
と相対的にイオン・光学レンズ対の共役点をシフトさせ
ることによって制御される。実効的ＦＩＢミリング電流
は、ＦＩＢ５２０がミリングされるべき試料５１０のＸ
Ｙ領域にわたってスキャニングされる場合に高レベルに
維持され、且つミリングを最小とすべきＸＹ領域にわた
ってビームがスキャニングされる場合には減少される。
【００４８】図１３はマスク画像データで実効的ＦＩＢ
ミリング電流を制御する別の好適な態様を示している。
各ＸＹアドレスにおけるマスク画像データ１１７５の二
進値がＦＩＢ電流制御器１２５０への入力信号として使
用され、それは、Ｘ偏向制御器１１２０及びＹ偏向制御
器１１２５への制御信号を与える。ＦＩＢ電流は一定に
維持され、一方ＦＩＢ５２０のスキャニング速度は、ミ
リングされるべきＸＹ領域にわたってはより長い滞在時
間を与え（従ってより高いミリング速度）、一方ミリン
グを最小とすべきＸＹ領域にわたっては短い滞在時間
（即ち低下されたミリング速度）を与えるように調節さ
れる。従って、マスク画像データ１１７５の二進値は、
各ＸＹアドレスにおいてのドエル即ち滞在時間を制御す
ることによってミリングの割合即ち速度を制御する。
ミリング電流を制御する別の好適な態様を示している。
各ＸＹアドレスにおけるマスク画像データ１１７５の二
進値がＦＩＢ電流制御器１２５０への入力信号として使
用され、それは、Ｘ偏向制御器１１２０及びＹ偏向制御
器１１２５への制御信号を与える。ＦＩＢ電流は一定に
維持され、一方ＦＩＢ５２０のスキャニング速度は、ミ
リングされるべきＸＹ領域にわたってはより長い滞在時
間を与え（従ってより高いミリング速度）、一方ミリン
グを最小とすべきＸＹ領域にわたっては短い滞在時間
（即ち低下されたミリング速度）を与えるように調節さ
れる。従って、マスク画像データ１１７５の二進値は、
各ＸＹアドレスにおいてのドエル即ち滞在時間を制御す
ることによってミリングの割合即ち速度を制御する。
【００４９】自己マスク型ミリングの好適な方法は以下
の如くに要約することが可能である。
の如くに要約することが可能である。
【００５０】（１）サンプル即ち試料を真空室内に配置
し、真空室を排気させ、該試料上にＦＩＢをスキャニン
グさせ、且つミリングされるべき試料の領域を識別す
る。
し、真空室を排気させ、該試料上にＦＩＢをスキャニン
グさせ、且つミリングされるべき試料の領域を識別す
る。
【００５１】（２）試料内に窓を定義し、ＦＩＢでのミ
リングを開始する。
リングを開始する。
【００５２】（３）以下の条件が充足される場合にはミ
リングを手動的に又は自動的に停止する。
リングを手動的に又は自動的に停止する。
【００５３】（ａ）所望の端点への推定時間が経過した
か、（ｂ）コントラスト画像において誘電体下側のメタ
ルが見え始めるか（例えば、メタルを露出させるために
コンタクト又はプローブ孔を刻設すべき箇所におい
て）、（ｃ）コントラスト画像においてメタル下側の誘
電体が表われ初めるか（例えば、メタルラインを切断す
べき箇所、又は上側のメタル層を貫通して窓を刻設すべ
き箇所において）、（ｄ）孔の縁が露出されるか、
（ｅ）コントラスト画像において優先的ミリングによっ
て発生される表面トポグラフィが見えるようになるか、
（ｆ）コントラスト画像がマスク型ミリングのために有
用なその他のグレースケール即ち中間調情報を提示する
か、のいずれかである。
か、（ｂ）コントラスト画像において誘電体下側のメタ
ルが見え始めるか（例えば、メタルを露出させるために
コンタクト又はプローブ孔を刻設すべき箇所におい
て）、（ｃ）コントラスト画像においてメタル下側の誘
電体が表われ初めるか（例えば、メタルラインを切断す
べき箇所、又は上側のメタル層を貫通して窓を刻設すべ
き箇所において）、（ｄ）孔の縁が露出されるか、
（ｅ）コントラスト画像において優先的ミリングによっ
て発生される表面トポグラフィが見えるようになるか、
（ｆ）コントラスト画像がマスク型ミリングのために有
用なその他のグレースケール即ち中間調情報を提示する
か、のいずれかである。
【００５４】（４）試料のコントラスト画像を定義する
データを採取する。
データを採取する。
【００５５】（５）マスク画像データを発生させるため
にコントラスト画像データを処理する。
にコントラスト画像データを処理する。
【００５６】（ａ）コントラスト画像データへスレッシ
ュホールド値を適用してマスク画像データを発生する。
ュホールド値を適用してマスク画像データを発生する。
【００５７】（ｂ）（オプション）例えばトポグラフィ
特徴（例えば、ミリングした窓の傾斜端部）に起因して
強調されるマスク画像区域をマスクすることによってマ
スク画像データを修正する。
特徴（例えば、ミリングした窓の傾斜端部）に起因して
強調されるマスク画像区域をマスクすることによってマ
スク画像データを修正する。
【００５８】（ｃ）ＦＩＢ変調のためにマスク画像のマ
ッピングを決定する（例えば、メタル層を露出させるた
めに、マスク画像の暗い区域によって表わされる誘電体
のみをミリングすること；メタル層内に窓を刻設するた
めに、マスク画像の明るい区域によって表わされるメタ
ルのみをミリングすること；ぎざぎざの区域を奇麗にす
るために、特定の領域のみをミリングすること）。
ッピングを決定する（例えば、メタル層を露出させるた
めに、マスク画像の暗い区域によって表わされる誘電体
のみをミリングすること；メタル層内に窓を刻設するた
めに、マスク画像の明るい区域によって表わされるメタ
ルのみをミリングすること；ぎざぎざの区域を奇麗にす
るために、特定の領域のみをミリングすること）。
【００５９】（６）（必要に応じ）画像採取のためのよ
うにミリング用の異なるビーム電流を使用することから
発生するオフセットを補償するためにマスクデータをミ
リング電流におけるビーム位置と整合させるか、又はそ
の逆。
うにミリング用の異なるビーム電流を使用することから
発生するオフセットを補償するためにマスクデータをミ
リング電流におけるビーム位置と整合させるか、又はそ
の逆。
【００６０】（７）マスク画像データを使用して実効的
ＦＩＢミリング電流を制御する。
ＦＩＢミリング電流を制御する。
【００６１】（ａ）（オプション）ＦＩＢラスタ制御バ
ッファへマスク画像データをコピーする。
ッファへマスク画像データをコピーする。
【００６２】（ｂ）ＦＩＢラスタ制御バッファの出力を
ＦＩＢ強度又は電流又はスキャニング制御器へ供給する
（例えば、ビームブランキングによって、アパーチャと
相対的な共役点シフトによって、又はラスタスキャン速
度を変化させることによって、ビーム電流を制御す
る）。
ＦＩＢ強度又は電流又はスキャニング制御器へ供給する
（例えば、ビームブランキングによって、アパーチャと
相対的な共役点シフトによって、又はラスタスキャン速
度を変化させることによって、ビーム電流を制御す
る）。
【００６３】（８）マスク画像を使用して実効的ＦＩＢ
ミリング強度を制御しながら、画定した区域にわたって
ＦＩＢのラスタスキャニングを行なうことによってミリ
ングを再開する。
ミリング強度を制御しながら、画定した区域にわたって
ＦＩＢのラスタスキャニングを行なうことによってミリ
ングを再開する。
【００６４】（９）ミリングが完了するまでステップ
（３）乃至（８）を繰返し行なう。例えば、メタル層を
露出させる場合には、ミリングした領域が全て明るい領
域となる場合に所望の結果が達成される。誘電体層を露
出させる場合には、全てが暗い領域となる場合に所望の
結果が得られる。ぎざぎざの端部を奇麗にする場合に
は、ユーザによって決定された所望のレベルへ減少され
た場合に所望の結果が得られる。従って、優先的ミリン
グは補償され、表面孔及びピッティング等が誇張される
ことを防止する。
（３）乃至（８）を繰返し行なう。例えば、メタル層を
露出させる場合には、ミリングした領域が全て明るい領
域となる場合に所望の結果が達成される。誘電体層を露
出させる場合には、全てが暗い領域となる場合に所望の
結果が得られる。ぎざぎざの端部を奇麗にする場合に
は、ユーザによって決定された所望のレベルへ減少され
た場合に所望の結果が得られる。従って、優先的ミリン
グは補償され、表面孔及びピッティング等が誇張される
ことを防止する。
【００６５】選択的ミリング用のマスク又はマスクデー
タを使用していつ準備を行ない且つ開始するかを決定す
るために多様な方法を使用することが可能である。例え
ば、オペレータは、経験及び／又は公称の層厚さ及びミ
リング速度及び／又は採取した試料の画像の視覚的検査
に依存することが可能である。通常のＦＩＢエンドポイ
ント即ち端点検知技術を使用することも可能であり、例
えば、二次粒子カウントにおける変化をモニタすること
が可能である。ＳＩＭＳ又はオージェ又はＥＤＳ検知技
術を使用する場合には、原子組成における変化をモニタ
することによってある層が一部露出されたことを検知す
ることが可能である。
タを使用していつ準備を行ない且つ開始するかを決定す
るために多様な方法を使用することが可能である。例え
ば、オペレータは、経験及び／又は公称の層厚さ及びミ
リング速度及び／又は採取した試料の画像の視覚的検査
に依存することが可能である。通常のＦＩＢエンドポイ
ント即ち端点検知技術を使用することも可能であり、例
えば、二次粒子カウントにおける変化をモニタすること
が可能である。ＳＩＭＳ又はオージェ又はＥＤＳ検知技
術を使用する場合には、原子組成における変化をモニタ
することによってある層が一部露出されたことを検知す
ることが可能である。
【００６６】上述した如く、マスクをアップデートし且
つそれを閉ループプロセスにおいてミリングされている
変化する表面へ適合させるために時折新たな画像を採取
することが可能である。該マスクはミリングされる構成
体の関数としてアップデートすることが可能であり、例
えば、複数個の層が順次ミリングされる場合に、各層が
露出される毎に該マスクをアップデートすることが可能
である。ミリングされる区域、ミリング速度、ビーム電
流等に依存して、該マスクは、ミリ秒から数十秒又は数
百秒の範囲の周期でアップデートさせることが可能であ
る。
つそれを閉ループプロセスにおいてミリングされている
変化する表面へ適合させるために時折新たな画像を採取
することが可能である。該マスクはミリングされる構成
体の関数としてアップデートすることが可能であり、例
えば、複数個の層が順次ミリングされる場合に、各層が
露出される毎に該マスクをアップデートすることが可能
である。ミリングされる区域、ミリング速度、ビーム電
流等に依存して、該マスクは、ミリ秒から数十秒又は数
百秒の範囲の周期でアップデートさせることが可能であ
る。
【００６７】所望によりミリングが進行するにしたがい
継続的にマスクをアップデートすることが可能である。
例えば、ＦＩＢが所定の区域にわたってラスタされる毎
に二次粒子信号を回収し且つ解析し、且つ該マスク又は
該マスクの一部を発生するか又はアップデートするため
に使用することが可能である。ミリング期間中に採取さ
れるデータは一度に１つのフレーム、又は一度に１つの
ライン、又は一度に１つの点のいずれかで、マスクをア
ップデートするために使用することが可能である。
継続的にマスクをアップデートすることが可能である。
例えば、ＦＩＢが所定の区域にわたってラスタされる毎
に二次粒子信号を回収し且つ解析し、且つ該マスク又は
該マスクの一部を発生するか又はアップデートするため
に使用することが可能である。ミリング期間中に採取さ
れるデータは一度に１つのフレーム、又は一度に１つの
ライン、又は一度に１つの点のいずれかで、マスクをア
ップデートするために使用することが可能である。
【００６８】インターレースしたラインの組でミリング
される区域にわたってＦＩＢをラスタスキャニングさせ
ることが可能である。例えば、最初の通過期間中に、Ｆ
ＩＢは高電流に設定され且つミリングを行なうための奇
数番のライン上を低スキャニング速度でスキャニングさ
せ、且つ２番目の通過期間中に、ＦＩＢを低い電流に設
定し且つ画像採取に対しての偶数番のライン上をより高
いスキャニング速度でスキャニングさせる。３番目のパ
ス即ち通過期間中に、ＦＩＢを低電流に設定し且つ画像
採取用の奇数番のライン上を高いスキャニング速度でス
キャニングさせ、且つ４番目のパス即ち通過期間中に、
ＦＩＢを高電流に設定し且つミリング用の偶数番のライ
ン上を低いスキャニング速度でスキャニングさせる。こ
のような態様でビーム電流及びスキャニング速度を変化
させることによって、ミリングが進行するにしたがいマ
スクのアップデートをほぼ継続的に行なうことが可能で
ある。マスクを発生するために使用されるコントラスト
画像は、所定数のパス即ち通過回数からの画素毎の「ロ
ーリング」平均を使用することによって用意し且つアッ
プデートさせることが可能である。この意味において、
画素は表示された画像内の位置に対応することは必要で
はないが、好適には、ＦＩＢカラムへの与えられた組の
偏向電圧から発生するＦＩＢのＸＹスキャン位置に対応
するものである。
される区域にわたってＦＩＢをラスタスキャニングさせ
ることが可能である。例えば、最初の通過期間中に、Ｆ
ＩＢは高電流に設定され且つミリングを行なうための奇
数番のライン上を低スキャニング速度でスキャニングさ
せ、且つ２番目の通過期間中に、ＦＩＢを低い電流に設
定し且つ画像採取に対しての偶数番のライン上をより高
いスキャニング速度でスキャニングさせる。３番目のパ
ス即ち通過期間中に、ＦＩＢを低電流に設定し且つ画像
採取用の奇数番のライン上を高いスキャニング速度でス
キャニングさせ、且つ４番目のパス即ち通過期間中に、
ＦＩＢを高電流に設定し且つミリング用の偶数番のライ
ン上を低いスキャニング速度でスキャニングさせる。こ
のような態様でビーム電流及びスキャニング速度を変化
させることによって、ミリングが進行するにしたがいマ
スクのアップデートをほぼ継続的に行なうことが可能で
ある。マスクを発生するために使用されるコントラスト
画像は、所定数のパス即ち通過回数からの画素毎の「ロ
ーリング」平均を使用することによって用意し且つアッ
プデートさせることが可能である。この意味において、
画素は表示された画像内の位置に対応することは必要で
はないが、好適には、ＦＩＢカラムへの与えられた組の
偏向電圧から発生するＦＩＢのＸＹスキャン位置に対応
するものである。
【００６９】図１１乃至１３における如く、マスク画像
は、１組のマスク画像データ１１７５として用意され且
つ格納されることを必要とするものではない。その代わ
りにミリングが行なわれている場合に実効的ＦＩＢミリ
ング電流を制御するためのマスクデータ信号を発生する
ために、コントラスト画像は適宜必要に応じて処理する
ことが可能である。例えば、コントラスト画像の各ＸＹ
位置における画素値をメモリから逐次的に読取り且つそ
の画素値をスレッシュホールド処理して二進（又はグレ
イレベル即ち中間調レベル）の値を発生し、その値を使
用してそのＸＹ位置における実効的ＦＩＢミリング電流
を制御する。
は、１組のマスク画像データ１１７５として用意され且
つ格納されることを必要とするものではない。その代わ
りにミリングが行なわれている場合に実効的ＦＩＢミリ
ング電流を制御するためのマスクデータ信号を発生する
ために、コントラスト画像は適宜必要に応じて処理する
ことが可能である。例えば、コントラスト画像の各ＸＹ
位置における画素値をメモリから逐次的に読取り且つそ
の画素値をスレッシュホールド処理して二進（又はグレ
イレベル即ち中間調レベル）の値を発生し、その値を使
用してそのＸＹ位置における実効的ＦＩＢミリング電流
を制御する。
【００７０】マスク画像を形成するコントラスト画像を
得るために、検知器５１２からの二次粒子信号の代わり
にステージ電流を使用することが可能である。ステージ
電流は、ミリング期間中に試料ステージから接地への測
定した電流の流れであり、それは一次イオン電流＋二次
電子電流＋二次イオン電流の和である。一次電流は固定
されており且つ二次イオン電流は無視可能なものであ
り、従ってステージ電流は主に二次電子電流によって変
化する。
得るために、検知器５１２からの二次粒子信号の代わり
にステージ電流を使用することが可能である。ステージ
電流は、ミリング期間中に試料ステージから接地への測
定した電流の流れであり、それは一次イオン電流＋二次
電子電流＋二次イオン電流の和である。一次電流は固定
されており且つ二次イオン電流は無視可能なものであ
り、従ってステージ電流は主に二次電子電流によって変
化する。
【００７１】本明細書に記載した技術は、誘電体の上の
メタル（例えば、メタルパワープレーン）を区別するた
めばかりではなく、メタル上の誘電体、誘電体上の誘電
体、メタル上のメタル、及びその他のコントラストを区
別するために使用することが可能である。本明細書にお
いては、「コントラスト画像」という用語は、物質のコ
ントラスト、トポグラフィのコントラスト及び／又は電
圧のコントラストを表わす任意の画像を包含するものと
して使用されている。界面においての異なる物質のコン
トラストは、本発明に基づいてマスクデータによってミ
リングを制御する場合に特に有用である。「コントラス
ト画像」という用語は、ＦＩＢ画像、例えばＳＩＭＳ，
オージェ又はＥＤＸ画像等の元素レベルでのコントラス
ト画像（例えば、特定の元素又は元素の組合わせが存在
するか又は存在しない場合にのみミリングが発生すべき
場合）、ＳＥＭ画像、及び／又は光学的画像等を包含す
るものである。光学的画像の分解能は、約１ミクロン以
下の特徴を区別するためには不適切な場合がある。「Ｆ
ＩＢ画像」という用語は、ＦＩＢの助けを借りて発生さ
れた画像を意味するものであるが、それは二次イオン画
像又は二次電子画像等をも包含するものであってそれら
のみに制限されるべきものではない。
メタル（例えば、メタルパワープレーン）を区別するた
めばかりではなく、メタル上の誘電体、誘電体上の誘電
体、メタル上のメタル、及びその他のコントラストを区
別するために使用することが可能である。本明細書にお
いては、「コントラスト画像」という用語は、物質のコ
ントラスト、トポグラフィのコントラスト及び／又は電
圧のコントラストを表わす任意の画像を包含するものと
して使用されている。界面においての異なる物質のコン
トラストは、本発明に基づいてマスクデータによってミ
リングを制御する場合に特に有用である。「コントラス
ト画像」という用語は、ＦＩＢ画像、例えばＳＩＭＳ，
オージェ又はＥＤＸ画像等の元素レベルでのコントラス
ト画像（例えば、特定の元素又は元素の組合わせが存在
するか又は存在しない場合にのみミリングが発生すべき
場合）、ＳＥＭ画像、及び／又は光学的画像等を包含す
るものである。光学的画像の分解能は、約１ミクロン以
下の特徴を区別するためには不適切な場合がある。「Ｆ
ＩＢ画像」という用語は、ＦＩＢの助けを借りて発生さ
れた画像を意味するものであるが、それは二次イオン画
像又は二次電子画像等をも包含するものであってそれら
のみに制限されるべきものではない。
【００７２】元素レベルでのコントラスト画像（例え
ば、ＳＩＭＳ，ＥＤＸ，オージェ又はその他の技術によ
って発生される画像）は、特定の元素、元素の組合わ
せ、又は選択した組合わせにおいての元素の特定の比を
ミリングで除去するために本発明に基づいて使用するこ
とが可能である。例えば、ＭＯＳトランジスタのドレイ
ン又はソース領域等の特定のドープ濃度を有する体積部
分をＦＩＢで除去するためのマスクデータを用意するた
めに元素レベルのコントラスト画像を使用することが可
能である。逆に特定の元素、元素の組合わせ又は元素の
比以外の物質をＦＩＢで除去するためのマスクデータを
用意するために元素レベルのコントラスト画像を使用す
ることが可能である。
ば、ＳＩＭＳ，ＥＤＸ，オージェ又はその他の技術によ
って発生される画像）は、特定の元素、元素の組合わ
せ、又は選択した組合わせにおいての元素の特定の比を
ミリングで除去するために本発明に基づいて使用するこ
とが可能である。例えば、ＭＯＳトランジスタのドレイ
ン又はソース領域等の特定のドープ濃度を有する体積部
分をＦＩＢで除去するためのマスクデータを用意するた
めに元素レベルのコントラスト画像を使用することが可
能である。逆に特定の元素、元素の組合わせ又は元素の
比以外の物質をＦＩＢで除去するためのマスクデータを
用意するために元素レベルのコントラスト画像を使用す
ることが可能である。
【００７３】ある画像形成条件下（典型的には、１０-6
Ｔｏｒｒより高い真空で好適には１０-7Ｔｏｒｒであっ
て且つ低いビームラスタ速度）において、試料のグレイ
ン構造を示すコントラスト画像を得ることが可能であ
る。このようなコントラストは、チャンネリングコント
ラストとも呼ばれる。このような画像は、本発明技術を
使用して特定のグレイン配向を選択的にミリングさせる
ことを可能とするマスクデータを発生するために使用す
ることが可能である。
Ｔｏｒｒより高い真空で好適には１０-7Ｔｏｒｒであっ
て且つ低いビームラスタ速度）において、試料のグレイ
ン構造を示すコントラスト画像を得ることが可能であ
る。このようなコントラストは、チャンネリングコント
ラストとも呼ばれる。このような画像は、本発明技術を
使用して特定のグレイン配向を選択的にミリングさせる
ことを可能とするマスクデータを発生するために使用す
ることが可能である。
【００７４】採取したコントラスト画像又は画像マスク
は、ミリングプロセス期間中に時間と共に又はビーム電
流における変化と共に発生することのある画像シフトを
補償するために使用することが可能である。メモリ内の
与えられたＸＹ座標位置に対して試料上にＦＩＢが衝突
する実際の位置は幾つかの理由によってドリフトする場
合がある。試料の最も最近のコントラスト画像又は画像
マスクを該試料の前に採取したコントラスト画像又は画
像マスクと比較することによって、それらの画像の間の
オフセットを決定し且つこのドリフトを補正するために
使用することが可能である。従って、ミリングの精度が
向上される。尚、１９９３年３月１５日付で出願した米
国特許出願第０８／０３１，５４７号（発明者：リチャ
ードディーンバーナード）は、ＩＣ装置の画像間のオフ
セットを決定する方法に付いて説明している。該方法
は、例えば試料のコントラスト画像とその試料のマスク
画像との間のような異なった種類の画像間のオフセット
を決定するために使用することも可能である。
は、ミリングプロセス期間中に時間と共に又はビーム電
流における変化と共に発生することのある画像シフトを
補償するために使用することが可能である。メモリ内の
与えられたＸＹ座標位置に対して試料上にＦＩＢが衝突
する実際の位置は幾つかの理由によってドリフトする場
合がある。試料の最も最近のコントラスト画像又は画像
マスクを該試料の前に採取したコントラスト画像又は画
像マスクと比較することによって、それらの画像の間の
オフセットを決定し且つこのドリフトを補正するために
使用することが可能である。従って、ミリングの精度が
向上される。尚、１９９３年３月１５日付で出願した米
国特許出願第０８／０３１，５４７号（発明者：リチャ
ードディーンバーナード）は、ＩＣ装置の画像間のオフ
セットを決定する方法に付いて説明している。該方法
は、例えば試料のコントラスト画像とその試料のマスク
画像との間のような異なった種類の画像間のオフセット
を決定するために使用することも可能である。
【００７５】上述した如く、採取した画像をスレッシュ
ホールド処理することによって二値化し、マスクしたミ
リングプロセスに対するオン／オフマップの形態でマス
クを形成する。ＦＩＢの実効的ミリング強度を制御する
ためにグレイレベル即ち中間調を使用することも可能で
ある（二進レベルの代わりに）。即ち、実効的ＦＩＢミ
リング電流は、例えば、ＦＩＢをブランキングさせる
か、又はマスクデータのグレイレベルの関数としてＦＩ
Ｂのラスタスキャン速度を変化させること等によって制
御することが可能である。更に、ＦＩＢは、ミリングさ
れるべき特定の位置又は１組の位置に対してベクトル付
けさせることが可能である。二進マップを形成するため
に使用されるスレッシュホールドはユーザが定義するこ
とが可能であるのと同じく、画像のグレイレベルと実効
的ＦＩＢミリング強度との間のマッピングはユーザが定
義することが可能であり且つリニアなものである必要は
ない。
ホールド処理することによって二値化し、マスクしたミ
リングプロセスに対するオン／オフマップの形態でマス
クを形成する。ＦＩＢの実効的ミリング強度を制御する
ためにグレイレベル即ち中間調を使用することも可能で
ある（二進レベルの代わりに）。即ち、実効的ＦＩＢミ
リング電流は、例えば、ＦＩＢをブランキングさせる
か、又はマスクデータのグレイレベルの関数としてＦＩ
Ｂのラスタスキャン速度を変化させること等によって制
御することが可能である。更に、ＦＩＢは、ミリングさ
れるべき特定の位置又は１組の位置に対してベクトル付
けさせることが可能である。二進マップを形成するため
に使用されるスレッシュホールドはユーザが定義するこ
とが可能であるのと同じく、画像のグレイレベルと実効
的ＦＩＢミリング強度との間のマッピングはユーザが定
義することが可能であり且つリニアなものである必要は
ない。
【００７６】その他のマスクデータを派生する方法も可
能である。例えば、トポグラフィコントラスト画像はト
ポグラフィ特徴の端部のみを示す場合があり、従って、
マスク又はマスクデータを用意する場合に、エッジ即ち
端部によって定義される区域を「充填」することが望ま
しい場合がある。これらの端部が１つの特徴の周囲を定
義する場合には、マスクデータを用意する前に、その特
徴を充填するためにコントラスト画像を編集することが
可能である。
能である。例えば、トポグラフィコントラスト画像はト
ポグラフィ特徴の端部のみを示す場合があり、従って、
マスク又はマスクデータを用意する場合に、エッジ即ち
端部によって定義される区域を「充填」することが望ま
しい場合がある。これらの端部が１つの特徴の周囲を定
義する場合には、マスクデータを用意する前に、その特
徴を充填するためにコントラスト画像を編集することが
可能である。
【００７７】１例を図１６（ａ）乃至（ｆ）に示してあ
る。これは、導体１４１０（図１４（ａ））をＦＩＢミ
リングによって切断すべき場合である。「切断ボック
ス」１４４５の境界を確立し（図１４（ｂ））、尚その
場合に、表示されているＦＩＢ画像の上に切断ボックス
を定義することによって確立する。「切断ボックス」境
界内に存在するＦＩＢ画像の部分をマスクを用意するた
めの開始点としてとる。「切断ボックス」によって定義
された区域全体をミリングすることは望ましいことでは
なく、導体１４１０とオーバーラップする「切断ボック
ス」の領域にわたってのみミリングを行なう。即ち、ミ
リングが行なわれるべき領域は、トポグラフィコントラ
ストライン１４３５と１４４０との間に存在する「切断
ボックス」の中央部分によって定義される。図１６
（ｃ）に示される最初のマスク１６０５は、コントラス
トライン１４３５と１４４０との間の領域を充填させる
ことによって「切断ボックス」１４４５内に存在する図
１４（ｂ）のＦＩＢ画像の部分から用意される。図１６
（ａ）の断面に示した如く、次いで、ＦＩＢ１６１０を
スキャニングして限界１６１５と１６２０との間のミリ
ングを行なう。導体１４１０の端部、例えば位置１６２
５及び１６３０においてのピッティングは、該マスクを
使用することによって制限される。
る。これは、導体１４１０（図１４（ａ））をＦＩＢミ
リングによって切断すべき場合である。「切断ボック
ス」１４４５の境界を確立し（図１４（ｂ））、尚その
場合に、表示されているＦＩＢ画像の上に切断ボックス
を定義することによって確立する。「切断ボックス」境
界内に存在するＦＩＢ画像の部分をマスクを用意するた
めの開始点としてとる。「切断ボックス」によって定義
された区域全体をミリングすることは望ましいことでは
なく、導体１４１０とオーバーラップする「切断ボック
ス」の領域にわたってのみミリングを行なう。即ち、ミ
リングが行なわれるべき領域は、トポグラフィコントラ
ストライン１４３５と１４４０との間に存在する「切断
ボックス」の中央部分によって定義される。図１６
（ｃ）に示される最初のマスク１６０５は、コントラス
トライン１４３５と１４４０との間の領域を充填させる
ことによって「切断ボックス」１４４５内に存在する図
１４（ｂ）のＦＩＢ画像の部分から用意される。図１６
（ａ）の断面に示した如く、次いで、ＦＩＢ１６１０を
スキャニングして限界１６１５と１６２０との間のミリ
ングを行なう。導体１４１０の端部、例えば位置１６２
５及び１６３０においてのピッティングは、該マスクを
使用することによって制限される。
【００７８】ある時間の間ミリングを行なった後に、図
１６（ｂ）に示した如く、あらたなるＦＩＢ画像を採取
する。ミリングされたトレンチ即ち溝は上側及び下側の
トポグラフィコントラストライン１６３５及び１６４０
として該画像内に表われ、又多分、外側トポグラフィコ
ントラストライン１６４５及び１６５０、明確に定義さ
れたコントラストライン１６５５及び１６６０が導体１
４１０の露出された端部に表われる（トポグラフィコン
トラストと物質コントラストとの結合した結果とし
て）。図１６（ｆ）に示した新たなミリングマスク１６
６５が、コントラストライン１６５５と１６６０との間
の領域を充填することによって「切断ボックス」１４４
５内に存在する図１６（ｂ）のＦＩＢ画像の部分から用
意される。マスク１６６５を使用してＦＩＢミリングを
再開し、新たなスキャニング限界１６７０及び１６７５
を画定する。最適なミリング精度とするためには、ミリ
ングプロセス期間中に時々ミリングマスク（又はマスク
の代わりにマスクデータ）をアップデートすることが望
ましい。
１６（ｂ）に示した如く、あらたなるＦＩＢ画像を採取
する。ミリングされたトレンチ即ち溝は上側及び下側の
トポグラフィコントラストライン１６３５及び１６４０
として該画像内に表われ、又多分、外側トポグラフィコ
ントラストライン１６４５及び１６５０、明確に定義さ
れたコントラストライン１６５５及び１６６０が導体１
４１０の露出された端部に表われる（トポグラフィコン
トラストと物質コントラストとの結合した結果とし
て）。図１６（ｆ）に示した新たなミリングマスク１６
６５が、コントラストライン１６５５と１６６０との間
の領域を充填することによって「切断ボックス」１４４
５内に存在する図１６（ｂ）のＦＩＢ画像の部分から用
意される。マスク１６６５を使用してＦＩＢミリングを
再開し、新たなスキャニング限界１６７０及び１６７５
を画定する。最適なミリング精度とするためには、ミリ
ングプロセス期間中に時々ミリングマスク（又はマスク
の代わりにマスクデータ）をアップデートすることが望
ましい。
【００７９】当業者にとって明らかな如く、マスク１６
０５を用意するためのコントラストライン１４３５と１
４４０との間の領域を充填する操作及びマスク１６６５
を用意するためにコントラストライン１６５５と１６６
０との間の領域を充填する操作は、従来の画像編集技術
を使用して手動的に又は自動的に行なうことが可能であ
る。画素毎に画像を編集する能力、又は選択した境界ラ
インによって定義される領域を充填する能力等の多様な
編集能力を与えるコンピュータ化した画像処理及び表示
システムは公知である。マスクアップデート処理は、例
えば、マスクに対する境界線として使用すべき画像コン
トラストラインに対して予め設定した境界線コントラス
トレベルを定義することによって自動化することが可能
である。例えば図１６（ｂ）のようなＦＩＢ画像を採取
すると、適宜予め設定したコントラストレベルが、マス
ク１６５５に対する境界としてコントラストライン１６
５５及び１６６０の自動的な選択を行なうことを可能と
する。マスクデータ準備を自動化するのに有用な画像処
理技術は、例えば、Ｄ． Ｂａｌｌａｒｄ ｅｔａｌ．
著「コンピュータビジョン（ＣＯＭＰＵＴＥＲ ＶＩＳ
ＩＯＮ）」、プレンティスホール出版社、ＩＳＢＮ０−
１３−１６５３１６（特に「輪郭追従（Ｃｏｎｔｏｕｒ
Ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ）」に関するサブセクション４．
６）及びＪ． Ｒｕｓｓ著「画像処理ハンドブック（Ｔ
ＨＥ ＩＭＡＧＥ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＨＡＮＤＢ
ＯＯＫ）」、ＣＲＣプレス出版社、ＩＳＢＮ０−８４９
３−４２３３−３（特に、「二進画像処理（Ｐｒｏｃｅ
ｓｓｉｎｇ ＢｉｎａｒｙＩｍａｇｅｓ）」に関する第
６章）等のテキストに記載されている。
０５を用意するためのコントラストライン１４３５と１
４４０との間の領域を充填する操作及びマスク１６６５
を用意するためにコントラストライン１６５５と１６６
０との間の領域を充填する操作は、従来の画像編集技術
を使用して手動的に又は自動的に行なうことが可能であ
る。画素毎に画像を編集する能力、又は選択した境界ラ
インによって定義される領域を充填する能力等の多様な
編集能力を与えるコンピュータ化した画像処理及び表示
システムは公知である。マスクアップデート処理は、例
えば、マスクに対する境界線として使用すべき画像コン
トラストラインに対して予め設定した境界線コントラス
トレベルを定義することによって自動化することが可能
である。例えば図１６（ｂ）のようなＦＩＢ画像を採取
すると、適宜予め設定したコントラストレベルが、マス
ク１６５５に対する境界としてコントラストライン１６
５５及び１６６０の自動的な選択を行なうことを可能と
する。マスクデータ準備を自動化するのに有用な画像処
理技術は、例えば、Ｄ． Ｂａｌｌａｒｄ ｅｔａｌ．
著「コンピュータビジョン（ＣＯＭＰＵＴＥＲ ＶＩＳ
ＩＯＮ）」、プレンティスホール出版社、ＩＳＢＮ０−
１３−１６５３１６（特に「輪郭追従（Ｃｏｎｔｏｕｒ
Ｆｏｌｌｏｗｉｎｇ）」に関するサブセクション４．
６）及びＪ． Ｒｕｓｓ著「画像処理ハンドブック（Ｔ
ＨＥ ＩＭＡＧＥ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＨＡＮＤＢ
ＯＯＫ）」、ＣＲＣプレス出版社、ＩＳＢＮ０−８４９
３−４２３３−３（特に、「二進画像処理（Ｐｒｏｃｅ
ｓｓｉｎｇ ＢｉｎａｒｙＩｍａｇｅｓ）」に関する第
６章）等のテキストに記載されている。
【００８０】本発明の自己マスク型ミリング技術は、例
えば、米国特許第５，０５５，６９６号に記載される如
く、エンハンスト及び／又は差動型ＦＩＢエッチングに
対する１つ又はそれ以上の化学物質の使用と結合させる
ことが可能である。同様に、本発明の自己マスク型ミリ
ング技術は、電子ビーム化学誘起型エッチングにおいて
使用することが可能であり、その場合に、適宜の１つ又
はそれ以上の化学物質の存在下においてエッチングを行
なうためにＦＩＢの代わりに電子ビームが使用される。
えば、米国特許第５，０５５，６９６号に記載される如
く、エンハンスト及び／又は差動型ＦＩＢエッチングに
対する１つ又はそれ以上の化学物質の使用と結合させる
ことが可能である。同様に、本発明の自己マスク型ミリ
ング技術は、電子ビーム化学誘起型エッチングにおいて
使用することが可能であり、その場合に、適宜の１つ又
はそれ以上の化学物質の存在下においてエッチングを行
なうためにＦＩＢの代わりに電子ビームが使用される。
【００８１】装置上に層を付着形成するための適宜の化
学物質と結合してＦＩＢ（例えば、シリコンイオンビー
ム）又はその他の粒子ビームを使用することは公知であ
る。例えば、Ｈ Ｋｏｍａｎｏ ｅｔ ａｌ．「日本の
応用物理ジャーナル（Ｊａｐａｎｅｓｅ ＪＯＵＲＮＡ
Ｌ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ）」、Ｖｏ
ｌ．２８，Ｎｏ．１１（１９８９年１１月）、２３７２
−２３７５頁を参照するとよい。本発明の自己マスク型
技術は、例えば絶縁体層等の一貫した層を付設するため
に使用することが可能である。この場合には、絶縁層が
手が加えられないままであることを決定するために物質
コントラスト画像が使用される。
学物質と結合してＦＩＢ（例えば、シリコンイオンビー
ム）又はその他の粒子ビームを使用することは公知であ
る。例えば、Ｈ Ｋｏｍａｎｏ ｅｔ ａｌ．「日本の
応用物理ジャーナル（Ｊａｐａｎｅｓｅ ＪＯＵＲＮＡ
Ｌ ＯＦ ＡＰＰＬＩＥＤ ＰＨＹＳＩＣＳ）」、Ｖｏ
ｌ．２８，Ｎｏ．１１（１９８９年１１月）、２３７２
−２３７５頁を参照するとよい。本発明の自己マスク型
技術は、例えば絶縁体層等の一貫した層を付設するため
に使用することが可能である。この場合には、絶縁層が
手が加えられないままであることを決定するために物質
コントラスト画像が使用される。
【００８２】上述した例においては、マスク又はマスク
データを用意するために使用されるコントラスト画像
は、処理中の試料の表面に対して実質的に垂直な面から
取られたものとして示されている。トポグラフィコント
ラストの解釈を助けるために、試料の表面に対してその
他の角度において（例えば、ＳＥＭの場合表面に対して
４５度）画像を採取するために画像形成システムを使用
することも可能である。例えば、図４の画像は、試料の
表面に対して垂直以外の面から採取されており、且つ良
好なるトポグラフィコントラストを提供している。この
ような垂直でない画像からの情報は、マスクデータを形
成するため又は処理するために使用することが可能であ
る。デバッグ及び／又は欠陥解析を容易なものとするた
めに、ＩＣの全部又は一部をデパッシベーション即ち脱
パッシベーション処理を行なうことが所望される場合が
ある。公知の技術では、例えば米国特許第４，９６１，
８１２号及び第４，９８０，０１９号に記載されるよう
に、ＩＣをグローバルに即ち全体的にデパッシベーショ
ンを行なうために反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を
使用する。これらの技術は多数の欠点を有している。こ
れらの技術は複雑であり且つオペレータに依存するもの
であって、熟練したオペレータを必要とし且つ注意深く
特性付けたプロセスを必要とする。ＲＩＥグローバルデ
パッシベーションは、全体的なＩＣに対する誘電定数を
変化させ、従って回路のタイミング特性を変化させる。
このことはＩＣ欠陥をマスクする場合がある。ＲＩＥグ
ローバルデパッシベーションは、時々、製造期間中に誘
電体内に捕獲された粒子を除去し、関心のある欠陥を取
除くか又はマスクする。ＲＩＥグローバルデパッシベー
ションは、更に、比較的遅く、典型的なマイクロプロセ
サの場合には９０分乃至２時間を必要とする。
データを用意するために使用されるコントラスト画像
は、処理中の試料の表面に対して実質的に垂直な面から
取られたものとして示されている。トポグラフィコント
ラストの解釈を助けるために、試料の表面に対してその
他の角度において（例えば、ＳＥＭの場合表面に対して
４５度）画像を採取するために画像形成システムを使用
することも可能である。例えば、図４の画像は、試料の
表面に対して垂直以外の面から採取されており、且つ良
好なるトポグラフィコントラストを提供している。この
ような垂直でない画像からの情報は、マスクデータを形
成するため又は処理するために使用することが可能であ
る。デバッグ及び／又は欠陥解析を容易なものとするた
めに、ＩＣの全部又は一部をデパッシベーション即ち脱
パッシベーション処理を行なうことが所望される場合が
ある。公知の技術では、例えば米国特許第４，９６１，
８１２号及び第４，９８０，０１９号に記載されるよう
に、ＩＣをグローバルに即ち全体的にデパッシベーショ
ンを行なうために反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を
使用する。これらの技術は多数の欠点を有している。こ
れらの技術は複雑であり且つオペレータに依存するもの
であって、熟練したオペレータを必要とし且つ注意深く
特性付けたプロセスを必要とする。ＲＩＥグローバルデ
パッシベーションは、全体的なＩＣに対する誘電定数を
変化させ、従って回路のタイミング特性を変化させる。
このことはＩＣ欠陥をマスクする場合がある。ＲＩＥグ
ローバルデパッシベーションは、時々、製造期間中に誘
電体内に捕獲された粒子を除去し、関心のある欠陥を取
除くか又はマスクする。ＲＩＥグローバルデパッシベー
ションは、更に、比較的遅く、典型的なマイクロプロセ
サの場合には９０分乃至２時間を必要とする。
【００８３】装置表面近くにハロゲンをベースとしたガ
スを注入させることによってＦＩＢミリングを加速させ
ることが知られている。そのプロセスの特定の特性は、
注入されるガス及びミリングされる物質のタイプに依存
する。利点としては、物質の除去が加速されること、物
質依存性のミリング速度によって物質選択性ミリングを
行なうことが可能であること、及び再付着が減少される
ので奇麗な切断面及びより高いアスペクト比の孔及び側
壁を形成することが可能であること等である。二弗化キ
セノン即ちＸｅＦ2 は、ＳｉＯ2 及びＳｉ3 Ｎ4 等のＩ
Ｃにおいてしばしば使用される誘電体物質のＦＩＢによ
る除去を加速させるガスの一例である。アルミニウム信
号線の場合と比較して、３：１乃至１０：１の差動的物
質除去速度が容易に達成される。
スを注入させることによってＦＩＢミリングを加速させ
ることが知られている。そのプロセスの特定の特性は、
注入されるガス及びミリングされる物質のタイプに依存
する。利点としては、物質の除去が加速されること、物
質依存性のミリング速度によって物質選択性ミリングを
行なうことが可能であること、及び再付着が減少される
ので奇麗な切断面及びより高いアスペクト比の孔及び側
壁を形成することが可能であること等である。二弗化キ
セノン即ちＸｅＦ2 は、ＳｉＯ2 及びＳｉ3 Ｎ4 等のＩ
Ｃにおいてしばしば使用される誘電体物質のＦＩＢによ
る除去を加速させるガスの一例である。アルミニウム信
号線の場合と比較して、３：１乃至１０：１の差動的物
質除去速度が容易に達成される。
【００８４】この物質選択性特性は、電子ビームプロー
ブ信号の信頼性を改善するためにＩＣ信号線の局所的デ
パッシベーションにとって有用なものである。ＸｅＦ2
でのＦＩＢミリングプロセス期間中に、物質除去速度
は、アルミニウム／メタル導体が露出される区域におい
てはより低い。ミリングが継続して行なわれると、より
多くの誘電体が除去され、導体が下側に存在する誘電体
をイオンビームから「マスク」するために形成される誘
電体の「台地」上にアルミニウム導体が残存される。例
えば、図１７は、第四メタル導体１７１５、第三メタル
導体１７２０及び１７２５、第二メタル導体１７３０，
１７３５，１７４０，１７４５及び第一メタル導体１７
５０，１７５５を露出させるために、ＣＡＩＢＥプロセ
スにおいてＸｅＦ2 を使用する誘電体優先的ＦＩＢミリ
ングによって局所的にデパッシベーションされた多層装
置における「窓」１７１０を示したＦＩＢ画像である。
ブ信号の信頼性を改善するためにＩＣ信号線の局所的デ
パッシベーションにとって有用なものである。ＸｅＦ2
でのＦＩＢミリングプロセス期間中に、物質除去速度
は、アルミニウム／メタル導体が露出される区域におい
てはより低い。ミリングが継続して行なわれると、より
多くの誘電体が除去され、導体が下側に存在する誘電体
をイオンビームから「マスク」するために形成される誘
電体の「台地」上にアルミニウム導体が残存される。例
えば、図１７は、第四メタル導体１７１５、第三メタル
導体１７２０及び１７２５、第二メタル導体１７３０，
１７３５，１７４０，１７４５及び第一メタル導体１７
５０，１７５５を露出させるために、ＣＡＩＢＥプロセ
スにおいてＸｅＦ2 を使用する誘電体優先的ＦＩＢミリ
ングによって局所的にデパッシベーションされた多層装
置における「窓」１７１０を示したＦＩＢ画像である。
【００８５】このデパッシベーションプロセスは、誘電
体及びパッシベーション物質としてＳｉＯ2 及びＳｉ3
Ｎ4 を使用する一層及び二層メタル装置に対して良好に
作用する。然しながら、三層及び四層のメタル装置の場
合には、下側の層から誘電体を除去するのに必要な長引
くＦＩＢ露光によって上側のレベルの露出された導体が
損傷されたり切断されたりする場合がある。図１７は、
例えば、１７６０及び１７６５の位置において第三メタ
ル導体１７２０及び１７２５が夫々損傷されていること
を示している。例えばポリイミド等のゆっくりとミリン
グされる誘電体物質の場合にも損傷が発生する場合があ
る。図１８は、ＸｅＦ2 補助型ＦＩＢエッチングプロセ
スにおいてポリイミドパッシベーション１８２５のミリ
ング速度が遅いために過剰なエッチングが成されること
によって、装置の上側のレベルの導体１８１０，１８１
５，１８２０が幅狭とされている例を示したＦＩＢ画像
である。
体及びパッシベーション物質としてＳｉＯ2 及びＳｉ3
Ｎ4 を使用する一層及び二層メタル装置に対して良好に
作用する。然しながら、三層及び四層のメタル装置の場
合には、下側の層から誘電体を除去するのに必要な長引
くＦＩＢ露光によって上側のレベルの露出された導体が
損傷されたり切断されたりする場合がある。図１７は、
例えば、１７６０及び１７６５の位置において第三メタ
ル導体１７２０及び１７２５が夫々損傷されていること
を示している。例えばポリイミド等のゆっくりとミリン
グされる誘電体物質の場合にも損傷が発生する場合があ
る。図１８は、ＸｅＦ2 補助型ＦＩＢエッチングプロセ
スにおいてポリイミドパッシベーション１８２５のミリ
ング速度が遅いために過剰なエッチングが成されること
によって、装置の上側のレベルの導体１８１０，１８１
５，１８２０が幅狭とされている例を示したＦＩＢ画像
である。
【００８６】本発明に基づく自己マスク型ＦＩＢミリン
グは、特に選択した局所領域からのパッシベーション除
去によって発生される損傷を減少させるために使用する
ことが可能である。本発明によれば、物質が次第に露出
される場合に、メタルのミリングに対抗して選択するた
めにＦＩＢによって発生される適用性マスクを使用す
る。本発明に基づく自己マスク型ＦＩＢミリングを使用
する局所的デパッシベーションは以下の利点を有してい
る。即ち、操作がオペレータの熟練度とは実質的に独立
しており、予め特性化を行なうことが必要でないか殆ど
必要でなく、パッシベーション内に埋設された粒子を除
去する可能性が実質的に減少され、且つＩＣ全体によっ
て見られる誘電体の誘電定数は著しく変化されることは
ない。
グは、特に選択した局所領域からのパッシベーション除
去によって発生される損傷を減少させるために使用する
ことが可能である。本発明によれば、物質が次第に露出
される場合に、メタルのミリングに対抗して選択するた
めにＦＩＢによって発生される適用性マスクを使用す
る。本発明に基づく自己マスク型ＦＩＢミリングを使用
する局所的デパッシベーションは以下の利点を有してい
る。即ち、操作がオペレータの熟練度とは実質的に独立
しており、予め特性化を行なうことが必要でないか殆ど
必要でなく、パッシベーション内に埋設された粒子を除
去する可能性が実質的に減少され、且つＩＣ全体によっ
て見られる誘電体の誘電定数は著しく変化されることは
ない。
【００８７】自己マスク型ミリングによるデパッシベー
ションは、誘電体優先的ガスの助けを借りて又は助けを
借りることなしに実施することが可能である。自己マス
ク型ＦＩＢミリング自体で導体を露出させるために有効
なものであるが、物質選択性ガスを使用するＣＡＩＢＥ
と結合した自己マスク型ミリングを使用することは多数
の利点を有している。即ち、導体間でのリーク電流を誘
起させることのある物質再付着が減少され、特に深いパ
ッシベーションのミリングを行なう場合に端点検知が簡
単化され、導体を密集させて経路付けを行なう込み入っ
た区域においての下側のレベルの導体を露出させること
を簡単化するためにより高いアスペクト比を達成するこ
とが可能であり、且つミリングはより迅速に進行する。
ションは、誘電体優先的ガスの助けを借りて又は助けを
借りることなしに実施することが可能である。自己マス
ク型ＦＩＢミリング自体で導体を露出させるために有効
なものであるが、物質選択性ガスを使用するＣＡＩＢＥ
と結合した自己マスク型ミリングを使用することは多数
の利点を有している。即ち、導体間でのリーク電流を誘
起させることのある物質再付着が減少され、特に深いパ
ッシベーションのミリングを行なう場合に端点検知が簡
単化され、導体を密集させて経路付けを行なう込み入っ
た区域においての下側のレベルの導体を露出させること
を簡単化するためにより高いアスペクト比を達成するこ
とが可能であり、且つミリングはより迅速に進行する。
【００８８】図１９（ａ）乃至（ｏ）は、本発明に基づ
くＩＣの局所的デパッシベーションのためのプロセスの
一例を示している。図１９（ａ）は、陰線を付けた矩形
１９００によって表わされる典型的なＦＩＢ画像を示し
ており、オーバーレイはパッシベーション層１９１２の
下側の埋設導体１９０２，１９０４，１９０６，１９０
８，１９１０の輪郭を示しており、且つビア１９１４が
導体１９０８と１９１０とを接続している。図１９
（ｂ）は最初のマスク（プロセスを開始するためのゼロ
マスク即ちマスク無し）を表わす白色の矩形１９１６を
示している。後のステップにおいて、ＦＩＢ画像をスレ
ッシュホールド処理することによってマスクが発生され
る。図１９（ｃ）は図１９（ａ）のライン１９（ｃ）−
１９（ｃ）に沿ってとった断面である。
くＩＣの局所的デパッシベーションのためのプロセスの
一例を示している。図１９（ａ）は、陰線を付けた矩形
１９００によって表わされる典型的なＦＩＢ画像を示し
ており、オーバーレイはパッシベーション層１９１２の
下側の埋設導体１９０２，１９０４，１９０６，１９０
８，１９１０の輪郭を示しており、且つビア１９１４が
導体１９０８と１９１０とを接続している。図１９
（ｂ）は最初のマスク（プロセスを開始するためのゼロ
マスク即ちマスク無し）を表わす白色の矩形１９１６を
示している。後のステップにおいて、ＦＩＢ画像をスレ
ッシュホールド処理することによってマスクが発生され
る。図１９（ｃ）は図１９（ａ）のライン１９（ｃ）−
１９（ｃ）に沿ってとった断面である。
【００８９】ＦＩＢミリング（ＸｅＦ2 を使用するか又
は使用せずに）を実施して、図１９（ａ）のＦＩＢ画像
に示した領域を局所的にデパッシベーションさせる。図
１９（ｄ）はその結果得られるＦＩＢ画像１９１８を示
しており、その場合に、アルミニウムの導体１９０２が
露出される。図１９（ｆ）は図１９（ｄ）のライン１９
ｆ−１９ｆに沿ってとった断面である。図１９（ｅ）に
示した如く、暗いマスキング区域１９２０が発生され
（図１９（ｆ）のＦＩＢ画像をスレッシュホールド処理
し且つ反転させることにより、且つその後のミリング期
間中にマスク１９２４を使用して露出したメタル導体１
９０２のミリングを回避する。
は使用せずに）を実施して、図１９（ａ）のＦＩＢ画像
に示した領域を局所的にデパッシベーションさせる。図
１９（ｄ）はその結果得られるＦＩＢ画像１９１８を示
しており、その場合に、アルミニウムの導体１９０２が
露出される。図１９（ｆ）は図１９（ｄ）のライン１９
ｆ−１９ｆに沿ってとった断面である。図１９（ｅ）に
示した如く、暗いマスキング区域１９２０が発生され
（図１９（ｆ）のＦＩＢ画像をスレッシュホールド処理
し且つ反転させることにより、且つその後のミリング期
間中にマスク１９２４を使用して露出したメタル導体１
９０２のミリングを回避する。
【００９０】ＦＩＢミリング（ＸｅＦ2 を使用するか又
は使用せずに）を、図１９（ｅ）のマスクを使用して継
続して行なう。図１９（ｇ）は、その結果得られるＦＩ
Ｂ画像１９２６を示しており、その場合に、第二層メタ
ルが露出されて導体１９０４及び１９０８を露出させ
る。図１９（ｉ）は図１９（ｇ）のライン１９ｉ−１９
ｉに沿ってとった断面である。メタル導体１９０４及び
１９０８が露出されると、図１９（ｇ）のＦＩＢ画像を
使用して、露出されたメタル導体１９０２，１９０４，
１９０８のミリングを回避する更なるミリングのために
図１９（ｈ）における如くマスク１９２８を形成する。
マスク１９２８の領域１９３０は、更なるミリングの期
間中にマスクされるべき部分であり、一方領域１９３２
はミリングが行なわれるべき部分である。
は使用せずに）を、図１９（ｅ）のマスクを使用して継
続して行なう。図１９（ｇ）は、その結果得られるＦＩ
Ｂ画像１９２６を示しており、その場合に、第二層メタ
ルが露出されて導体１９０４及び１９０８を露出させ
る。図１９（ｉ）は図１９（ｇ）のライン１９ｉ−１９
ｉに沿ってとった断面である。メタル導体１９０４及び
１９０８が露出されると、図１９（ｇ）のＦＩＢ画像を
使用して、露出されたメタル導体１９０２，１９０４，
１９０８のミリングを回避する更なるミリングのために
図１９（ｈ）における如くマスク１９２８を形成する。
マスク１９２８の領域１９３０は、更なるミリングの期
間中にマスクされるべき部分であり、一方領域１９３２
はミリングが行なわれるべき部分である。
【００９１】関心のあるすべてのメタル層が露出される
までこのプロセスを継続して行なう。例えば、図１９
（ｈ）のマスクを使用してＦＩＢミリング（ＸｅＦ2 を
使用するか又は使用せずに）を継続して行なう。図１９
（ｊ）は、その結果得られるＦＩＢ画像１９３４を示し
ており、その場合には、第三メタル層が露出されて導体
１９１０を露出させる。図１９（ｌ）は図１９（ｊ）の
ライン１９ｌ−１９ｌに沿ってとった断面である。メタ
ル導体１９１０が露出されると、図１９（ｊ）のＦＩＢ
画像を使用して、露出されたメタル導体１９０２，１９
０４，１９０８，１９１０のミリングを回避する更なる
ミリングのための図１９（ｋ）におけるようなマスク１
９３６を形成する。マスク１９３６の領域１９３８は更
なるミリング期間中にマスクされるべき部分であり、一
方領域１９４０はミリングされるべき部分である。
までこのプロセスを継続して行なう。例えば、図１９
（ｈ）のマスクを使用してＦＩＢミリング（ＸｅＦ2 を
使用するか又は使用せずに）を継続して行なう。図１９
（ｊ）は、その結果得られるＦＩＢ画像１９３４を示し
ており、その場合には、第三メタル層が露出されて導体
１９１０を露出させる。図１９（ｌ）は図１９（ｊ）の
ライン１９ｌ−１９ｌに沿ってとった断面である。メタ
ル導体１９１０が露出されると、図１９（ｊ）のＦＩＢ
画像を使用して、露出されたメタル導体１９０２，１９
０４，１９０８，１９１０のミリングを回避する更なる
ミリングのための図１９（ｋ）におけるようなマスク１
９３６を形成する。マスク１９３６の領域１９３８は更
なるミリング期間中にマスクされるべき部分であり、一
方領域１９４０はミリングされるべき部分である。
【００９２】図１９（ｋ）のマスクを使用してＦＩＢミ
リング（ＸｅＦ2 を使用するか又は使用せずに）を継続
して行なう。図１９（ｍ）はその結果得られるＦＩＢ画
像１９４２を示しており、その場合に、第四メタル層が
露出されて導体１９０６を露出させる。図１９（ｏ）は
図１９（ｍ）のライン１９ｏ−１９ｏに沿って取った断
面である。メタル導体１９０６が露出されると、露出さ
れたメタル導体１９０２，１９０４，１９０８，１９１
０，１９０６のミリングを回避しながら更なるミリング
を行なうべき場合には、図１９（ｎ）におけるようなマ
スク１９４４を形成するために図１９（ｊ）のＦＩＢ画
像を使用することが可能である。この場合には、マスク
１９４４の領域１９４６が更なるミリング期間中にマス
クされ、一方領域１９４８はミリングされる。
リング（ＸｅＦ2 を使用するか又は使用せずに）を継続
して行なう。図１９（ｍ）はその結果得られるＦＩＢ画
像１９４２を示しており、その場合に、第四メタル層が
露出されて導体１９０６を露出させる。図１９（ｏ）は
図１９（ｍ）のライン１９ｏ−１９ｏに沿って取った断
面である。メタル導体１９０６が露出されると、露出さ
れたメタル導体１９０２，１９０４，１９０８，１９１
０，１９０６のミリングを回避しながら更なるミリング
を行なうべき場合には、図１９（ｎ）におけるようなマ
スク１９４４を形成するために図１９（ｊ）のＦＩＢ画
像を使用することが可能である。この場合には、マスク
１９４４の領域１９４６が更なるミリング期間中にマス
クされ、一方領域１９４８はミリングされる。
【００９３】以上、本発明の具体的実施の態様について
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
詳細に説明したが、本発明は、これら具体例にのみ限定
されるべきものではなく、本発明の技術的範囲を逸脱す
ることなしに種々の変形が可能であることは勿論であ
る。
【図１】 （ａ）乃至（ｄ）は従来技術に基づいてサン
プル即ち試料のＦＩＢミリングを行なう場合の典型的な
問題を示した各概略図。
プル即ち試料のＦＩＢミリングを行なう場合の典型的な
問題を示した各概略図。
【図２】 メタル即ち金属で被覆し断面をとった装置の
一部を示したＦＩＢ画像の説明図。
一部を示したＦＩＢ画像の説明図。
【図３】 窓のミリングを回避するためにＦＩＢを使用
した後の図２の装置のＦＩＢ画像を示した説明図。
した後の図２の装置のＦＩＢ画像を示した説明図。
【図４】 更なるＦＩＢミリングの後の図３の装置のＦ
ＩＢ画像を示した説明図。
ＩＢ画像を示した説明図。
【図５】 ＦＩＢシステムを示した概略図。
【図６】 （ａ）乃至（ｐ）は本発明の好適実施例に基
づく自己マスク型ＦＩＢミリング方法の各段階における
状態を示した概略図。
づく自己マスク型ＦＩＢミリング方法の各段階における
状態を示した概略図。
【図７】 （ａ）乃至（ｐ）は本発明の別の好適実施例
に基づく自己マスク型ＦＩＢミリング方法の各段階にお
ける状態を示した概略図。
に基づく自己マスク型ＦＩＢミリング方法の各段階にお
ける状態を示した概略図。
【図８】 （ａ）乃至（ｐ）は本発明の更に別の好適実
施例に基づく自己マスク型ＦＩＢミリング方法の各段階
における状態を示した概略図。
施例に基づく自己マスク型ＦＩＢミリング方法の各段階
における状態を示した概略図。
【図９】 ＳＩＭＳ画像形成手段を有するＦＩＢシステ
ムを示した概略図。
ムを示した概略図。
【図１０】 オージェ又はＥＤＸ画像形成手段を有する
ＦＩＢシステムを示した概略図。
ＦＩＢシステムを示した概略図。
【図１１】 本発明に基づいて自己マスク型ミリングを
実施する１つの態様を示したＦＩＢシステムの一部の概
略図。
実施する１つの態様を示したＦＩＢシステムの一部の概
略図。
【図１２】 本発明に基づいて自己マスク型ミリングを
実施する１つの態様を示したＦＩＢシステムの一部の概
略図。
実施する１つの態様を示したＦＩＢシステムの一部の概
略図。
【図１３】 本発明に基づいて自己マスク型ミリングを
実施する１つの態様を示したＦＩＢシステムの一部の概
略図。
実施する１つの態様を示したＦＩＢシステムの一部の概
略図。
【図１４】 （ａ）乃至（ｄ）は従来技術に基づいてパ
ワーバスを分離状態とさせるためのＦＩＢミリング操作
の各段階を示した概略図。
ワーバスを分離状態とさせるためのＦＩＢミリング操作
の各段階を示した概略図。
【図１５】 従来のＦＩＢミリング方法を使用してパワ
ーバスを切断するためにミリングしたトレンチのＦＩＢ
画像を示した説明図。
ーバスを切断するためにミリングしたトレンチのＦＩＢ
画像を示した説明図。
【図１６】 （ａ）乃至（ｆ）は本発明に基づいてパワ
ーバスを分離状態とするための自己マスク型ＦＩＢミリ
ング方法の各段階における状態を示した概略図。
ーバスを分離状態とするための自己マスク型ＦＩＢミリ
ング方法の各段階における状態を示した概略図。
【図１７】 誘電体優先的ＦＩＢミリングによって局所
的にデパッシベーションされた多層装置における「窓」
を示したＦＩＢ画像の説明図。
的にデパッシベーションされた多層装置における「窓」
を示したＦＩＢ画像の説明図。
【図１８】 ポリイミドパッシベーションの低いミリン
グ速度によって発生する過剰エッチングによってＩＣの
上側のレベルの導体が幅狭とされた例を示したＦＩＢ画
像の説明図。
グ速度によって発生する過剰エッチングによってＩＣの
上側のレベルの導体が幅狭とされた例を示したＦＩＢ画
像の説明図。
【図１９】 （ａ）乃至（ｏ）は本発明に基づくＩＣの
局所的デパッシベーションのための自己マスク型ＦＩＢ
ミリング方法の各段階における状態を示した概略図。
局所的デパッシベーションのための自己マスク型ＦＩＢ
ミリング方法の各段階における状態を示した概略図。
５０２ 真空室 ５０４ ポンプ ５０６ ＦＩＢカラム ５０８ 試料ステージ ５１０ 試料 ５１２ 検知器 ５１４ ガス注入器 ５１６ イオン供給源 ５１８ イオン光学要素 ５２０ イオンビーム ５２２ シンチレータ ５２４ 光倍増管 ５３０ ワークステーション ５３２ ＣＰＵ ５３４ モニタ ５３８ 入力／出力装置 ５４０ バス ５４２ システム制御ユニット ５４６ 真空ポンプ制御器 ５４８ ガス注入器制御器 ５５０ ＦＩＢ高電圧制御器 ５５２ ＦＩＢアライメント・偏向制御器 ５５４ 画像エレクトロニクス ５５６ 試料ステージ制御器
フロントページの続き (72)発明者 ダグラス マスナゲッティ アメリカ合衆国， カリフォルニア 95115， サン ノゼ， ドライスデー ル ドライブ 5641 (72)発明者 ホンギュ シーメン アメリカ合衆国， カリフォルニア 95135， サン ノゼ， バーミリオン コート 3121 (56)参考文献 特開 平４−363851（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−137547（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−98747（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01J 37/30 - 37/31 H01J 37/147 H01L 21/66
Claims (10)
- 【請求項１】試料ミリング装置において、 （ａ）偏向制御器に応答してミリングすべき試料上をフ
ォーカスさせた粒子ビームをスキャニングさせるフォー
カスト粒子ビームカラム、 （ｂ）前記試料の状態を検知する検知器、 （ｃ）前記検知器に応答し、前記試料のコントラスト画
像であってミリングを第１の割合で実施すべき第１区域
を表す第１画像部分とミリングをスキップするか又は前
記第１の割合よりも低い第２の割合で実施すべき第２画
像部分とを有するコントラスト画像を表すデータを与え
る画像エレクトロニクス、 （ｄ）前記コントラスト画像を表すデータに従って前記
フォーカスさせた粒子ビーム が 前記試料をミリングする
ことを制御するミリング制御器、 を有することを特徴とする試料ミリング装置。 - 【請求項２】請求項１において、前記ミリング制御器
が、夫々、前記第２及び第１区域に対するビーム位置の
関数として、前記データに応答して、前記フォーカスさ
せた粒子ビームをブランキング及びアンプランキングさ
せるブランカを有することを特徴とする試料ミリング装
置。 - 【請求項３】請求項１において、前記フォーカスさせた
粒子ビームがＦＩＢであることを特徴とする試料ミリン
グ装置。 - 【請求項４】請求項３において、前記フォーカスト粒子
ビームカラムが前記ミリング制御器に応答して，前記Ｆ
ＩＢが前記試料上をスキャニングされる場合に前記ＦＩ
Ｂの実効ミリング電流を変調させ、且つ前記ミリング制
御器が前記第１及び第２区域に対するＦＩＢ位置の関数
として前期データで前記ＦＩＢの実効ミリング電流を変
調させることを特徴とする試料ミリング装置。 - 【請求項５】請求項３において、前記フォーカスト粒子
ビームカラムが一対のイオン・光学レンズを有してお
り、共役点及びアパーチャが前記レンズ間に位置されて
おり、前記レンズは前記ミリング制御器に応答して前記
アパーチャと相対的な前記レンズの共役点を変化させ、
且つ前記ミリング制御器は前記データに応答して前記第
１及び第２区域に対するＦＩＢ位置の関数として前記ア
パーチャと相対的な前記レンズの共役点をシフトさせる
ことを特徴とする試料ミリング装置。 - 【請求項６】請求項１において、前記偏向制御器が前記
ミリング制御器に応答して前記第１及び第２区域に対す
るビーム位置の関数として前記ビームのスキャニング速
度を変調させることを特徴とする試料ミリング装置。 - 【請求項７】請求項１乃至６の内のいずれか１項におい
て、更に、金属のミリング速度に対して表面からのパッ
シベーション及び誘電体のミリング速度を優先的に向上
させるために前記表面に化学物質を導入する手段を有す
ることを特徴とする試料ミリング装置。 - 【請求項８】請求項７において、前記化学物質が二弗化
キセノン（ＸｅＦ2）を有していることを特徴とする試
料ミリング装置。 - 【請求項９】試料ミリング装置において、 試料の表面から物質をミリングするために前記表面上に
フォーカスさせた粒子ビームをスキャニングさせる手
段、 前記表面の画像を表す一組のデータを用意する手段であ
って、前記画像が更にミリングされるべき区域を表す第
１画像部分と更なるミリングを最小とすべき区域を表す
第２画像部分とを有しており且つ（ａ）前記表面のコン
トラスト画像を画定する第１組のピクセルデータであっ
て前記画像の各ＸＹ位置に対する夫々の強度値を有する
ピクセルデータを採取し、且つ（ｂ）前記強度値をスレ
ッシュホールド処理して前記画像の各ＸＹ位置に対して
二値又はグレイレベル値を有するマスク画像を画定する
一組のデータを発生させることによって一組のデータを
用意する手段、 マスク画像を画定する前記一組のデータに依存して前記
表面の各ＸＹ位置における前記ビームの実効ミリング速
度を制御することによって選択的に前記第１画像部分で
表される区域を更にミリングし一方前記第２画像部分で
表される区域の更なるミリングを少なくとも減少させる
べく前記フォーカスさせた粒子ビームを制御する手段、 を有することを特徴とする試料ミリング装置。 - 【請求項１０】請求項９において、前記表面がミリング
されるに従い発生する変化に対して前記表面のミリング
を適合させるために前記表面の画像を表す前記一組のデ
ータをアップデートさせることを特徴とする試料ミリン
グ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US8453293A | 1993-06-28 | 1993-06-28 | |
| US84532 | 1993-06-28 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10099592A Division JPH10321180A (ja) | 1993-06-28 | 1998-04-10 | 自己マスク型ｆｉｂミリング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07176287A JPH07176287A (ja) | 1995-07-14 |
| JP2864347B2 true JP2864347B2 (ja) | 1999-03-03 |
Family
ID=22185548
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6146569A Expired - Fee Related JP2864347B2 (ja) | 1993-06-28 | 1994-06-28 | 自己マスク型ｆｉｂミリング |
| JP10099592A Pending JPH10321180A (ja) | 1993-06-28 | 1998-04-10 | 自己マスク型ｆｉｂミリング |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10099592A Pending JPH10321180A (ja) | 1993-06-28 | 1998-04-10 | 自己マスク型ｆｉｂミリング |
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|---|---|
| US (1) | US5616921A (ja) |
| JP (2) | JP2864347B2 (ja) |
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| FR (1) | FR2708786B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| US5916424A (en) * | 1996-04-19 | 1999-06-29 | Micrion Corporation | Thin film magnetic recording heads and systems and methods for manufacturing the same |
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| US5840630A (en) * | 1996-12-20 | 1998-11-24 | Schlumberger Technologies Inc. | FBI etching enhanced with 1,2 di-iodo-ethane |
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