JPH06120349A

JPH06120349A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH06120349A
Application number: JP27129092A
Authority: JP
Inventors: Naoki Miyake; 直己三宅; Hiroshige Hirano; 博茂平野
Original assignee: Matsushita Electronics Corp
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1992-10-09
Filing date: 1992-10-09
Publication date: 1994-04-28

Abstract

(57)【要約】【目的】各ヒューズ間のショートを確実に防止して、ヒ
ューズ機能を確実に発揮できるようする。【構成】複数のヒューズＦ11〜Ｆ14が所定のヒューズピ
ッチT1で配列されてなるヒューズ回路３の該各ヒューズ
Ｆ11〜Ｆ14をレーザー照射により切断する半導体装置の
製造方法である。そして、前記複数のレーザー照射位置
Ｃ11〜Ｃ14は、前記ヒューズＦ11〜Ｆ14の配列方向Ｘに
対して、前記ヒューズピッチT1と同一のピッチに設定す
る。さらに、前記複数のレーザー照射位置Ｃ11〜Ｃ14
は、前記配列方向Ｘに直交する垂直方向Ｙに対して、予
め設定された第１溶断位置Ｓ11と、該第１溶断位置Ｓ11
より垂直方向Ｘに異なる位置の第２溶断位置Ｓ12とが隣
接するヒューズＦ11〜Ｆ14で交互に位置するように設定
する。この状態で、前記各ヒューズＦ11〜Ｆ14にレーザ
ーを照射して該各ヒューズＦ11〜Ｆ14を切断する。この
結果、隣接ヒューズＦ11〜Ｆ14を短絡なく確実に切断す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、レーザー照射によるヒューズの切断対策
に係るものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、半導体装置では、複数のヒューズ
を備えたヒューズ回路がチップ上に実装され、該ヒュー
ズをレーザー照射によって切断することにより、装置機
能の切り換えや、装置特性の調整を行うようにしている
ものがある。また、特に半導体メモリ装置においては、
不良のメモリセルをあらかじめ準備した冗長メモリセル
に切り換えて良品とするために、多くのヒューズを用い
ている。このように、ヒューズをレーザー照射によって
切断することによって希望する半導体装置を製造するう
えで、切断を希望するヒューズをレーザー照射によって
確実に切断することが重要である。

【０００３】そこで、以下に、従来の半導体装置におけ
るレーザー照射によるヒューズの切断方法について、図
２に基づき説明する。Ｆ21〜Ｆ24は、例えばポリシリコ
ンで形成されたヒューズ、Ｃ21〜Ｃ24は、レーザートリ
マー装置を用いてヒューズＦ21〜Ｆ24を切断する際のレ
ーザー照射位置、１は、レーザー照射によってヒューズ
Ｆ21〜Ｆ24を切断したときのヒューズ溶断残り部であ
る。そして、前記図２に示すように、レーザー照射位置
Ｃ21〜Ｃ24は、ヒューズＦ21〜Ｆ24の配列方向Ｘに対し
て、ヒューズＦ21〜Ｆ24のヒューズピッチT2と同一のピ
ッチ（図２においては、４μｍ）に設定する一方、ヒュ
ーズＦ21〜Ｆ24の配列方向Ｘに直交する垂直方向Ｙに対
して、各ヒューズＦ21〜Ｆ24で同一の溶断位置S1に設定
されている。従来、このようにレーザー照射位置Ｃ21〜
Ｃ24を設定して、切断を希望するヒューズＦ21〜Ｆ24を
切断し、希望する半導体装置を製造していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような従来の半導
体装置の製造方法において、通常、ヒューズＦ21〜Ｆ24
の上方には、絶縁体である保護膜が形成されており、こ
の保護膜の厚さが厚いときには、ヒューズＦ21〜Ｆ24を
切断した際、図２に示すように、レーザー照射で溶断し
たヒューズＦ21〜Ｆ24の素材であるポリシリコンが残る
場合があり、円弧状のヒューズ溶断残り部１がヒューズ
Ｆ21〜Ｆ24の側方に延びて形成される場合がある。そし
て、このヒューズ溶断残り部１が大きいきには、上述し
たように、レーザー照射位置Ｃ21〜Ｃ24が、従来、垂直
方向Ｙに対して各ヒューズＦ21〜Ｆ24で同一の溶断位置
S1に設定されているので、隣接したヒューズＦ21〜Ｆ24
間において、ヒューズ溶断残り部１の先端部が接触して
短絡部２が形成される場合があった。この結果、隣接し
たヒューズＦ21〜Ｆ24がショートし、所定のヒューズ機
能が発揮されず、希望する半導体装置を製造することが
できなくなるという問題があった。そこで、前記短絡部
２の発生を確実に防止しようとすると、前記ヒューズＦ
21〜Ｆ24のヒューズピッチT1を大きくする必要があり、
例えば、図２においては、ヒューズＦ21〜Ｆ24のヒュー
ズピッチT1が４μｍであるが、このヒューズピッチT1を
５〜６μｍとする必要があり、それだけレイアウト面積
が増大することとなる。特に、大容量ＤＲＡＭのような
半導体メモリ装置では、数百〜数千本のヒューズＦ21，
Ｆ22，…が必要であるため、大幅なレイアウト面積（チ
ップサイズ）の増大を招くことになるという問題があっ
た。

【０００５】本発明は、斯かる点に鑑みてなされたもの
で、各ヒューズ間のショートを確実に防止して、ヒュー
ズ機能を確実に発揮できるようにした半導体装置の製造
方法を提供することを目的とするものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに、本発明が講じた手段は、まず、複数のヒューズが
所定のヒューズピッチで配列されてなるヒューズ回路が
チップ上に実装され、該各ヒューズをレーザー照射によ
り切断する半導体装置の製造方法を前提としている。そ
して、前記複数のレーザー照射位置は、前記ヒューズの
配列方向に対して、前記ヒューズピッチと同一のピッチ
に設定する一方、前記ヒューズの配列方向に直交する垂
直方向に対して、予め設定された第１溶断位置と、該第
１溶断位置より垂直方向に異なる位置の第２溶断位置と
が隣接するヒューズで交互に位置するように設定する。
この状態で、前記各ヒューズにレーザーを照射して該各
ヒューズを切断する構成としている。

【０００７】

【作用】前記の構成により、本発明では、複数のヒュー
ズを切断すべくレーザーを照射した際、隣接するヒュー
ズ間において、レーザー照射位置が、ヒューズの配列方
向に直交する垂直方向に対して第１溶断位置と第２溶断
位置とにずれているので、ヒューズ溶断残り部が生じて
も、該ヒューズ溶断残り部の接触が確実に防止される。
この結果、レイアウト面積（チップサイズ）の増大を招
くことなく、レーザー照射によって切断を希望するヒュ
ーズが確実に切断されることになる。

【０００８】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。図１に示すように、Ｆ11〜Ｆ14は、ヒュー
ズであって、例えば、ポリシリコンで形成されてヒュー
ズ回路３を構成している。そして、該各ヒューズＦ11〜
Ｆ14は、所定のヒューズピッチT1で、例えば、本実施例
では、４μｍのヒューズピッチT1で平行に設けられてお
り、前記ヒューズ回路３は、チップ上に実装されてい
る。また、Ｃ11〜Ｃ14は、レーザートリマー装置を用い
てヒューズＦ11〜Ｆ14を切断する際のレーザー照射位
置、１は、レーザー照射によってヒューズＦ11〜Ｆ14を
切断したときのヒューズ溶断残り部であって、該ヒュー
ズ溶断残り部１は、円弧状を呈し、前記各ヒューズＦ11
〜Ｆ14から側方に延びている。

【０００９】一方、本発明の特徴として、前記レーザー
照射位置Ｃ11〜Ｃ14は、ヒューズＦ11〜Ｆ14の配列方向
Ｘに対して、ヒューズＦ11〜Ｆ14のヒューズピッチT1と
同一のピッチ（例えば、４μｍ）に設定する一方、前記
ヒューズＦ11〜Ｆ14の配列方向Ｘに直交する垂直方向Ｙ
に対して、予め設定された第１溶断位置Ｓ11と、該第１
溶断位置Ｓ11より垂直方向Ｙに異なる位置（図１では、
下方にずれた位置）の第２溶断位置Ｓ12とが隣接するヒ
ューズＦ11〜Ｆ14で交互に位置するように設定されてい
る。そして、この第１溶断位置Ｓ11と第２溶断位置Ｓ12
との垂直方向差Δは、例えば、２μｍに設定されてい
る。

【００１０】そこで、前記ヒューズ回路３における各ヒ
ューズＦ11〜Ｆ14の切断方法について説明する。まず、
切断しようとするヒューズＦ11〜Ｆ14に対してレーザー
を照射する場合、レーザー照射位置Ｃ11〜Ｃ14を設定す
る。その際、このレーザー照射位置Ｃ11〜Ｃ14は、ヒュ
ーズＦ11〜Ｆ14の配列方向Ｘに対してヒューズピッチT1
に設定され、垂直方向Ｙに対して第１溶断位置Ｓ11と第
２溶断位置Ｓ12とに隣接するヒューズＦ11〜Ｆ14で交互
に位置させて設定される。この状態において、レーザー
を各ヒューズＦ11〜Ｆ14に照射すると、該各ヒューズＦ
11〜Ｆ14が溶断されることになる。このように、レーザ
ー照射位置Ｃ11〜Ｃ14を設定し、切断を希望するヒュー
ズＦ11〜Ｆ14を切断して、希望する半導体装置を製造す
ることになる。従って、上述したレーザー照射位置Ｃ11
〜Ｃ14により、ヒューズＦ11〜Ｆ14の上方における保護
膜の厚さが厚くなっても、隣接するヒューズＦ11〜Ｆ14
のヒューズ溶断残り部１が垂直方向Ｙにずれることにな
り、該ヒューズ溶断残り部１の先端部が接触することは
なく、レイアウト面積（チップサイズ）の増大を招くこ
となく、各ヒューズＦ11〜Ｆ14の短絡（ショート）が防
止される。この結果、切断を希望するヒューズＦ11〜Ｆ
14が確実に切断され、希望する半導体装置が製造され
る。

【００１１】なお、前記実施例は、４つのヒューズＦ11
〜Ｆ14を有するヒューズ回路３について説明したが、本
発明は、大容量ＤＲＡＭなどのヒューズ回路に適用でき
ることは勿論である。また、前記ヒューズピッチT1や垂
直方向差Δ等については、実施例に限定されるものでは
ない。

【００１２】

【発明の効果】以上のように、本発明の半導体装置の製
造方法によれば、レーザー照射位置を、ヒューズの配列
方向に直交する垂直方向に対して、隣接するヒューズで
第１溶断位置と第２溶断位置とにずらして設定するよう
にしたために、ヒューズの切断時に生じるヒューズ溶断
残り部が、隣接するヒューズの垂直方向にずれることに
なり、該ヒューズ溶断残り部の接触を確実に防止するこ
とができる。この結果、ヒューズピッチを大きく設定す
る必要がないので、レイアウト面積（チップサイズ）の
増大を招くことがなく、各ヒューズの短絡（ショート）
を確実に防止することができる。よって、切断を希望す
るヒューズが確実に切断され、希望する半導体装置を正
確に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置におけるヒューズ回路を示
す構成図である。

【図２】従来の半導体装置におけるヒューズ回路を示す
構成図である。

【符号の説明】

１ヒューズ溶断残り部３ヒューズ回路Ｆ11〜Ｆ14 ヒューズＣ11〜Ｃ14 レーザー照射位置

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数のヒューズが所定のヒューズピッチ
で配列されてなるヒューズ回路がチップ上に実装され、
該各ヒューズをレーザー照射により切断する半導体装置
の製造方法であって、前記複数のレーザー照射位置は、前記ヒューズの配列方
向に対して、前記ヒューズピッチと同一のピッチに設定
する一方、前記ヒューズの配列方向に直交する垂直方向
に対して、予め設定された第１溶断位置と、該第１溶断
位置より垂直方向に異なる位置の第２溶断位置とが隣接
するヒューズで交互に位置するように設定し、前記各ヒューズにレーザーを照射して該各ヒューズを切
断することを特徴とする半導体装置の製造方法。