JPS59195843A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS59195843A JPS59195843A JP58069183A JP6918383A JPS59195843A JP S59195843 A JPS59195843 A JP S59195843A JP 58069183 A JP58069183 A JP 58069183A JP 6918383 A JP6918383 A JP 6918383A JP S59195843 A JPS59195843 A JP S59195843A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electrodes
- electrode
- wiring electrode
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に冗長回路の結線及びマ
スタースライスの改良に関する。
スタースライスの改良に関する。
近年、半導体メモリ等においては、パターンの微細化に
伴なう歩留シの低下が著しくなり、チップレベルでの欠
陥救済技術が必要となっている。
伴なう歩留シの低下が著しくなり、チップレベルでの欠
陥救済技術が必要となっている。
いわゆる冗長回路を設けておき、不良のセル列及びセル
行をレーザービームで切断し、予備のセル列及びセル行
に置き換えている。
行をレーザービームで切断し、予備のセル列及びセル行
に置き換えている。
第１図の回路は、冗長回路を設けた列デコーダの一部を
示す。第１図において、抵抗Ｒの値は、ヒユーズＨ及び
Ｔｒｌの内部抵抗よりも十分に大きいものとすると、ヒ
ユーズがつながっている場合には、φ、が１になると、
トランジスタＴｒｉはＯＮしてノードＡはＯになり、ト
ランジスタＴｒ３はＯＦＦするからφ２が１にりると、
ノードＢは１になり、ワード線Ｗ１が選択される。もし
、ワード線Ｗ１によって選択されるセル列になんらかの
不良が生じている場合には、レーザーでヒユーズを切断
する。この場合には、φ□が１になってもノードＡは常
に１であるから、トランジスタＴｒ３は常にＯＮしてお
υ、φ、が１になってもノードＢは１にならずに、ワー
ド線Ｗ１は選択されない。
示す。第１図において、抵抗Ｒの値は、ヒユーズＨ及び
Ｔｒｌの内部抵抗よりも十分に大きいものとすると、ヒ
ユーズがつながっている場合には、φ、が１になると、
トランジスタＴｒｉはＯＮしてノードＡはＯになり、ト
ランジスタＴｒ３はＯＦＦするからφ２が１にりると、
ノードＢは１になり、ワード線Ｗ１が選択される。もし
、ワード線Ｗ１によって選択されるセル列になんらかの
不良が生じている場合には、レーザーでヒユーズを切断
する。この場合には、φ□が１になってもノードＡは常
に１であるから、トランジスタＴｒ３は常にＯＮしてお
υ、φ、が１になってもノードＢは１にならずに、ワー
ド線Ｗ１は選択されない。
しかし、このような冗長回路であると、ヒユーズが切断
されない場合には、φ、がｌになるたびにＶｃｃからＶ
ＳＳに電流が流れ、大きなパワーを消費するなどの問題
があった。
されない場合には、φ、がｌになるたびにＶｃｃからＶ
ＳＳに電流が流れ、大きなパワーを消費するなどの問題
があった。
また第２図は、ｎ＋−１−ｎ＋形ポリシリコン層の構造
図を示す。通常ｉの抵抗ぽ非常に大きく、１０′。Ω以
上にしてンき、レーザースポットを照射することによ）
、ｉの部分をｎに変え、数にΩにしてノードＣとノード
９間の抵抗を小さくすることによって冗長回路を結線す
るという方式である。
図を示す。通常ｉの抵抗ぽ非常に大きく、１０′。Ω以
上にしてンき、レーザースポットを照射することによ）
、ｉの部分をｎに変え、数にΩにしてノードＣとノード
９間の抵抗を小さくすることによって冗長回路を結線す
るという方式である。
しかし、ノード９間の抵抗は、レーザー照射後もノード
Ｃと数にΩと大きいために、この方式をディジイツト線
に用いるとＣＲの時定数によるスピードの低下が問題で
あった。ここで２１は基板、２２は酸化膜である。
Ｃと数にΩと大きいために、この方式をディジイツト線
に用いるとＣＲの時定数によるスピードの低下が問題で
あった。ここで２１は基板、２２は酸化膜である。
本発明は、上記の事柄に鑑みてなされたもので、任意の
回路の結線を効率よく行なうことを可能にした半導体装
置を提供することである。
回路の結線を効率よく行なうことを可能にした半導体装
置を提供することである。
本発明は、半導体装置の２本以上の配線用電極に、レー
ザービームを照射させて、この時に生じた熱によって溶
けた配線用電極同志が接続されることによシ、任意の回
路同志の結線を行なうことと、レーザービームを照射さ
せて結線させる部分の配線用電極の形状をくしの歯状に
互いに組み合わせたり、うす巻き状にすることによって
、結線を容易にかつ確実に行なうことからなる。
ザービームを照射させて、この時に生じた熱によって溶
けた配線用電極同志が接続されることによシ、任意の回
路同志の結線を行なうことと、レーザービームを照射さ
せて結線させる部分の配線用電極の形状をくしの歯状に
互いに組み合わせたり、うす巻き状にすることによって
、結線を容易にかつ確実に行なうことからなる。
本発明により、冗長回路を用いない場合のパワーを大幅
に削減し、用いた場合にもそのＣ８時定数によるスピー
ドの低下をさせることなく、配線用電極の結線を行なう
９とが可能となった。また、マスタースライスなしで、
任意の回路を容易に結線させることが可能となった。
に削減し、用いた場合にもそのＣ８時定数によるスピー
ドの低下をさせることなく、配線用電極の結線を行なう
９とが可能となった。また、マスタースライスなしで、
任意の回路を容易に結線させることが可能となった。
本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明し、本発
明の意図を明らかにする。
明の意図を明らかにする。
第；う図は、本発明の結線部分の配線用電極の形状の一
例を示したものである。
例を示したものである。
例えばアルミニウムの第１配線用電極（３０１）と例え
ばアルミニウムの第２配線用電極（３０２）とを互いに
結線部分においてくしの歯状に組み合わせた形状にする
。〔第３図（ａ）〕次に、全面にポリイミド等のパシベ
ーション膜をコートし、その後このパシベーション膜ヲ
パターニングによっテ、開口部（３０３）を設ける。次
に・くシベーション膜の開口部（３０３）を通して、レ
ーザービームをスキャンしながら第１配線用′這極（３
０１）と第２配線用電極（３０２）に照射して、レーザ
ービームのエネルギーによって、２つの配線用ｔＦｉを
溶融して、再び凝固させることにより、丸印（３０４）
で示した如く、２つの配線用゛１極、第１配線用電極（
３０１）、第２配線用電極（３０２）は接続される。以
上のようにして、第１配線用屈極（３０１）に接続して
いる回路と第２配線用１極（３０２）に接続している回
路とが容易に確実に結線することができる０ 〔発明の他の実施例〕 実施例の製債工程中、結線させる配線用電極をアルミニ
ウムに換えて、ポリシリコン、あるいは比抵抗の小さい
材料であっても全く同様に適用できる。
ばアルミニウムの第２配線用電極（３０２）とを互いに
結線部分においてくしの歯状に組み合わせた形状にする
。〔第３図（ａ）〕次に、全面にポリイミド等のパシベ
ーション膜をコートし、その後このパシベーション膜ヲ
パターニングによっテ、開口部（３０３）を設ける。次
に・くシベーション膜の開口部（３０３）を通して、レ
ーザービームをスキャンしながら第１配線用′這極（３
０１）と第２配線用電極（３０２）に照射して、レーザ
ービームのエネルギーによって、２つの配線用ｔＦｉを
溶融して、再び凝固させることにより、丸印（３０４）
で示した如く、２つの配線用゛１極、第１配線用電極（
３０１）、第２配線用電極（３０２）は接続される。以
上のようにして、第１配線用屈極（３０１）に接続して
いる回路と第２配線用１極（３０２）に接続している回
路とが容易に確実に結線することができる０ 〔発明の他の実施例〕 実施例の製債工程中、結線させる配線用電極をアルミニ
ウムに換えて、ポリシリコン、あるいは比抵抗の小さい
材料であっても全く同様に適用できる。
また、第１配線用電極（３０１）と第２配線用電極（３
０２）とを結線部分のくしの歯状に組み合わせた形状〔
第３図（ａ）〕に換えて、第４図に示すように第１配線
用電極（４０１）と第２配線用゛改極（４０２）とをう
す巻き状にした形状、あるいは、レーザービームで照射
した時に結線しやすい形状は、いかなる形状でも本発明
は有効である。
０２）とを結線部分のくしの歯状に組み合わせた形状〔
第３図（ａ）〕に換えて、第４図に示すように第１配線
用電極（４０１）と第２配線用゛改極（４０２）とをう
す巻き状にした形状、あるいは、レーザービームで照射
した時に結線しやすい形状は、いかなる形状でも本発明
は有効である。
また、２本の配線用電極、第１配線用電極（３０１）と
第２配線用電極（３０２）との結線に換えて、第５図に
示すように結線する配線用電極の本数を増−ｅした場合
、すなわち、第１配線用磁極（５０１）、第２配線用颯
極（５０２） 、第３配線用准極（５０３）、第４配線
用電極（５０４）の４本の配線用電極を結線する場合に
も、あるいは、２本以上のいかなる本数の配線用電極を
結線する場（ｆ Ｋも本発明は有効である。
第２配線用電極（３０２）との結線に換えて、第５図に
示すように結線する配線用電極の本数を増−ｅした場合
、すなわち、第１配線用磁極（５０１）、第２配線用颯
極（５０２） 、第３配線用准極（５０３）、第４配線
用電極（５０４）の４本の配線用電極を結線する場合に
も、あるいは、２本以上のいかなる本数の配線用電極を
結線する場（ｆ Ｋも本発明は有効である。
第１図は従来例を説明する冗長回路を設けた列デコーダ
ーの一部を示す回路図、第２図は従来例を説明する＋ｉ
＋−１−ｎ＋形ポリシリコン層の栴造断面図、第３図（
ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を示す平面図、第４図
及び第５図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ばか１名）第１図 第３図 ８ρｑ
ーの一部を示す回路図、第２図は従来例を説明する＋ｉ
＋−１−ｎ＋形ポリシリコン層の栴造断面図、第３図（
ａ）〜（Ｃ）は本発明の一実施例を示す平面図、第４図
及び第５図は本発明の他の実施例を示す平面図である。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ばか１名）第１図 第３図 ８ρｑ
Claims (3)
- （１）半導体装置の配線用電極にレーザービームを照射
して上記配線用電極を溶融させ、上記レーザービーム照
射前に接触していなかった２本以上の上記配線用電極を
接続することにより、任意の回路同志を結線することを
可能にした半導体装置。 - （２）レーザービームを照射して、結線させる部分の上
記配線用電極は１本の第１配線用電極から、くしの歯状
に複数本の平行な上記第１配線用′１４極が呻びており
、別の１本の第２配線用電極から、上記第１′４己線用
電極と同様に、くしの歯状に複数本の平行な上記第２配
線用電極が伸びており、上記第１配線用電極と上記第２
配線用電極のくしの歯状の複数本の平行な上記第１・第
２配線用覗極同志が交互にある間隔を開けて、組み合わ
せた形状で、レーザービームを照射させる部分は、大き
くても上記第１・第２配線用電極がくしの歯状に組み合
った部分からはみ出さないようにして、２本以上の配線
用電極を断線させることなく接続することにより、任意
の回路同志を結線することを可能にした前記特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置。 - （３） レーザービームを照射して結線すする部分の
上記配線用電極は、１本の第１配線用電極がうす巻き状
に伸びており、別の１本の第２配線用電極がうす巻き状
に伸びている上記第１配線用電極の内側及び外側をと）
囲むように、上記第１配線用電極とある間隔を開けて、
平行に伸びている形状で、レーザービームを照射させる
部分は大きくても、上記第１・第２配線用電極がうす巻
き状に互い平行に伸びている部分から、はみ出さないよ
うにして、２本以上の配線用電極を断線させることなく
接続することにより、任意の回路同志を結線することを
可能にした前記特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58069183A JPS59195843A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58069183A JPS59195843A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59195843A true JPS59195843A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13395350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58069183A Pending JPS59195843A (ja) | 1983-04-21 | 1983-04-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59195843A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0346256A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2016009840A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、半導体装置のリペア方法、及び半導体装置の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-21 JP JP58069183A patent/JPS59195843A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0346256A (ja) * | 1989-07-14 | 1991-02-27 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JP2016009840A (ja) * | 2014-06-26 | 2016-01-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置、半導体装置のリペア方法、及び半導体装置の製造方法 |
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