JPH0346256A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0346256A JPH0346256A JP1180511A JP18051189A JPH0346256A JP H0346256 A JPH0346256 A JP H0346256A JP 1180511 A JP1180511 A JP 1180511A JP 18051189 A JP18051189 A JP 18051189A JP H0346256 A JPH0346256 A JP H0346256A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 11
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 6
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、冗長回路を備えた半導体素子からなる半導体
装置に関するもので、特に詳細には冗長回路へ切り換え
るためのヒユーズの構造に関する。
装置に関するもので、特に詳細には冗長回路へ切り換え
るためのヒユーズの構造に関する。
（従来の技術）
従来では、半導体装置内に冗長性を導入して歩留りを向
上させる方法が用いられている。例えば、素子内に冗長
回路を設け、不良の素子を発見すると、レーザ光照射に
よりヒユーズを溶断させ冗長回路に切り換える。
上させる方法が用いられている。例えば、素子内に冗長
回路を設け、不良の素子を発見すると、レーザ光照射に
よりヒユーズを溶断させ冗長回路に切り換える。
第６図は従来のレーザ溶断型ヒユーズの平面図を示す。
同図において、レーザ溶断型ヒユーズ、即ちヒユーズ１
は、レーザ光照射により溶断される溶断部２およびその
両端部分の回路接続部３ａおよび３ｂから構成されてい
る。ヒユーズ１の材質としては一般にボリンリコンが用
いられている。
は、レーザ光照射により溶断される溶断部２およびその
両端部分の回路接続部３ａおよび３ｂから構成されてい
る。ヒユーズ１の材質としては一般にボリンリコンが用
いられている。
第７図は第６図のヒユーズを半導体装置内に組み込んだ
場合におけるヒユーズの断面図である。同図において、
ヒユーズ１は、半導体基板４およびその上に積層された
第１絶縁膜５上に形成されている。基板１および第１絶
縁膜５の膜厚は、５０００〜６０００Å程度である。ヒ
ユーズ１の上面には、第２絶縁膜６およびその上に積層
された絶縁膜８および表面保護膜７が積層されている。
場合におけるヒユーズの断面図である。同図において、
ヒユーズ１は、半導体基板４およびその上に積層された
第１絶縁膜５上に形成されている。基板１および第１絶
縁膜５の膜厚は、５０００〜６０００Å程度である。ヒ
ユーズ１の上面には、第２絶縁膜６およびその上に積層
された絶縁膜８および表面保護膜７が積層されている。
第２絶縁膜６、絶縁膜８および表面保護膜７の膜厚は９
０００〜１００ＯＯＡ程度である。また、溶断部２の上
面部分に位置する第２絶縁膜６の上部は空間、即ちレー
ザ光照射窓９が形成されている。
０００〜１００ＯＯＡ程度である。また、溶断部２の上
面部分に位置する第２絶縁膜６の上部は空間、即ちレー
ザ光照射窓９が形成されている。
レーザ光はこの窓を介して入射する。この照射窓９は、
絶縁膜８および表面保護膜７をエツチングすることによ
り形成される。
絶縁膜８および表面保護膜７をエツチングすることによ
り形成される。
上記構成を有する従来の半導体装置において、冗長回路
への切り換えは以下に示すようにして行なわれる。溶断
部２の上面部に位置する第２絶縁膜６に対し、照射窓９
を通してレーザ光を照射する。レーザ光源は、例えばＹ
ＡＧレーザを用いる。
への切り換えは以下に示すようにして行なわれる。溶断
部２の上面部に位置する第２絶縁膜６に対し、照射窓９
を通してレーザ光を照射する。レーザ光源は、例えばＹ
ＡＧレーザを用いる。
レーザ光源の出力は約１．８μＪ１照射時間は４０〜５
０ ｎ５ｅｃの条件で行なう。レーザ光照射により、溶
断部２は加熱され気化する。気化の際、爆発が起こり第
２絶縁膜６は破壊される。よって、溶断部２および第２
絶縁膜６は飛び散る。上記過程を経てヒユーズ１は溶断
され、冗長回路に切り換わる。
０ ｎ５ｅｃの条件で行なう。レーザ光照射により、溶
断部２は加熱され気化する。気化の際、爆発が起こり第
２絶縁膜６は破壊される。よって、溶断部２および第２
絶縁膜６は飛び散る。上記過程を経てヒユーズ１は溶断
され、冗長回路に切り換わる。
ところで、上記示したヒユーズ１の溶断時、例えば、レ
ーザ光の照射条件（出力、照射時間、照射箇所等）の設
定が悪くて溶断部での爆発規模が大きいと、ヒユーズ１
の下面部に位置する第１絶縁膜５は損傷する。そして、
溶断したヒユーズの一部が基板４に付着してヒユーズ１
と基板４とが導通しショートを起こしてしまうという問
題があった。また、逆に爆発規模が小さいと、第２絶縁
膜を破ることができずに、第２絶縁Ｈ６内で空洞を生じ
溶断部２は溶断されないことがあった。仮に、第２絶縁
膜６が破れたとしても、溶断部の一部が第２絶縁膜６に
付着して溶断部２が導通したままになり冗長回路に切り
換えることができないという問題が生じていた。
ーザ光の照射条件（出力、照射時間、照射箇所等）の設
定が悪くて溶断部での爆発規模が大きいと、ヒユーズ１
の下面部に位置する第１絶縁膜５は損傷する。そして、
溶断したヒユーズの一部が基板４に付着してヒユーズ１
と基板４とが導通しショートを起こしてしまうという問
題があった。また、逆に爆発規模が小さいと、第２絶縁
膜を破ることができずに、第２絶縁Ｈ６内で空洞を生じ
溶断部２は溶断されないことがあった。仮に、第２絶縁
膜６が破れたとしても、溶断部の一部が第２絶縁膜６に
付着して溶断部２が導通したままになり冗長回路に切り
換えることができないという問題が生じていた。
特に最近では、半導体装置の微細化・高集積化に伴ない
、第１絶縁ｌ１Ｉ５等の層間絶縁膜は薄く積層され、幾
層もの層間絶縁膜で構成された第２の絶縁膜６は厚くな
り、加えて溶断部２は微細化される傾向にある。従って
、ヒユーズを気化させ爆発させる条件が厳しくなり、溶
断の成功率が低くなる傾向にあった。ヒユーズ溶断の成
功率を上げるため、照射窓９を設ける等の工夫が行なわ
れているが、この場合、ヒユーズ上に照射窓９を開孔す
る工程が必要となる。このため製造工程が増え製造コス
トが上昇するという問題があった。
、第１絶縁ｌ１Ｉ５等の層間絶縁膜は薄く積層され、幾
層もの層間絶縁膜で構成された第２の絶縁膜６は厚くな
り、加えて溶断部２は微細化される傾向にある。従って
、ヒユーズを気化させ爆発させる条件が厳しくなり、溶
断の成功率が低くなる傾向にあった。ヒユーズ溶断の成
功率を上げるため、照射窓９を設ける等の工夫が行なわ
れているが、この場合、ヒユーズ上に照射窓９を開孔す
る工程が必要となる。このため製造工程が増え製造コス
トが上昇するという問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
以上説明したように、従来の半導体装置では、歩留りを
向上させるために素子の不良が発生すると、あらかじめ
設けられていた冗長回路へ切り換える。この切り換えは
、レーザ光照射によりヒユーズを溶断することにより行
なう。そして、溶断の際、溶断部の爆発力が大きいと、
第１の絶縁膜を損傷させヒユーズと半導体基板とがショ
ートするという問題があった。また、爆発力が小さい場
合、ヒユーズを溶断てきない場合が生じて問題となって
いた。さらに、半導体装置の微細化・高集積化の傾向に
伴なって、レーザ光の照射条件は一段と厳しくなり、ヒ
ユーズ溶断の成功率は低下していてた。溶断の成功率を
上げるためレーザ光照射窓等を設けて対処しているが、
その分製造工程が複雑となり製造コストの上昇につなが
っていた。
向上させるために素子の不良が発生すると、あらかじめ
設けられていた冗長回路へ切り換える。この切り換えは
、レーザ光照射によりヒユーズを溶断することにより行
なう。そして、溶断の際、溶断部の爆発力が大きいと、
第１の絶縁膜を損傷させヒユーズと半導体基板とがショ
ートするという問題があった。また、爆発力が小さい場
合、ヒユーズを溶断てきない場合が生じて問題となって
いた。さらに、半導体装置の微細化・高集積化の傾向に
伴なって、レーザ光の照射条件は一段と厳しくなり、ヒ
ユーズ溶断の成功率は低下していてた。溶断の成功率を
上げるためレーザ光照射窓等を設けて対処しているが、
その分製造工程が複雑となり製造コストの上昇につなが
っていた。
本発明は上記した問題に鑑みてなされたものであり、冗
長回路への切り換えが簡単に行なえかつ製造コストの低
い構造を有する信頼性の高い半導体装置を提供すること
を目的とする。
長回路への切り換えが簡単に行なえかつ製造コストの低
い構造を有する信頼性の高い半導体装置を提供すること
を目的とする。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
本発明の半導体装置は冗長回路と、所定の間隔を保って
配置された二つの部分より構成され、一方の部分は前記
冗長回路の端子と接続され、他方の部分は該冗長回路を
動作させるための所定の端子と接続され、該一方の部分
と該他方の部分とを導通させることにより該冗長回路を
動作させる冗長回路切り換え部材と、前記冗長回路切り
換え部材を密閉するように形成せられた絶縁層とを具備
することを特徴としており、請求項（２）記載の半導体
装置は請求項（１〉記載の半導体装置において前記一方
の部分は凹型の平板状に形成され、前記他方の部分は長
方形の平板状に形成され、該一方の部分の凹部内に該他
方の部分が所定間隔を保って配置せられていることを特
徴としており、請求項（３）記載の半導体装置は請求項
（１）記載の半導体装置において前記一方の部分および
他方の部分はくしの歯型の平板状に形成されており、該
一方の部分および他方の部分は互いに所定間隔を保ちく
しの歯部分がかみ合うようにして配置せられていること
を特徴としており、請求項（４）記載の半導体装置は請
求項（＋）記載の半導体装置において前記一方の部分お
よび他方の部分は平板状に形成されており、該一方の部
分は所定間隔を保ち該他方の部分の上部に位置するよう
に配置せられていることを特徴としている。
配置された二つの部分より構成され、一方の部分は前記
冗長回路の端子と接続され、他方の部分は該冗長回路を
動作させるための所定の端子と接続され、該一方の部分
と該他方の部分とを導通させることにより該冗長回路を
動作させる冗長回路切り換え部材と、前記冗長回路切り
換え部材を密閉するように形成せられた絶縁層とを具備
することを特徴としており、請求項（２）記載の半導体
装置は請求項（１〉記載の半導体装置において前記一方
の部分は凹型の平板状に形成され、前記他方の部分は長
方形の平板状に形成され、該一方の部分の凹部内に該他
方の部分が所定間隔を保って配置せられていることを特
徴としており、請求項（３）記載の半導体装置は請求項
（１）記載の半導体装置において前記一方の部分および
他方の部分はくしの歯型の平板状に形成されており、該
一方の部分および他方の部分は互いに所定間隔を保ちく
しの歯部分がかみ合うようにして配置せられていること
を特徴としており、請求項（４）記載の半導体装置は請
求項（＋）記載の半導体装置において前記一方の部分お
よび他方の部分は平板状に形成されており、該一方の部
分は所定間隔を保ち該他方の部分の上部に位置するよう
に配置せられていることを特徴としている。
（作用）
本発明の半導体装置は、ヒユーズを溶着させることによ
り冗長回路への切り換えを行なう。例えばレーザ光を照
射して、ヒユーズを気化させる。
り冗長回路への切り換えを行なう。例えばレーザ光を照
射して、ヒユーズを気化させる。
レーザ光の照射条件は、ヒユーズを囲んで形成された保
護膜および絶縁膜等の強度よりヒユーズの気化力の方が
小さくなる程度に設定する。従って爆発は生じないので
、気化されたヒユーズは気化の除土じた空洞内に付着す
る。これにより、ヒユーズは溶着され、冗長回路への切
り換えが完了する。このように、レーザ光の照射条件は
爆発を生じさせない程度でよい。よって従来のように適
切な爆発力を生じさせるためにレーザ光照射の条件を厳
しく設定する必要はないので、切り換えの成功率は向上
する。
護膜および絶縁膜等の強度よりヒユーズの気化力の方が
小さくなる程度に設定する。従って爆発は生じないので
、気化されたヒユーズは気化の除土じた空洞内に付着す
る。これにより、ヒユーズは溶着され、冗長回路への切
り換えが完了する。このように、レーザ光の照射条件は
爆発を生じさせない程度でよい。よって従来のように適
切な爆発力を生じさせるためにレーザ光照射の条件を厳
しく設定する必要はないので、切り換えの成功率は向上
する。
（実施例）
以下本発明の実施例を第１〜４図を用いて説明する。第
１図は本発明の一実施例であるヒユーズの平面図を示す
。同図において、１０１および１０２は、レーザ光照射
により溶着される冗長回路切り換え部材、即ちヒユーズ
１００の溶着部分であり、−括して溶着部１０３とする
。例えば、この溶着部分１０１および１０２の幅Ａ、Ｂ
はよ０．８μｍとする。溶着部分１０１および１０２の
間隔Ｃは＝０．８μｍとする。回路接続部１０４ａは冗
長回路を動作させるための端子につながっており、回路
接続部１０４ｂは冗長回路と接続されている。これらの
回路接続部１０４ａおよび１０４ｂは溶着部１０１およ
び１０２の端部に位置する。ヒユーズ１００は、上記し
た溶着部１０３および接続部１０４ａおよび１０４ｂか
ら構成されている。ヒユーズの材質は、従来と同様に、
ポリシリコンを用い、厚さは例えば３０００〜４０００
Ａ程度とする。
１図は本発明の一実施例であるヒユーズの平面図を示す
。同図において、１０１および１０２は、レーザ光照射
により溶着される冗長回路切り換え部材、即ちヒユーズ
１００の溶着部分であり、−括して溶着部１０３とする
。例えば、この溶着部分１０１および１０２の幅Ａ、Ｂ
はよ０．８μｍとする。溶着部分１０１および１０２の
間隔Ｃは＝０．８μｍとする。回路接続部１０４ａは冗
長回路を動作させるための端子につながっており、回路
接続部１０４ｂは冗長回路と接続されている。これらの
回路接続部１０４ａおよび１０４ｂは溶着部１０１およ
び１０２の端部に位置する。ヒユーズ１００は、上記し
た溶着部１０３および接続部１０４ａおよび１０４ｂか
ら構成されている。ヒユーズの材質は、従来と同様に、
ポリシリコンを用い、厚さは例えば３０００〜４０００
Ａ程度とする。
上記構成を有するヒユーズ１００を半導体装置に適用し
た例を以下に示す。第２図は半導体装置に組み込まれた
ヒユーズの断面図である。同図において、１０５は半導
体基板又はウェルである。
た例を以下に示す。第２図は半導体装置に組み込まれた
ヒユーズの断面図である。同図において、１０５は半導
体基板又はウェルである。
基板１０５上を覆うように絶縁膜１０６が形成されてい
る。絶縁膜１０６上には、ヒユーズ１００および絶縁膜
１０７が形成されている。この絶縁膜１０７はヒユーズ
１００を覆うようにして形成されている。この絶縁膜１
０６および１０７の材質は酸化膜である。上記した、絶
縁膜１０６、ヒユーズ１００および絶縁膜１０７を溶着
素子１゜８とする。溶着素子１０８上には絶縁膜１０９
が形成されている。この絶縁膜１０９の材質は酸化膜で
あり、膜厚は１００ＯＯＡ程度である。絶縁膜１０９の
上面部を覆うようにして保護！１１１０が形成されてい
る。
る。絶縁膜１０６上には、ヒユーズ１００および絶縁膜
１０７が形成されている。この絶縁膜１０７はヒユーズ
１００を覆うようにして形成されている。この絶縁膜１
０６および１０７の材質は酸化膜である。上記した、絶
縁膜１０６、ヒユーズ１００および絶縁膜１０７を溶着
素子１゜８とする。溶着素子１０８上には絶縁膜１０９
が形成されている。この絶縁膜１０９の材質は酸化膜で
あり、膜厚は１００ＯＯＡ程度である。絶縁膜１０９の
上面部を覆うようにして保護！１１１０が形成されてい
る。
上記構成を有する本実施例の半導体装置における冗長回
路への切り換え動作を説明する。レーザ光を溶着部１０
３の上面部分に位置するレーザ光照射部分Ｅに照射する
。レーザ光源としては、従来例と同様にＹＡＧレーザを
用いる。照射条件としては、出力が２−３μＪであり、
照射時間は４０〜５０ｎｓｅｃとする。但し、出力、照
射時間ともに、ヒユーズ１００の材質や寸法、溶着部分
１０１および１０２の間隔Ｃによって適当に調整を行な
う必要がある。レーザ光の照射により、溶着部１０３は
加熱され気化する。しかし、ヒユーズ１００を囲んでい
る絶縁膜１０６，１０７．１０９および保護膜１１０等
の強度は、気化力より大きいので爆発は生じない。よっ
て、絶縁膜１０７．１０９および保護膜１１０を破るこ
とができないので、絶縁膜１０６内には空洞が生じる。
路への切り換え動作を説明する。レーザ光を溶着部１０
３の上面部分に位置するレーザ光照射部分Ｅに照射する
。レーザ光源としては、従来例と同様にＹＡＧレーザを
用いる。照射条件としては、出力が２−３μＪであり、
照射時間は４０〜５０ｎｓｅｃとする。但し、出力、照
射時間ともに、ヒユーズ１００の材質や寸法、溶着部分
１０１および１０２の間隔Ｃによって適当に調整を行な
う必要がある。レーザ光の照射により、溶着部１０３は
加熱され気化する。しかし、ヒユーズ１００を囲んでい
る絶縁膜１０６，１０７．１０９および保護膜１１０等
の強度は、気化力より大きいので爆発は生じない。よっ
て、絶縁膜１０７．１０９および保護膜１１０を破るこ
とができないので、絶縁膜１０６内には空洞が生じる。
そして気化した溶着部１０３は、空洞の壁面に均一に付
着するので溶着部分１０１および１０２は導通する。以
上でヒユーズの溶着が完了する。
着するので溶着部分１０１および１０２は導通する。以
上でヒユーズの溶着が完了する。
このように、本実施例における冗長回路への切り換えは
、ヒユーズを溶着せることにより行なう。
、ヒユーズを溶着せることにより行なう。
従って、従来例のように最適の爆発力を得るために絶縁
膜や保護膜の強度を考慮して、レーザ光の照射を厳密に
制御する必要はない。従来において、レーザ光照射の制
御が不十分なため爆発が失敗してヒユーズ部分が空洞に
なったり、ヒユーズが再付着して溶断不良を生じていた
が、本実施例ではその現象を逆に利用してヒユーズを溶
着させればよい。仮に、絶縁膜１０５の強度が気化力と
比較して、弱い場合、基板１０４の電位を例えばヒユー
ズ１００の電位と等しくすれば、冗長回路は正しく動作
する。
膜や保護膜の強度を考慮して、レーザ光の照射を厳密に
制御する必要はない。従来において、レーザ光照射の制
御が不十分なため爆発が失敗してヒユーズ部分が空洞に
なったり、ヒユーズが再付着して溶断不良を生じていた
が、本実施例ではその現象を逆に利用してヒユーズを溶
着させればよい。仮に、絶縁膜１０５の強度が気化力と
比較して、弱い場合、基板１０４の電位を例えばヒユー
ズ１００の電位と等しくすれば、冗長回路は正しく動作
する。
このように、本実施例におけるレーザ光照射の条件は、
レーザ光源の出力照射時間およびレーザ光照射部分の範
囲が拡大されるもので冗長回路への切り換えの成功率は
向上する。
レーザ光源の出力照射時間およびレーザ光照射部分の範
囲が拡大されるもので冗長回路への切り換えの成功率は
向上する。
また、従来では爆発を生じさせるためレーザ光照射窓を
設けていたが、本実施例では爆発を起こさせる必要はな
く照射窓は必要としない。
設けていたが、本実施例では爆発を起こさせる必要はな
く照射窓は必要としない。
さらに従来ではヒユーズの溶断部分は爆発により穴が開
く。この穴から不純物イオンが侵入するのを防ぐためカ
ードリンク等を設けていたが、本実施例ではその必要が
ない。よって、その分製造工程が減少し、素子面積を縮
小できるので、半導体装置の信頼性の向上が図れまた製
造コストを低減することができる。
く。この穴から不純物イオンが侵入するのを防ぐためカ
ードリンク等を設けていたが、本実施例ではその必要が
ない。よって、その分製造工程が減少し、素子面積を縮
小できるので、半導体装置の信頼性の向上が図れまた製
造コストを低減することができる。
第３図は、ヒユーズ溶着により冗長回路への切り換えを
行なうスイッチ回路図を示す。同図におイテ、端子Ｔ２
がＬレベルになると冗長回路は動作するものとする。溶
着部１０４ａおよび１０４ｂが解放されているとき、入
力端子Ｔ１がＨ（ＨＬｇｈ）レベルになると出力端子Ｔ
２はＬ（Ｌ。
行なうスイッチ回路図を示す。同図におイテ、端子Ｔ２
がＬレベルになると冗長回路は動作するものとする。溶
着部１０４ａおよび１０４ｂが解放されているとき、入
力端子Ｔ１がＨ（ＨＬｇｈ）レベルになると出力端子Ｔ
２はＬ（Ｌ。
Ｗ）レベルとなり、入力端子Ｔ１がＬレベルになると出
力端子Ｔ２はＨレベルとなる。溶着部１０４ａの電位は
常にＨレベルに設定されているので溶着部１０４ａおよ
び１０４ｂが溶着すると、ゲ−）Ｇの電位は常にＨレベ
ルとなる。よって入力端子Ｔ１に入力される信号のレベ
ルが変化しても、出力端子Ｔ２の電位は常にＬレベルと
なる。従って冗長回路が動作する。
力端子Ｔ２はＨレベルとなる。溶着部１０４ａの電位は
常にＨレベルに設定されているので溶着部１０４ａおよ
び１０４ｂが溶着すると、ゲ−）Ｇの電位は常にＨレベ
ルとなる。よって入力端子Ｔ１に入力される信号のレベ
ルが変化しても、出力端子Ｔ２の電位は常にＬレベルと
なる。従って冗長回路が動作する。
尚、この回路において、溶着後のゲートＧの電位は常に
Ｈレベルとなる。よってヒユーズ１００には電流がほと
んど流れない。このため、ヒユーズ１００の材質は電気
的導通性があれば十分であるので、材料選択の幅が拡大
される。
Ｈレベルとなる。よってヒユーズ１００には電流がほと
んど流れない。このため、ヒユーズ１００の材質は電気
的導通性があれば十分であるので、材料選択の幅が拡大
される。
尚、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく
、溶着により冗長回路が動作する構造であればよい。例
えば、第４図に示すようにヒユーズの形状をくしの歯状
にしても同様の効果を生じる。本実施例では、２つの部
分から形成された溶着部を半導体基板面に対し平行な平
面内に設けたが、半導体基板に対し高さ方向に設けても
よい。
、溶着により冗長回路が動作する構造であればよい。例
えば、第４図に示すようにヒユーズの形状をくしの歯状
にしても同様の効果を生じる。本実施例では、２つの部
分から形成された溶着部を半導体基板面に対し平行な平
面内に設けたが、半導体基板に対し高さ方向に設けても
よい。
第５図（ａ）は半導体基板の高さ方向に設けられた地形
状のヒユーズの平面図を示す。第５図（ｂ）は第５図像
）のヒユーズの断面図である。同図において２つの溶着
部分は半導体装置の高さ方向に配置されているが、上記
示した他実施例と同様に、レーザ光照射により溶着し、
同様の効果を生じる以上示したように、半導体装置の構
造の変化およびヒユーズの加工技術の進歩に伴なって、
ヒユーズの形状や材質等は適当に変化させて用いること
ができる。
状のヒユーズの平面図を示す。第５図（ｂ）は第５図像
）のヒユーズの断面図である。同図において２つの溶着
部分は半導体装置の高さ方向に配置されているが、上記
示した他実施例と同様に、レーザ光照射により溶着し、
同様の効果を生じる以上示したように、半導体装置の構
造の変化およびヒユーズの加工技術の進歩に伴なって、
ヒユーズの形状や材質等は適当に変化させて用いること
ができる。
［発明の効果］・
上記説明したように本発明の半導体装置は、冗長回路切
り換え部材、即ちヒユーズを溶着させることにより冗長
回路への切り換えを行なう。本発明は従来においてヒユ
ーズ溶断の際に問題となっていた爆発不良による空洞化
等の現象を逆に利用する。このため冗長回路へ切り換え
る成功率を上げるためレーザ光照射条件を厳密に制御す
る必要はなく、また半導体装置の構造を工夫する必要は
ない。従って冗長回路へ切り換える成功率が高くなり信
頼性の高いかつ製造コストの低い半導体装置を提供する
ことができる。また、従来ヒユーズ溶断に使用したレー
ザ装置をそのまま使えるので、新規の設備を導入する必
要はない。さらに第３図に示した回路構成の場合、ヒユ
ーズは電気的導通があればよく、従来の溶断型ヒユーズ
のように抵抗値の低い材質を用いる必要はない。よって
ヒユーズ材質の選択の幅が拡大するという効果を有する
。
り換え部材、即ちヒユーズを溶着させることにより冗長
回路への切り換えを行なう。本発明は従来においてヒユ
ーズ溶断の際に問題となっていた爆発不良による空洞化
等の現象を逆に利用する。このため冗長回路へ切り換え
る成功率を上げるためレーザ光照射条件を厳密に制御す
る必要はなく、また半導体装置の構造を工夫する必要は
ない。従って冗長回路へ切り換える成功率が高くなり信
頼性の高いかつ製造コストの低い半導体装置を提供する
ことができる。また、従来ヒユーズ溶断に使用したレー
ザ装置をそのまま使えるので、新規の設備を導入する必
要はない。さらに第３図に示した回路構成の場合、ヒユ
ーズは電気的導通があればよく、従来の溶断型ヒユーズ
のように抵抗値の低い材質を用いる必要はない。よって
ヒユーズ材質の選択の幅が拡大するという効果を有する
。
第１図は本実施例の溶着型ヒユーズの平面図、第２図は
半導体装置に組み込まれた第１図のヒユーズの断面図、
第３図は冗長回路への切り換えのためのスイッチ回路図
、第４図はくしの歯型の形状を有するヒユーズを示した
図、第５図像）は雌形状のヒユーズを示した図、第５図
（ｂ）は第５図〈□□□のヒユーズの断面図、第６図は
従来例のレーザ溶断型ヒユーズの平面図、第７図は半導
体装置に組み込まれた第６図のヒユーズの断面図である
。 １００・・・ヒユーズ １０１．１０２・・・溶着部分 １０３・・・溶着部 １０４ａ、１０４ ｂ−・・接続部 １０５・・・半導体基板（ウェル） １０６．１０７．１０９・・・絶縁膜 １０８・・・溶着素子 １１０・・・保護膜Ａ、
Ｂ・・・溶着部分の幅 Ｄ・・・ドレインＥ・・・レ
ーザ光照射部分 Ｇ・・・ゲートＳ・・・ソース
Ｔ１・・・入力端子Ｔ２・・・出力端子
半導体装置に組み込まれた第１図のヒユーズの断面図、
第３図は冗長回路への切り換えのためのスイッチ回路図
、第４図はくしの歯型の形状を有するヒユーズを示した
図、第５図像）は雌形状のヒユーズを示した図、第５図
（ｂ）は第５図〈□□□のヒユーズの断面図、第６図は
従来例のレーザ溶断型ヒユーズの平面図、第７図は半導
体装置に組み込まれた第６図のヒユーズの断面図である
。 １００・・・ヒユーズ １０１．１０２・・・溶着部分 １０３・・・溶着部 １０４ａ、１０４ ｂ−・・接続部 １０５・・・半導体基板（ウェル） １０６．１０７．１０９・・・絶縁膜 １０８・・・溶着素子 １１０・・・保護膜Ａ、
Ｂ・・・溶着部分の幅 Ｄ・・・ドレインＥ・・・レ
ーザ光照射部分 Ｇ・・・ゲートＳ・・・ソース
Ｔ１・・・入力端子Ｔ２・・・出力端子
Claims (4)
- （１）冗長回路と、 所定の間隔を保って配置された二つの部分より構成され
、一方の部分は前記冗長回路の端子と接続され、他方の
部分は該冗長回路を動作させるための所定の端子と接続
され、該一方の部分と該他方の部分とを導通させること
により該冗長回路を動作させる冗長回路切り換え部材と
、 前記冗長回路切り換え部材を密閉するように形成せられ
た絶縁層とを具備すること、 を特徴とする半導体装置。 - （２）前記一方の部分は凹型の平板状で形成され、前記
他方の部分は長方形の平板状で形成され、該一方の部分
の凹部内に該他方の部分が所定間隔を保って配置せられ
ていること、 を特徴とする請求項（１）記載の半導体装置。 - （３）前記一方の部分および他方の部分はくしの歯型の
平板状に形成されており、該一方の部分および他方の部
分は互いに所定間隔を保ちくしの歯部分がかみ合うよう
にして配置せられていること、を特徴とする請求項（１
）記載の半導体装置。 - （４）前記一方の部分および他方の部分は平板状で形成
されており、該一方の部分は該他方の部分の上部に対し
、互いに所定間隔を保って配置せられていること、 を特徴とする請求項（１）記載の半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180511A JPH0346256A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置 |
| KR1019900010720A KR910003800A (ko) | 1989-07-14 | 1990-07-14 | 반도체장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1180511A JPH0346256A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0346256A true JPH0346256A (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=16084530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1180511A Pending JPH0346256A (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0346256A (ja) |
| KR (1) | KR910003800A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268638B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Metal wire fuse structure with cavity |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6896561B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2021-06-30 | 株式会社東芝 | 軽水炉用燃料集合体、軽水炉炉心、軽水炉用燃料集合体製造方法およびｍｏｘ燃料集合体製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195843A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6193643A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-05-12 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | レ−ザ・ビ−ムでプログラムし得る半導体装置と半導体装置の製法 |
| JPH0196954A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の抵抗トリミング方法 |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1180511A patent/JPH0346256A/ja active Pending
-
1990
- 1990-07-14 KR KR1019900010720A patent/KR910003800A/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59195843A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-07 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS6193643A (ja) * | 1984-07-18 | 1986-05-12 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | レ−ザ・ビ−ムでプログラムし得る半導体装置と半導体装置の製法 |
| JPH0196954A (ja) * | 1987-10-08 | 1989-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の抵抗トリミング方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268638B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Metal wire fuse structure with cavity |
| US6566238B2 (en) | 1999-02-26 | 2003-05-20 | Infineon Technologies Ag | Metal wire fuse structure with cavity |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910003800A (ko) | 1991-02-28 |
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