JPH02296361A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
- Publication number
- JPH02296361A JPH02296361A JP11790789A JP11790789A JPH02296361A JP H02296361 A JPH02296361 A JP H02296361A JP 11790789 A JP11790789 A JP 11790789A JP 11790789 A JP11790789 A JP 11790789A JP H02296361 A JPH02296361 A JP H02296361A
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- JP
- Japan
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- capacitor
- manufacturing process
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- polysilicon layer
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- Pending
Links
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- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 12
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体集積回路の製造時に８けるチャージア
ンプ（こよるコンデンサの破壊を防止するための構成法
に関するものである。
ンプ（こよるコンデンサの破壊を防止するための構成法
に関するものである。
従来、半導体集積回路を製造する際に種々のイオン注入
が行なわれるのが一般的である。又、このイオン注入の
際にキャパシタを形成する一方の電極がチャージアップ
を生じ、その電位が上昇することによりキャパシタの絶
縁膜を破壊を生じ、半導体集積回路の製造歩留りを低下
させることが良く知られている。
が行なわれるのが一般的である。又、このイオン注入の
際にキャパシタを形成する一方の電極がチャージアップ
を生じ、その電位が上昇することによりキャパシタの絶
縁膜を破壊を生じ、半導体集積回路の製造歩留りを低下
させることが良く知られている。
従来はこの間鵜に対処するためイオン注入時に。
同時に電子雲を吹きつけて電気的に中和させることによ
り、キャパシタ破壊を防止することが行なわれていた。
り、キャパシタ破壊を防止することが行なわれていた。
しかしながら、従来の半導体集積回路は以上のように構
成されていたので電気的に中和させることはその制御が
困難であり、なかなかチャバシタ破壊を完全に防止する
ことはできない乏いつ問題をかあった。
成されていたので電気的に中和させることはその制御が
困難であり、なかなかチャバシタ破壊を完全に防止する
ことはできない乏いつ問題をかあった。
この発明は上記のような問題点を除去するためになされ
たもので、半導体集積回路のイオン注入時（こキャパシ
タのチャージアンプを防止ｒることのできる半導体集積
回路の構成法を得ることを目的とする。
たもので、半導体集積回路のイオン注入時（こキャパシ
タのチャージアンプを防止ｒることのできる半導体集積
回路の構成法を得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段および作用〕この発明に係
る半導体集積回路はキャパシタを形成する２つの対向電
極をイオン注入時に電気的（こ短絡されるように構成し
、製造プロセスの最終工程にてこの対向電極を開放状態
にすることにより、製造工程中のチャージアップによる
キャパシタ破壊を防止する。
る半導体集積回路はキャパシタを形成する２つの対向電
極をイオン注入時に電気的（こ短絡されるように構成し
、製造プロセスの最終工程にてこの対向電極を開放状態
にすることにより、製造工程中のチャージアップによる
キャパシタ破壊を防止する。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明一実施例である半導体集積回路のキャパシ
タの構成法を示す平面図、第２図は第１図のＩＩ−ＩＩ
線における断面図である。図中、（１）はキャパシタの
一方の電極を成すｎ＋拡散層、（２）はキャパシタの他
方の１［極を成すポリシリコン層、（３）は？拡散層（
１）とポリシリコン層（２）とが直接接触している埋め
込みコンタクトを示す。通常、埋め込みコンタクト（３
）はマスク（こより選択的に酸化膜をエンチングするこ
とにより形成される。この埋め込みコンタクト（３）の
ような部分を形成することは半導体集積口路を構成する
場合よく用いられる手法、特に新たな工程を必要さする
ことはない。
図はこの発明一実施例である半導体集積回路のキャパシ
タの構成法を示す平面図、第２図は第１図のＩＩ−ＩＩ
線における断面図である。図中、（１）はキャパシタの
一方の電極を成すｎ＋拡散層、（２）はキャパシタの他
方の１［極を成すポリシリコン層、（３）は？拡散層（
１）とポリシリコン層（２）とが直接接触している埋め
込みコンタクトを示す。通常、埋め込みコンタクト（３
）はマスク（こより選択的に酸化膜をエンチングするこ
とにより形成される。この埋め込みコンタクト（３）の
ような部分を形成することは半導体集積口路を構成する
場合よく用いられる手法、特に新たな工程を必要さする
ことはない。
（４）はポリシリコン層（２）を特に細く配線したヒュ
ズ領域で、この部分は電気的にはヒユーズの役目を果す
。
ズ領域で、この部分は電気的にはヒユーズの役目を果す
。
以上のような構成のキャパシタにおいて半導体集積回路
製造中の工程でイオン注入がなされたとする。この場合
、埋め込みコンタクト（３）の接触部分が無いとすれば
、注入によりポリシリコン層（２）の電位がｎ十数散領
域（１）の電位に比べて上昇して行き、遂にはキャパシ
タの薄い絶縁膜（５）が破壊するに至る。しかしながら
、この発明のよう（こａ４（領域（３）によりキャパシ
タの２つの対向′電極が短絡されていれば、２つの電極
の間に電位差は生じるこトカナ＜−従ってキャパシタの
破壊は生じない。
製造中の工程でイオン注入がなされたとする。この場合
、埋め込みコンタクト（３）の接触部分が無いとすれば
、注入によりポリシリコン層（２）の電位がｎ十数散領
域（１）の電位に比べて上昇して行き、遂にはキャパシ
タの薄い絶縁膜（５）が破壊するに至る。しかしながら
、この発明のよう（こａ４（領域（３）によりキャパシ
タの２つの対向′電極が短絡されていれば、２つの電極
の間に電位差は生じるこトカナ＜−従ってキャパシタの
破壊は生じない。
一方、このままではキャパシタとしての役目を果さない
ため、最終的には２つの電極を開放状態にする必要があ
る。
ため、最終的には２つの電極を開放状態にする必要があ
る。
このため、すべてのイオン注入工程が終わった時点で、
ヒユーズ（４）を切断する必要がある。ヒユーズ（４）
の切断法（こも種々考えられるが、例えばレザー光線に
より切断する方法が考えられる。
ヒユーズ（４）を切断する必要がある。ヒユーズ（４）
の切断法（こも種々考えられるが、例えばレザー光線に
より切断する方法が考えられる。
半」体記憶装置の場合、このレーザー光線【こよるヒユ
ーズの切断は、不良回路を正常回路と置換するために通
常よく使われる手段であり、特に製造工程が複雑になる
ことはない。また、すべてのキャパシタをこの発明の構
成にする必要はなく、キャパシタ破壊が生じるのは、比
較的大きな面積を持つものに限られるため、それらにの
みこの発明の構成を適用すればよく、従って、切断すべ
きヒユーズの数もあまり多くはならず、切断に長時間を
要することもない。
ーズの切断は、不良回路を正常回路と置換するために通
常よく使われる手段であり、特に製造工程が複雑になる
ことはない。また、すべてのキャパシタをこの発明の構
成にする必要はなく、キャパシタ破壊が生じるのは、比
較的大きな面積を持つものに限られるため、それらにの
みこの発明の構成を適用すればよく、従って、切断すべ
きヒユーズの数もあまり多くはならず、切断に長時間を
要することもない。
なお、上記実施例では計数散層（１）とポリシリコン層
＋２）を２つの電極とするキャパシタの構成法の場合（
こついて説明したが、２つの電極は上記のものに限られ
ることは無く、例えば異なる２層のポリシリコン層で形
成されるキャパシタｔこついても同様の構成をとること
が可能で、上記実施例と同一の効果が得られる。
＋２）を２つの電極とするキャパシタの構成法の場合（
こついて説明したが、２つの電極は上記のものに限られ
ることは無く、例えば異なる２層のポリシリコン層で形
成されるキャパシタｔこついても同様の構成をとること
が可能で、上記実施例と同一の効果が得られる。
以上のよう（ここの発明によれば、半導体集積回路の構
成デバイスであるキャパシタを形成する２つの対向電極
を製造工程中は短絡して置き、製造工程の最終段階で開
放するように構成したので、Ｍ造工程中のイオン注入等
によるチャージ゛γンフによるキャパシタ破壊を防止す
るこ古ができ、高歩留りの半導体集積回路が得られる効
果がある。
成デバイスであるキャパシタを形成する２つの対向電極
を製造工程中は短絡して置き、製造工程の最終段階で開
放するように構成したので、Ｍ造工程中のイオン注入等
によるチャージ゛γンフによるキャパシタ破壊を防止す
るこ古ができ、高歩留りの半導体集積回路が得られる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体集積回路のキ
ャパシタ構成方法を示す平面図、第２図は第１図のＩｔ
−ＩＩ線に８ける断面図である。 図において、（１）・・ｎ十数散層（キャパシタの一方
の電極【（２）・・・ポリシリコン層（キャパシタの他
方の電極） 、（３）・埋め込みコンタクト（対向電極
の短絡箇所） 、 （４）・・・ポリシリコン層（ヒユ
ーズ）、（５）・酸化膜（キャパシタの誘電体）。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ャパシタ構成方法を示す平面図、第２図は第１図のＩｔ
−ＩＩ線に８ける断面図である。 図において、（１）・・ｎ十数散層（キャパシタの一方
の電極【（２）・・・ポリシリコン層（キャパシタの他
方の電極） 、（３）・埋め込みコンタクト（対向電極
の短絡箇所） 、 （４）・・・ポリシリコン層（ヒユ
ーズ）、（５）・酸化膜（キャパシタの誘電体）。 なお１図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体集積回路の構成要素であるキャパシタの第１及び
第２の対向電極が、前記半導体集積回路の製造工程中は
電気的に短絡される手段を有し、かつ、製造の最終工程
で開放される手段を有することを特徴とする半導体集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11790789A JPH02296361A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11790789A JPH02296361A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02296361A true JPH02296361A (ja) | 1990-12-06 |
Family
ID=14723142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11790789A Pending JPH02296361A (ja) | 1989-05-11 | 1989-05-11 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02296361A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525427B2 (en) | 1999-01-04 | 2003-02-25 | International Business Machines Corporation | BEOL decoupling capacitor |
| JP2007189094A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Ｍｉｓ型コンデンサ及びｍｉｓ型コンデンサの製造方法 |
| JP2009076777A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381842A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-11 JP JP11790789A patent/JPH02296361A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6381842A (ja) * | 1986-09-25 | 1988-04-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6525427B2 (en) | 1999-01-04 | 2003-02-25 | International Business Machines Corporation | BEOL decoupling capacitor |
| JP2007189094A (ja) * | 2006-01-13 | 2007-07-26 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Ｍｉｓ型コンデンサ及びｍｉｓ型コンデンサの製造方法 |
| JP2009076777A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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