JPS5989434A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、大容量のＤ−ＲＡＭ、Ｃ−１ｔ／ＩＯＳスタ
テイツク〜Ｗ等に使用されるヒユーズに関するものであ
る。

〔従来技術〕

一般に特開昭５２−２８２８０号公報、特開昭５２−１
１５６７４号公報に示されるようなヒユーズ構造は周知
である。

かかるヒーーズは、第１図（５）（Ｂ）に示されるよう
に、半導体基体（１）に形成したＬＯＧＯ８構造の厚い
絶縁膜１２）の上面に薄い絶縁膜（３）を形成し、更に
配線構造にしたポリシリコン配線（４）を構成したもの
である。このポリシリコン配線（４）には、アルミニウ
ム配線（５）が接続され、例えば、電源（図示していな
い。）あるいはデータ線（図示していない。）に接線さ
れている。そして、このような構造にして形成した半導
体装置には、低温保膿膜（６）をもって、上記ポリコン
配線（４）、アルミニウム配線（５）を外気より保護し
ている。

〔従来技術の問題点ｊ ところで、これらヒユーズにあっては、必要に応じてレ
ーザ溶断が行なわれる。それら溶断は、保護膜（６）の
一部に溶断のだめの窓（力を写真蝕刻を用いて形成シ２
、そこからレーザを照射し、ポリシリコン配線を焼き切
ることで実現している。

しかしながら、これらヒユーズにあっては、上述の焼き
切りが、具体的にはポリシリコン配線が局部的に飛ぶ格
好で行なわれるため、ポリシリコン配線（４）の密着性
が悪かったり、保護膜（６）の形成状態が悪かったシす
ると、ポリシリコン配線（４）は、窓（７）の部分だけ
が飛ぶのではなく、他の配線部分、保護膜をも同時に飛
ばしてしまうことがあった。

このような事態が生ずると、飛んだ破片がペレット面に
着床し、例えば、ポンディングパッド部分に着床したり
すると、ボンディングミスが生じ、素子を不良品として
しまっていた。

また、これら、問題点は、保護膜（６）を形成する前に
溶断を行う構造において顕著である。すなわち、これら
は、保護膜（６）を形成する前に、窓部分（力に照準全
台わせ溶断を行う場合において生ずる。

すなわち、このときポリシリコン配線（４）の密着性が
悪かったりすると、ポリシリコン配線（６）の飛散が他
の部分にまで及んでしまい、時として、ポリまでが飛散
することがある。この場合、飛散したポリシリコン片、
アルミニウム片は、パターニングされたアルミニウム配
線間を短絡することがあり、素子は不良品となってしま
っていた。

〔発明の目的〕

本発明は上記欠点に鑑みて考え出された半導体装置に関
するものであり、半導体装置の一部にヒーーズを要する
装置において、それらヒーーズを溶断する際、飛散する
破片が大きくならないようにしたヒユーズ構造を提供す
ることを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明の特徴とするところは、レーザを照射し、溶断す
るヒーーズ部分を限定することである。すなわち、ヒユ
ーズ溶断に際し、溶断部分は飛散するが、それら飛散部
分が他に及ばないよう、ちぎれ部分を形成することに特
徴がある。それらちぎれ部分は、具体的には配線の断面
積を他の部分より小さくすることで実現する。それらは
、平面パターンにおいて形成できるし、断面方向におい
て形成できる。そして、それらは平面パターンと断面構
造を併用することができる。

〔発明の実施例〕

では、上記目的、構成をよりよく理解するため、本発明
の一実施例を、第２図（４）（Ｂ）を用いて詳細に説明
する。尚、第２図（Ａ）の）において、第１図囚（Ｂ）
に重複する部分は同一符号を付し、その説明を省略する
。

第２図（５）（Ｂ）には、溶断されたヒユーズが示され
ている。これらヒユーズにおいて、第１図（Ａ）　（Ｂ
）と相異しているのは、ポリシリコン配線（４）に、溶
断部（８）が形成されていることである。この溶断部（
８）は、平面寸法ａを、配線部（４）の寸法Ｃ１接続部
（９）の寸法すに比してｂ　（ａ　（ｃとするようにし
ている。このように寸法ａ　、ｂ　、ｃを設定する理由
は、レーザにより、溶断部（８）を飛散きせるとき、そ
の応力が配線部（４）に及んでも、応力の弱い接続部（
９）においてちぎれ、配線部（４）が溶断部と共に飛ば
ないようにするだめである。

したがって、第２図（５）（［３）によるヒユーズ構成
によれば溶断される（飛ぶ）ヒーーズは溶断部だけであ
るので、飛散する破片は小規模となり、ベレット外に飛
散するようになる。しだがって、それら破片による不良
がなくなる。

第３図〜第６図には、本発明に対する他の平面パターン
が示さる。そして、これらによっても、夫々、溶断部（
８）よりも幅せまい接続部（９）を有するので、飛散は
溶断部においてなされる。

したがって、これらにおいても、第２図（Ａ）　（Ｂ）
と同様の効果を萎する。

第７図によれば、溶断部（８）と配線部（４）とを接続
する部分（９）を、断面構造において小さくする構成が
示されている。これら構成は、溶断部（８）の断面厚さ
寸法ｅを、接続部（９）の断面厚さ寸法ｄに比して、ｄ
（ｅとするものであるが、これらによっても、溶断部１
１＆が飛散するとき、接続部（９）がちぎれるので、不
用な配線が飛ぶことはなく、配線間の短絡をひき起こす
ようなことはなくなる。

〔発明の効果〕

以上、従来のヒユーズであると、溶断部をレーザによっ
て飛弾させる場合、ヒコーズ（配線）の被着状態が悪か
ったり、形成状態が悪かったりすると、配線全体が破片
となって飛散してしまうことがあったものだが、本発明
によれば、溶断部を、配線部分とは別に形成し、接続部
をもって連結するような構造としたものなので、溶断部
をレーザによって飛ばす場合、溶断部、配線部の形成状
態が悪くても、応力の小さい接続部より溶断部は切り離
されることとなり、ヒコーズ全体が飛散するようなこと
はなくなる。

したがって、本発明によれは溶断による破片が、１４極
バツドに飛来し、ボンディングミスをひき起こすような
ことはなくなるし、アルミニウム配線をむき出しの状態
にて切断を行なったとしても、破片がそれら配線の上に
飛来することがないので、短絡が起こることがないし、
それらの上に低温保ｔφ膜を形成したとき、ピンホール
が起こる心配もない。

したがちて、本発明によれば、ヒコーズ溶断に供うボン
ディングミス、アルミニウム配線の短絡、ピンホールに
供うアルミニウムコロ−ジョンを防止することができる
。

尚、本発明は、ここに提示した実施例のみならず特許請
求の範囲の許す限りの範囲内において改変を加え得るこ
とは明らかである。例えば、ヒーーズの切断はここにお
いてはレーザを使っているが、エツチングによる切断で
もよい。そして、このエツチングの切断にあっては、接
続部、溶断部の不純物濃度を高く設定し、エツチング速
度を速めるものとしでおくと効果的である。

【図面の簡単な説明】

果［図（Ａ）　（Ｂ）は、従来ヒーーズの平面図及びそ
の平面図をＡ−Δ′に沿って切断した断面図、第２図（
Ａ）ＣＢ）は、本発明ヒーーズの平面図及びその平面図
を１ト１′に沿って切断した断面図、第３図〜第６図は
、本発明に関連する他の平面図、第７図は本発明に関連
する他の断面図である。 １・・・半導体基体、２・・・厚い絶縁膜、３・・・薄
い絶縁膜、４・・・ポリシリコン配線（ヒコーズ）、５
・・・アルミニウム配線、６・・・保強膜、７・・レー
ザ窓、８・・・溶断部、９・・・接続部。 Ｕ 了１図 ＜１．、ｒ （１３＋ ′ｆ２（￥］

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 σ （１１ヒユーズを回路部舊として備える半導体装置にお
   いて、上記ヒユーズの中央切断々面積を、両端切断々面
   積より大とするようにしたことを特徴とする半導体装置
   。 （２、特許請求の範囲第１項に記載した夫々の断面積を
   垂直方向の寸法を一定とし、平面方向の寸法を異ならせ
   ることにより実現し）だことを特徴とする半導体装置。 （３）特許請求の範囲第１項に記載した人々の断面積を
   平面方向の寸法を一定とし、垂直方向の寸法を異ならせ
   ることにより実現したことを特徴とする半導体装置。