JPS6091654A - 半導体装置におけるレ−ザトリム用ヒユ−ズ - Google Patents
半導体装置におけるレ−ザトリム用ヒユ−ズInfo
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- JPS6091654A JPS6091654A JP58201747A JP20174783A JPS6091654A JP S6091654 A JPS6091654 A JP S6091654A JP 58201747 A JP58201747 A JP 58201747A JP 20174783 A JP20174783 A JP 20174783A JP S6091654 A JPS6091654 A JP S6091654A
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- JP
- Japan
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- fuse
- laser
- laser beam
- energy
- semiconductor device
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
- H01L23/5258—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は読み出し専用メモリ（ＲＯＭ） 、プログラ
マブル・ワイヤードψロジック（ＰＷＬ）などの半導体
集積回路装置（ＩＣ）内に多数個それぞれ所要個所に組
込まれ、それらのうちの任意のものをレーザ光の照射に
よって溶断（レーザ） ＩＪム）することによって所望
のプログラミングなどを行うだめのレーザ） ＩＪム用
ヒユーズの改良に関するものである。
マブル・ワイヤードψロジック（ＰＷＬ）などの半導体
集積回路装置（ＩＣ）内に多数個それぞれ所要個所に組
込まれ、それらのうちの任意のものをレーザ光の照射に
よって溶断（レーザ） ＩＪム）することによって所望
のプログラミングなどを行うだめのレーザ） ＩＪム用
ヒユーズの改良に関するものである。
第１図は従来のこの種ヒユーズの構造を示す平面図、第
２図はそのト」線での拡大断面図で、（１）は基板、（
２１はヒユーズ、（３）は他の配線材料とのコンタクト
部分、（４）はヒユーズ（２）を包む絶縁膜である。第
１図では絶縁膜（４）を省略して示しである。
２図はそのト」線での拡大断面図で、（１）は基板、（
２１はヒユーズ、（３）は他の配線材料とのコンタクト
部分、（４）はヒユーズ（２）を包む絶縁膜である。第
１図では絶縁膜（４）を省略して示しである。
このヒユーズ（２）を溶断させるには第２図に矢印ａで
示すようにレーザ光を照射し、そのエネルギーによる加
熱によって行う。その溶断限界はレーザ光のエネルギー
、ヒユーズ（２）の形状などによって決まっている。当
然レーザ光のエネルギーの強いはど溶断じ易いが、この
場合、ヒユーズ（２）の下層の基板（１）にクラックを
生じて、電気的リークを生じたり、隣接ヒユーズをも溶
断する危険性があるＯ ところで、第２図に示した従来の構造では、入射レーザ
光ａの一部はヒユーズ（２）の表面で図示破線矢印すで
示すように反射され、この反射光すは再びヒユーズ（２
）に入射しないので、レーザ光のエネルギー損失を生じ
る。従って、ヒユーズ（２）の溶断には強い入射レーザ
光エネルギーを必要とし、上述の危険性があり問題があ
った。
示すようにレーザ光を照射し、そのエネルギーによる加
熱によって行う。その溶断限界はレーザ光のエネルギー
、ヒユーズ（２）の形状などによって決まっている。当
然レーザ光のエネルギーの強いはど溶断じ易いが、この
場合、ヒユーズ（２）の下層の基板（１）にクラックを
生じて、電気的リークを生じたり、隣接ヒユーズをも溶
断する危険性があるＯ ところで、第２図に示した従来の構造では、入射レーザ
光ａの一部はヒユーズ（２）の表面で図示破線矢印すで
示すように反射され、この反射光すは再びヒユーズ（２
）に入射しないので、レーザ光のエネルギー損失を生じ
る。従って、ヒユーズ（２）の溶断には強い入射レーザ
光エネルギーを必要とし、上述の危険性があり問題があ
った。
この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、ヒ
ユーズの形状を工夫することによって、レーザ反射光を
もヒユーズ溶断に利用し、低エネルギーの入射レーザ光
で溶断可能なレーザトリム用ヒユーズを提供するもので
ある。
ユーズの形状を工夫することによって、レーザ反射光を
もヒユーズ溶断に利用し、低エネルギーの入射レーザ光
で溶断可能なレーザトリム用ヒユーズを提供するもので
ある。
第３図はこの発明の第１の実施例の構成を示す平面図、
第４図はそのＪＴ−ＩＶ線での拡大断面図で、従来例と
同等部分は同一符号で示す。第３図も絶縁膜（４）を省
略して示しである。図において、（５）は島状層、（６
）はヒユーズ（２）の表面に形成された■溝（凹部）で
、ヒユーズ（２）はその両側部が、この島状層（５）の
上方に乗るように構成され、■字形断面形状をなしてい
るので表面に■溝（６）が形成されている。
第４図はそのＪＴ−ＩＶ線での拡大断面図で、従来例と
同等部分は同一符号で示す。第３図も絶縁膜（４）を省
略して示しである。図において、（５）は島状層、（６
）はヒユーズ（２）の表面に形成された■溝（凹部）で
、ヒユーズ（２）はその両側部が、この島状層（５）の
上方に乗るように構成され、■字形断面形状をなしてい
るので表面に■溝（６）が形成されている。
このようにすることによって、第４図に示すようにレー
ザ反射光すは再びヒユーズ（２）に入射するので、レー
ザ光のエネルギー損失は減少し、ヒユーズ溶断に必要な
レーザ光エネルギーは低くて済む。従って、基板のクラ
ック、隣接ヒユーズの溶断の発生を抑えることができる
Ｏ 第５図および第６図はそれぞれこの発明の第２および第
３の実施例の構成を示す平面図で、第２の実施例では島
状層（５）をヒユーズ（２）の長手方向に互いに離れた
位置にヒユーズ（２）を横切るように形成し、ヒユーズ
（２）をその長さの中央部で折り曲げるようにしたもの
であり、第３の実施例では島状層（５）をヒユーズ（２
）の中央部に四部を有するように形成し、ヒユーズ（２
）にも当該部分に凹部を形成するようにしたものであり
、いずれも第１の実施例と同等の効果を有する０ 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明ではヒユーズの表面に凹
部を設け、その表面での反射レーザ光を再び当該ヒユー
ズに入射するようにしたので、反射によるレーザ光エネ
ルギーの損失を少くすることができ、低エネルギーの入
射レーザ光で溶断が可能で、過大レーザ光エネルギーに
よる基板クラックの発生や、不測の隣接ヒユーズの溶断
のないすぐれたレーザトリム用ヒユーズが得られる０
ザ反射光すは再びヒユーズ（２）に入射するので、レー
ザ光のエネルギー損失は減少し、ヒユーズ溶断に必要な
レーザ光エネルギーは低くて済む。従って、基板のクラ
ック、隣接ヒユーズの溶断の発生を抑えることができる
Ｏ 第５図および第６図はそれぞれこの発明の第２および第
３の実施例の構成を示す平面図で、第２の実施例では島
状層（５）をヒユーズ（２）の長手方向に互いに離れた
位置にヒユーズ（２）を横切るように形成し、ヒユーズ
（２）をその長さの中央部で折り曲げるようにしたもの
であり、第３の実施例では島状層（５）をヒユーズ（２
）の中央部に四部を有するように形成し、ヒユーズ（２
）にも当該部分に凹部を形成するようにしたものであり
、いずれも第１の実施例と同等の効果を有する０ 〔発明の効果〕 以上説明したように、この発明ではヒユーズの表面に凹
部を設け、その表面での反射レーザ光を再び当該ヒユー
ズに入射するようにしたので、反射によるレーザ光エネ
ルギーの損失を少くすることができ、低エネルギーの入
射レーザ光で溶断が可能で、過大レーザ光エネルギーに
よる基板クラックの発生や、不測の隣接ヒユーズの溶断
のないすぐれたレーザトリム用ヒユーズが得られる０
第１図は従来のレーザトリム用ヒユーズの構成を示す平
面図、第２図はそのＩ−１線での拡大断面図、第３図は
この発明の第１の実施例の構成を示す平面図、第４図は
そのＩＶ−ＩＶ線での拡大断面図、第５図および第６図
はこの発明の第２および第３の実施例の構成を示す平面
図である０ 図において、（２）はヒユーズ、（５）は島状層、（６
）は凹部（Ｖ溝）である０ なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
面図、第２図はそのＩ−１線での拡大断面図、第３図は
この発明の第１の実施例の構成を示す平面図、第４図は
そのＩＶ−ＩＶ線での拡大断面図、第５図および第６図
はこの発明の第２および第３の実施例の構成を示す平面
図である０ 図において、（２）はヒユーズ、（５）は島状層、（６
）は凹部（Ｖ溝）である０ なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大岩増雄
Claims (2)
- （１）半導体装置に組み込まれ、必要に応じてレーザ光
の照射によって溶断されるレーザトリム用ヒユーズにお
いて、表面の上記レーザ光の照射部位に凹部を設り当該
部位における上記レーザ光の反射光が再び当該ヒユーズ
に入射するようにしたことを特徴どする半導体装置にお
けるレーザトリム用ヒユーズ。 - （２） ヒユーズの下層に所要形状の島状層を設けるこ
とによって上記ヒユーズの表面に四部を形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置にお
けるレーザトリム用ヒユーズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201747A JPS6091654A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体装置におけるレ−ザトリム用ヒユ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58201747A JPS6091654A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体装置におけるレ−ザトリム用ヒユ−ズ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6091654A true JPS6091654A (ja) | 1985-05-23 |
Family
ID=16446267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58201747A Pending JPS6091654A (ja) | 1983-10-25 | 1983-10-25 | 半導体装置におけるレ−ザトリム用ヒユ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6091654A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665638A (en) * | 1994-07-07 | 1997-09-09 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for repairing a defect generated cell using a laser |
| US20180247903A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | Sii Semiconductor Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device |
-
1983
- 1983-10-25 JP JP58201747A patent/JPS6091654A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665638A (en) * | 1994-07-07 | 1997-09-09 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for repairing a defect generated cell using a laser |
| US20180247903A1 (en) * | 2017-02-24 | 2018-08-30 | Sii Semiconductor Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device |
| KR20180098120A (ko) | 2017-02-24 | 2018-09-03 | 에이블릭 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP2018139251A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | エイブリック株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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