JPS6288338A - 半導体記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体記憶装置に関し、特に、ビームにより溶
断するヒューズの改良に関する。

〔従来の技術〕

近年、半導体記憶装置ｔは、記憶容量の増大とともに、
チップ内に冗長回路を有するものが作られるようになっ
てきた。これは、あらかじめ半導体チップ内に予備のメ
モリセルを形成しておき、不良のメモリセルを前記予備
のメモリセルとおきかえることにより、本来、不良品と
なるべき半導体チップを良品として救所１−１歩首りを
高めることを目的としたものである。

上で述べた予備のメモリセルとの置きかえは、冗長回路
を機能させることで行なうが、前記冗長回路への切りか
えし、１、一般に、回路内に設けられたヒユーズを解析
することにより実現される。

ヒューズの溶断方法とｊ−では、大電流を流して溶断す
る方法と、半導体チップの外部からレーザー等のビーム
を照射１−て溶断する方法とがある。

しかるに、前者の方法の場合、大電流を流すだめの大き
なトランジスタを半導体チップ内に設けなければならず
、チップ面積の増大をもたらすので、一般には、ビーム
による溶断という方法が用いられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかるに、上述した、ビームによる溶断に於いては、ヒ
ューズの溶断部分以外に照射されたビ−ムにより、絶縁
膜を損傷し、この部分より、アルカリイオンなどが侵入
し、半導体素子の電気特性を劣下させる可能性がある。

このため、ビームの位置合せ精度を上げて、ヒ↓−ズの
溶断部分以外へのビーム照射を最小限に抑えるか、ある
いは、ビーム径を絞り、何度も照射することでヒューズ
を溶断するといった方法が用いられているが、いずれの
場合も、ヒューズの溶断に要する時間が増大し、処理能
力が低下してしまうという欠点があった。

本発明は、上記欠点を解消し、ヒユーズの溶断部分以外
のＩＰ！縁膜の損鴎を最小限に抑え、かつ、溶断時間を
大きくすることのないヒユーズを提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、ビームにより溶断されるヒユーズの溶断部分
の周囲領域を、ヒユーズに用いられた物質より、ビーム
に対する反射率の大きな物質で覆うことにより構成され
る。

〔実施例〕

以下、実ｌ！Ｍ例により本発明の詳細な説明する。

第１図に本発明の一実施例の平面図を示す。

第１図に於すて、ヒユーズは多結晶シリコン１で構成さ
れており、溶断部分を囲むようにして」二記多結晶シリ
コン１より上ｊ−のアルミニウム２でおおわれている。

ここで、アルミニウムは、多結晶シリコンと比較し、レ
ーザービームに対する反射率が大きいので、ビーム強度
を、ａ当にえらび、多結晶シリコンのみが溶断するよう
にすれば、ヒユーズの溶断部分よりビームがはずれても
、基板はアルミニウムにより保護され、損傷をうけるこ
とはない。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、ビームにより溶断する
ヒユーズの溶断部分の周囲領域を、ヒューズを構成する
物質よりビームに対する反射率の大きな物質で覆うこと
により、ヒユーズの溶断部分以外の絶縁膜の損傷を最小
限に抑え、かつ、短時間でヒューズを溶断できる効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための平面図であ
る。 １・・・・・・多結晶シリコン、２・・・・・・アルミ
ニウム。 売　７Ｉ￥Ｔ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. ビームにより溶断するヒューズを有する半導体記憶装置
   に於いて、前記ヒューズの溶断部分の周囲領域を、前記
   ヒューズを構成する物質より、ビームに対する反射率の
   大きな物質で覆ったことを特徴とする半導体記憶装置。