JPH10294372A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH10294372A JPH10294372A JP10458997A JP10458997A JPH10294372A JP H10294372 A JPH10294372 A JP H10294372A JP 10458997 A JP10458997 A JP 10458997A JP 10458997 A JP10458997 A JP 10458997A JP H10294372 A JPH10294372 A JP H10294372A
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- film
- semiconductor integrated
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 メモリセルアレイの中の欠陥メモリセルを冗
長メモリセルに切り換える救済用ヒューズを有する半導
体集積回路装置の信頼性を向上することのできる技術を
提供する。 【解決手段】 救済用ヒューズ４と半導体基板１との間
にダメージ防止用膜が設けられており、ダメージ防止膜
は、救済用ヒューズ４より大きなパターンに形成され、
救済用ヒューズ４の真下に設けられる第１の導電膜３ａ
と、救済用ヒューズ４と平行に第１の導電膜３ａの両端
上に設けられる第２の導電膜３ｂとによって構成されて
おり、救済用ヒューズ４を溶断するレーザが、第１の導
電膜３ａおよび第２の導電膜３ｂに反射して救済用ヒュ
ーズ４に集中するように、第２の導電膜３ｂが配置され
ている。
長メモリセルに切り換える救済用ヒューズを有する半導
体集積回路装置の信頼性を向上することのできる技術を
提供する。 【解決手段】 救済用ヒューズ４と半導体基板１との間
にダメージ防止用膜が設けられており、ダメージ防止膜
は、救済用ヒューズ４より大きなパターンに形成され、
救済用ヒューズ４の真下に設けられる第１の導電膜３ａ
と、救済用ヒューズ４と平行に第１の導電膜３ａの両端
上に設けられる第２の導電膜３ｂとによって構成されて
おり、救済用ヒューズ４を溶断するレーザが、第１の導
電膜３ａおよび第２の導電膜３ｂに反射して救済用ヒュ
ーズ４に集中するように、第２の導電膜３ｂが配置され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ヒューズを有する
半導体集積回路装置に関し、特に、レーザで溶断される
ヒューズを有する半導体集積回路装置に適用して有効な
技術に関するものである。
半導体集積回路装置に関し、特に、レーザで溶断される
ヒューズを有する半導体集積回路装置に適用して有効な
技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】メモリセルを備えた半導体集積回路装置
は、メモリセルアレイの中の１個の欠陥メモリセルによ
って半導体チップ全体が使用できなくなるのを救済する
ために冗長メモリセルを備えている。欠陥メモリセルか
ら冗長メモリセルへの切り換えは、アドレス切り換え回
路の中の救済用ヒューズにレーザを照射して溶断するこ
とによって行う。上記救済用ヒューズはアルミニウム膜
で形成されており、半導体基板上の層間絶縁膜の上に設
けられている。
は、メモリセルアレイの中の１個の欠陥メモリセルによ
って半導体チップ全体が使用できなくなるのを救済する
ために冗長メモリセルを備えている。欠陥メモリセルか
ら冗長メモリセルへの切り換えは、アドレス切り換え回
路の中の救済用ヒューズにレーザを照射して溶断するこ
とによって行う。上記救済用ヒューズはアルミニウム膜
で形成されており、半導体基板上の層間絶縁膜の上に設
けられている。
【０００３】ところで、欠陥メモリセルから冗長メモリ
セルへの切り換えを確実に行うためには、上記救済用ヒ
ューズを確実に溶断する必要があり、上記レーザは微小
時間ではあるが、救済用ヒューズを溶断した後も照射さ
れ続けるため、救済用ヒューズのみならず、半導体基板
（シリコン単結晶）までも溶かしてしまうことがあっ
た。そこで、レーザのビーム径とエネルギー密度を最適
化することによって、半導体基板を構成するシリコン
（Ｓｉ）の溶出を防止している。
セルへの切り換えを確実に行うためには、上記救済用ヒ
ューズを確実に溶断する必要があり、上記レーザは微小
時間ではあるが、救済用ヒューズを溶断した後も照射さ
れ続けるため、救済用ヒューズのみならず、半導体基板
（シリコン単結晶）までも溶かしてしまうことがあっ
た。そこで、レーザのビーム径とエネルギー密度を最適
化することによって、半導体基板を構成するシリコン
（Ｓｉ）の溶出を防止している。
【０００４】図９は、従来の救済用ヒューズを示す半導
体基板の要部断面図であり、図１０は、上記救済用ヒュ
ーズを切断する際のレーザのビーム径とエネルギー密度
との関係を示すグラフ図である。なお、図９において、
救済用ヒューズ４の厚さは1.４μｍであり、絶縁膜２お
よび第１層目から第４層目までの層間絶縁膜５ａ〜５ｄ
の厚さ（Ｔ1)は9.９５μｍである。
体基板の要部断面図であり、図１０は、上記救済用ヒュ
ーズを切断する際のレーザのビーム径とエネルギー密度
との関係を示すグラフ図である。なお、図９において、
救済用ヒューズ４の厚さは1.４μｍであり、絶縁膜２お
よび第１層目から第４層目までの層間絶縁膜５ａ〜５ｄ
の厚さ（Ｔ1)は9.９５μｍである。
【０００５】図１０に示すように、半導体基板１を構成
するＳｉを溶出させず、救済用ヒューズ４を切断するこ
とが可能なレーザの照射条件の範囲（Ａ領域）は広い
が、半導体基板１に隙間状欠陥７に加えてクラック８が
発生する照射条件が存在する（図１１）。半導体基板１
に発生するクラック８は、隙間状欠陥７と異なり、寿命
試験によって進行し、半導体集積回路装置の信頼性を低
下させる可能性があるため、クラック８の発生は確実に
防ぐ必要がある。
するＳｉを溶出させず、救済用ヒューズ４を切断するこ
とが可能なレーザの照射条件の範囲（Ａ領域）は広い
が、半導体基板１に隙間状欠陥７に加えてクラック８が
発生する照射条件が存在する（図１１）。半導体基板１
に発生するクラック８は、隙間状欠陥７と異なり、寿命
試験によって進行し、半導体集積回路装置の信頼性を低
下させる可能性があるため、クラック８の発生は確実に
防ぐ必要がある。
【０００６】クラックの発生を防ぐ方法としては、救済
用ヒューズと半導体基板との間に、例えばアルミニウム
膜によって構成されるダメージ防止用膜を設ける技術が
ある。なお、ダメージ防止用膜が設けられた救済用ヒュ
ーズに関しては、例えば特開昭５９−８４５７４号公
報、特開昭６３−３４３２号公報、特開平２−２５０５
５号公報などに記載がある。
用ヒューズと半導体基板との間に、例えばアルミニウム
膜によって構成されるダメージ防止用膜を設ける技術が
ある。なお、ダメージ防止用膜が設けられた救済用ヒュ
ーズに関しては、例えば特開昭５９−８４５７４号公
報、特開昭６３−３４３２号公報、特開平２−２５０５
５号公報などに記載がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者が検討したところによると、前記ダメージ防止用膜が
設けられた救済用ヒューズには以下の問題が生ずる。
者が検討したところによると、前記ダメージ防止用膜が
設けられた救済用ヒューズには以下の問題が生ずる。
【０００８】図１２および図１４は、従来のダメージ防
止用膜が設けられた救済用ヒューズを示す半導体基板の
要部断面図であり、図１３は、上記ダメージ防止用膜が
設けられた救済用ヒューズを切断する際のレーザのビー
ム径とエネルギー密度との関係を示すグラフ図である。
なお、図１２および図１４において、救済用ヒューズ４
の厚さは1.４μｍ、ダメージ防止用膜９の厚さは0.８５
μｍであり、図１２に示すダメージ防止用膜９上の第２
層目の層間絶縁膜５ｂから第４層目の層間絶縁膜５ｄま
での厚さ（Ｔ2)は５μｍである。
止用膜が設けられた救済用ヒューズを示す半導体基板の
要部断面図であり、図１３は、上記ダメージ防止用膜が
設けられた救済用ヒューズを切断する際のレーザのビー
ム径とエネルギー密度との関係を示すグラフ図である。
なお、図１２および図１４において、救済用ヒューズ４
の厚さは1.４μｍ、ダメージ防止用膜９の厚さは0.８５
μｍであり、図１２に示すダメージ防止用膜９上の第２
層目の層間絶縁膜５ｂから第４層目の層間絶縁膜５ｄま
での厚さ（Ｔ2)は５μｍである。
【０００９】図１４に示すように、救済用ヒューズ４を
レーザで切断するとダメージ防止用膜９に隙間状欠陥７
が生じるが、ダメージ防止用膜９を設けることにより、
クラックの発生を防ぐことができる。しかし、ダメージ
防止用膜９を溶出させず、救済用ヒューズ４を切断する
ことが可能なレーザの照射条件の範囲（図１３のＢ領
域）は狭いため、レーザの照射条件、例えばレーザ装置
のエネルギーが少しでも変動すると、ダメージ防止用膜
９は容易に溶出してしまう。
レーザで切断するとダメージ防止用膜９に隙間状欠陥７
が生じるが、ダメージ防止用膜９を設けることにより、
クラックの発生を防ぐことができる。しかし、ダメージ
防止用膜９を溶出させず、救済用ヒューズ４を切断する
ことが可能なレーザの照射条件の範囲（図１３のＢ領
域）は狭いため、レーザの照射条件、例えばレーザ装置
のエネルギーが少しでも変動すると、ダメージ防止用膜
９は容易に溶出してしまう。
【００１０】また、レーザのビーム径が大きいほど救済
用ヒューズ４からの飛び散りが小さく、飛び散りによる
影響、例えばショートが起こり難くいので、レーザのビ
ーム径は８〜１２μｍ2 と大きくすることが望ましい。
しかし、図１３に示したように、ダメージ防止膜９が設
けられた救済用ヒューズ４ではダメージ防止用膜９が溶
出してしまうため、ビーム径を８〜１２μｍ2 とするこ
とができない。
用ヒューズ４からの飛び散りが小さく、飛び散りによる
影響、例えばショートが起こり難くいので、レーザのビ
ーム径は８〜１２μｍ2 と大きくすることが望ましい。
しかし、図１３に示したように、ダメージ防止膜９が設
けられた救済用ヒューズ４ではダメージ防止用膜９が溶
出してしまうため、ビーム径を８〜１２μｍ2 とするこ
とができない。
【００１１】本発明の目的は、メモリセルアレイの中の
欠陥メモリセルを冗長メモリセルに切り換える救済用ヒ
ューズが備わった半導体集積回路装置の信頼性を向上す
ることができる技術を提供することにある。
欠陥メモリセルを冗長メモリセルに切り換える救済用ヒ
ューズが備わった半導体集積回路装置の信頼性を向上す
ることができる技術を提供することにある。
【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【００１４】すなわち、本発明の半導体集積回路装置
は、半導体基板上のメモリセルアレイの中の欠陥メモリ
セルを冗長メモリセルに切り換えるためにレーザで溶断
される救済用ヒューズを備えており、救済用ヒューズと
半導体基板との間にはダメージ防止用膜が設けられ、ダ
メージ防止用膜は、救済用ヒューズより大きなパターン
に形成され救済用ヒューズの真下に設けられる第１の導
電膜と、救済用ヒューズと平行に第１の導電膜の両端上
に設けられる第２の導電膜とによって構成されており、
救済用ヒューズを溶断するレーザが第１の導電膜および
第２の導電膜に反射して救済用ヒューズに集中するよう
に、第２の導電膜は配置されているものである。
は、半導体基板上のメモリセルアレイの中の欠陥メモリ
セルを冗長メモリセルに切り換えるためにレーザで溶断
される救済用ヒューズを備えており、救済用ヒューズと
半導体基板との間にはダメージ防止用膜が設けられ、ダ
メージ防止用膜は、救済用ヒューズより大きなパターン
に形成され救済用ヒューズの真下に設けられる第１の導
電膜と、救済用ヒューズと平行に第１の導電膜の両端上
に設けられる第２の導電膜とによって構成されており、
救済用ヒューズを溶断するレーザが第１の導電膜および
第２の導電膜に反射して救済用ヒューズに集中するよう
に、第２の導電膜は配置されているものである。
【００１５】上記した手段によれば、ダメージ防止用膜
を設けることにより、ダメージ防止用膜に生じるダメー
ジは、寿命試験によって進行しない隙間状欠陥のみとな
る。さらに、救済用ヒューズをレーザで溶断する際、レ
ーザがダメージ防止用膜を構成する第１の導電膜および
第２の導電膜に反射して救済用ヒューズに集中するの
で、低エネルギーのレーザで確実に救済用ヒューズを切
断することが可能となる。これによって、ダメージ防止
用膜の溶出を抑えて救済用ヒューズを切断することので
きるレーザの照射条件の範囲が広くなるので、レーザの
照射条件のバラツキなどに起因するダメージ防止用膜の
溶出を防ぐことができ、また、レーザのビーム径を８〜
１２μｍ2 と大きくして救済用ヒューズからの飛び散り
を防ぐことができる。
を設けることにより、ダメージ防止用膜に生じるダメー
ジは、寿命試験によって進行しない隙間状欠陥のみとな
る。さらに、救済用ヒューズをレーザで溶断する際、レ
ーザがダメージ防止用膜を構成する第１の導電膜および
第２の導電膜に反射して救済用ヒューズに集中するの
で、低エネルギーのレーザで確実に救済用ヒューズを切
断することが可能となる。これによって、ダメージ防止
用膜の溶出を抑えて救済用ヒューズを切断することので
きるレーザの照射条件の範囲が広くなるので、レーザの
照射条件のバラツキなどに起因するダメージ防止用膜の
溶出を防ぐことができ、また、レーザのビーム径を８〜
１２μｍ2 と大きくして救済用ヒューズからの飛び散り
を防ぐことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１７】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて同一機能を有するものは同一の符号を付し、その
繰り返しの説明は省略する。
おいて同一機能を有するものは同一の符号を付し、その
繰り返しの説明は省略する。
【００１８】（実施の形態１）図１は本発明の一実施の
形態である救済用ヒューズを示す半導体基板の要部平面
図、図２（ａ),（ｂ）は図１のＡ−Ａ’線における半導
体基板の要部断面図であり、図２（ｂ）はレーザを照射
した際のレーザの反射の様子を示している。また、図３
は本発明の一実施の形態である救済用ヒューズが複数並
んた構造を示す半導体基板の要部平面図、図４は図３の
Ｂ−Ｂ’線における半導体基板の要部断面図である。
形態である救済用ヒューズを示す半導体基板の要部平面
図、図２（ａ),（ｂ）は図１のＡ−Ａ’線における半導
体基板の要部断面図であり、図２（ｂ）はレーザを照射
した際のレーザの反射の様子を示している。また、図３
は本発明の一実施の形態である救済用ヒューズが複数並
んた構造を示す半導体基板の要部平面図、図４は図３の
Ｂ−Ｂ’線における半導体基板の要部断面図である。
【００１９】図１および図２に示すように、シリコン単
結晶によって構成される半導体基板１上に絶縁膜２が形
成され、絶縁膜２上にダメージ防止用膜の一部を構成す
る第１の導電膜３ａが形成されている。この第１の導電
膜３ａは、救済用ヒューズ４より大きなパターンに形成
され、例えばアルミニウム合金膜からなる第１層目のメ
タル配線Ｍ1 によって構成されている。
結晶によって構成される半導体基板１上に絶縁膜２が形
成され、絶縁膜２上にダメージ防止用膜の一部を構成す
る第１の導電膜３ａが形成されている。この第１の導電
膜３ａは、救済用ヒューズ４より大きなパターンに形成
され、例えばアルミニウム合金膜からなる第１層目のメ
タル配線Ｍ1 によって構成されている。
【００２０】さらに、ダメージ防止用膜の一部を構成す
る第１の導電膜３ａ上に、ダメージ防止用膜の他の一部
を構成する第２の導電膜３ｂが形成されている。この第
２の導電膜３ｂは、救済用ヒューズ４と平行な第１の導
電膜３ａの両端上に設けられており、第１層目の層間絶
縁膜５ａに設けられた開口部６ａに埋め込まれる第２層
目のメタル配線Ｍ2 と、第２層目の層間絶縁膜５ｂに設
けられた開口部６ｂに埋め込まれる第３層目のメタル配
線Ｍ3 と、第３層目の層間絶縁膜５ｃに設けられた開口
部６ｃに埋め込まれる第４層目のメタル配線Ｍ4 と、第
４層目の層間絶縁膜５ｄに設けられた開口部６ｄに埋め
込まれる第５層目のメタル配線Ｍ5 とによって構成され
ている。
る第１の導電膜３ａ上に、ダメージ防止用膜の他の一部
を構成する第２の導電膜３ｂが形成されている。この第
２の導電膜３ｂは、救済用ヒューズ４と平行な第１の導
電膜３ａの両端上に設けられており、第１層目の層間絶
縁膜５ａに設けられた開口部６ａに埋め込まれる第２層
目のメタル配線Ｍ2 と、第２層目の層間絶縁膜５ｂに設
けられた開口部６ｂに埋め込まれる第３層目のメタル配
線Ｍ3 と、第３層目の層間絶縁膜５ｃに設けられた開口
部６ｃに埋め込まれる第４層目のメタル配線Ｍ4 と、第
４層目の層間絶縁膜５ｄに設けられた開口部６ｄに埋め
込まれる第５層目のメタル配線Ｍ5 とによって構成され
ている。
【００２１】ダメージ防止用膜を構成する上記第１の導
電膜３ａおよび上記第２の導電膜３ｂは、救済用ヒュー
ズ４をレーザで溶断する際、レーザが第１の導電膜３ａ
および第２の導電膜３ｂに反射して救済用ヒューズ４に
集中するように配置されている。
電膜３ａおよび上記第２の導電膜３ｂは、救済用ヒュー
ズ４をレーザで溶断する際、レーザが第１の導電膜３ａ
および第２の導電膜３ｂに反射して救済用ヒューズ４に
集中するように配置されている。
【００２２】救済用ヒューズ４は、第５層目の層間絶縁
膜５ｅ上に設けられており、例えばアルミニウム合金膜
からなる第６層目のメタル配線Ｍ6 によって構成されて
いる。
膜５ｅ上に設けられており、例えばアルミニウム合金膜
からなる第６層目のメタル配線Ｍ6 によって構成されて
いる。
【００２３】また、救済用ヒューズ４が複数並ぶ場合
は、図１および図２に示した第１の導電膜３ａおよび第
２の導電膜３ｂからなるダメージ防止用膜も複数並ぶ
が、図３および図４に示すように、ダメージ防止用膜の
一部を構成する第１の導電膜３ａは、複数の救済用ヒュ
ーズに対して１つのパターンで形成され、ダメージ防止
用膜の他の一部を構成する第２の導電膜３ｂは、隣接す
る救済用ヒューズ４間で共有される。
は、図１および図２に示した第１の導電膜３ａおよび第
２の導電膜３ｂからなるダメージ防止用膜も複数並ぶ
が、図３および図４に示すように、ダメージ防止用膜の
一部を構成する第１の導電膜３ａは、複数の救済用ヒュ
ーズに対して１つのパターンで形成され、ダメージ防止
用膜の他の一部を構成する第２の導電膜３ｂは、隣接す
る救済用ヒューズ４間で共有される。
【００２４】このように、本実施の形態１によれば、ダ
メージ防止用膜を設けることにより、ダメージ防止用膜
に生じるダメージは隙間状欠陥のみとなる。さらに、レ
ーザを救済用ヒューズ４に集中させることによって、低
エネルギーのレーザで確実に救済用ヒューズ４を切断す
ることが可能となり、ダメージ防止用膜の溶出を抑えて
救済用ヒューズ４を切断することのできるレーザの照射
条件の範囲が広くなるので、レーザの照射条件のバラツ
キなどに起因するダメージ防止用膜の溶出を防ぐことが
でき、また、レーザのビーム径を８〜１２μｍ2 と大き
くして救済用ヒューズ４からの飛び散りを防ぐことがで
きる。
メージ防止用膜を設けることにより、ダメージ防止用膜
に生じるダメージは隙間状欠陥のみとなる。さらに、レ
ーザを救済用ヒューズ４に集中させることによって、低
エネルギーのレーザで確実に救済用ヒューズ４を切断す
ることが可能となり、ダメージ防止用膜の溶出を抑えて
救済用ヒューズ４を切断することのできるレーザの照射
条件の範囲が広くなるので、レーザの照射条件のバラツ
キなどに起因するダメージ防止用膜の溶出を防ぐことが
でき、また、レーザのビーム径を８〜１２μｍ2 と大き
くして救済用ヒューズ４からの飛び散りを防ぐことがで
きる。
【００２５】（実施の形態２）図５は本発明の他の実施
の形態である救済用ヒューズを示す半導体基板の要部平
面図、図６（ａ),（ｂ）は図５のＣ−Ｃ’線における半
導体基板の要部断面図であり、図６（ｂ）はレーザを照
射した際のレーザの反射の様子を示している。また、図
７は本発明の他の実施の形態である救済用ヒューズが複
数並んた構造を示す半導体基板の要部平面図、図８は図
７のＤ−Ｄ’線における半導体基板の要部断面図であ
る。
の形態である救済用ヒューズを示す半導体基板の要部平
面図、図６（ａ),（ｂ）は図５のＣ−Ｃ’線における半
導体基板の要部断面図であり、図６（ｂ）はレーザを照
射した際のレーザの反射の様子を示している。また、図
７は本発明の他の実施の形態である救済用ヒューズが複
数並んた構造を示す半導体基板の要部平面図、図８は図
７のＤ−Ｄ’線における半導体基板の要部断面図であ
る。
【００２６】前記実施の形態１と同様に、ダメージ防止
用膜は、第１層目のメタル配線Ｍ1からなる第１の導電
膜３ａと、救済用ヒューズ４と平行に第１の導電膜３ａ
の両端上に設けられた第２層目から第５層目までのメタ
ル配線Ｍ2 〜Ｍ5 からなる第２の導電膜３ｂとによって
構成されている。
用膜は、第１層目のメタル配線Ｍ1からなる第１の導電
膜３ａと、救済用ヒューズ４と平行に第１の導電膜３ａ
の両端上に設けられた第２層目から第５層目までのメタ
ル配線Ｍ2 〜Ｍ5 からなる第２の導電膜３ｂとによって
構成されている。
【００２７】しかし、図５および図６に示すように、第
２の導電膜３ｂは、上層のメタル配線で形成される部分
ほどその幅が細くなっており、レーザが救済用ヒューズ
４に、より集中するように形成されている。
２の導電膜３ｂは、上層のメタル配線で形成される部分
ほどその幅が細くなっており、レーザが救済用ヒューズ
４に、より集中するように形成されている。
【００２８】また、図７および図８に示すように、救済
用ヒューズ４が複数並ぶ場合も、前記実施の形態１と同
様に、ダメージ防止用膜の一部を構成する第１の導電膜
３ａは、複数の救済用ヒューズ４に対して１つのパター
ンで形成され、ダメージ防止用膜の他の一部を構成する
第２の導電膜３ｂは、隣接する救済用ヒューズ４間で共
有される。
用ヒューズ４が複数並ぶ場合も、前記実施の形態１と同
様に、ダメージ防止用膜の一部を構成する第１の導電膜
３ａは、複数の救済用ヒューズ４に対して１つのパター
ンで形成され、ダメージ防止用膜の他の一部を構成する
第２の導電膜３ｂは、隣接する救済用ヒューズ４間で共
有される。
【００２９】このように、本実施の形態２によれば、救
済用ヒューズ４へのレーザの集中効率があがり、レーザ
のエネルギーをより低くすることができる。
済用ヒューズ４へのレーザの集中効率があがり、レーザ
のエネルギーをより低くすることができる。
【００３０】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００３１】例えば、前記実施の形態では、救済用ヒュ
ーズを構成するメタル配線より下層のメタル配線を全て
用いて、ダメージ防止用膜を構成したが、全てのメタル
配線を用いる必要はない。
ーズを構成するメタル配線より下層のメタル配線を全て
用いて、ダメージ防止用膜を構成したが、全てのメタル
配線を用いる必要はない。
【００３２】また、前記実施の形態では、ダメージ防止
用膜の一部を構成する第１の導電膜を第１層目のメタル
配線で構成し、ダメージ防止用膜の他の一部を構成する
第２の導電膜を第１層目よりも上層のメタル配線によっ
て構成したが、上記第２の導電膜は層間絶縁膜に設けら
れる開口部に埋め込まれるプラグ電極によって構成して
もよく、また、メタル配線とプラグ電極を併用してもよ
い。
用膜の一部を構成する第１の導電膜を第１層目のメタル
配線で構成し、ダメージ防止用膜の他の一部を構成する
第２の導電膜を第１層目よりも上層のメタル配線によっ
て構成したが、上記第２の導電膜は層間絶縁膜に設けら
れる開口部に埋め込まれるプラグ電極によって構成して
もよく、また、メタル配線とプラグ電極を併用してもよ
い。
【００３３】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３４】本発明によれば、ダメージ防止用膜に生じ
るダメージは隙間状欠陥のみであり、さらに、レーザの
照射条件の範囲を広くしてもダメージ防止用膜の溶出が
抑えられ、また、救済用ヒューズからの飛び散りを防ぐ
ことができるので、半導体集積回路装置の信頼性を向上
することができる。
るダメージは隙間状欠陥のみであり、さらに、レーザの
照射条件の範囲を広くしてもダメージ防止用膜の溶出が
抑えられ、また、救済用ヒューズからの飛び散りを防ぐ
ことができるので、半導体集積回路装置の信頼性を向上
することができる。
【図１】本発明の一実施の形態である救済用ヒューズを
示す半導体基板の要部平面図である。
示す半導体基板の要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線における半導体基板の要部断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の一実施の形態である救済用ヒューズが
複数並んだ半導体基板の要部平面図である。
複数並んだ半導体基板の要部平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線における半導体基板の要部断
面図である。
面図である。
【図５】本発明の他の実施の形態である救済用ヒューズ
を示す半導体基板の要部平面図である。
を示す半導体基板の要部平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ’線における半導体基板の要部断
面図である。
面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態である救済用ヒューズ
が複数並んだ半導体基板の要部平面図である。
が複数並んだ半導体基板の要部平面図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ’線における半導体基板の要部断
面図である。
面図である。
【図９】従来の救済用ヒューズを示す半導体基板の要部
断面図である。
断面図である。
【図１０】従来の救済用ヒューズを切断する際のレーザ
のビーム径とエネルギー密度との関係を示すグラフ図で
ある。
のビーム径とエネルギー密度との関係を示すグラフ図で
ある。
【図１１】従来の救済用ヒューズを切断した際の半導体
基板の要部断面図である。
基板の要部断面図である。
【図１２】従来のダメージ防止用膜を備えた救済用ヒュ
ーズを示す半導体基板の要部断面図である。
ーズを示す半導体基板の要部断面図である。
【図１３】従来のダメージ防止用膜を備えた救済用ヒュ
ーズを切断する際のレーザのビーム径とエネルギー密度
との関係を示すグラフ図である。
ーズを切断する際のレーザのビーム径とエネルギー密度
との関係を示すグラフ図である。
【図１４】従来のダメージ防止用膜を備えた救済用ヒュ
ーズを切断した際の半導体基板の要部断面図である。
ーズを切断した際の半導体基板の要部断面図である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３ａ 第１の導電膜 ３ｂ 第２の導電膜 ４ 救済用ヒューズ ５ａ 第１層目の層間絶縁膜 ５ｂ 第２層目の層間絶縁膜 ５ｃ 第３層目の層間絶縁膜 ５ｄ 第４層目の層間絶縁膜 ５ｅ 第５層目の層間絶縁膜 ６ａ 開口部 ６ｂ 開口部 ６ｃ 開口部 ６ｄ 開口部 ７ 隙間状欠陥 ８ クラック ９ ダメージ防止用膜 Ｍ1 第１層目のメタル配線 Ｍ2 第２層目のメタル配線 Ｍ3 第３層目のメタル配線 Ｍ4 第４層目のメタル配線 Ｍ5 第５層目のメタル配線 Ｍ6 第６層目のメタル配線 Ｔ1 絶縁膜の厚さ Ｔ2 絶縁膜の厚さ Ａ領域 半導体基板を構成するシリコンを溶出させずに
ヒューズを切断することが可能な範囲 Ｂ領域 ダメージ防止用膜を溶出させずにヒューズを切
断することが可能な範囲
ヒューズを切断することが可能な範囲 Ｂ領域 ダメージ防止用膜を溶出させずにヒューズを切
断することが可能な範囲
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板上のメモリセルアレイの中の
欠陥メモリセルを冗長メモリセルに切り換えるためにレ
ーザで溶断される救済用ヒューズを備えた半導体集積回
路装置であって、前記救済用ヒューズと前記半導体基板
との間にダメージ防止用膜が設けられており、前記ダメ
ージ防止用膜は、前記救済用ヒューズより大きなパター
ンに形成され、前記救済用ヒューズの真下に設けられる
第１の導電膜と、前記救済用ヒューズと平行に前記第１
の導電膜の両端上に設けられる第２の導電膜とによって
構成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体集積回路装置にお
いて、前記第１の導電膜は単層のメタル膜によって構成
され、前記第２の導電膜は多層のメタル膜によって構成
されていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 請求項２記載の半導体集積回路装置にお
いて、前記第２の導電膜を構成する多層のメタル膜は全
てつながっていることを特徴とする半導体集積回路装
置。 - 【請求項４】 請求項２記載の半導体集積回路装置にお
いて、前記第１の導電膜を構成する単層のメタル膜と前
記第２の導電膜を構成する多層のメタル膜は全てつなが
っていることを特徴とする半導体集積回路装置。 - 【請求項５】 請求項２記載の半導体集積回路装置にお
いて、前記第２の導電膜を構成する多層のメタル膜は、
上層に位置するメタル膜ほど幅が細いことを特徴とする
半導体集積回路装置。 - 【請求項６】 請求項２記載の半導体集積回路装置にお
いて、前記第１の導電膜を構成する単層のメタル膜は第
ｎ（ｎは自然数）層目のメタル配線であり、前記第２の
導電膜を構成する多層のメタル膜は第ｎ層目よりも上層
のメタル配線であることを特徴とする半導体集積回路装
置。 - 【請求項７】 請求項１記載の半導体集積回路装置にお
いて、前記救済用ヒューズおよび前記第１の導電膜は、
アルミニウム合金膜であることを特徴とする半導体集積
回路装置。 - 【請求項８】 請求項１記載の半導体集積回路装置にお
いて、前記ダメージ防止用膜の一部を構成する第２の導
電膜は、隣接する前記救済用ヒューズ間で共有されてい
ることを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458997A JPH10294372A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10458997A JPH10294372A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10294372A true JPH10294372A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14384632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10458997A Pending JPH10294372A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10294372A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| JP2007243075A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008186846A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びヒューズ素子の切断方法 |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP10458997A patent/JPH10294372A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7115966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
| JP2007243075A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008186846A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びヒューズ素子の切断方法 |
| US7868417B2 (en) | 2007-01-26 | 2011-01-11 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device including a plurality of fuse elements and attenuation members between or around the plurality of fuse elements |
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