JPH0669444A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0669444A JPH0669444A JP4221126A JP22112692A JPH0669444A JP H0669444 A JPH0669444 A JP H0669444A JP 4221126 A JP4221126 A JP 4221126A JP 22112692 A JP22112692 A JP 22112692A JP H0669444 A JPH0669444 A JP H0669444A
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- JP
- Japan
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- fuse element
- integrated circuit
- circuit device
- semiconductor integrated
- polysilicon film
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Abstract
るために、レーザビームを照射してヒューズ素子を溶断
する際に、ヒューズ素子が正しく溶断できたか検知する
手段を設けて、ヒューズトリミングの歩留向上を計るよ
うにした。 【構成】半導体集積回路装置に設けられたヒューズ素子
のポリシリコン膜１に隣接してレーザ・ビームがずれて
正しいヒューズ素子が溶断されなかったことを認知する
ために、ポリシリコン膜５を配置し、このパターンの両
端に、プロービングパッド６，７を設けて、この両端の
導通、非導通を電気的にモニターすることによってヒュ
ーズ素子が正しく切れたか判定できることを可能とし
た。
Description
集積回路装置に関し、特に冗長回路の使用の切り換えを
行うＰＲＯＭ素子としてレーザ照射で溶断するヒューズ
素子を用いた半導体集積回路装置に関する。
を有して不良のメモリセルを冗長メモリセルに置き換え
るためにレーザ照射により溶断するヒューズ素子を設け
ることが一般的に行われている。このようなヒューズ素
子は、半導体チップの所定の層間絶縁膜を、図３に示す
ように、選択的に被覆するポリシリコン膜１などの両端
に一対の電極（金属配線層４−１，４−２）を設けたも
のであり、半導体集積回路装置をテストして、不良メモ
リセルの位置、不良メモリセル数を調査した後に、冗長
メモリセルを使用すれば全メモリセルが良品となる場合
に適当なヒューズ素子にレーザビームを照射して溶断
し、不良のアドレス番地を冗長アドレス番地に置き換え
冗長メモリセルにデータ書き込み、読み出し可能にする
という様にして用いられる。
を行い不良のメモリセルを冗長メモリセルに置き換える
手法を用いて、製造上の歩留を上げる方法が一般的に行
われている。特にメモリセルの大容量化に伴い全メモリ
セルが不良なく出来る確率が低くなり、製造ラインの微
細なゴミの問題も考慮すると冗長メモリセルを半導体集
積回路装置に設ける方法が一般的になってきた。
使用のためのヒューズ素子は半導体集積回路装置に設け
られているだけで、もし、ヒューズ素子を切断するため
のレーザ・ビームの照射位置がずれても本来切断すべき
ヒューズ素子が切断されなくても確認する方法がなく、
正しくヒューズ素子が切断されていれば良品となる半導
体集積回路装置が不良となってしまうという問題点があ
った。
の所定の層間絶縁膜に選択的に被着された第１の導電膜
の両端に一対の電極を設け、前記第１の導電膜部にレー
ザ照射用の開口を有する保護膜で被覆されたヒューズ素
子を有する冗長回路を備えた半導体集積回路装置におい
て、前記ヒューズ素子の第１の導電膜に隣接して設けら
れた第２の導電膜と、前記導電膜の両端に設けられた一
対のプロービングパッドとを有するというものである。
は、複数のヒューズ素子（厚さ０．３μｍ，幅１．０μ
ｍ，長さ４．０μｍのストライプ状のポリシリコン膜
１，その両端に接続された金属配線層４−１，４−２か
らできている。）が４．０μｍのピッチで設けられ、厚
さ０．３μｍ，幅１．０μｍのポリシコン膜５がポリシ
リコン膜１の間を通って蛇行して設けられている。ポリ
シリコン膜５の両端にはプロービングパッド６，７が接
続されている。
い不良メモリセルの数とその位置を調査し、不良アドレ
スを冗長回路に切り換えるめに適当なヒューズ素子のポ
リシリコン膜１をレーザ照射して溶断させることによっ
て不良メモリセルを冗長メモリセルに置き換える。２
は、ポリシリコン膜１を設けたのちに堆積される層間絶
縁膜、金属接続層４−１，４−２を覆う保護膜に設けら
れた開口でレーザ照射によってポリシリコン膜１を溶断
しやすくするために設けられている。３は、スルーホー
ルでポリシリコン膜１と金属配線層４−１，４−２を接
続するために開けてある。金属配線層４−１，４−２は
図示しない冗長回路へと接続されている。この時レーザ
ビームの照射位置がずれて、たとえば隣接する２つのヒ
ューズ素子のポリシリコン膜１の間にレーザビームが照
射されて本来切断すべきヒューズ素子が溶断されないこ
とがあってもポリシリコン膜５が溶断されるので、プロ
ービングパッド６と７と間に電気的に電圧を印加するこ
とによってレーザ・ビーム照射の位置ずれの有無を調べ
ることが可能となる。もしプロービングパッド６と７と
の間が開放であればレーザビームがずれてポリシリコン
膜５を溶断したのであるから再度レーザビームの位置合
わせを行い、再度レーザビームを照射しヒューズ素子の
切断を行えばよい。なおプロービングパッド６，７部に
は保護膜にそれぞれ開口８−６，８−７が設けられてい
る。
で、ヒューズ素子それぞれの両側にポリシリコン膜５と
プロービングパッド６，７からなる検知素子が設けられ
ている。１本のヒューズ素子の両側の検知素子のいずれ
か１組のプロービングパッドが開放であれば、その両側
のヒューズ素子のいずれかが溶断されていないことにな
るので、溶断されていないヒューズ素子の特定の精度が
良いという利点がある。
リセルを冗長メモリセルに置き換えるプログラミング用
のヒューズ素子に隣接して第２の導電膜を配置し、その
両側の電気的導通をチェックすることによってヒューズ
素子溶断時のレーザビームの位置ずれによる置き換え不
良を発見し、再度レーザビームを照射することによって
正しく置き換えることを可能にし、冗長回路付きの半導
体集積回路装置の歩留りを改善できるという効果を有す
る。
ある。
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体チップの所定の層間絶縁膜に選択
的に被着された第１の導電膜の両端に一対の電極を設
け、前記第１の導電膜部にレーザ照射用の開口を有する
保護膜で被覆されたヒューズ素子を有する冗長回路を備
えた半導体集積回路装置において、前記ヒューズ素子の
１の導電膜に隣接して設けられた第２の導電膜と、前記
導電膜の両端に設けられた一対のプロービングパッドと
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221126A JP2924482B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4221126A JP2924482B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669444A true JPH0669444A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2924482B2 JP2924482B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=16761873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4221126A Expired - Lifetime JP2924482B2 (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2924482B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100316716B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2001-12-12 | 윤종용 | 다수개의 레이저 퓨즈들을 구비하는 반도체 메모리장치 |
| KR100338842B1 (ko) * | 1998-11-11 | 2002-05-30 | 니시가키 코지 | 점유 면적이 적은 용장성 퓨즈블록 |
| KR20050011082A (ko) * | 2003-07-21 | 2005-01-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 확장된 내부 프로빙 패드를 갖는 반도체 칩 |
| US6949971B2 (en) | 2003-07-29 | 2005-09-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Reference voltage generating circuit for outputting multi-level reference voltage using fuse trimming |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP4221126A patent/JP2924482B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100338842B1 (ko) * | 1998-11-11 | 2002-05-30 | 니시가키 코지 | 점유 면적이 적은 용장성 퓨즈블록 |
| KR100316716B1 (ko) * | 1999-09-30 | 2001-12-12 | 윤종용 | 다수개의 레이저 퓨즈들을 구비하는 반도체 메모리장치 |
| KR20050011082A (ko) * | 2003-07-21 | 2005-01-29 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 확장된 내부 프로빙 패드를 갖는 반도체 칩 |
| US6949971B2 (en) | 2003-07-29 | 2005-09-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Reference voltage generating circuit for outputting multi-level reference voltage using fuse trimming |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2924482B2 (ja) | 1999-07-26 |
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