JP2007243075A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える悪影響を無くす。
【解決手段】メタル配線層からなりレーザ照射によって溶断可能なヒューズ素子を備えた半導体装置であって、ヒューズ素子9は、レーザ照射され溶断される溶断メタル部11と、溶断メタル部11の周囲に配置され溶断メタル部11を光学的に囲っている周囲メタル部13を備えている。溶断メタル部11の側面に照射されたレーザの反射光は周囲メタル部13によって溶断メタル部11側へ反射され、周囲メタル部13の外部には漏れない。
【選択図】図1
【解決手段】メタル配線層からなりレーザ照射によって溶断可能なヒューズ素子を備えた半導体装置であって、ヒューズ素子9は、レーザ照射され溶断される溶断メタル部11と、溶断メタル部11の周囲に配置され溶断メタル部11を光学的に囲っている周囲メタル部13を備えている。溶断メタル部11の側面に照射されたレーザの反射光は周囲メタル部13によって溶断メタル部11側へ反射され、周囲メタル部13の外部には漏れない。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置に関し、特に、メタル配線層からなりレーザ照射によって溶断可能なヒューズ素子を備えた半導体装置に関するものである。
ヒューズ素子は、例えば冗長(リダンダンシー)や特性調整(トリミング)などに用いられる。
ヒューズ素子は、例えば冗長(リダンダンシー)や特性調整(トリミング)などに用いられる。
近年、半導体装置は微細化による演算速度向上とは別に、センサ回路などに代表されるようにアナログ的な使われ方も多くなっている。特に、抵抗素子など絶対精度が必要となるアナログ特性では、トリミングといわれる、ポリシリコンやメタル配線層などからなるヒューズ素子を溶断して所望の抵抗値を得る処理を施していることがある。また、ヒューズ素子はDRAM(Dynamic Random Access Memory)などの不良部分を冗長するためにも使われている。
ヒューズ素子の従来例として、例えば特許文献1には、配線幅方向に間隔をおいて複数列に設けられたヒューズ素子配線層で構成され、かつ、各列のヒューズ素子配線層が直列に接続されてなるヒューズ素子を備えた半導体装置が開示されている。このヒューズ素子によれば、アライメントずれが生じた場合であっても、複数列に設けられたヒューズ素子配線層のうちいずれか1つをレーザスポット径内に位置させることができ、確実な溶断を図ることができるとされている。
他の従来例として、特許文献2には、溶断すべきヒューズ素子の隣にダミーメタルを配置し、そのダミーメタルからのレーザの反射光を効果的に用いてヒューズ素子を溶断するヒューズ素子切断方法が開示されている。
他の従来例として、特許文献2には、溶断すべきヒューズ素子の隣にダミーメタルを配置し、そのダミーメタルからのレーザの反射光を効果的に用いてヒューズ素子を溶断するヒューズ素子切断方法が開示されている。
ところで、ヒューズ素子の配置領域の面積削減のため、メタルピッチの狭ピッチ化、つまり、レーザスポット径の縮小化を進めようとされている。レーザスポット径の縮小化により、レーザ照射時に、エネルギー密度の高密度化のため、層間膜ダメージが入るだけでなく、そのメタル側面からの反射が隣のヒューズ素子を傷つけてしまう問題も起きている。
具体的には、例えば、図15(A),(B)に示すように、3本のヒューズ素子が配置され、そのうちの真ん中に配置されたヒューズ素子23bを切断する場合を考える。
ヒューズ素子ピッチの縮小化のため、レーザスポットの微小化するためには、開口数(NA)を大きくしなければならない。それに伴い、斜めからの光成分が多くなり、ヒューズ素子23bの側面で反射する光15が多くなる。反射光15は、隣に位置するヒューズ素子23a,23cに影響を及ぼし、最悪の場合、23a及び23bが溶断してしまう虞れがある。隣接するヒューズ素子23a,23cが溶断されることにより、期待する特性に近づけることができず、製品の特性を劣化させる結果となる。
特許文献1及び2には、ヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える影響については何も記載されていない。
特許第3186744号公報
特開平10−135338号公報
ヒューズ素子ピッチの縮小化のため、レーザスポットの微小化するためには、開口数(NA)を大きくしなければならない。それに伴い、斜めからの光成分が多くなり、ヒューズ素子23bの側面で反射する光15が多くなる。反射光15は、隣に位置するヒューズ素子23a,23cに影響を及ぼし、最悪の場合、23a及び23bが溶断してしまう虞れがある。隣接するヒューズ素子23a,23cが溶断されることにより、期待する特性に近づけることができず、製品の特性を劣化させる結果となる。
特許文献1及び2には、ヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える影響については何も記載されていない。
そこで本発明は、ヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える悪影響を無くすことができる半導体装置を提供することを目的とするものである。
本発明にかかる半導体装置は、メタル配線層からなりレーザ照射によって溶断可能なヒューズ素子を備えた半導体装置であって、上記ヒューズ素子は、レーザ照射され溶断される溶断メタル部と、上記溶断メタル部の周囲に配置され上記溶断メタル部を光学的に囲っている周囲メタル部を備えているものである。
本願特許請求の範囲及び本明細書において「周囲メタル部が溶断メタル部を光学的に囲む」とは、溶断メタル部に照射されたレーザの反射光が他のヒューズ素子の溶断メタル部に照射されないように周囲メタル部が配置されていることを意味する。
本願特許請求の範囲及び本明細書において「周囲メタル部が溶断メタル部を光学的に囲む」とは、溶断メタル部に照射されたレーザの反射光が他のヒューズ素子の溶断メタル部に照射されないように周囲メタル部が配置されていることを意味する。
本発明の半導体装置において、上記溶断メタル部はZ字型に形成されている例を挙げることができる。ここでZ字型には、Z字を反転させた型ならびにZ字及びZ字を反転させた型を回転させた型を含む。
また、上記溶断メタル部はH字型に形成されている例を挙げることができる。
また、上記溶断メタル部は配線幅方向に凸部を備えているようにしてもよい。
また、上記溶断メタル部はH字型に形成されている例を挙げることができる。
また、上記溶断メタル部は配線幅方向に凸部を備えているようにしてもよい。
また、上記周囲メタル部は、上記切断メタル部とは接続されていないようにしてもよいし、上記切断メタル部と接続されているようにしてもよい。
また、複数の上記ヒューズ素子が配列されており、上記溶断メタル部及び上記周囲メタル部は千鳥状に配置されている例を挙げることができる。
また、複数の上記ヒューズ素子が配列されており、上記溶断メタル部及び上記周囲メタル部は千鳥状に配置されている例を挙げることができる。
本発明の半導体装置が適用される半導体装置の一例として、2個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その分割抵抗回路を構成するヒューズ素子は、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子により構成される。
本発明の半導体装置が適用される半導体装置の他の例として、入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その電圧検出回路を構成する分割抵抗回路は、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子を備えている。
本発明の半導体装置が適用される半導体装置のさらに他の例として、入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて上記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置を挙げることができる。その定電圧発生回路を構成する分割抵抗回路は、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子を備えている。
本発明の半導体装置では、ヒューズ素子は、レーザ照射され溶断される溶断メタル部と、溶断メタル部の周囲に配置され溶断メタル部を光学的に囲っている周囲メタル部を備えているようにしたので、周囲メタル部によって、溶断メタル部に照射されたレーザの反射光が他のヒューズ素子の溶断メタル部に照射されるのを防止することができ、ヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える悪影響を無くすことができる。また、アライメントずれによって周囲メタル部にレーザが照射されて周囲メタル部の外側側面で隣のヒューズ素子側にレーザが反射されても、隣のヒューズ素子の溶断メタル部も溶断メタル部に囲まれているので、隣のヒューズ素子の溶断メタル部の誤切断を防止することができる。これらにより、隣のヒューズ素子が誤って切断されるのを防止することができ、製品の所望の特性を得ることができる。さらに、ヒューズ素子の狭ピッチ化にも対応することができる。
さらに、溶断メタル部からの反射光を周囲メタル部によって溶断メタル部に反射させることができ、溶断メタル部の溶断を確実にすることができる。
さらに、溶断メタル部からの反射光を周囲メタル部によって溶断メタル部に反射させることができ、溶断メタル部の溶断を確実にすることができる。
本発明の半導体装置において、溶断メタル部はZ字型に形成されているようにすれば、アライメントずれが生じた場合であっても溶断メタル部の一部を確実に溶断できる。さらに、溶断メタル部が直線型の場合に比べて、溶断メタル部の下層側に照射されるレーザスポット部分を小さくすることができるので、溶断メタル部の下層側へのダメージを低減することができる。
また、溶断メタル部はH字型に形成されているようにすれば、溶断メタル部が直線型の場合に比べて、溶断メタル部の下層側に照射されるレーザスポット部分を小さくすることができるので、溶断メタル部の下層側へのダメージを低減することができる。
さらに、溶断メタル部は配線幅方向に凸部を備えているようすれば、溶断メタル部が直線型の場合に比べて、溶断メタル部の下層側に照射されるレーザスポット部分を小さくすることができるので、溶断メタル部の下層側へのダメージを低減することができる。さらに、溶断メタル部に照射されるレーザ面積を大きくすることができるので、溶断メタル部が切断されやすくなる。
また、周囲メタル部は、切断メタル部とは接続されていないようにしてもよいが、切断メタル部と接続されているようにすれば、切断メタル部と周囲メタル部の隙間を少なくすることができ、溶断メタル部からの反射光について周囲メタル部の外への漏れを小さくすることができる。
また、複数のヒューズ素子が配列されており、溶断メタル部及び周囲メタル部は千鳥状に配置されているようにすれば、隣り合うメタルヒューズ配線の間隔を小さくすることができ、ヒューズ素子の配置領域を小さくすることができ、ひいてはチップサイズを小さくすることができる。
また、2個以上の抵抗による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路を構成するヒューズ素子は、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子により構成されるようにすれば、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子ではヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える悪影響を無くすことができ、隣のヒューズ素子が誤って切断されるのを防止することができるので、分割抵抗回路を所望の特性に調整して出力電圧の精度の向上を図ることができる。
また、入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路として本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子が適用された分割抵抗回路を備えているようにすれば、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子が適用された分割抵抗回路では出力電圧の精度の向上を図ることができるので、電圧検出回路の電圧検出能力の精度の向上を図ることができる。
また、入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、上記分割抵抗回路からの分割電圧と上記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて上記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、分割抵抗回路として本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子が適用された分割抵抗回路を備えているようにすれば、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子が適用された分割抵抗回路では出力電圧の精度の向上を図ることができるので、定電圧発生回路の出力電圧の安定化を図ることができる。
図1は一実施例を示す図であり、(A)は平面図、(B)は(A)のA−A位置での断面図である。図1では最終保護膜の図示は省略し、(B)では層間絶縁膜の図示は省略している。
半導体基板1上にポリ−メタル間層間絶縁膜3が形成されている。ポリ−メタル層間絶縁膜3上に例えば厚みが600nm(ナノメートル)のAlCuからなる第1層目〜第5層目のメタル配線層5−1〜5−5が形成されている。メタル配線層5−1〜5−5の断面は略台形である。メタル配線層5−1〜5−5の間に第1層目〜第4層目のメタル間層間絶縁膜7−1〜7−4が形成されている。半導体基板1の図示しない領域にはトランジスタ素子や抵抗素子、容量素子等が形成されている。
半導体基板1上にポリ−メタル間層間絶縁膜3が形成されている。ポリ−メタル層間絶縁膜3上に例えば厚みが600nm(ナノメートル)のAlCuからなる第1層目〜第5層目のメタル配線層5−1〜5−5が形成されている。メタル配線層5−1〜5−5の断面は略台形である。メタル配線層5−1〜5−5の間に第1層目〜第4層目のメタル間層間絶縁膜7−1〜7−4が形成されている。半導体基板1の図示しない領域にはトランジスタ素子や抵抗素子、容量素子等が形成されている。
第4層目メタル間層間絶縁膜7−4上に、第5層目メタル配線層5−5からなり、レーザ照射によって溶断可能なヒューズ素子9が形成されている。ヒューズ素子9は、レーザ照射され溶断される溶断メタル部11と、溶断メタル部11の周囲に配置され溶断メタル部11を光学的に囲っている周囲メタル部13を備えている。溶断メタル部11は直線型パターンからなり、周囲メタル部13は略矩形状に配置された2つのL字型パターンからなる。溶断メタル部11及び周囲メタル部13の線幅は、特に制限はないが、0.1μm(マイクロメートル)以上、好ましくは0.3μm以上、ここでは0.8μmである。
溶断メタル部11の一端は周囲メタル部13の一方のL字型パターンに接続されており、溶断メタル部11の他端は周囲メタル部13の他方のL字型パターンに接続されている。周囲メタル部13の両L字型パターンは、それぞれ、第5層目メタル配線層5−5、スルーホール、第4層目メタル配線層5−4、スルーホール、第3層目メタル配線層5−3、スルーホール、第2層目メタル配線層5−2及びスルーホールを介して第1層目メタル配線層5−1に接続されている。第1層目メタル配線層5−1の線幅は、特に制限はないが、0.3μm以上、好ましくは0.5μm以上が好ましく、ここでは1.5μmである。
ヒューズ素子9が配置されている領域の周囲に第5層目メタル配線層5−5からなるガードリング15が形成されている。
ヒューズ素子9が配置されている領域の周囲に第5層目メタル配線層5−5からなるガードリング15が形成されている。
図2はこの実施例のレーザ照射時の状態を示すヒューズ素子の平面図である。
1点鎖線円で示すレーザスポット17のスポット径は例えば2μmである。レーザスポット17がヒューズ素子9の溶断メタル部11に照射されると、1点鎖線矢印で示すように、溶断メタル部11の側面でレーザが反射して反射光19が発生する。反射光19は溶断メタル部11の周囲に配置された周囲メタル部13に照射され、周囲メタル部13の外部に漏れるのを遮断される。このように、周囲メタル部13により、溶断メタル部11に照射されたレーザの反射光19が他のヒューズ素子9の溶断メタル部11に照射されるのを防止することができ、ヒューズ素子9に照射されたレーザの反射光19が隣のヒューズ素子9に与える悪影響を無くすことができる。
1点鎖線円で示すレーザスポット17のスポット径は例えば2μmである。レーザスポット17がヒューズ素子9の溶断メタル部11に照射されると、1点鎖線矢印で示すように、溶断メタル部11の側面でレーザが反射して反射光19が発生する。反射光19は溶断メタル部11の周囲に配置された周囲メタル部13に照射され、周囲メタル部13の外部に漏れるのを遮断される。このように、周囲メタル部13により、溶断メタル部11に照射されたレーザの反射光19が他のヒューズ素子9の溶断メタル部11に照射されるのを防止することができ、ヒューズ素子9に照射されたレーザの反射光19が隣のヒューズ素子9に与える悪影響を無くすことができる。
また、アライメントずれによって周囲メタル部13にレーザが照射されて周囲メタル部13の外側側面で隣のヒューズ素子9側にレーザが反射されても、隣のヒューズ素子9の溶断メタル部11も溶断メタル部13に囲まれているので、隣のヒューズ素子9の溶断メタル部11の誤切断を防止することができる。
これらにより、隣のヒューズ素子9が誤って切断されるのを防止することができ、製品の所望の特性を得ることができる。レーザの反射光による誤切断を防止することができることにより、ヒューズ素子9の狭ピッチ化に対応することもできる。
さらに、溶断メタル部11からの反射光19を周囲メタル部13によって溶断メタル部11に反射させることができるので、溶断メタル部11の溶断を確実にすることができる。
ここで、溶断メタル部11からの反射光19によって周囲メタル部13が溶断されたとしても、溶断メタル部11と周囲メタル部13は同一電位なので問題はない。
これらにより、隣のヒューズ素子9が誤って切断されるのを防止することができ、製品の所望の特性を得ることができる。レーザの反射光による誤切断を防止することができることにより、ヒューズ素子9の狭ピッチ化に対応することもできる。
さらに、溶断メタル部11からの反射光19を周囲メタル部13によって溶断メタル部11に反射させることができるので、溶断メタル部11の溶断を確実にすることができる。
ここで、溶断メタル部11からの反射光19によって周囲メタル部13が溶断されたとしても、溶断メタル部11と周囲メタル部13は同一電位なので問題はない。
図3は他の実施例のレーザ照射時の状態を示すヒューズ素子の平面図であり、(A)はアライメントずれがない場合、(B)はアライメントがY軸方向(紙面縦方向)にずれた場合、(C)はアライメントがX軸方向(紙面横方向)にずれた場合、(D)はアライメントがX軸方向及びY軸方向にずれた場合を示す。
この実施例では溶断メタル部11がZ字型に形成されている。溶断メタル部11がZ字型に形成されていることにより、(B)〜(D)に示すようにアライメントずれが生じた場合であっても溶断メタル部11の一部を確実に溶断できる。さらに、溶断メタル部11が直線型の場合に比べて、溶断メタル部11の下層側の絶縁膜3,7−1〜7−4及び半導体基板1に照射されるレーザスポット17部分を小さくすることができるので、溶断メタル部11の下層側へのダメージを低減することができる。
図4(A)〜(D)はさらに他の実施例のレーザ照射時の状態を示すヒューズ素子の平面図である。
(A)に示した実施例では、溶断メタル部11がH字型に形成されている。この実施例によれば、溶断メタル部11が直線型の場合に比べて、溶断メタル部11の下層側の絶縁膜3,7−1〜7−4及び半導体基板1に照射されるレーザスポット17部分を小さくすることができるので、溶断メタル部11の下層側へのダメージを低減することができる。
(A)に示した実施例では、溶断メタル部11がH字型に形成されている。この実施例によれば、溶断メタル部11が直線型の場合に比べて、溶断メタル部11の下層側の絶縁膜3,7−1〜7−4及び半導体基板1に照射されるレーザスポット17部分を小さくすることができるので、溶断メタル部11の下層側へのダメージを低減することができる。
(B)に示した実施例は図1に示した実施例の溶断メタル部11の向きを変えたものである。(C)に示した実施例は図3に示した実施例の溶断メタル部11を反転させ、さらに90度回転させたものである。このように、溶断メタル部11の向きはどのようのであってもよい。もちろん、(A)に示したH字型の溶断メタル部11の向きも変更することができる。
(D)に示した実施例は、溶断メタル部11に凸部11aを備えている。凸部11aにより、溶断メタル部が直線型の場合に比べて、溶断メタル部11の下層側に照射されるレーザスポット17部分を小さくすることができるので、溶断メタル部11の下層側へのダメージを低減することができる。さらに、凸部11aを含む溶断メタル部11に照射されるレーザ面積を大きくすることができるので、溶断メタル部11が切断されやすくなる。この実施例では溶断メタル部11の幅方向に三角形の凸部11aを3つずつ備えているが、本発明はこれに限定されるものではなく、溶断メタル部に配置する凸部の形状及び個数は任意である。
上記実施例では、周囲メタル部13は溶断メタル部11に接続されているが、溶断メタル部と周囲メタル部は接続されていなくてもよい。
図5(A)〜(E)はさらに他の実施例のレーザ照射時の状態を示すヒューズ素子の平面図である。
(A)及び(E)は溶断メタル部11が直線型のもの、(B)は溶断メタル部11がZ字型のもの、(C)は溶断メタル部11がH字型のもの、(D)は溶断メタル部11が凸部11aを備えているものである。
図5(A)〜(E)はさらに他の実施例のレーザ照射時の状態を示すヒューズ素子の平面図である。
(A)及び(E)は溶断メタル部11が直線型のもの、(B)は溶断メタル部11がZ字型のもの、(C)は溶断メタル部11がH字型のもの、(D)は溶断メタル部11が凸部11aを備えているものである。
これらの実施例でも、溶断メタル部11の側面でレーザが反射した反射光は、溶断メタル部11の周囲に配置された周囲メタル部13に照射され、周囲メタル部13の外部に漏れるのを遮断される。これにより、溶断メタル部11に照射されたレーザの反射光が他のヒューズ素子9の溶断メタル部11に照射されるのを防止することができ、ヒューズ素子9に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子9に与える悪影響を無くすことができる。
さらに、アライメントずれによって周囲メタル部13にレーザが照射されて周囲メタル部13の外側側面で隣のヒューズ素子9側にレーザが反射されても、隣のヒューズ素子9の溶断メタル部11も溶断メタル部13に囲まれているので、隣のヒューズ素子9の溶断メタル部11の誤切断を防止することができる。
これらにより、隣のヒューズ素子9が誤って切断されるのを防止することができ、製品の所望の特性を得ることができる。レーザの反射光による誤切断を防止することができることにより、ヒューズ素子9の狭ピッチ化に対応することもできる。
さらに、アライメントずれによって周囲メタル部13にレーザが照射されて周囲メタル部13の外側側面で隣のヒューズ素子9側にレーザが反射されても、隣のヒューズ素子9の溶断メタル部11も溶断メタル部13に囲まれているので、隣のヒューズ素子9の溶断メタル部11の誤切断を防止することができる。
これらにより、隣のヒューズ素子9が誤って切断されるのを防止することができ、製品の所望の特性を得ることができる。レーザの反射光による誤切断を防止することができることにより、ヒューズ素子9の狭ピッチ化に対応することもできる。
さらに、溶断メタル部11からの反射光を周囲メタル部13によって溶断メタル部11に反射させることができるので、溶断メタル部11の溶断を確実にすることができる。
ここで、溶断メタル部11からの反射光19によって周囲メタル部13が溶断されたとしても、溶断メタル部11と周囲メタル部13は電気的に接続されていないので問題はない。
溶断メタル部と周囲メタル部が接続されていない態様でも、溶断メタル部の向きは任意である。
ここで、溶断メタル部11からの反射光19によって周囲メタル部13が溶断されたとしても、溶断メタル部11と周囲メタル部13は電気的に接続されていないので問題はない。
溶断メタル部と周囲メタル部が接続されていない態様でも、溶断メタル部の向きは任意である。
図6はさらに他の実施例を示す平面図である。
この実施例では、複数のヒューズ素子9が配列されており、ヒューズ素子9の配列において溶断メタル部11及び周囲メタル部13が千鳥状に配置されている。
この実施例によれば、隣り合う第5層目メタル配線層(メタルヒューズ配線)5−5,5−5間の間隔を小さくすることができるので、ヒューズ素子9の配置領域を小さくすることができ、ひいてはチップサイズを小さくすることができる。
複数のヒューズ素子の配列において溶断メタル部及び周囲メタル部が千鳥状に配置されている態様は溶断メタル部及び周囲メタル部の形状にかかわらず適用できることは言うまでもない。
この実施例では、複数のヒューズ素子9が配列されており、ヒューズ素子9の配列において溶断メタル部11及び周囲メタル部13が千鳥状に配置されている。
この実施例によれば、隣り合う第5層目メタル配線層(メタルヒューズ配線)5−5,5−5間の間隔を小さくすることができるので、ヒューズ素子9の配置領域を小さくすることができ、ひいてはチップサイズを小さくすることができる。
複数のヒューズ素子の配列において溶断メタル部及び周囲メタル部が千鳥状に配置されている態様は溶断メタル部及び周囲メタル部の形状にかかわらず適用できることは言うまでもない。
上記の実施例ではヒューズ素子を第5層目メタル配線層で形成しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ヒューズ素子を形成するメタル配線層は何層目のものであってもよい。
次に、本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子のレーザエネルギーマージンを評価した結果を説明する。
図7は評価に用いたヒューズ素子を示す平面図である。
ヒューズ素子9の溶断メタル部について、(A)〜(C)は直線型、(D)はH字型、(E)は凸部を備えたもの(凸部型)である。各ヒューズ素子9のメタル配線層の厚みは600μm、線幅は0.9μmである。各ヒューズ素子9の外周寸法は(A)直線型(大)が8μm、(B)直線型(中)が7μm、(C)直線型(小)が6μm、(D)H字型が8μm、(E)凸部型が8μmである。
レーザはレーザスポット径が4μm、波長(λ)が1300nmのものを用いた。
図7は評価に用いたヒューズ素子を示す平面図である。
ヒューズ素子9の溶断メタル部について、(A)〜(C)は直線型、(D)はH字型、(E)は凸部を備えたもの(凸部型)である。各ヒューズ素子9のメタル配線層の厚みは600μm、線幅は0.9μmである。各ヒューズ素子9の外周寸法は(A)直線型(大)が8μm、(B)直線型(中)が7μm、(C)直線型(小)が6μm、(D)H字型が8μm、(E)凸部型が8μmである。
レーザはレーザスポット径が4μm、波長(λ)が1300nmのものを用いた。
図8及び図9は評価に用いた回路を示す回路図である。
評価に用いた回路は2つのパッド電極の間に5個の抵抗素子が直列に接続されており、各抵抗素子にヒューズ素子9が並列に接続されている。5個の抵抗素子は互いに抵抗値が異なっている。全てのヒューズ素子9が切断された場合、パッド電極間の抵抗値は、全ての抵抗素子を通る経路を辿るため、約33kΩになる。全てのヒューズ素子9が切断されていない場合、パッド電極間の抵抗値は、ヒューズ素子9及び抵抗素子が並列に接続されている経路を辿るため、約100Ωになる。
評価は、全てのヒューズ素子9に同一のレーザエネルギー(1.2μJ)でレーザを照射したもの(図8参照。)と、照射するレーザエネルギーを異ならせたもの(図9参照。)で行なった。同一のレーザエネルギーでの評価は2回行なった。
表1に評価結果を示す。
評価に用いた回路は2つのパッド電極の間に5個の抵抗素子が直列に接続されており、各抵抗素子にヒューズ素子9が並列に接続されている。5個の抵抗素子は互いに抵抗値が異なっている。全てのヒューズ素子9が切断された場合、パッド電極間の抵抗値は、全ての抵抗素子を通る経路を辿るため、約33kΩになる。全てのヒューズ素子9が切断されていない場合、パッド電極間の抵抗値は、ヒューズ素子9及び抵抗素子が並列に接続されている経路を辿るため、約100Ωになる。
評価は、全てのヒューズ素子9に同一のレーザエネルギー(1.2μJ)でレーザを照射したもの(図8参照。)と、照射するレーザエネルギーを異ならせたもの(図9参照。)で行なった。同一のレーザエネルギーでの評価は2回行なった。
表1に評価結果を示す。
表1中の1.2μJの欄からわかるように、すべての形状のヒューズ素子で抵抗値が約33kΩになっており、全てのヒューズ素子が切断されているのがわかる。
レーザエネルギーを異ならせた評価(0.5〜0.9μJの欄)では、すべての形状(A)〜(E)で抵抗値が33kΩを下回っている。これは、切断されなかったヒューズ素子9が存在するためである。得られた抵抗値から、どのヒューズ素子が切断され、どのヒューズ素子が切断されなかったのかを知ることができる。ヒューズ素子を切断することができたレーザエネルギー(切断エネルギー)を0.5〜0.9μJの欄の右欄に示す。この結果、(D)H字型の溶断メタル部を備えたヒューズ素子がもっとも低エネルギーで溶断することができ、エネルギーマージンが最も大きいことがわかった。(D)H字型は0.6μJで切断できるので、例えば1.2μJのレーザエネルギーに対して0.6μJのエネルギーマージンがあり、量産時のレーザエネルギーがばらついてもヒューズ素子を確実に溶断することができる。
レーザエネルギーを異ならせた評価(0.5〜0.9μJの欄)では、すべての形状(A)〜(E)で抵抗値が33kΩを下回っている。これは、切断されなかったヒューズ素子9が存在するためである。得られた抵抗値から、どのヒューズ素子が切断され、どのヒューズ素子が切断されなかったのかを知ることができる。ヒューズ素子を切断することができたレーザエネルギー(切断エネルギー)を0.5〜0.9μJの欄の右欄に示す。この結果、(D)H字型の溶断メタル部を備えたヒューズ素子がもっとも低エネルギーで溶断することができ、エネルギーマージンが最も大きいことがわかった。(D)H字型は0.6μJで切断できるので、例えば1.2μJのレーザエネルギーに対して0.6μJのエネルギーマージンがあり、量産時のレーザエネルギーがばらついてもヒューズ素子を確実に溶断することができる。
本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子は、例えばアナログ回路を備えた半導体装置に適用することができる。以下に、本発明を構成するヒューズ素子を備えたアナログ回路を備えた半導体装置の実施例について説明する。
図10はアナログ回路である定電圧発生回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。
直流電源51からの電源を負荷53に安定して供給すべく、定電圧発生回路55が設けられている。定電圧発生回路55は、直流電源51が接続される入力端子(Vbat)57、基準電圧発生回路(Vref)59、演算増幅器(比較回路)61、出力ドライバを構成するPチャネルMOSトランジスタ(以下、PMOSと略記する)63、分割抵抗素子R1,R2及び出力端子(Vout)65を備えている。
直流電源51からの電源を負荷53に安定して供給すべく、定電圧発生回路55が設けられている。定電圧発生回路55は、直流電源51が接続される入力端子(Vbat)57、基準電圧発生回路(Vref)59、演算増幅器(比較回路)61、出力ドライバを構成するPチャネルMOSトランジスタ(以下、PMOSと略記する)63、分割抵抗素子R1,R2及び出力端子(Vout)65を備えている。
定電圧発生回路55の演算増幅器61では、出力端子がPMOS63のゲート電極に接続され、反転入力端子(−)に基準電圧発生回路59から基準電圧Vrefが印加され、非反転入力端子(+)に出力電圧Voutを抵抗素子R1とR2で分割した電圧が印加され、抵抗素子R1,R2の分割電圧が基準電圧Vrefに等しくなるように制御される。
図11は、アナログ回路である電圧検出回路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。
電圧検出回路67において、61は演算増幅器で、その反転入力端子(−)に基準電圧発生回路59が接続され、基準電圧Vrefが印加される。入力端子(Vsens)69から入力される測定すべき端子の電圧が分割抵抗素子R1とR2によって分割されて演算増幅器61の非反転入力端子(+)に入力される。演算増幅器61の出力は出力端子(Vout)71を介して外部に出力される。
電圧検出回路67において、61は演算増幅器で、その反転入力端子(−)に基準電圧発生回路59が接続され、基準電圧Vrefが印加される。入力端子(Vsens)69から入力される測定すべき端子の電圧が分割抵抗素子R1とR2によって分割されて演算増幅器61の非反転入力端子(+)に入力される。演算増幅器61の出力は出力端子(Vout)71を介して外部に出力される。
電圧検出回路67では、測定すべき端子の電圧が高く、分割抵抗素子R1とR2により分割された電圧が基準電圧Vrefよりも高いときは演算増幅器61の出力がHレベルを維持し、測定すべき端子の電圧が降下してきて分割抵抗素子R1とR2により分割された電圧が基準電圧Vref以下になってくると演算増幅器61の出力がLレベルになる。
一般に、図10に示した定電圧発生回路や図11に示した電圧検出回路では、製造プロセスのバラツキに起因して基準電圧発生回路からの基準電圧Vrefが変動するので、その変動に対応すべく、分割抵抗素子としてヒューズ素子の切断により抵抗値を調整可能な抵抗素子回路(分割抵抗回路と称す)を用いて、分割抵抗素子の抵抗値を調整している。
図12は、本発明を構成するヒューズ素子が適用される分割抵抗回路の一例を示す回路図である。図13及び図14は、その分割抵抗回路のレイアウト例を示すレイアウト図であり、図13はヒューズ素子部分のレイアウト例を示し、図14は抵抗素子部分のレイアウト例を示す。
図12に示すように、抵抗素子Rbottom、m+1個(mは正の整数)の抵抗素子RT0,RT1,…,RTm、抵抗素子Rtopが直列に接続されている。抵抗素子RT0,RT1,…,RTmには、各抵抗素子に対応してヒューズ素子RL0,RL1,…,RLmが並列に接続されている。
図13に示すように、ヒューズ素子RL0,RL1,…,RLmは、溶断メタル部と周囲メタル部を備えたヒューズ素子9により形成されている。
抵抗素子RT0,RT1,…,RTmの値は抵抗素子Rbottom側から順に二進数的に増加するよう設定されている。すなわち、抵抗素子RTnの抵抗値は、抵抗素子RT0の抵抗値を単位値とし、その単位値の2n倍である。
抵抗素子RT0,RT1,…,RTmの値は抵抗素子Rbottom側から順に二進数的に増加するよう設定されている。すなわち、抵抗素子RTnの抵抗値は、抵抗素子RT0の抵抗値を単位値とし、その単位値の2n倍である。
例えば、図14に示すように、SiCr薄膜からなるSiCr薄膜抵抗体21を用い、抵抗素子RT0を1本のSiCr薄膜抵抗体21を単位抵抗とし、抵抗素子RTnを2n本のSiCr薄膜抵抗体21により構成する。ただし、抵抗素子はSiCr薄膜抵抗体に限定されるものではなく、他の金属からなるものであってもよいし、ポリシリコン膜からなるものであってもよい。
図13及び図14において、符号A−A間、符号B−B間、符号C−C間、符号D−D、符号E−E、符号F−F及び符号G−G間は例えば第1層目メタル配線層5−1、第2層目から第4層目のメタル配線層及び第5層目メタル配線層5−5により電気的に接続されている。
図13及び図14において、符号A−A間、符号B−B間、符号C−C間、符号D−D、符号E−E、符号F−F及び符号G−G間は例えば第1層目メタル配線層5−1、第2層目から第4層目のメタル配線層及び第5層目メタル配線層5−5により電気的に接続されている。
このように、抵抗素子の比の精度が重視される分割抵抗回路では、製造工程での作り込み精度を上げるために、一対の抵抗素子及びヒューズ素子からなる単位抵抗素子が直列に接続されて梯子状に配置されている。
このような分割抵抗回路では、任意のヒューズ素子RL0,RL1,…,RLmをレーザビームで切断することにより、所望の直列抵抗値を得ることができる。
このような分割抵抗回路では、任意のヒューズ素子RL0,RL1,…,RLmをレーザビームで切断することにより、所望の直列抵抗値を得ることができる。
本発明の半導体装置を構成するヒューズ素子ではヒューズ素子に照射されたレーザの反射光が隣のヒューズ素子に与える悪影響を無くすことができ、隣のヒューズ素子が誤って切断されるのを防止することができるので、分割抵抗回路を所望の特性に調整して出力電圧の精度の向上を図ることができる。
図12に示した分割抵抗回路を図10に示した定電圧発生回路の分割抵抗素子R1,R2に適用する場合、例えば抵抗素子Rbottom端を接地し、抵抗素子Rtop端をPMOS71のドレインに接続する。さらに、抵抗素子Rbottom、RT0間の端子NodeL、又は抵抗素子Rtop、RTm間の端子NodeMを演算増幅器61の非反転入力端子に接続する。
本発明を構成するヒューズ素子を適用した分割抵抗回路によって分割抵抗素子R1,R2の出力電圧の精度を向上させることができるので、定電圧発生回路55の出力電圧の安定性を向上させることができる。
本発明を構成するヒューズ素子を適用した分割抵抗回路によって分割抵抗素子R1,R2の出力電圧の精度を向上させることができるので、定電圧発生回路55の出力電圧の安定性を向上させることができる。
また、図12に示した分割抵抗回路を図11に示した電圧検出回路の分割抵抗素子R1,R2に適用する場合、例えば抵抗素子Rbottom端を接地し、抵抗素子Rtop端を入力端子77に接続する。さらに、抵抗素子Rbottom、RT0間の端子NodeL、又は抵抗素子Rtop、RTm間の端子NodeMを演算増幅器61の非反転入力端子に接続する。
本発明を構成するヒューズ素子を適用した分割抵抗回路によって分割抵抗素子R1,R2の出力電圧の精度を向上させることができるので、電圧検出回路67の電圧検出能力の精度を向上させることができる。
本発明を構成するヒューズ素子を適用した分割抵抗回路によって分割抵抗素子R1,R2の出力電圧の精度を向上させることができるので、電圧検出回路67の電圧検出能力の精度を向上させることができる。
本発明を構成するヒューズ素子を適用した分割抵抗回路が適用される半導体装置は、定電圧発生回路を備えた半導体装置及び電圧検出回路を備えた半導体装置に限定されるものではなく、分割抵抗回路を備えた半導体装置であれば適用することができる。
また、本発明を構成するヒューズ素子が適用される半導体装置は分割抵抗回路を備えた半導体装置に限定されるものではなく、ヒューズ素子を備えた半導体装置であれば、本発明を適用することができる。例えば、冗長回路を備えたDRAMのヒューズ素子に適用することができる。
また、本発明を構成するヒューズ素子が適用される半導体装置は分割抵抗回路を備えた半導体装置に限定されるものではなく、ヒューズ素子を備えた半導体装置であれば、本発明を適用することができる。例えば、冗長回路を備えたDRAMのヒューズ素子に適用することができる。
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、形状、寸法、配置、材料などは一例であり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
9 ヒューズ素子
11 溶断メタル部
13 周囲メタル部
11 溶断メタル部
13 周囲メタル部
Claims (10)
- メタル配線層からなりレーザ照射によって溶断可能なヒューズ素子を備えた半導体装置において、
前記ヒューズ素子は、レーザ照射され溶断される溶断メタル部と、前記溶断メタル部の周囲に配置され前記溶断メタル部を光学的に囲っている周囲メタル部を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 前記溶断メタル部はZ字型に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溶断メタル部はH字型に形成されている請求項1に記載の半導体装置。
- 前記溶断メタル部は配線幅方向に凸部を備えている請求項1、2又は3に記載の半導体装置。
- 前記周囲メタル部は前記切断メタル部とは接続されていない請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記周囲メタル部は前記切断メタル部と接続されている請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 複数の前記ヒューズ素子が配列されており、前記溶断メタル部及び前記周囲メタル部は千鳥状に配置されている請求項1から6のいずれかに記載の半導体装置。
- 2個以上の抵抗素子による分割によって電圧出力を得、ヒューズ素子の切断によって電圧出力を調整できる分割抵抗回路を備えた半導体装置において、
前記ヒューズ素子は、請求項1から7のいずれかに記載のヒューズ素子により構成されていることを特徴とする半導体装置。 - 入力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較するための比較回路をもつ電圧検出回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路として請求項8に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 入力電圧の出力を制御する出力ドライバと、出力電圧を分割して分割電圧を供給するための分割抵抗回路と、基準電圧を供給するための基準電圧発生回路と、前記分割抵抗回路からの分割電圧と前記基準電圧発生回路からの基準電圧を比較し、比較結果に応じて前記出力ドライバの動作を制御するための比較回路をもつ定電圧発生回路を備えた半導体装置において、
前記分割抵抗回路として請求項8に記載の分割抵抗回路を備えていることを特徴とする半導体装置。
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US9190235B2 (en) * | 2007-12-29 | 2015-11-17 | Cooper Technologies Company | Manufacturability of SMD and through-hole fuses using laser process |
US10600902B2 (en) * | 2008-02-13 | 2020-03-24 | Vishay SIliconix, LLC | Self-repairing field effect transisitor |
KR101043841B1 (ko) * | 2008-10-14 | 2011-06-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 퓨즈 |
JP2011192972A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-29 | Oki Semiconductor Co Ltd | 基板端子間電圧検知回路 |
JP7368144B2 (ja) * | 2019-08-27 | 2023-10-24 | Koa株式会社 | チップ型電流ヒューズ |
CN113013140A (zh) * | 2021-04-28 | 2021-06-22 | 上海华力微电子有限公司 | efuse熔丝的版图结构 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0917877A (ja) * | 1995-06-07 | 1997-01-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路デバイスにおける効果的レーザー・ブローのためのヒューズ構造 |
JPH10294372A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH1197542A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003264230A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006507668A (ja) * | 2002-09-19 | 2006-03-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | パッシベーション処理されていないレーザ・ヒューズの飛散の低減 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3256626B2 (ja) * | 1994-05-15 | 2002-02-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6791157B1 (en) * | 2000-01-18 | 2004-09-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit package incorporating programmable elements |
JP2001230325A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | メタルヒューズ、その製造方法及びマスク |
US6700161B2 (en) * | 2002-05-16 | 2004-03-02 | International Business Machines Corporation | Variable resistor structure and method for forming and programming a variable resistor for electronic circuits |
US20040004268A1 (en) * | 2002-07-08 | 2004-01-08 | International Business Machines Corporation | E-Fuse and anti-E-Fuse device structures and methods |
JP4179834B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2008-11-12 | 株式会社リコー | 半導体装置の製造装置及び製造方法 |
US6836170B2 (en) * | 2003-04-17 | 2004-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Impedance trimming circuit |
US7180102B2 (en) * | 2003-09-30 | 2007-02-20 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for using cobalt silicided polycrystalline silicon for a one time programmable non-volatile semiconductor memory |
US6933591B1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-08-23 | Altera Corporation | Electrically-programmable integrated circuit fuses and sensing circuits |
DE102004014925B4 (de) * | 2004-03-26 | 2016-12-29 | Infineon Technologies Ag | Elektronische Schaltkreisanordnung |
US7667289B2 (en) * | 2005-03-29 | 2010-02-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fuse structure having a tortuous metal fuse line |
US20070029576A1 (en) * | 2005-08-03 | 2007-02-08 | International Business Machines Corporation | Programmable semiconductor device containing a vertically notched fusible link region and methods of making and using same |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0917877A (ja) * | 1995-06-07 | 1997-01-17 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 集積回路デバイスにおける効果的レーザー・ブローのためのヒューズ構造 |
JPH10294372A (ja) * | 1997-04-22 | 1998-11-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
JPH1197542A (ja) * | 1997-09-19 | 1999-04-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003264230A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006507668A (ja) * | 2002-09-19 | 2006-03-02 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | パッシベーション処理されていないレーザ・ヒューズの飛散の低減 |
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