JP2003264230A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トリミング開口部での絶縁層の残膜厚の制御
性を向上させる。 【解決手段】 半導体基板１上に絶縁層３を介してトリ
ミングヒューズ５が形成され、そのトリミングヒューズ
５上に絶縁層７が形成されている。絶縁層７上に、トリ
ミングヒューズ５のレーザー照射領域５ａ上には存在せ
ず、かつトリミング開口部１５内に一部分が露出するメ
タル層９が形成されている。メタル層９は、レーザー照
射領域５ａ上の絶縁層１１，１３についてレーザー照射
領域５ａに起因する段差を低減し、さらに、トリミング
開口部１５を形成する際にエッチングストップ層として
機能するので、トリミングヒューズ５上の絶縁層７の残
膜厚について制御性を向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に絶
縁層を介してトリミングヒューズ（レーザービームの照
射により特性値を調節できる素子）が形成され、そのト
リミングヒューズ上に絶縁層が形成され、トリミングヒ
ューズ上の絶縁層の膜厚が周囲より薄くされてレーザー
トリミング用のトリミング開口部が形成されており、そ
のトリミング開口部を介してトリミングヒューズにレー
ザートリミング処理が施されて溶断されることにより半
導体基板上に形成した素子の抵抗値などの特性値が設定
される半導体装置及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置を一定の電気的条件下で動作
させるため、半導体装置では電気的抵抗などに関して所
定の規格が設けられている。そして製造過程において、
半導体装置がこのような規格を満たすものであるかを判
定するため、製造工程が終了に近づいた時点で装置の機
能や性能について特性試験が行なわれている。

【０００３】一般には半導体装置が高度に集積されるに
従って所定の規格を外れるものが多くなり、歩留まりが
低下する。しかし、一部の限られた個所に不良が存在す
るからといって高度に集積された半導体装置をすべて排
除していたのでは膨大な無駄が発生する。そこでこのよ
うな無駄を回避するため、一部の半導体装置ではトリミ
ングヒューズにより特性値を調整する方法が行なわれて
いる。

【０００４】一般に、トリミングヒューズの材料として
はポリシリコン膜やメタル層が用いられ、トリミングヒ
ューズの切離しにはレーザー光線が用いられる。また、
トリミングヒューズ上に形成された絶縁層によるレーザ
ー光線のエネルギーの吸収を低減するために、トリミン
グヒューズ上に形成された絶縁層に選択的にエッチング
処理を施すことによりその膜厚を薄くして、トリミング
ヒューズにレーザー光線の照射を行なうためのトリミン
グ開口部を形成するのが一般的である。

【０００５】レーザー光線によりトリミングヒューズを
切断するためのレーザートリミング処理を実施する際、
レーザー光線の出力の程度によっては下地膜が損傷する
虞れがある。そのため、レーザー光線の出力の適正化や
トリミング開口部におけるトリミングヒューズ上の絶縁
層の膜厚（残膜厚という）の制御が重要な課題となって
いる。

【０００６】トリミング開口部において、例えばトリミ
ングヒューズ上の絶縁層をすべて除去してトリミングヒ
ューズを露出させた場合、レーザー光線の出力について
は適正化し易くなる。しかし、トリミング開口部を介し
て半導体装置内に水分が浸透して半導体装置の特性や信
頼性に悪影響を及ぼす虞れがある。このため、トリミン
グ開口部における絶縁層の残膜厚を制御して安定化させ
ることが要求されている。

【０００７】トリミング開口部における絶縁層の残膜厚
を制御する方法として、例えば特開平１１−１３５７３
０号公報に記載された方法がある。そこでは、トリミン
グヒューズ上に最下層の層間絶縁層を形成した後、その
層間絶縁層上にトリミングヒューズに重畳して金属膜を
形成し、その金属膜上に積層形成した層間絶縁層のうち
最上層の層間絶縁層にバイアホールを形成するのと同時
に上記金属膜上の層間絶縁層のすべてに開口を形成し、
上記最上層の層間絶縁層上の金属配線の形成時に余分な
金属の除去とともに上記金属膜を除去し、上記開口にレ
ーザートリミング用の開口が連通するように保護膜を形
成するようにしている。

【０００８】特開平１１−１３５７３０号公報に記載さ
れた方法では、上記開口にレーザートリミング用の開口
が連通するように保護膜を形成するには、半導体基板上
全面に保護膜を形成した後、上記開口内の保護膜を除去
する必要がある。しかし、その際にトリミングヒューズ
上の最下層の層間絶縁層の一部又は全部を除去してしま
うことが懸念され、トリミングヒューズ上の絶縁層の残
膜厚がばらつくという問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、トリ
ミングヒューズ上の絶縁層の膜厚が周囲より薄くされて
レーザートリミング用のトリミング開口部が形成されて
いる半導体装置及びその製造方法において、トリミング
開口部における絶縁層の残膜厚の制御性を向上させるこ
とを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体装
置は、半導体基板上に絶縁層を介してトリミングヒュー
ズが形成され、そのトリミングヒューズ上に絶縁層が形
成され、トリミングヒューズ上の絶縁層の膜厚が周囲よ
り薄くされてレーザートリミング用のトリミング開口部
が形成されている半導体装置であって、上記トリミング
ヒューズ上の領域に、上記トリミングヒューズのレーザ
ー照射領域上には存在せず、かつ上記トリミング開口部
内に一部分が露出するメタル層が形成されているもので
ある。

【００１１】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
半導体基板上に絶縁層を介してトリミングヒューズが形
成され、そのトリミングヒューズ上に絶縁層が形成さ
れ、トリミングヒューズ上の絶縁層の膜厚が周囲より薄
くされてレーザートリミング用のトリミング開口部が形
成されている半導体装置の製造方法であって、上記トリ
ミングヒューズ上の領域に、上記トリミングヒューズの
レーザー照射領域上には存在せず、かつ上記トリミング
開口部内に一部分が露出するようにメタル層を形成する
工程を含むものである。

【００１２】トリミングヒューズ上の領域に、トリミン
グヒューズのレーザー照射領域上には存在せず、かつト
リミング開口部内に一部分が露出するメタル層を形成す
ることにより、トリミングヒューズ上の絶縁層について
トリミングヒューズに起因する段差を低減することがで
きる。さらに、メタル層の一部分がトリミング開口部内
に露出するように配置されているので、トリミング開口
部を形成する際に、メタル層がエッチングストップ層と
して機能するので、トリミングヒューズ上の絶縁層の残
膜厚について制御性を向上させることができる。これに
より、安定したレーザートリミング処理を実施すること
ができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明の半導体装置において、上
記メタル層の形状の例として、上記トリミング開口部の
周囲に連続して又は断続的に形成されているものを挙げ
ることができる。

【００１４】本発明の半導体装置の製造方法において、
上記メタル層を、半導体装置の電極又は配線用のメタル
層と同時に形成することが好ましい。その結果、製造工
程を増加させることなく、上記メタル層を形成すること
ができる。

【００１５】本発明の半導体装置の製造方法において、
上記メタル層を形成する工程でボンディングパッド用メ
タル層を同時に形成し、又は上記メタル層よりも上層に
ボンディングパッド用メタル層を形成する工程を含み、
さらに上記ボンディングパッド用メタル層よりも上層に
上層絶縁層を形成した後、上記ボンディングパッド用メ
タル層上の上記上層絶縁層にパッド開口部を形成するの
と同時に上記トリミング開口部を形成する工程を含むこ
とが好ましい。その結果、製造工程を増加させることな
く、トリミング開口部を形成することができる。

【００１６】本発明が適用される半導体装置としては、
検出すべき電圧を分割して分割電圧を供給するための分
割抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧源と、上
記分割抵抗からの分割電圧と上記基準電圧源からの基準
電圧を比較するための比較回路を備えたアナログ回路を
備え、上記分割抵抗を構成する抵抗回路は抵抗値調整用
のトリミングヒューズを備えたものを挙げることができ
る。そのアナログ回路において、上記トリミングヒュー
ズ上の領域に本発明の半導体装置を構成するメタル層が
形成されているようにすることにより、安定したレーザ
ートリミング処理を実施することができるようになるの
で、分割抵抗からの分割電圧の精度を向上させることが
できる。

【００１７】

【実施例】図１は半導体装置の一実施例のトリミングヒ
ューズ部分を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は
（Ａ）のＡ−Ａ’位置での断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ
−Ｂ’位置での断面図である。図１を参照してこの実施
例を説明する。半導体基板１の表面に、素子領域（図示
は省略）を分離するための素子分離酸化膜３が形成され
ている。素子分離酸化膜３上に、ポリシリコン膜からな
るトリミングヒューズ５が形成されている。トリミング
ヒューズ５の寸法は、例えば膜厚は３０００〜３５００
Å（オングストローム）であり、レーザー照射領域５ａ
の線幅は５〜８μｍ（マイクロメートル）である。

【００１８】素子分離酸化膜３上及び素子領域上を覆
う、例えば膜厚が１０００〜１５００Åのシリコン酸化
膜からなる層間絶縁層７（（Ａ）での図示は省略）が形
成されている。層間絶縁層７上に、トリミングヒューズ
５のレーザー照射領域５ａを囲むようにしてメタル層９
が形成されている。メタル層９は例えば各辺の幅寸法が
１０μｍの枠状の四角形に形成されており、内周の寸法
は８×８μｍ〜１０×１０μｍ、外周の寸法は２８×２
８μｍ〜３０×３０μｍ、膜厚は５０００〜６０００Å
である。メタル層９はその内周内にトリミングヒューズ
５のレーザー照射領域５ａが位置するように配置されて
いる。メタル層９は、例えば半導体装置の電極又は配線
用のメタル層とは電気的に接続されていないダミーメタ
ル層であり、反射防止膜付きのものでもよいし、反射防
止膜が付いてないものでもよい。

【００１９】層間絶縁層７上及びメタル層９上に層間絶
縁層１１が形成されている。層間絶縁層１１は例えばシ
リコン酸化膜上にＳＯＧ（Spin-On-Glass）膜を堆積
し、エッチバックにより平坦化させた上に更にシリコン
酸化膜を堆積して構成することにより、比較的平坦度が
得られた層間絶縁層１１を形成できる。これらの工程で
は、通常エッチバック工程により、ＳＯＧ膜は消失す
る。シリコン酸化膜からなる層間絶縁層１１の膜厚は例
えば７０００〜８０００Åである。

【００２０】層間絶縁層１１上に、例えば下層がシリコ
ン酸化膜、上層がシリコン窒化膜からなるパッシベーシ
ョン膜（上層絶縁層）１３が形成されている。パッシベ
ーション膜１３の膜厚は、例えば下層のシリコン酸化膜
が３０００Å、上層のシリコン窒化膜が７０００〜１０
０００Åである。パッシベーション膜１３について
（Ａ）での図示は省略されている。

【００２１】トリミングヒューズ５上の層間絶縁層１１
及びパッシベーション膜１３に開口部がそれぞれ形成さ
れて、トリミング開口部１５が形成されている。トリミ
ング開口部１５は、メタル層９の内周枠がトリミング開
口部１５内に露出するように形成されている。トリミン
グ開口部１５の寸法は、例えばメタル層９の内周枠より
も１μｍだけ大きい寸法、ここでは９×９μｍ〜１１×
１１μｍである。

【００２２】トリミングヒューズ５にトリミング処理を
施す場合、トリミング開口部１５及び層間絶縁層７を介
してトリミングヒューズ５のレーザー照射領域５ａにレ
ーザー光線を照射し、レーザー照射領域５ａを溶断す
る。この実施例では、トリミングヒューズ５上にメタル
層９が配置されているので、メタル層９よりも上層の絶
縁層、ここでは層間絶縁層１１及びパッシベーション膜
１３についてトリミングヒューズ５に起因する段差を低
減し、さらにトリミング開口部１５が形成される際にメ
タル層９がエッチングストップ層として機能することに
より、トリミング開口部１５におけるトリミングヒュー
ズ５上の絶縁層の残膜厚、ここではトリミングヒューズ
５上の層間絶縁層７の残膜厚は制御性よく形成されてい
る。これにより、安定したレーザートリミング処理を実
施することができる。

【００２３】図２は、図１に示した半導体装置の製造方
法の一実施例を示す工程断面図である。図２では、図１
のＡ−Ａ’位置に沿った断面に加えて、同じ半導体基板
上に形成されるボンディングパッド形成領域の断面も示
す。図２を参照して製造方法の一実施例を説明する。

【００２４】（Ａ）半導体基板１上に素子分離酸化膜３
を形成し、半導体基板１上全面にポリシリコン膜を堆積
し、そのポリシリコン膜をパターニングして素子分離酸
化膜３上にトリミングヒューズ５を形成するとともに、
素子形成領域にゲート電極（図示は省略）を形成する。
その後、半導体基板１上全面に層間絶縁層７を堆積す
る。層間絶縁層７の所定の領域にコンタクトホール（図
示は省略）を形成する。

【００２５】（Ｂ）層間絶縁層７上に、トリミングヒュ
ーズ５のレーザー照射領域５ａを囲むようにしてメタル
層９を形成する。図示は省略するが、半導体装置の電極
又は配線用のメタル層をメタル層９とともに形成する。
半導体基板１上全面にシリコン酸化膜を例えばＣＶＤ法
により形成し、さらにその上にＳＯＧ膜を形成し、エッ
チバック処理を施して平坦化処理を行なって層間絶縁層
１１を形成する。層間絶縁層７の所定の領域にビアホー
ル（図示は省略）を形成する。

【００２６】図３は、図２（Ｂ）の工程における図１の
Ｂ−Ｂ’位置に対応する位置での断面図である。図３に
示すように、層間絶縁層７にはトリミングヒューズ５の
レーザー照射領域５ａに起因して凸状の段差が形成され
ている。その段差を囲むようにして層間絶縁層７上にメ
タル層９が形成されている。メタル層９の存在により、
層間絶縁層１１のレーザー照射領域５ａ上の領域におい
て段差が低減されている。これにより、層間絶縁層１１
についてレーザー照射領域５ａ上の膜厚制御性を向上さ
せることができる。

【００２７】図２に戻って製造工程の説明を続ける。 （Ｃ）層間絶縁層１１上に、ボンディングパッド用メタ
ル層１７及び半導体装置の電極又は配線用のメタル層
（図示は省略）を形成した後、半導体基板１上全面にパ
ッシベーション膜１３を形成する。図３に示したよう
に、トリミングヒューズ５上の層間絶縁層１１は平坦化
されているので、パッシベーション膜１３についてもレ
ーザー照射領域５ａ上の膜厚制御性を向上させることが
できる。

【００２８】（Ｄ）パッシベーション膜１３上に、トリ
ミングヒューズ５上及びボンディングパッド用メタル層
１７上を開口するためのレジストパターン１９を形成す
る。レジストパターン１９をマスクにして、トリミング
ヒューズ５上のパッシベーション膜１３及び層間絶縁層
１１並びにボンディングパッド用メタル層１７上のパッ
シベーション膜１３を同時にエッチング除去する。これ
により、トリミングヒューズ５上にトリミング開口部１
５を形成し、ボンディングパッド用メタル層１７上にパ
ッド開口部２１を形成する。このとき、トリミング開口
部１５においてメタル層９がエッチングストップ層の役
割を果たす。これにより、トリミングヒューズ５のレー
ザー照射領域５ａ上の層間絶縁層７の残膜厚の制御性を
向上させることができる。その後、レジストパターン１
９を除去する（図１参照）。

【００２９】上記の実施例ではトリミングヒューズ５の
レーザー照射領域５ａを囲むようにトリミング開口部の
周囲に連続してメタル層９を設けているが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、トリミング開口部の周囲
に断続的にメタル層を設けてもよい。図４を参照してト
リミング開口部の周囲に断続的にメタル層を設けた半導
体装置の実施例を説明する。

【００３０】図４は半導体装置の他の実施例のトリミン
グヒューズ部分を示す図であり、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＡ−Ａ’位置での断面図、（Ｃ）は
（Ａ）のＢ−Ｂ’位置での断面図である。図４を参照し
てこの実施例を説明する。図１と同じ機能を果たす部分
には同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。

【００３１】半導体基板１の表面に素子分離酸化膜３が
形成され、素子分離酸化膜３上にトリミングヒューズ５
が形成されている。素子分離酸化膜３上及び素子領域上
を覆う層間絶縁層７（（Ａ）での図示は省略）が形成さ
れている。層間絶縁層７上に、トリミングヒューズ５の
レーザー照射領域５ａを挟むようにして、レーザー照射
領域５ａと平行にメタル層２３が形成されている。メタ
ル層２３の寸法は例えば幅寸法が１０μｍ、長さが２８
×２８μｍ〜３０×３０μｍ、膜厚が５０００〜６００
０Åである。メタル層２３，２３間の寸法は例えば８〜
１０μｍである。メタル層２３はレーザー照射領域５ａ
と重畳しないようにして配置されている。

【００３２】層間絶縁層７上及びメタル層２３上に層間
絶縁層１１が形成されている。層間絶縁層１１上にパッ
シベーション膜１３（（Ａ）での図示は省略）が形成さ
れている。トリミングヒューズ５上の層間絶縁層１１及
びパッシベーション膜１３に開口部がそれぞれ形成され
て、トリミング開口部１５が形成されている。トリミン
グ開口部１５は、メタル層２３のトリミングヒューズ５
に近接する辺の一部がトリミング開口部１５内に露出す
るように形成されている。トリミング開口部１５の寸法
は、例えばメタル層２３，２３間の寸法よりも１μｍだ
け大きい寸法、ここでは９×９μｍ〜１１×１１μｍで
ある。

【００３３】トリミングヒューズ５にトリミング処理を
施す場合、トリミング開口部１５及び層間絶縁層７を介
してトリミングヒューズ５のレーザー照射領域５ａにレ
ーザー光線を照射し、レーザー照射領域５ａを溶断す
る。この実施例では、トリミングヒューズ５上にメタル
層２３が配置されているので、図１に示した実施例と同
様に、層間絶縁層１１及びパッシベーション膜１３につ
いてトリミングヒューズ５に起因する段差を低減し、さ
らにトリミング開口部１５が形成される際にメタル層２
３がエッチングストップ層として機能することにより、
トリミングヒューズ５上の層間絶縁層７の残膜厚は制御
性よく形成されている。これにより、安定したレーザー
トリミング処理を実施することができる。図４に示した
実施例は、図２及び図３を参照して説明した製造方法の
実施例と同様にして、同様の作用効果をもって形成する
ことができる。

【００３４】上記の実施例では、メタル層として、枠状
のメタル層９又は２本のメタル層２３を用いているが、
本発明はこれに限定されるものではなく、例えばトリミ
ング開口部の周囲に沿って配置された複数の島状のメタ
ル層や、コの字型のメタル層など、トリミングヒューズ
上の領域に、トリミングヒューズのレーザー照射領域上
には存在せず、かつトリミング開口部内に一部分が露出
して形成されているものであれば、どのような形状及び
配置であってもよい。

【００３５】上記の実施例では２層メタル層構造の半導
体装置について説明したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、単層又は３層以上のメタル層構造の半導
体装置及びその製造方法にも適用することができる。上
記の実施例ではトリミングヒューズの材料としてポリシ
リコンを用いているが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、トリミングヒューズの材料として他の導電物
質を用いてもよい。

【００３６】図５は、アナログ回路である定電圧発生回
路を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。
直流電源２５からの電源を負荷２７に安定して供給すべ
く、定電圧発生回路２９が設けられている。定電圧発生
回路２９は、直流電源２５が接続される入力端子（Ｖba
t）３１、基準電圧源としての基準電圧発生回路（Ｖre
f）３３、演算増幅器３５、出力ドライバを構成するＰ
チャネル型ＭＯＳトランジスタ（以下、ＰＭＯＳと略記
する）３７、分割抵抗Ｒ１，Ｒ２及び出力端子（Ｖou
t）３９を備えている。

【００３７】定電圧発生回路２９の演算増幅器３５で
は、出力端子がＰＭＯＳ３７のゲート電極に接続され、
反転入力端子に基準電圧発生回路３３から基準電圧Ｖre
fが印加され、非反転入力端子に出力電圧Ｖoutを分割抵
抗Ｒ１とＲ２で分割した電圧が印加され、分割抵抗Ｒ
１，Ｒ２からの分割電圧が基準電圧Ｖrefに等しくなる
ように制御される。

【００３８】製造プロセスのバラツキに起因して基準電
圧発生回路からの基準電圧Ｖrefが変動するので、その
変動に対応すべく、分割抵抗Ｒ１，Ｒ２を構成する抵抗
回路には抵抗値調整用のトリミングヒューズが設けられ
ている。そのトリミングヒューズ上には本発明を構成す
るメタル層が形成されている。メタル層の存在により、
トリミング開口部における絶縁層の残膜厚の制御性を向
上させることができ、ひいては安定したレーザートリミ
ング処理を行なうことができるので、分割抵抗Ｒ１，Ｒ
２を構成する抵抗回路における抵抗値の調整を正確に行
なうことができる。

【００３９】図６は、アナログ回路である電圧検出回路
を備えた半導体装置の一実施例を示す回路図である。電
圧検出回路４１において、３５は演算増幅器で、その反
転入力端子に基準電圧発生回路３３が接続され、基準電
圧Ｖrefが印加される。入力端子（Ｖsens）４３から入
力される測定すべき端子の電圧が分割抵抗Ｒ１とＲ２に
よって分割されて演算増幅器３５の非反転入力端子に入
力される。演算増幅器３５の出力は出力端子（Ｖout）
４５を介して外部に出力される。

【００４０】電圧検出回路４１では、測定すべき端子の
電圧が高く、分割抵抗Ｒ１とＲ２により分割された電圧
が基準電圧Ｖrefよりも高いときは演算増幅器３５の出
力がＨを維持し、測定すべき端子の電圧が降下してきて
分割抵抗Ｒ１とＲ２により分割された電圧が基準電圧Ｖ
ref以下になってくると演算増幅器３５の出力がＬにな
る。

【００４１】電圧検出回路４１において、製造プロセス
のバラツキに起因して基準電圧発生回路からの基準電圧
Ｖrefが変動するので、その変動に対応すべく、分割抵
抗Ｒ１，Ｒ２を構成する抵抗回路には抵抗値調整用のト
リミングヒューズが設けられている。そのトリミングヒ
ューズ上には本発明を構成するメタル層が形成されてい
る。メタル層の存在により、トリミング開口部における
絶縁層の残膜厚の制御性を向上させることができ、ひい
ては安定したレーザートリミング処理を行なうことがで
きるので、分割抵抗Ｒ１，Ｒ２を構成する抵抗回路にお
ける抵抗値の調整を正確に行なうことができる。

【００４２】以上、本発明の実施例を説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に
記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。

【００４３】

【発明の効果】請求項１及び２に記載された半導体装置
では、トリミングヒューズを備えた半導体装置におい
て、トリミングヒューズ上の領域に、トリミングヒュー
ズのレーザー照射領域上には存在せず、かつトリミング
開口部内に一部分が露出するメタル層が形成されている
ようにし、請求項４に記載された半導体装置の製造方法
では、トリミングヒューズを備えた半導体装置の製造方
法において、トリミングヒューズ上の領域に、トリミン
グヒューズのレーザー照射領域上には存在せず、かつト
リミング開口部内に一部分が露出するようにメタル層を
形成する工程を含むようにしたので、トリミングヒュー
ズ上の絶縁層についてトリミングヒューズに起因する段
差を低減することができる。さらに、トリミングヒュー
ズ上の絶縁膜にトリミング開口部を形成する際に、メタ
ル層がエッチングストップ層として機能するので、トリ
ミングヒューズ上の絶縁層の残膜厚について制御性を向
上させることができる。これにより、安定したレーザー
トリミング処理を実施することができる。

【００４４】請求項３に記載された半導体装置では、検
出すべき電圧を分割して分割電圧を供給するための分割
抵抗と、基準電圧を供給するための基準電圧源と、上記
分割抵抗からの分割電圧と上記基準電圧源からの基準電
圧を比較するための比較回路を備えたアナログ回路を備
え、分割抵抗を構成する抵抗回路は抵抗値調整用のトリ
ミングヒューズを備え、そのアナログ回路において、ト
リミングヒューズ上の領域に本発明の半導体装置を構成
するメタル層が形成されているようにしたので、安定し
たレーザートリミング処理を実施することができ、分割
抵抗の抵抗値の調整を正確に行なうことができる。

【００４５】請求項５に記載された半導体装置の製造方
法では、メタル層を、半導体装置の電極又は配線用のメ
タル層と同時に形成するようにしたので、製造工程を増
加させることなく、メタル層を形成することができる。

【００４６】請求項６に記載された半導体装置の製造方
法では、メタル層を形成する工程でボンディングパッド
用メタル層を同時に形成し、又はメタル層よりも上層に
ボンディングパッド用メタル層を形成する工程を含み、
さらにボンディングパッド用メタル層よりも上層に上層
絶縁層を形成した後、ボンディングパッド用メタル層上
の上層絶縁層にパッド開口部を形成するのと同時にトリ
ミング開口部を形成する工程を含むようのしたので、製
造工程を増加させることなく、トリミング開口部を形成
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体装置の一実施例のトリミングヒューズ部
分を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）の
Ａ−Ａ’位置での断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ’位
置での断面図である。

【図２】図１に示した半導体装置の製造方法の一実施例
を示す工程断面図である。

【図３】図２（Ｂ）の工程における図１のＢ−Ｂ’位置
に対応する位置での断面図である。

【図４】半導体装置の他の実施例のトリミングヒューズ
部分を示す図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）
のＡ−Ａ’位置での断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＢ−Ｂ’
位置での断面図である。

【図５】アナログ回路である定電圧発生回路を備えた半
導体装置の一実施例を示す回路図である。

【図６】アナログ回路である電圧検出回路を備えた半導
体装置の一実施例を示す回路図である。

【符号の説明】 １ 半導体基板 ３ 素子分離酸化膜 ５ トリミングヒューズ ５ａ トリミングヒューズのレーザー照射領域 ７ 層間絶縁層 ９ メタル層 １１ 層間絶縁層 １３ パッシベーション膜 １５ トリミング開口部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に絶縁層を介してトリミン
   グヒューズが形成され、そのトリミングヒューズ上に絶
   縁層が形成され、トリミングヒューズ上の絶縁層の膜厚
   が周囲より薄くされてレーザートリミング用のトリミン
   グ開口部が形成されている半導体装置において、 前記トリミングヒューズ上の領域に、前記トリミングヒ
   ューズのレーザー照射領域上には存在せず、かつ前記ト
   リミング開口部内に一部分が露出するメタル層が形成さ
   れていることを特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記メタル層は前記トリミング開口部の
   周囲に連続して又は断続的に形成されている請求項１に
   記載の半導体装置。
3. 【請求項３】 検出すべき電圧を分割して分割電圧を供
   給するための分割抵抗と、基準電圧を供給するための基
   準電圧源と、前記分割抵抗からの分割電圧と前記基準電
   圧源からの基準電圧を比較するための比較回路を備えた
   アナログ回路を備え、前記分割抵抗を構成する抵抗回路
   は抵抗値調整用のトリミングヒューズを備え、前記トリ
   ミングヒューズ上の領域に請求項１又は２に記載のメタ
   ル層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
4. 【請求項４】 半導体基板上に絶縁層を介してトリミン
   グヒューズが形成され、そのトリミングヒューズ上に絶
   縁層が形成され、トリミングヒューズ上の絶縁層の膜厚
   が周囲より薄くされてレーザートリミング用のトリミン
   グ開口部が形成されている半導体装置の製造方法におい
   て、 前記トリミングヒューズ上の領域に、前記トリミングヒ
   ューズのレーザー照射領域上には存在せず、かつ前記ト
   リミング開口部内に一部分が露出するようにメタル層を
   形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造
   方法。
5. 【請求項５】 前記メタル層を、半導体装置の電極又は
   配線用のメタル層と同時に形成する請求項５に記載の製
   造方法。
6. 【請求項６】 前記メタル層を形成する工程でボンディ
   ングパッド用メタル層を同時に形成し、又は前記メタル
   層よりも上層にボンディングパッド用メタル層を形成す
   る工程を含み、さらに前記ボンディングパッド用メタル
   層よりも上層に上層絶縁層を形成した後、前記ボンディ
   ングパッド用メタル層上の前記上層絶縁層にパッド開口
   部を形成するのと同時に前記トリミング開口部を形成す
   る工程を含む請求項５又は６に記載の製造方法。