JP2008186846A - 半導体装置及びヒューズ素子の切断方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000013016 damping Methods 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 24
- CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N lawrencium atom Chemical compound [Lr] CNQCVBJFEGMYDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004092 self-diagnosis Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/525—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
- H01L23/5258—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
【解決手段】レーザビームの照射により切断可能な複数のヒューズ素子101〜105と、平面的に見て複数のヒューズ素子間に位置し、レーザビームを減衰可能な減衰部材140とを備える。減衰部材140は複数の柱状体によって構成されている。これにより、切断すべきヒューズ素子から半導体基板側へ漏れ出したレーザビームLは、複数の柱状体によって構成された減衰部材140によって吸収されるとともに、フレネル回折によって散乱する。これにより、このため、柱状体が過度のエネルギーを吸収することによって絶縁膜にクラックなどが生じることがなく、効率的にレーザビームを減衰させることが可能となる。
【選択図】図1
Description
111〜115 下層配線
121〜125 スルーホール電極
130 半導体基板
131〜133 絶縁膜
140 減衰部材
140a 空洞
141,148 柱状体
142 板状体
149 平面
149a 直線
149b フレネル回折による干渉によってエネルギーを弱め合う領域
150 中間配線
160 スルーホール電極
L レーザビーム
Claims (21)
- レーザビームの照射により切断可能な複数のヒューズ素子と、平面的に見て前記複数のヒューズ素子間に位置し、前記レーザビームを減衰可能な減衰部材とを備えることを特徴とする半導体装置。
- 前記減衰部材は、前記複数のヒューズ素子よりも半導体基板側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記減衰部材は、前記半導体基板に対して略垂直方向に延在する柱状体を含んでいることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記複数のヒューズ素子と下層配線とを接続する複数のスルーホール電極をさらに備え、前記柱状体の少なくとも一部は、前記スルーホール電極と同一層に設けられていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記柱状体は平面的に見て、所定のヒューズ素子と、前記所定のヒューズ素子と隣接する他のヒューズ素子に接続された前記スルーホール電極とを結ぶ直線上又はその近傍に配置されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記柱状体は、前記スルーホール電極と同じ導電材料によって構成されていることを特徴とする請求項4又は5に記載の半導体装置。
- 前記柱状体は、内部に空洞を有する筒状体であることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。
- 前記柱状体は、少なくとも前記下層配線に対して絶縁されていることを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置。
- 前記柱状体の径は、前記スルーホール電極の径よりも小さいことを特徴とする請求項5乃至8のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 平面的に見て、隣接する2つのヒューズ素子間に配置された前記減衰部材は、分散配置された複数の柱状体を含んでいることを特徴とする請求項3乃至9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 平面的に見て、隣接する2つのヒューズ素子間に配置された前記減衰部材は、少なくとも2つの柱状体と、前記2つの柱状体間に配置された板状体とを含んでいることを特徴とする請求項3乃至10のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記柱状体の径は、前記レーザビームの波長よりも小さいことを特徴とする請求項3乃至11のいずれか一項に記載の半導体装置。
- レーザビームの照射により切断可能なヒューズ素子と、前記レーザビームを減衰可能な減衰部材とを備え、
前記減衰部材は、平面的に見て前記ヒューズ素子の周囲に位置し、且つ、前記ヒューズ素子よりも半導体基板側に位置していることを特徴とする半導体装置。 - 前記減衰部材は、前記半導体基板に対して略垂直方向に延在する複数の柱状体を含んでいることを特徴とする請求項13に記載の半導体装置。
- 前記ヒューズ素子と下層配線とを接続する複数のスルーホール電極をさらに備え、前記柱状体の少なくとも一部は、前記スルーホール電極と同一層に設けられていることを特徴とする請求項14に記載の半導体装置。
- 前記柱状体は、前記スルーホール電極と同じ導電材料によって構成されていることを特徴とする請求項15に記載の半導体装置。
- 前記柱状体は、内部に空洞を有する筒状体であることを特徴とする請求項16に記載の半導体装置。
- 前記柱状体は、少なくとも前記下層配線に対して絶縁されていることを特徴とする請求項16又は17に記載の半導体装置。
- 前記柱状体の径は、前記スルーホール電極の径よりも小さいことを特徴とする請求項16乃至18のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記柱状体の径は、前記レーザビームの波長よりも小さいことを特徴とする請求項14乃至19のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 半導体装置に設けられたヒューズ素子をレーザビームによって切断するヒューズ素子の切断方法であって、
光学レンズを用いて前記レーザビームを集束することにより、第1のビームスポット及び前記第1のビームスポットよりも前記光学レンズから遠く且つ前記第1のビームスポットよりも径の大きい第2のビームスポットを形成し、
前記第1のビームスポット内に前記ヒューズ素子が含まれ、且つ、前記第2のビームスポット内に前記レーザビームを減衰可能な減衰部材が含まれるよう、前記レーザビームを照射することを特徴とするヒューズ素子の切断方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007016713A JP2008186846A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 半導体装置及びヒューズ素子の切断方法 |
US12/010,548 US7868417B2 (en) | 2007-01-26 | 2008-01-25 | Semiconductor device including a plurality of fuse elements and attenuation members between or around the plurality of fuse elements |
CN200810003260.9A CN101232001A (zh) | 2007-01-26 | 2008-01-28 | 半导体器件和断开熔丝元件的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007016713A JP2008186846A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 半導体装置及びヒューズ素子の切断方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008186846A true JP2008186846A (ja) | 2008-08-14 |
Family
ID=39667009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007016713A Pending JP2008186846A (ja) | 2007-01-26 | 2007-01-26 | 半導体装置及びヒューズ素子の切断方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7868417B2 (ja) |
JP (1) | JP2008186846A (ja) |
CN (1) | CN101232001A (ja) |
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- 2007-01-26 JP JP2007016713A patent/JP2008186846A/ja active Pending
-
2008
- 2008-01-25 US US12/010,548 patent/US7868417B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7868417B2 (en) | 2011-01-11 |
US20080179708A1 (en) | 2008-07-31 |
CN101232001A (zh) | 2008-07-30 |
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