JP2010062243A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体層3に、薄膜抵抗8の抵抗値をレーザトリミングにより調整する際に、薄膜抵抗8を透過した後、半導体層3に入射されるレーザおよび半導体層3と埋込絶縁膜2との界面または埋込絶縁膜2と支持基板1との界面で反射されるレーザとが集光される部分を含むようにトレンチ11を形成し、トレンチ11に半導体層3よりも消衰係数の低い埋込材料12を埋め込む。
【選択図】図1
Description
本実施形態の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態の半導体装置の断面構成を示す図、図2は図1に示す半導体装置の上面レイアウトを示す図であり、これら図1および図2に基づいて説明する。なお、図1は図2中のA−A断面図に相当している。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態の半導体装置は、第1実施形態に対して半導体層3にLOCOS酸化膜5を配置する代わりに半導体層3をSTI(Shallow trench isolation)構造とすることにより半導体層3の表面に半導体層3の厚さ方向に対して斜めとなる領域6を形成したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。
上記各実施形態では、トレンチ11と半導体層3のうち厚さ方向に対して斜めとなる領域6がそれぞれストライプ状になるようにされている例を挙げて説明したが、もちろんトレンチ11と半導体層3のうち厚さ方向に対して斜めとなる領域6とはストライプ状にされていなくてもよい。例えば、トレンチ11を交差させて半導体層3にトレンチ11をメッシュ状に形成してもよい。また、トレンチ11を円筒形状とすることもできるし、角柱形状とすることもできる。この場合、トレンチ11を、半導体層3に均等に形成することができ、また、半導体層3に不規則に形成することができる。つまり、トレンチ11は、半導体層3の厚さ方向に対して斜めとなる領域6から半導体層3に入射されるレーザが集光され、かつ半導体層3の厚さ方向に対して垂直となる部分から入射されたレーザおよび半導体層3と埋込絶縁膜2との界面または埋込絶縁膜2と支持基板1との界面で入射方向と反対方向に反射されたレーザが集光される部分を含むように形成されていればよい。
2 埋込絶縁膜
3 半導体層
4 SOI基板
5 LOCOS酸化膜
6 斜めとなる領域
7 層間絶縁膜
8 薄膜抵抗
9 層間絶縁膜
10 保護膜
11 トレンチ
12 埋込材料
Claims (4)
- 支持基板(1)と、前記支持基板(1)の表面に配置された埋込絶縁膜(2)と、前記埋込絶縁膜(2)を挟んで前記支持基板(1)と反対側に配置された半導体層(3)と、を備えたSOI基板(4)と、
前記半導体層(3)のうち前記埋込絶縁膜(2)と反対側の表面に前記半導体層(3)の厚さ方向に対して斜めとなる領域(6)が形成されるように配置されている第1絶縁膜(5)と、
前記半導体層(3)のうち前記埋込絶縁膜(2)と反対側の表面に前記第1絶縁膜(5)が覆われるように配置されている第2絶縁膜(7)と、
前記第1、第2絶縁膜(5、7)を挟んで前記SOI基板(4)と反対側に配置されている薄膜抵抗(8)と、を備えた半導体装置であって、
前記半導体層(3)には、前記薄膜抵抗(8)の抵抗値をレーザトリミングにより調整する際に、前記薄膜抵抗(8)を透過した後、前記半導体層(3)に入射されるレーザおよび前記半導体層(3)と前記埋込絶縁膜(2)との界面または前記埋込絶縁膜(2)と前記支持基板(1)との界面で反射されるレーザとが集光される部分を含むようにトレンチ(11)が形成されており、前記トレンチ(11)には前記半導体層(3)よりも消衰係数の低い埋込材料(12)が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。 - 前記トレンチ(11)は、前記半導体層(3)のうち前記半導体層(3)の厚さ方向に対して前記斜めとなる領域(6)から入射されるレーザが集光される部分を含むように形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 支持基板(1)と、前記支持基板(1)の表面に配置された埋込絶縁膜(2)と、前記埋込絶縁膜(2)を挟んで前記支持基板(1)と反対側に配置された半導体層(3)と、を備えたSOI基板(4)を用意する工程と、
前記半導体層(3)にトレンチ(11)を形成する工程と、
前記トレンチ(11)の内部に埋込材料(12)を埋め込む工程と、
前記半導体層(3)のうち前記埋込絶縁膜(2)と反対側の表面に前記半導体層(3)の厚さ方向に対して斜めとなる領域(6)が形成されるように第1絶縁膜(5)を配置する工程と、
前記半導体層(3)のうち前記埋込絶縁膜(2)と反対側の表面に前記第1絶縁膜(5)が覆われるように第2絶縁膜(7)を配置する工程と、
前記第1、第2絶縁膜(5、7)を挟んで前記SOI基板(4)と反対側に薄膜抵抗材料を配置し、前記薄膜抵抗材料に対してパターニングを行うことで薄膜抵抗(8)を形成する工程と、
前記薄膜抵抗(8)の抵抗値をレーザトリミングすることにより調整する工程と、を有し、
前記トレンチ(11)を形成する工程では、前記薄膜抵抗(8)の抵抗値を調整する工程において、前記半導体層(3)に入射されるレーザおよび前記半導体層(3)と前記埋込絶縁膜(2)との界面または前記埋込絶縁膜(2)と前記支持基板(1)との界面で反射されるレーザとが集光される部分を含むように前記トレンチ(11)を形成し、
前記埋込材料(12)を埋め込む工程では、前記半導体層(3)より消衰係数の低い材料を埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記トレンチ(11)を形成する工程では、前記薄膜抵抗(8)の抵抗値を調整する工程において、前記半導体層(3)のうち前記半導体層(3)の厚さ方向に対して前記斜めとなる領域(6)から入射されるレーザが集光される部分を含むように前記トレンチ(11)を形成することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2000208635A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2008186846A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-08-14 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びヒューズ素子の切断方法 |
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JP2000208635A (ja) * | 1999-01-19 | 2000-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
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