JPS62169348A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS62169348A
JPS62169348A JP1134286A JP1134286A JPS62169348A JP S62169348 A JPS62169348 A JP S62169348A JP 1134286 A JP1134286 A JP 1134286A JP 1134286 A JP1134286 A JP 1134286A JP S62169348 A JPS62169348 A JP S62169348A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
field insulating
insulating film
groove
fuse
semiconductor device
Prior art date
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Pending
Application number
JP1134286A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsunobu Yoshimura
吉村　克信
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は冗長（リダンダンシー）回路を有する半導体装
置に関し、特にヒーーズを溶断することによりてリダン
ダンシー回路を作動せしめる半導体装置に関するもので
ある。
〔従来の技術〕
従来のりダンダン７−回路含有する半導体装置では、リ
ダンダンシー用のヒーーズの溶断部は半導体装置の素子
間を分離する厚いフィールド絶縁膜上に設けられていた
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の半導体装置では、リダンダンシー回路を
作動せしめる為にヒーーズをレーザー等で焼き切った際
、焼きかすが周辺の回路に飛散し、これが例えば配線金
属上にのった場合には、電気的短絡事故が生じたり、そ
の部分の保護絶縁膜に穴があき半導体装置の信頼性を著
しく低下せしめるという欠点があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上述したヒーーズ溶断時の焼きかすをヒユーズ
周辺の回路上に飛散させないようにする為に、リダンダ
ンシー用のヒユーズの溶断部が半導体装置のフィールド
絶縁膜に形成された溝の部分にある構造を有している。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。１が半導体
基板、２がフィールド絶縁膜、３がフィ−ルド絶縁領域
に作られた溝、４がリダンダンシー用ヒユーズである。
フィールド絶縁膜２に選択エツチングによって溝３を作
ったのち、リダンダンシーヒーーズとなる物質をその溝
部分に形成する。
なお、溝３を作る際のエツチングではフィールド絶縁膜
２を貫通しないようにする必要がある。
かかる構造によれば、ヒユーズは厚いフィールド絶縁膜
の溝部に設けられているが、この溝内のヒユーズ部分を
溶断することは周知の方法で比較的簡単に可能である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明はりダンダンシー回路を有す
る半導体装置において、リダンダンシー用ヒーーズを切
断する際に生じる焼けかすをヒ一ズの周辺に飛散させる
ことがない為、焼けかすの付着による不良を防止できる
という効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による半導体装置の要部断面
図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・フィールド
絶縁膜、３・・・・・・フィールド絶縁膜に作られた溝
、４・・・・・・リダンダンシー用ヒユーズ。 −７ぐ；） 代理人　弁理士　　内　原　　　日、ｌ　　、。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 冗長回路および該冗長回路用のヒューズを有する半導体
    装置において、前記ヒューズの溶断部が半導体基板のフ
    ィールド絶縁膜に形成された溝部分にあることを特徴と
    する半導体装置。
JP1134286A 1986-01-21 1986-01-21 半導体装置 Pending JPS62169348A (ja)

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Cited By (4)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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CN109411445A (zh) * 2016-12-02 2019-03-01 乐清市风杰电子科技有限公司 一种多晶硅熔丝结构的制造方法

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