JP2004186304A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】溶断されたヒューズで発生する保護膜のクラックが他のヒューズに及ばないようにする。
【解決手段】所定間隔Ｈ１で並列配置されたヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３にスリット４ａ、４ｂを設ける。
【選択図】 図１
【解決手段】所定間隔Ｈ１で並列配置されたヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３にスリット４ａ、４ｂを設ける。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、半導体装置のヒューズ構造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、絶縁層上に形成されたヒューズを保護するために、ヒューズ全体を保護膜で覆うことが行われている。
図４（ａ）は、従来の半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【０００３】
図４において、酸化シリコン膜などで構成された絶縁層１１には、Ａｌなどで形成された複数のヒューズ１２ａ〜１２ｃが設けられ、これらのヒューズ１２ａ〜１２ｃは、所定間隔Ｈ２で並列配置されている。
また、ヒューズ１２ａ〜１２ｃには、ヒューズ１２ａ〜１２ｃを保護するため、シリコン窒化膜などの保護膜１３が形成されている。
【０００４】
そして、ヒューズ１２ａ〜１２ｃを溶断させる場合、溶断対象となるヒューズ１２ａ〜１２ｃにレーザ照射または電流を流して加熱し、ヒューズ１２ａ〜１２ｃを破裂させる。
図５（ａ）は、従来のヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【０００５】
図５において、例えば、ヒューズ１２ｂを溶断させる場合、ヒューズ１２ｂにレーザ照射して、ヒューズ１２ｂを破裂させる。
これにより、ヒューズ１２ｂには、溶断領域１５が形成され、ヒューズ１２ｂを切断することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ヒューズ１２ｂを溶断させると、ヒューズ１２ｂ上の保護膜１３が吹き飛んで、溶断領域１５の周りにクラックＣＫが形成される。
そして、ヒューズ１２ａ〜１２ｃ間の間隔Ｈ２が狭過ぎると、溶断領域１５の周りに形成されたクラックＣＫが、ヒューズ１２ｂに隣接するヒューズ１２ａ、１２ｃにも及び、配線の信頼性が劣化することがある。
【０００７】
このため、従来のヒューズ構造では、溶断領域１５の周りに形成されたクラックＣＫが、ヒューズ１２ｂに隣接するヒューズ１２ａ、１２ｃに及ばないようにするため、ヒューズ１２ａ〜１２ｃ間の間隔Ｈ２を広げる必要があり、半導体装置の集積度が劣化するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、溶断されたヒューズで発生する保護膜のクラックが他のヒューズに及ばないようにすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の半導体装置によれば、絶縁層上に所定間隔で並列配置されたヒューズと、前記ヒューズ上に形成された保護膜と、前記並列配置されたヒューズの間に設けられ、前記保護膜を貫通するようにして形成されたスリットとを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、ヒューズ上に形成された保護膜のパターニングを行うだけで、ヒューズを保護膜で覆ったまま、ヒューズごとに保護膜を分断することができる。
このため、ヒューズ構造の複雑化を抑制しつつ、あるヒューズで発生した保護膜のクラックが他のヒューズに及ぶことを防止することができ、配線の信頼性を向上させることが可能となるとともに、ヒューズ間の間隔を狭めることを可能として、半導体装置の集積度を向上させることが可能となる。
【００１０】
また、請求項２記載の半導体装置によれば、前記スリットは、前記保護膜を貫通し、前記絶縁層内にくい込んでいることを特徴とする。
これにより、保護膜のエッチングにより、保護膜をヒューズごとに確実に分断することが可能となり、ヒューズの間の保護膜にスリットを容易に形成することができる。
【００１１】
また、請求項３記載の半導体装置によれば、前記スリットは、溶断されたヒューズで発生する保護膜のクラックが、隣接するヒューズに及ばないように配置されていることを特徴とする。
これにより、ヒューズ間の保護膜にスリットを設けることで、クラックの進行を溶断領域近傍で確実に食い止めることが可能となる。
【００１２】
また、請求項４記載の半導体装置の製造方法によれば、絶縁層上に所定間隔で並列配置されたヒューズを形成する工程と、前記ヒューズ上に保護膜を形成する工程と、前記並列配置されたヒューズの間の保護膜に開口部を形成する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、保護膜のエッチングにより、ヒューズ間の保護膜にスリットを設けることが可能となり、製造工程の煩雑化を抑制しつつ、配線の信頼性を向上させることが可能となるとともに、ヒューズ間の間隔を狭めることを可能として、半導体装置の集積度を向上させることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【００１４】
図１において、酸化シリコン膜などで構成された絶縁層１には、Ａｌなどで形成された複数のヒューズ２ａ〜２ｃが設けられ、これらのヒューズ２ａ〜２ｃは、所定間隔Ｈ１で並列配置されている。
また、ヒューズ２ａ〜２ｃには、ヒューズ２ａ〜２ｃを保護するため、シリコン窒化膜などの保護膜３が形成され、ヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３には、スリット４ａ、４ｂが設けられている。
【００１５】
ここで、スリット４ａ、４ｂの長さは、溶断されたヒューズ２ａ〜２ｃで発生する保護膜３のクラックが、隣接するヒューズ２ａ〜２ｃに及ばないように設定することができ、スリット４ａ、４ｂの深さは、少なくとも保護膜３を貫通するように設定することができる。
そして、ヒューズ２ａ〜２ｃを溶断させる場合、溶断対象となるヒューズ２ａ〜２ｃにレーザ照射または電流を流して加熱し、ヒューズ２ａ〜２ｃを破裂させる。
【００１６】
図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係るヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
図２において、例えば、ヒューズ２ｂに電流を流して加熱し、ヒューズ２ｂを破裂させると、ヒューズ２ｂには、溶断領域５が形成され、ヒューズ２ｂが切断されるともに、ヒューズ２ｂ上の保護膜３が吹き飛んで、溶断領域５の周りにクラックＣＫが形成される。
【００１７】
ここで、ヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３には、スリット４ａ、４ｂが形成され、溶断領域５の周りに形成されたクラックＣＫの進行を、スリット４ａ、４ｂの位置で食い止めることができる。
このため、ヒューズ２ａ〜２ｃ間の間隔Ｈ１を広げることなく、溶断領域５の周りに形成されたクラックＣＫが、ヒューズ２ｂに隣接するヒューズ２ａ、２ｃに及ぶことを防止することができ、半導体装置の集積度を向上させることが可能となるとともに、配線の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１８】
図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、スパッタなどにより、絶縁層１上にＡｌ膜を形成し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、Ａｌ膜をパターニングすることにより、絶縁層１上にヒューズ２ａ〜２ｃを形成する。
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＶＤなどにより、ヒューズ２ａ〜２ｃが形成された絶縁層１上にシリコン窒化膜などを堆積することにより、絶縁層１上に保護膜３を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、保護膜３上にフォトレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、スリット４ａ、４ｂの形成位置に対応した開口部７ａ、７ｂをフォトレジスト６に形成する。
【００２０】
そして、開口部７ａ、７ｂが形成されたフォトレジスト６をマスクとして、保護膜３のエッチングＥＴを行うことにより、保護膜３にスリット４ａ、４ｂを形成し、図３（ｄ）に示すように、フォトレジスト６を除去する。
これにより、保護膜３のエッチングＥＴを行うことで、ヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３にスリット４ａ、４ｂを形成することが可能となり、ヒューズ構造の複雑化を抑制しつつ、保護膜３に発生するクラックの進行を食い止めることができる。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ヒューズ間の保護膜にスリットを設けることにより、ヒューズ構造の複雑化を抑制しつつ、クラックの進行を溶断領域近傍で食い止めることが可能となり、配線の信頼性を向上させることが可能となるとともに、ヒューズ間の間隔を狭めることを可能として、半導体装置の集積度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係るヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、従来の半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図５】図５（ａ）は、従来のヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁層、２ａ〜２ｃ ヒューズ、３ 保護膜、４ａ、４ｂ スリット、５溶断領域、ＣＫ クラック ６ フォトレジスト、７ａ、７ｂ 開口部、ＥＴエッチング
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、半導体装置のヒューズ構造に適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来の半導体装置では、絶縁層上に形成されたヒューズを保護するために、ヒューズ全体を保護膜で覆うことが行われている。
図４（ａ）は、従来の半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【０００３】
図４において、酸化シリコン膜などで構成された絶縁層１１には、Ａｌなどで形成された複数のヒューズ１２ａ〜１２ｃが設けられ、これらのヒューズ１２ａ〜１２ｃは、所定間隔Ｈ２で並列配置されている。
また、ヒューズ１２ａ〜１２ｃには、ヒューズ１２ａ〜１２ｃを保護するため、シリコン窒化膜などの保護膜１３が形成されている。
【０００４】
そして、ヒューズ１２ａ〜１２ｃを溶断させる場合、溶断対象となるヒューズ１２ａ〜１２ｃにレーザ照射または電流を流して加熱し、ヒューズ１２ａ〜１２ｃを破裂させる。
図５（ａ）は、従来のヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【０００５】
図５において、例えば、ヒューズ１２ｂを溶断させる場合、ヒューズ１２ｂにレーザ照射して、ヒューズ１２ｂを破裂させる。
これにより、ヒューズ１２ｂには、溶断領域１５が形成され、ヒューズ１２ｂを切断することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ヒューズ１２ｂを溶断させると、ヒューズ１２ｂ上の保護膜１３が吹き飛んで、溶断領域１５の周りにクラックＣＫが形成される。
そして、ヒューズ１２ａ〜１２ｃ間の間隔Ｈ２が狭過ぎると、溶断領域１５の周りに形成されたクラックＣＫが、ヒューズ１２ｂに隣接するヒューズ１２ａ、１２ｃにも及び、配線の信頼性が劣化することがある。
【０００７】
このため、従来のヒューズ構造では、溶断領域１５の周りに形成されたクラックＣＫが、ヒューズ１２ｂに隣接するヒューズ１２ａ、１２ｃに及ばないようにするため、ヒューズ１２ａ〜１２ｃ間の間隔Ｈ２を広げる必要があり、半導体装置の集積度が劣化するという問題があった。
そこで、本発明の目的は、溶断されたヒューズで発生する保護膜のクラックが他のヒューズに及ばないようにすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項１記載の半導体装置によれば、絶縁層上に所定間隔で並列配置されたヒューズと、前記ヒューズ上に形成された保護膜と、前記並列配置されたヒューズの間に設けられ、前記保護膜を貫通するようにして形成されたスリットとを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、ヒューズ上に形成された保護膜のパターニングを行うだけで、ヒューズを保護膜で覆ったまま、ヒューズごとに保護膜を分断することができる。
このため、ヒューズ構造の複雑化を抑制しつつ、あるヒューズで発生した保護膜のクラックが他のヒューズに及ぶことを防止することができ、配線の信頼性を向上させることが可能となるとともに、ヒューズ間の間隔を狭めることを可能として、半導体装置の集積度を向上させることが可能となる。
【００１０】
また、請求項２記載の半導体装置によれば、前記スリットは、前記保護膜を貫通し、前記絶縁層内にくい込んでいることを特徴とする。
これにより、保護膜のエッチングにより、保護膜をヒューズごとに確実に分断することが可能となり、ヒューズの間の保護膜にスリットを容易に形成することができる。
【００１１】
また、請求項３記載の半導体装置によれば、前記スリットは、溶断されたヒューズで発生する保護膜のクラックが、隣接するヒューズに及ばないように配置されていることを特徴とする。
これにより、ヒューズ間の保護膜にスリットを設けることで、クラックの進行を溶断領域近傍で確実に食い止めることが可能となる。
【００１２】
また、請求項４記載の半導体装置の製造方法によれば、絶縁層上に所定間隔で並列配置されたヒューズを形成する工程と、前記ヒューズ上に保護膜を形成する工程と、前記並列配置されたヒューズの間の保護膜に開口部を形成する工程とを備えることを特徴とする。
これにより、保護膜のエッチングにより、ヒューズ間の保護膜にスリットを設けることが可能となり、製造工程の煩雑化を抑制しつつ、配線の信頼性を向上させることが可能となるとともに、ヒューズ間の間隔を狭めることを可能として、半導体装置の集積度を向上させることが可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【００１４】
図１において、酸化シリコン膜などで構成された絶縁層１には、Ａｌなどで形成された複数のヒューズ２ａ〜２ｃが設けられ、これらのヒューズ２ａ〜２ｃは、所定間隔Ｈ１で並列配置されている。
また、ヒューズ２ａ〜２ｃには、ヒューズ２ａ〜２ｃを保護するため、シリコン窒化膜などの保護膜３が形成され、ヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３には、スリット４ａ、４ｂが設けられている。
【００１５】
ここで、スリット４ａ、４ｂの長さは、溶断されたヒューズ２ａ〜２ｃで発生する保護膜３のクラックが、隣接するヒューズ２ａ〜２ｃに及ばないように設定することができ、スリット４ａ、４ｂの深さは、少なくとも保護膜３を貫通するように設定することができる。
そして、ヒューズ２ａ〜２ｃを溶断させる場合、溶断対象となるヒューズ２ａ〜２ｃにレーザ照射または電流を流して加熱し、ヒューズ２ａ〜２ｃを破裂させる。
【００１６】
図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係るヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
図２において、例えば、ヒューズ２ｂに電流を流して加熱し、ヒューズ２ｂを破裂させると、ヒューズ２ｂには、溶断領域５が形成され、ヒューズ２ｂが切断されるともに、ヒューズ２ｂ上の保護膜３が吹き飛んで、溶断領域５の周りにクラックＣＫが形成される。
【００１７】
ここで、ヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３には、スリット４ａ、４ｂが形成され、溶断領域５の周りに形成されたクラックＣＫの進行を、スリット４ａ、４ｂの位置で食い止めることができる。
このため、ヒューズ２ａ〜２ｃ間の間隔Ｈ１を広げることなく、溶断領域５の周りに形成されたクラックＣＫが、ヒューズ２ｂに隣接するヒューズ２ａ、２ｃに及ぶことを防止することができ、半導体装置の集積度を向上させることが可能となるとともに、配線の信頼性を向上させることが可能となる。
【００１８】
図３は、本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の製造方法を示す断面図である。
図３（ａ）において、スパッタなどにより、絶縁層１上にＡｌ膜を形成し、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて、Ａｌ膜をパターニングすることにより、絶縁層１上にヒューズ２ａ〜２ｃを形成する。
【００１９】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＶＤなどにより、ヒューズ２ａ〜２ｃが形成された絶縁層１上にシリコン窒化膜などを堆積することにより、絶縁層１上に保護膜３を形成する。
次に、図３（ｃ）に示すように、保護膜３上にフォトレジスト６を塗布し、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、スリット４ａ、４ｂの形成位置に対応した開口部７ａ、７ｂをフォトレジスト６に形成する。
【００２０】
そして、開口部７ａ、７ｂが形成されたフォトレジスト６をマスクとして、保護膜３のエッチングＥＴを行うことにより、保護膜３にスリット４ａ、４ｂを形成し、図３（ｄ）に示すように、フォトレジスト６を除去する。
これにより、保護膜３のエッチングＥＴを行うことで、ヒューズ２ａ〜２ｃの間の保護膜３にスリット４ａ、４ｂを形成することが可能となり、ヒューズ構造の複雑化を抑制しつつ、保護膜３に発生するクラックの進行を食い止めることができる。
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、ヒューズ間の保護膜にスリットを設けることにより、ヒューズ構造の複雑化を抑制しつつ、クラックの進行を溶断領域近傍で食い止めることが可能となり、配線の信頼性を向上させることが可能となるとともに、ヒューズ間の間隔を狭めることを可能として、半導体装置の集積度を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の一実施形態に係るヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線で切断した断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置のヒューズ部分の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）は、従来の半導体装置のヒューズ部分の概略構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図５】図５（ａ）は、従来のヒューズ溶断時の状態を示す平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【符号の説明】
１ 絶縁層、２ａ〜２ｃ ヒューズ、３ 保護膜、４ａ、４ｂ スリット、５溶断領域、ＣＫ クラック ６ フォトレジスト、７ａ、７ｂ 開口部、ＥＴエッチング
Claims (4)
- 絶縁層上に所定間隔で並列配置されたヒューズと、
前記ヒューズ上に形成された保護膜と、
前記並列配置されたヒューズの間に設けられ、前記保護膜を貫通するようにして形成されたスリットとを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記スリットは、前記保護膜を貫通し、前記絶縁層内にくい込んでいることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
- 前記スリットは、溶断されたヒューズで発生する保護膜のクラックが、隣接するヒューズに及ばないように配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
- 絶縁層上に所定間隔で並列配置されたヒューズを形成する工程と、
前記ヒューズ上に保護膜を形成する工程と、
前記並列配置されたヒューズの間の保護膜に開口部を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002349817A JP2004186304A (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002349817A JP2004186304A (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004186304A true JP2004186304A (ja) | 2004-07-02 |
Family
ID=32752249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002349817A Withdrawn JP2004186304A (ja) | 2002-12-02 | 2002-12-02 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2004186304A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7510914B2 (en) | 2005-06-22 | 2009-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same |
-
2002
- 2002-12-02 JP JP2002349817A patent/JP2004186304A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7510914B2 (en) | 2005-06-22 | 2009-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor devices having fuses and methods of forming the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060207 |