JPS63244644A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63244644A JPS63244644A JP7805687A JP7805687A JPS63244644A JP S63244644 A JPS63244644 A JP S63244644A JP 7805687 A JP7805687 A JP 7805687A JP 7805687 A JP7805687 A JP 7805687A JP S63244644 A JPS63244644 A JP S63244644A
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- Japan
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- fuse
- insulating film
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- film
- polycrystalline silicon
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- Pending
Links
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に多結晶シリコンからな
るヒユーズを有する半導体装置に間する。
るヒユーズを有する半導体装置に間する。
従来、半導体装置に形成される多結晶シリコンからなる
ヒユーズは第４図（ａ）に示すように構成されている。
ヒユーズは第４図（ａ）に示すように構成されている。
すなわち酸化膜２で被われた半導体基板１上に形成され
た多結晶シリコンからなるヒユーズは、ヒユーズ本体３
とその両端に接続するヒユーズ電極４とから構成されて
おり、金属配線はヒユーズ電極４と一体的に形成されて
いる。
た多結晶シリコンからなるヒユーズは、ヒユーズ本体３
とその両端に接続するヒユーズ電極４とから構成されて
おり、金属配線はヒユーズ電極４と一体的に形成されて
いる。
また、ヒユーズ保護の為にこの上面は絶縁７１１１１で
被われている。
被われている。
上述した従来の多結晶シリコンからなるヒユーズのヒユ
ーズ本体３が酸化Ｊｌｉ５及び絶縁膜１１で厚く被われ
ているので、確実にヒユーズを切断する為に印加電圧・
印加電流を高く設定する必要がある。
ーズ本体３が酸化Ｊｌｉ５及び絶縁膜１１で厚く被われ
ているので、確実にヒユーズを切断する為に印加電圧・
印加電流を高く設定する必要がある。
このようにしてヒユーズ切断を行った場合は、第４図（
ａ）に破線で示すように、ヒユーズ部付近に大きな開孔
１０が形成されてしまうので、他の素子に悪影響を及ぼ
す欠点がある。更に素子保護及び信頼性向上の為しニー
ズ切断後、第４図（ｂ）に示すように、ヒユーズ全面に
絶縁膜１２を被う工程が必要となる。また、絶縁［１１
２に全面が覆われるめ、パッド等の外部電極取出し部を
開孔するため絶縁１１１１２の１部をエツチング除去す
る工程も必要となる。更に、多結晶シリコンからなるヒ
ユーズは単体で使用されることは希であり、他の半導体
素子からなる回路との組合せで使用される場合が多く、
耐湿性のよい酸化膜、窒化膜などの絶縁膜１２を追加す
る場合、ヒユーズ切断後、熱工程が加わることになるの
で回路特性が劣化し半導体装置の信頼性が低下するとい
う欠点もある。
ａ）に破線で示すように、ヒユーズ部付近に大きな開孔
１０が形成されてしまうので、他の素子に悪影響を及ぼ
す欠点がある。更に素子保護及び信頼性向上の為しニー
ズ切断後、第４図（ｂ）に示すように、ヒユーズ全面に
絶縁膜１２を被う工程が必要となる。また、絶縁［１１
２に全面が覆われるめ、パッド等の外部電極取出し部を
開孔するため絶縁１１１１２の１部をエツチング除去す
る工程も必要となる。更に、多結晶シリコンからなるヒ
ユーズは単体で使用されることは希であり、他の半導体
素子からなる回路との組合せで使用される場合が多く、
耐湿性のよい酸化膜、窒化膜などの絶縁膜１２を追加す
る場合、ヒユーズ切断後、熱工程が加わることになるの
で回路特性が劣化し半導体装置の信頼性が低下するとい
う欠点もある。
本発明の目的は、上記欠点を除去し、ヒユーズ近傍の素
子に悪影響を与えることなくヒユーズ切断ができるヒユ
ーズを有する信頼性の高い半導体装置を提供することに
ある。
子に悪影響を与えることなくヒユーズ切断ができるヒユ
ーズを有する信頼性の高い半導体装置を提供することに
ある。
本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成された凹部
を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の凹部上に
形成された多結晶シリコンからなるヒユーズ本体と、前
記ヒユーズ本体を覆う第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁
膜に設けられた開孔部を通して前記ヒユーズ本体の端部
に接続するヒユーズ電極と、前記ヒユーズ電極及び第２
の絶縁膜を覆う第３の絶縁膜と、前記凹部上の少くとも
前記第３の絶縁膜に設けられた開孔部とを含んで構成さ
れる。
を有する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の凹部上に
形成された多結晶シリコンからなるヒユーズ本体と、前
記ヒユーズ本体を覆う第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁
膜に設けられた開孔部を通して前記ヒユーズ本体の端部
に接続するヒユーズ電極と、前記ヒユーズ電極及び第２
の絶縁膜を覆う第３の絶縁膜と、前記凹部上の少くとも
前記第３の絶縁膜に設けられた開孔部とを含んで構成さ
れる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面及
びＡ−Ａ’線断面図であり、第１図（ａ）では表面のリ
ンガラス層を除いた場合を示している。
びＡ−Ａ’線断面図であり、第１図（ａ）では表面のリ
ンガラス層を除いた場合を示している。
第１図（ａ）、（ｂ）において、半導体基板１上には第
１の絶縁膜として凹部７を有する酸化膜１が形成されて
おり、この酸化膜２の凹部７上には厚さ４０００〜６０
００人の多結晶シリコンからなるヒユーズ本体３が形成
されている。そしてこのヒユーズ本体３上には第２の絶
縁膜として酸化Ｒ５が形成されており、この酸化膜５に
設けられたコンタクト孔６を介してヒユーズ本体３の端
部に接続するヒユーズ電極４が設けている。これら酸化
膜５及びヒユーズ電極４上には第３の絶縁膜としてリン
ガラス膜８が設けられており、更に凹部７上のこのリン
ガラス膜８には開孔部９が形成されている。尚、酸化膜
２の凹部７は、例えば窒化膜をマスクとした選択酸化法
等により形成することができる。
１の絶縁膜として凹部７を有する酸化膜１が形成されて
おり、この酸化膜２の凹部７上には厚さ４０００〜６０
００人の多結晶シリコンからなるヒユーズ本体３が形成
されている。そしてこのヒユーズ本体３上には第２の絶
縁膜として酸化Ｒ５が形成されており、この酸化膜５に
設けられたコンタクト孔６を介してヒユーズ本体３の端
部に接続するヒユーズ電極４が設けている。これら酸化
膜５及びヒユーズ電極４上には第３の絶縁膜としてリン
ガラス膜８が設けられており、更に凹部７上のこのリン
ガラス膜８には開孔部９が形成されている。尚、酸化膜
２の凹部７は、例えば窒化膜をマスクとした選択酸化法
等により形成することができる。
このように構成されたヒユーズを切断した場合は、リン
ガラス膜８に開孔部９が形成されている為に、従来のよ
うに大きな開孔が形成されることはない、従って近傍の
素子に悪影響を与えることはなくなる。更に第３図に示
したように、ヒユーズ切断後に開孔部９近傍のリンガラ
ス膜８を局部的にレーザ光等で加熱し、開孔部を埋める
ことができるので、従来のように新たに絶縁膜を堆積さ
せなりエツチング作業を行う工程が不要となるため半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
ガラス膜８に開孔部９が形成されている為に、従来のよ
うに大きな開孔が形成されることはない、従って近傍の
素子に悪影響を与えることはなくなる。更に第３図に示
したように、ヒユーズ切断後に開孔部９近傍のリンガラ
ス膜８を局部的にレーザ光等で加熱し、開孔部を埋める
ことができるので、従来のように新たに絶縁膜を堆積さ
せなりエツチング作業を行う工程が不要となるため半導
体装置の信頼性を向上させることができる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図であり、第１図
（ａ）、（ｂ）に示した第１の実施例と異なる所はリン
ガラス膜８と酸化膜５とに開孔部９Ａが設けられている
ことである。
（ａ）、（ｂ）に示した第１の実施例と異なる所はリン
ガラス膜８と酸化膜５とに開孔部９Ａが設けられている
ことである。
すなわち半導体基板１上の酸化膜２に形成された凹部７
上には、多結晶シリコンからなるヒユーズ本体３が形成
されている。そしてこのヒユーズ本体３上に第１の実施
例と同様に酸化膜５をＣＶＤ法によって堆積させ、次に
写真蝕刻作業によってコンタクト孔を形成する０次に、
アルミニウム膜を形成したのちバターニングしアルミ配
線と一体的にヒユーズ電極４を形成する。次でリンガラ
ス膜８を形成したのち写真蝕刻作業によってヒユーズ本
体３上のリンガラス膜８及び酸化膜５に開孔部９Ａを形
成する。
上には、多結晶シリコンからなるヒユーズ本体３が形成
されている。そしてこのヒユーズ本体３上に第１の実施
例と同様に酸化膜５をＣＶＤ法によって堆積させ、次に
写真蝕刻作業によってコンタクト孔を形成する０次に、
アルミニウム膜を形成したのちバターニングしアルミ配
線と一体的にヒユーズ電極４を形成する。次でリンガラ
ス膜８を形成したのち写真蝕刻作業によってヒユーズ本
体３上のリンガラス膜８及び酸化膜５に開孔部９Ａを形
成する。
この第２の実施例もヒユーズ本体上に開孔部９Ａが形成
されているため、ヒユーズを切断した場合筒１の実施例
と同様に近傍の素子に悪影響を与えることはない。
されているため、ヒユーズを切断した場合筒１の実施例
と同様に近傍の素子に悪影響を与えることはない。
以上説明したように本発明は、凹部を有する絶縁膜の凹
部上に多結晶シリコンからなるヒユーズ本体を形成しこ
のヒユーズ本体上に絶縁膜に開孔部を設けることにより
、ヒユーズ近傍の他の素子に悪影響を与えることなくヒ
ユーズを切断できる効果がある。従って半導体装置の信
頼性は向上する。
部上に多結晶シリコンからなるヒユーズ本体を形成しこ
のヒユーズ本体上に絶縁膜に開孔部を設けることにより
、ヒユーズ近傍の他の素子に悪影響を与えることなくヒ
ユーズを切断できる効果がある。従って半導体装置の信
頼性は向上する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例の平面図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実施例
の断面図、第３図は本発明の実施例の効果を説明する為
の断面図、第４図（ａ）〜（ｂ）は従来の半導体装置の
ヒユーズの構造を説明するための断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３・・・ヒユー
ズ本体、４・・・ヒユーズ電極、５・・・酸化膜、６・
・・コンタクト孔、７・・・凹部、８・・・リンガラス
膜、９，９Ａ・・・開孔部、１０・・・開孔、１１・・
・絶縁膜、１２・・・絶縁膜。 第１図 葛２ 囚 鴻３図
及びＡ−Ａ’線断面図、第２図は本発明の第２の実施例
の断面図、第３図は本発明の実施例の効果を説明する為
の断面図、第４図（ａ）〜（ｂ）は従来の半導体装置の
ヒユーズの構造を説明するための断面図である。 １・・・半導体基板、２・・・酸化膜、３・・・ヒユー
ズ本体、４・・・ヒユーズ電極、５・・・酸化膜、６・
・・コンタクト孔、７・・・凹部、８・・・リンガラス
膜、９，９Ａ・・・開孔部、１０・・・開孔、１１・・
・絶縁膜、１２・・・絶縁膜。 第１図 葛２ 囚 鴻３図
Claims (1)
- 半導体基板上に形成された凹部を有する第１の絶縁膜と
、前記第１の絶縁膜の凹部上に形成された多結晶シリコ
ンからなるヒューズ本体と、前記ヒューズ本体を覆う第
２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に設けられた開孔部を
通して前記ヒューズ本体の端部に接続するヒューズ電極
と、前記ヒューズ電極及び第２の絶縁膜を覆う第３の絶
縁膜と、前記凹部上の少くとも前記第３の絶縁膜に設け
られた開孔部とを含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7805687A JPS63244644A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7805687A JPS63244644A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244644A true JPS63244644A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13651194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7805687A Pending JPS63244644A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244644A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665638A (en) * | 1994-07-07 | 1997-09-09 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for repairing a defect generated cell using a laser |
| JP2007214177A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100843206B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈 패턴과 가드링과의 브리지를 방지할 수 있는 반도체 장치 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7805687A patent/JPS63244644A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5665638A (en) * | 1994-07-07 | 1997-09-09 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for repairing a defect generated cell using a laser |
| JP2007214177A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100843206B1 (ko) * | 2006-10-18 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈 패턴과 가드링과의 브리지를 방지할 수 있는 반도체 장치 |
| US7804153B2 (en) | 2006-10-18 | 2010-09-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device preventing bridge between fuse pattern and guard ring |
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