JPH02272770A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH02272770A JPH02272770A JP9567289A JP9567289A JPH02272770A JP H02272770 A JPH02272770 A JP H02272770A JP 9567289 A JP9567289 A JP 9567289A JP 9567289 A JP9567289 A JP 9567289A JP H02272770 A JPH02272770 A JP H02272770A
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 17
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造方法、特にコンタクト形
成方法に関するものである。
成方法に関するものである。
第２図は従来の半導体装置を示す断面図である。
図において、（１）はシリコン基板、（５）はシリコン
酸化膜（２）、多結晶シリコン（３）、高融点金属（４
）の三層構造から成る金属電極、（６）は活性領域、（
７）は層間絶縁酸化膜、（８）は眉間絶縁酸化膜（７）
を除去したコンタクト領域、（９）は配線である。
酸化膜（２）、多結晶シリコン（３）、高融点金属（４
）の三層構造から成る金属電極、（６）は活性領域、（
７）は層間絶縁酸化膜、（８）は眉間絶縁酸化膜（７）
を除去したコンタクト領域、（９）は配線である。
次に製造方法について説明する。シリコン基板（１）上
にシリコン酸化膜（２）、多結晶シリコン（３）、高融
点金属（４）の三層構造による金属電極（５）を形成す
る。
にシリコン酸化膜（２）、多結晶シリコン（３）、高融
点金属（４）の三層構造による金属電極（５）を形成す
る。
次に金属電極（５）をマスクに活性領域（６）を形成す
る口この上に、膜厚１ｏｏｏｏ Ａ程度の層間絶縁酸化
膜（７）を形成する。
る口この上に、膜厚１ｏｏｏｏ Ａ程度の層間絶縁酸化
膜（７）を形成する。
次に、活性領域（６）との導通をとりたい部分の層間絶
縁酸化膜（７）を除去し、コンタクト領域（８）を形成
する。
縁酸化膜（７）を除去し、コンタクト領域（８）を形成
する。
最後に、シリコン含有のアルミニウムなどの材料を用い
て、配線（９）を形成する。この配線（９）により、コ
ンタクト領域（８）は覆われ、活性領域（６）と配線（
９）の間が導通し、金属電極（５）と配線（９）は層間
絶縁酸化膜（７）により、電気的に絶縁される。
て、配線（９）を形成する。この配線（９）により、コ
ンタクト領域（８）は覆われ、活性領域（６）と配線（
９）の間が導通し、金属電極（５）と配線（９）は層間
絶縁酸化膜（７）により、電気的に絶縁される。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
配線（９）に用いられるアル又ニウムが、活性領域（６
）側をζ突き抜けてしまうことがあった。また、これを
防止するために、アルミニウム中にシリコンを含有させ
緩和してきた。しかし、コンタクト領域（８）の開口サ
イズが１．２μｍ平方程度になると・この含有されたシ
リコンが、コンタクト領域（８）内で析出し、活性領域
（６）と、配線（９）の接触抵抗を増大させていた。
配線（９）に用いられるアル又ニウムが、活性領域（６
）側をζ突き抜けてしまうことがあった。また、これを
防止するために、アルミニウム中にシリコンを含有させ
緩和してきた。しかし、コンタクト領域（８）の開口サ
イズが１．２μｍ平方程度になると・この含有されたシ
リコンが、コンタクト領域（８）内で析出し、活性領域
（６）と、配線（９）の接触抵抗を増大させていた。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので従来より使用されてきた製造方法を用いて、ア
ルミニウムの突き抜けや、シリコン析出を防止すること
ができる半導体装置を得ることを目的とする。
たもので従来より使用されてきた製造方法を用いて、ア
ルミニウムの突き抜けや、シリコン析出を防止すること
ができる半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、金属電極に用いる高融点
金属をコンタクト領域にも備えたものである。
金属をコンタクト領域にも備えたものである。
この発明における高融点金属は、金属電極形成時のもの
をそのまま用い、アルミニウムの突き抜けや、シリコン
析出を防止できる。
をそのまま用い、アルミニウムの突き抜けや、シリコン
析出を防止できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図（ａ）〜（ｅ）は半導体装置の製造工程を追って示し
た断面図である。図において（１）〜（９）は第２図の
従来例に示したものと同等であるので説明を省略する。
図（ａ）〜（ｅ）は半導体装置の製造工程を追って示し
た断面図である。図において（１）〜（９）は第２図の
従来例に示したものと同等であるので説明を省略する。
第１図（ａ）において、シリコン基板（１）上にシリコ
ン酸化膜（２）、多結晶シリコン（３）をそれぞれ、酸
化・ＣＶＤにより形成する。
ン酸化膜（２）、多結晶シリコン（３）をそれぞれ、酸
化・ＣＶＤにより形成する。
次に、金属電極（５）となる部分に実寸法よりも０．３
〜０．５μｍ程度オーバーサイズをかけたマスクを用い
、写真製版、エツチングにより、多結晶シリコン（３）
のパターンを形成する。
〜０．５μｍ程度オーバーサイズをかけたマスクを用い
、写真製版、エツチングにより、多結晶シリコン（３）
のパターンを形成する。
次ニ、この多結晶シリコン（３）のパターンをマスクと
して、Ａｓまたは、Ｂを注入する事により、活性領域（
６）を形成する◇ 次に、第１図（ｂ）のようにシリコン酸化膜（２）をエ
ツチングし、コンタクト領域（８）のシリコン酸化膜（
２）を除去する。次に、第１図（Ｃ）のように、高融点
金属（４）をスパッタなどにより、デポジットする。
して、Ａｓまたは、Ｂを注入する事により、活性領域（
６）を形成する◇ 次に、第１図（ｂ）のようにシリコン酸化膜（２）をエ
ツチングし、コンタクト領域（８）のシリコン酸化膜（
２）を除去する。次に、第１図（Ｃ）のように、高融点
金属（４）をスパッタなどにより、デポジットする。
ここで、コンタクト領域（８）は、シリコン酸化膜（２
）が除去されているので、高融点金属（４）、活性領域
（６）間の電気的導通が達成される。
）が除去されているので、高融点金属（４）、活性領域
（６）間の電気的導通が達成される。
次に、第１図（ｄ）に示すように、写真製版・エツチン
グにより、多結晶シリコン（３）及び、コンタクト領域
（８）上にのみ高融点金属（４）のパターンを形成する
◎このとき、多結晶シリコン（３）上の高融点金属（４
）のパターンの寸法を、多結晶シリコン（３）の寸法よ
りも０．２〜０．３μｍ程度細くすることにより、マス
ク合せズレ（こよる多結晶シリコン（３）と高融点金属
（４）のズレを防止できる。次に第１図（ｅ）に示すご
と〈従来技術と同様に、居間絶縁酸化膜（７）をデポジ
ットし、写真製版・エツチングによりコンタクト領域（
８）を形成する。
グにより、多結晶シリコン（３）及び、コンタクト領域
（８）上にのみ高融点金属（４）のパターンを形成する
◎このとき、多結晶シリコン（３）上の高融点金属（４
）のパターンの寸法を、多結晶シリコン（３）の寸法よ
りも０．２〜０．３μｍ程度細くすることにより、マス
ク合せズレ（こよる多結晶シリコン（３）と高融点金属
（４）のズレを防止できる。次に第１図（ｅ）に示すご
と〈従来技術と同様に、居間絶縁酸化膜（７）をデポジ
ットし、写真製版・エツチングによりコンタクト領域（
８）を形成する。
最後に、シリコン含有のアルミニウムなどにより、配線
（９）を形成する＠ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、金属電極（５）に用
いる高融点金属（４）をそのまま、コンタクト領域（８
）に備えることにより、従来の製造方法を利用し、アル
ミニウムの突き抜けや、微細化に伴う、シリコン析出の
影響などを抑える効果がある。
（９）を形成する＠ 〔発明の効果〕 以上のように、この発明によれば、金属電極（５）に用
いる高融点金属（４）をそのまま、コンタクト領域（８
）に備えることにより、従来の製造方法を利用し、アル
ミニウムの突き抜けや、微細化に伴う、シリコン析出の
影響などを抑える効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、この発明の一実施例による半
導体装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の半導
体装置を示す断面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）はシリコン
酸化膜、（３）は多結晶シリコン、（４）は高融点金属
、（５）は金属電極、（６）は活性領域、（７）は層間
絶縁酸化膜、（８）はコンタクト領域、（９）は配線で
ある。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
導体装置の製造工程を示す断面図、第２図は従来の半導
体装置を示す断面図である。 図において、（１）はシリコン基板、（２）はシリコン
酸化膜、（３）は多結晶シリコン、（４）は高融点金属
、（５）は金属電極、（６）は活性領域、（７）は層間
絶縁酸化膜、（８）はコンタクト領域、（９）は配線で
ある。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 金属電極形成時に使用する高融点金属をコンタクト開口
部にも備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9567289A JPH02272770A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9567289A JPH02272770A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02272770A true JPH02272770A (ja) | 1990-11-07 |
Family
ID=14143993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9567289A Pending JPH02272770A (ja) | 1989-04-14 | 1989-04-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02272770A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114172A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-19 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 集積回路 |
| JPS63246872A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63278323A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-04-14 JP JP9567289A patent/JPH02272770A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63114172A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-19 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 集積回路 |
| JPS63246872A (ja) * | 1987-04-02 | 1988-10-13 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63278323A (ja) * | 1987-05-11 | 1988-11-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
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