JPS6151918A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS6151918A JPS6151918A JP17554284A JP17554284A JPS6151918A JP S6151918 A JPS6151918 A JP S6151918A JP 17554284 A JP17554284 A JP 17554284A JP 17554284 A JP17554284 A JP 17554284A JP S6151918 A JPS6151918 A JP S6151918A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
＋ａ＋ 発明の技術分野
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に導電性基
板上のコンタクトホールからの配線接続に関する。
板上のコンタクトホールからの配線接続に関する。
（ｂ） 技術の背景
近年、半導体集積回路のパターンの緻密化に伴い、コン
タクトボールの形状が微小になり、このコンタクトホー
ルの底部にある導電性基板からの接続配線は、製造上困
難であり、通常このコンタクトホールからの接続はアル
ミニウムが使用されているが、このアルミニウムがコン
タクトホールに完全に充填されないと、配線接続が不完
全になることがあり、これの改善が要望されている。
タクトボールの形状が微小になり、このコンタクトホー
ルの底部にある導電性基板からの接続配線は、製造上困
難であり、通常このコンタクトホールからの接続はアル
ミニウムが使用されているが、このアルミニウムがコン
タクトホールに完全に充填されないと、配線接続が不完
全になることがあり、これの改善が要望されている。
（Ｃ１従来技術と問題点
第１図に従来例としてＣ−ＭＯＳの場合について従来技
術の概要を説明する。
術の概要を説明する。
第１図（１）において、１はシリコン基板であり、２は
このシリコン基板に形成されたＮ型の拡散層、３はゲー
ト酸化膜で、その表面上にポリシリコンゲート４が形成
されており、５はシリコン酸化物であって、ポリシリコ
ンゲート４とシリコン酸化物５の表面は燐珪酸ガラス（
ＰＳＧ）６によって絶縁されており、Ｎ型の拡散層２か
らの接続配線としてアルミニウ配線７がなされている。
このシリコン基板に形成されたＮ型の拡散層、３はゲー
ト酸化膜で、その表面上にポリシリコンゲート４が形成
されており、５はシリコン酸化物であって、ポリシリコ
ンゲート４とシリコン酸化物５の表面は燐珪酸ガラス（
ＰＳＧ）６によって絶縁されており、Ｎ型の拡散層２か
らの接続配線としてアルミニウ配線７がなされている。
通常、このアルミニウムの配線は、配線を必要とする部
分にアルミニウムをスパンターするか、蒸着によって形
成するが、これらのスパッターや蒸着の際のアルミニウ
ムの分子や原子には比較的方向性があるため、コンタク
トボール内に形成されるアルミニウムの電極７の被膜状
況は第１図（２）に示すように、コンタクトホールの底
面には被着するが、側壁の部分には被着しにくいため、
コンタクトホールの全面を均一の厚みで被覆し、良好な
接続にすることは困難であり、そのため屡々コンタクト
ポールからの外部への引出し配線に接続不良が発生して
いる。
分にアルミニウムをスパンターするか、蒸着によって形
成するが、これらのスパッターや蒸着の際のアルミニウ
ムの分子や原子には比較的方向性があるため、コンタク
トボール内に形成されるアルミニウムの電極７の被膜状
況は第１図（２）に示すように、コンタクトホールの底
面には被着するが、側壁の部分には被着しにくいため、
コンタクトホールの全面を均一の厚みで被覆し、良好な
接続にすることは困難であり、そのため屡々コンタクト
ポールからの外部への引出し配線に接続不良が発生して
いる。
（ｄ＋ 発明の目的
本発明は、上記従来の欠点に鑑み、シリコン基板のコン
タクトホールに、接続配線を完全に被覆形成する新しい
製造方法を提供することを目的とする。
タクトホールに、接続配線を完全に被覆形成する新しい
製造方法を提供することを目的とする。
（８１発明の構成
この目的は、本発明によれば、基板上のコンタクトホー
ルに金属シリサイドを被着した後、上記基板を加熱する
ことによる選択酸化によって該金属シリサイドの表面に
酸化シリコン膜を形成し、次に該酸化シリコン膜をマス
クとして上記コンタクトホール以外の部分の該金属シリ
サイドをエツチング除去と該酸化シリコン膜を除去した
後、該コンタクトホールに所定のアルミニウム配線をし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するこ
とによって達成できる。
ルに金属シリサイドを被着した後、上記基板を加熱する
ことによる選択酸化によって該金属シリサイドの表面に
酸化シリコン膜を形成し、次に該酸化シリコン膜をマス
クとして上記コンタクトホール以外の部分の該金属シリ
サイドをエツチング除去と該酸化シリコン膜を除去した
後、該コンタクトホールに所定のアルミニウム配線をし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するこ
とによって達成できる。
Ｉｎ 発明の実施例
金属シリサイドは電気抵抗が小で電導率が３０〜１００
８９ｃｍであって、ポリシリコンの５００８９ｃｍより
優れており、配線材料としてもアルミニュームに代わり
得るものであり、又この金泥シリサイドは適当な温度で
酸化をした場合には選択酸化をすることが出来るという
性質がある。
８９ｃｍであって、ポリシリコンの５００８９ｃｍより
優れており、配線材料としてもアルミニュームに代わり
得るものであり、又この金泥シリサイドは適当な温度で
酸化をした場合には選択酸化をすることが出来るという
性質がある。
一般に金属シリサイドの下地がシリコンであると酸化シ
リコンが形成され、下地がシリコンで無い場合には金泥
酸化物が形成されるという選択酸化の性質を利用して酸
化シリコンのマスクを生成して、コンタクトボールに金
属シリサイドを完全に埋め込み段差をなくした平面上に
アルミニウムの配線をすることによってシリコン基板表
面のコンタクトホールからの接続配線を完全なものにし
て、半導体集積回路の集積化の向上を計るものである。
リコンが形成され、下地がシリコンで無い場合には金泥
酸化物が形成されるという選択酸化の性質を利用して酸
化シリコンのマスクを生成して、コンタクトボールに金
属シリサイドを完全に埋め込み段差をなくした平面上に
アルミニウムの配線をすることによってシリコン基板表
面のコンタクトホールからの接続配線を完全なものにし
て、半導体集積回路の集積化の向上を計るものである。
第２図は本発明の実施例を模式的に示す断面図である。
第２図（１１で、シリコン基板１０の表面に形成された
Ｎ型導電性の拡散層１１があり、絶縁膜ＰＳＧ１２によ
り一部が被覆されていて、コンタクトホール１３が礼状
に形成されている。
Ｎ型導電性の拡散層１１があり、絶縁膜ＰＳＧ１２によ
り一部が被覆されていて、コンタクトホール１３が礼状
に形成されている。
第２図（２）は、この構造のパターンの表面に金属シリ
サイド１４をＣＶＤ法又は蒸着によって被覆したもので
あり、この金属シリサイドはコンタクトホール１３に完
全充瞑される進行われる。
サイド１４をＣＶＤ法又は蒸着によって被覆したもので
あり、この金属シリサイドはコンタクトホール１３に完
全充瞑される進行われる。
金属シリサイドの金属の種類としては、チタン（Ｔｉ）
、タンタル（Ｔａ）、マンガン（Ｍｎ）等が考慮される
が、チタンが最も優れているため本実施例ではチタンシ
リサイド（ＴｉＳｉ２ ）について説明する。
、タンタル（Ｔａ）、マンガン（Ｍｎ）等が考慮される
が、チタンが最も優れているため本実施例ではチタンシ
リサイド（ＴｉＳｉ２ ）について説明する。
第２図（３）は、チタンシリサイドを被覆した後に６５
０℃程度で酸化したものであるが、この際にコンタクト
ホールに充填されているチタンシリサイドの下面にはシ
リコンが下地になっているため、酸化シリコン１５が形
成され、絶縁物であるＰＳＧの表面ではシリコンが無い
ので酸化チタン（Ｔｉ０２）１６が形成される。
０℃程度で酸化したものであるが、この際にコンタクト
ホールに充填されているチタンシリサイドの下面にはシ
リコンが下地になっているため、酸化シリコン１５が形
成され、絶縁物であるＰＳＧの表面ではシリコンが無い
ので酸化チタン（Ｔｉ０２）１６が形成される。
第２図（４）は酸化チタン１６を除去したもので、除去
の方法としては、酸化チタンが熔解するウェトエッチン
グによってなされる。
の方法としては、酸化チタンが熔解するウェトエッチン
グによってなされる。
第２図（５）は、酸化シリコン１５をマスクとしてコン
タクトホールの中のチタンシリサイドを被ｒｉ密封して
おいて、チタンシリサイド１４をエツチングによって除
去したものである。
タクトホールの中のチタンシリサイドを被ｒｉ密封して
おいて、チタンシリサイド１４をエツチングによって除
去したものである。
第２図（６）は酸化シリコン１５を除去したものであり
、このようにして、コンタクトホール内には、コンタク
トホールの壁面の全面に渡って密着し、良好な導電性の
チタンシリサイドが充填されることになる。
、このようにして、コンタクトホール内には、コンタク
トホールの壁面の全面に渡って密着し、良好な導電性の
チタンシリサイドが充填されることになる。
第２図（７）は、平面状になったパターン表面にアルミ
ニウム配線１７を通常の方法によって形成したものであ
って、このような製造方法により、完全に電気的に接続
されたコンタクトホールの取り出し配線が可能となる。
ニウム配線１７を通常の方法によって形成したものであ
って、このような製造方法により、完全に電気的に接続
されたコンタクトホールの取り出し配線が可能となる。
＋ｇ＋ 発明のりＪ果
以上詳細に説明したように、本発明のシリコン基板のコ
ンタクトホールの配線構造が完全になることにより半導
体装置の集積化の向上に供し得るという効果大なるもの
がある。
ンタクトホールの配線構造が完全になることにより半導
体装置の集積化の向上に供し得るという効果大なるもの
がある。
第１図は、従来のコンタクトホールの断面図、第２図は
、本発明のコンタクトホールの断面図である。 図において、１０はシリコン基板、１１は拡散層、１２
はＰＳＧ、１３はコンタクトホール、１４はチタンシリ
サイド、１５は酸化シリコン、１６は酸化チタン、１７
はアルミニウム配線である。 第 ７ 図
、本発明のコンタクトホールの断面図である。 図において、１０はシリコン基板、１１は拡散層、１２
はＰＳＧ、１３はコンタクトホール、１４はチタンシリ
サイド、１５は酸化シリコン、１６は酸化チタン、１７
はアルミニウム配線である。 第 ７ 図
Claims (1)
- 基板上のコンタクトホールに金属シリサイドを被着した
後、上記基板を加熱することによる選択酸化によって該
金属シリサイドの表面に酸化シリコン膜を形成し、次に
該酸化シリコン膜をマスクとして上記コンタクトホール
以外の部分の該金属シリサイドをエッチング除去と該酸
化シリコン膜を除去した後、該コンタクトホールに所定
のアルミニウム配線をしたことを特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17554284A JPS6151918A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17554284A JPS6151918A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151918A true JPS6151918A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15997895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17554284A Pending JPS6151918A (ja) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151918A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210311A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 液体燃料燃焼装置 |
| KR100368981B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
| JP2011060739A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Ji Young Shon | 圧力反応装置及びそれを用いた圧力反応方法 |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP17554284A patent/JPS6151918A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62210311A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 | Mitsubishi Electric Corp | 液体燃料燃焼装置 |
| JPH0437321B2 (ja) * | 1986-03-10 | 1992-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | |
| KR100368981B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2003-07-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
| JP2011060739A (ja) * | 2009-09-07 | 2011-03-24 | Ji Young Shon | 圧力反応装置及びそれを用いた圧力反応方法 |
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