JPH01223751A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01223751A JPH01223751A JP4883688A JP4883688A JPH01223751A JP H01223751 A JPH01223751 A JP H01223751A JP 4883688 A JP4883688 A JP 4883688A JP 4883688 A JP4883688 A JP 4883688A JP H01223751 A JPH01223751 A JP H01223751A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置の製造方法、特に多層配線形成に
関するものである。
関するものである。
第２図は従来の半導体装置における多層配線の一例の構
造形成法金示す断面図である。
造形成法金示す断面図である。
第２図Ａに示すように、シリコン基板Ｉｌｌ上に絶縁膜
（２１、例えばシリコン酸化便を、ＣＶＤ法スパッタ法
などにより形成し、その上に蒸着法、スパッタ法などに
より金属膜、例えばアルミニウム合金を形成し、４真製
版及びエツチング法などによりパターニングを施し下層
配線犬３；を形成する。次に第２図ＢＶＣ示すように上
層配線１３１上に絶縁膜（４１、例えばシリコン酸化備
倉ＣＶＤ法、スパッタ法などにより形成し、写真製版、
エツチング法などによりパター二ングヲ抱シ、スルーホ
ール１６１を形成する。
（２１、例えばシリコン酸化便を、ＣＶＤ法スパッタ法
などにより形成し、その上に蒸着法、スパッタ法などに
より金属膜、例えばアルミニウム合金を形成し、４真製
版及びエツチング法などによりパターニングを施し下層
配線犬３；を形成する。次に第２図ＢＶＣ示すように上
層配線１３１上に絶縁膜（４１、例えばシリコン酸化備
倉ＣＶＤ法、スパッタ法などにより形成し、写真製版、
エツチング法などによりパター二ングヲ抱シ、スルーホ
ール１６１を形成する。
次に第２図Ｃに示すように金属膜１７）、例えばタング
ステン１ｉ１１１に、六ふつ化タングステンヲ原材料ガ
スとしてＣＶＤ法により選択的にスルーホールに成長さ
せ埋め込む。次に第８図Ｄ ＹＣ示でように蒸着法、ス
パッタ法などにより金＠摸、例えばアルミニウム合金を
形成し、写真製版、エツチング法などによりパターニン
グし上層配線（８）を形成する。
ステン１ｉ１１１に、六ふつ化タングステンヲ原材料ガ
スとしてＣＶＤ法により選択的にスルーホールに成長さ
せ埋め込む。次に第８図Ｄ ＹＣ示でように蒸着法、ス
パッタ法などにより金＠摸、例えばアルミニウム合金を
形成し、写真製版、エツチング法などによりパターニン
グし上層配線（８）を形成する。
従来の半導体装置では第２図Ｃに示すように、金属膜を
ＣＶＤ法により形成した場合、アルミニウムのぶつ化物
が界面に形成され、電気的に絶縁されてしまうという課
題があった。
ＣＶＤ法により形成した場合、アルミニウムのぶつ化物
が界面に形成され、電気的に絶縁されてしまうという課
題があった。
この発明は上記のような課題を解消するためになされた
もので、金属膜と下層配線とに電気的に接触させること
？目的とする。
もので、金属膜と下層配線とに電気的に接触させること
？目的とする。
この発明に係る半導体装置は、ＣＶＤ法によＩけ形成硬
、イオン注入全し安定な電気的接鴨ケ実現したものであ
る。
、イオン注入全し安定な電気的接鴨ケ実現したものであ
る。
この発明において、ＣＶＤ法によって金属膜？形成した
際、界面に形成されたアルミニウムのぶつ化層にイオン
注入を行い、イオン注入による衝撃？加え−１破壊し、
下層の配線膜と、ＣＶＤ法により形成される金属膜とを
電気的に接続するものである。
際、界面に形成されたアルミニウムのぶつ化層にイオン
注入を行い、イオン注入による衝撃？加え−１破壊し、
下層の配線膜と、ＣＶＤ法により形成される金属膜とを
電気的に接続するものである。
以下、この発明の一実施−１ｒ区ｊについて説明する。
第１図Ａ−Ｅけ本発明の一実施例による半導体装置の製
造方法を製造工程順に示し、第１図Ａ及び第１図Ｂｄそ
れぞれ従来法で示した第２図Ａ及び第２図Ｂと同一状態
である。偏１図Ｂの後、第１図Ｃに示すように、金属膜
（９）、例えばタングステン喚を六ふつ化タングステン
？原料としてＣＶＤ法ｌ（より選択的にスルーホール１
６）の１氏邪に、博く形成し、その後、イオンをアルミ
ニウムのぶつ化物（６）中に充分達するエネルギーで注
入する。次に第１図りに示すように、金属膜、１０１、
例えばタングステン膜をＣＶＤ法によりスルーホール１
５）中に埋め込む。
造方法を製造工程順に示し、第１図Ａ及び第１図Ｂｄそ
れぞれ従来法で示した第２図Ａ及び第２図Ｂと同一状態
である。偏１図Ｂの後、第１図Ｃに示すように、金属膜
（９）、例えばタングステン喚を六ふつ化タングステン
？原料としてＣＶＤ法ｌ（より選択的にスルーホール１
６）の１氏邪に、博く形成し、その後、イオンをアルミ
ニウムのぶつ化物（６）中に充分達するエネルギーで注
入する。次に第１図りに示すように、金属膜、１０１、
例えばタングステン膜をＣＶＤ法によりスルーホール１
５）中に埋め込む。
次に第１図Ｅに示すように蒸着法、スパッタ法などによ
り金属膜、例えばアルミニウム合金を形成し、写真製版
、エツチング法などによりパターニングし上層配線（８
）を形成する。
り金属膜、例えばアルミニウム合金を形成し、写真製版
、エツチング法などによりパターニングし上層配線（８
）を形成する。
以上のようにこの発明によれば、下層配線と上層配線（
ｒ−絶縁する絶縁物の層を破壊したことにより、容易に
電気的接続が可能となり、信・槓性の晶い半導体を得る
ことができる。
ｒ−絶縁する絶縁物の層を破壊したことにより、容易に
電気的接続が可能となり、信・槓性の晶い半導体を得る
ことができる。
第１図はこの発明の一実施ダｊによる半導体装、宜の製
造方法を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製造
方法を示す断面図である。。 図中、ＩＩＩ ｒｉシリコン基板、１２１ 、 ｌ＋ｌ
ｌ’ｊ絶縁膜、（３１は下層配線膜、＋５１ 汀スルー
ホール、（６）はアルミニウムのぶつ化物、（８）汀上
層配線膜、＋９１ 、１１０１ ｕ金属膜である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
造方法を示す断面図、第２図は従来の半導体装置の製造
方法を示す断面図である。。 図中、ＩＩＩ ｒｉシリコン基板、１２１ 、 ｌ＋ｌ
ｌ’ｊ絶縁膜、（３１は下層配線膜、＋５１ 汀スルー
ホール、（６）はアルミニウムのぶつ化物、（８）汀上
層配線膜、＋９１ 、１１０１ ｕ金属膜である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 第１金属配線膜と、この上に形成された絶縁膜と、こ
の絶縁膜にあけられたスルーホールと、このスルーホー
ルに、高融点金属のハロゲン化合物を原料ガスとして用
いるＣＶＤ法により埋め込まれた金属又は金属硅化物と
、その上に第２金属配線膜とを有する半導体装置におい
て、上記ＣＶＤ法による膜形成の工程以後に、イオン注
入をスルーホール部を含む領域に施すことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4883688A JPH01223751A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4883688A JPH01223751A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01223751A true JPH01223751A (ja) | 1989-09-06 |
Family
ID=12814330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4883688A Pending JPH01223751A (ja) | 1988-03-02 | 1988-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01223751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01300540A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-02 JP JP4883688A patent/JPH01223751A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01300540A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-05 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
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