JPH03148129A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH03148129A JPH03148129A JP28650189A JP28650189A JPH03148129A JP H03148129 A JPH03148129 A JP H03148129A JP 28650189 A JP28650189 A JP 28650189A JP 28650189 A JP28650189 A JP 28650189A JP H03148129 A JPH03148129 A JP H03148129A
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- tungsten
- contact hole
- wiring
- silicon oxide
- oxide film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、素子、あるいは配線を相互に接続させる配線
の一構成要素として、コンタクトホール内に選択的に形
成された導電体を用いた半導体装置の構造に関する。
の一構成要素として、コンタクトホール内に選択的に形
成された導電体を用いた半導体装置の構造に関する。
［従来の技術］
従来の半導体装置では１例えば、トランジスターの一構
成要素である不純物拡散層からコンタクトホールを介し
て金属配線を引き出す場合には。
成要素である不純物拡散層からコンタクトホールを介し
て金属配線を引き出す場合には。
第３図（ａ）〜（Ｃ）のような工程に従って製造されて
おり、その構造としては、不純物拡散層３・０２を含む
シリコン基板３０１上に形成された酸化珪素膜３０３に
コンタクトホールを形成した後に、コンタクトホールを
含む絶縁膜上にアルミニウム・シリコン合金３０４をス
パッター法により形成した後、フォト・エツチング技術
によりアルミニウム・シリコン合金３０４を配線状に加
工していた。
おり、その構造としては、不純物拡散層３・０２を含む
シリコン基板３０１上に形成された酸化珪素膜３０３に
コンタクトホールを形成した後に、コンタクトホールを
含む絶縁膜上にアルミニウム・シリコン合金３０４をス
パッター法により形成した後、フォト・エツチング技術
によりアルミニウム・シリコン合金３０４を配線状に加
工していた。
［発明が解決しようとする課題 ］しかしながら
、前述の従来技術では、パターンが微細化されるにとも
ないコンタクトホール部分でのアルミニウム・シリコン
合金の被覆性が乏しくなり、最悪の場合には、この部分
において、アルミニウム・シリコン合金の配線が断線す
ることがあった。
、前述の従来技術では、パターンが微細化されるにとも
ないコンタクトホール部分でのアルミニウム・シリコン
合金の被覆性が乏しくなり、最悪の場合には、この部分
において、アルミニウム・シリコン合金の配線が断線す
ることがあった。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的とするところは、コンタクトホールの中にのみ選択
的に導電体を形成し、この部分における配線の断線を防
止するとともに２選択的に形成された導電体とその上に
形成されたアルミニウム合金との接触抵抗を低減させる
半導体装置を提供するところにある。
目的とするところは、コンタクトホールの中にのみ選択
的に導電体を形成し、この部分における配線の断線を防
止するとともに２選択的に形成された導電体とその上に
形成されたアルミニウム合金との接触抵抗を低減させる
半導体装置を提供するところにある。
［課題を解決するための手段］
本発明は、半導体基板上に形成されたトタンジスター
ダイオード等の素子、あるいは配線を相互に接続するた
めの引出し電極の一部分として。
ダイオード等の素子、あるいは配線を相互に接続するた
めの引出し電極の一部分として。
前記素子、あるいは前記配線上の絶縁膜に開孔されたコ
ンタクトホール内に選択的に形成された導電体の厚さが
、前記絶縁膜よりも厚いことを特徴とする。
ンタクトホール内に選択的に形成された導電体の厚さが
、前記絶縁膜よりも厚いことを特徴とする。
［実施例］
本発明の実施例における構造を示す断面図を第１図に示
す。すなわち、不純物拡散層１０２を含むシリコン基板
１０１上に形成された酸化珪素膜１０３に開孔されたコ
ンタクトホール内に選択的に形成されたタングステン１
０４の厚さが酸化珪素膜１０３よりも厚く形成されてお
り、タングステン１０４が酸化珪素膜１０３より突出し
ており。
す。すなわち、不純物拡散層１０２を含むシリコン基板
１０１上に形成された酸化珪素膜１０３に開孔されたコ
ンタクトホール内に選択的に形成されたタングステン１
０４の厚さが酸化珪素膜１０３よりも厚く形成されてお
り、タングステン１０４が酸化珪素膜１０３より突出し
ており。
その突出した部分がアルミニウム・銅合金１０５接触す
ることにより、最終的に不純物拡散／１１０２とアルミ
ニウム・銅合金１０５が電気的に導通するような構造に
なっている。
ることにより、最終的に不純物拡散／１１０２とアルミ
ニウム・銅合金１０５が電気的に導通するような構造に
なっている。
以下、詳細は、第２図（ａ）〜（ｅ）に従って、工程を
追いながら、説明していく。
追いながら、説明していく。
まず最初に、第２図（ａ）のように、不純物拡散層２０
２を含むシリコン基板２０１上方に形成された酸化珪素
膜２０３．窒化珪素膜２０４．酸化珪素膜２０５の３層
より成る絶縁膜を形成した後、第２図（ｂ）のように、
この絶縁膜に、コンタクトホールを開孔する。
２を含むシリコン基板２０１上方に形成された酸化珪素
膜２０３．窒化珪素膜２０４．酸化珪素膜２０５の３層
より成る絶縁膜を形成した後、第２図（ｂ）のように、
この絶縁膜に、コンタクトホールを開孔する。
次に、第２図（Ｃ）のように、コンタクトホール内にの
み選択的にタングステン２０６を形成する。このとき、
タングステン２０６は、六弗化タングステンおよびシラ
ンを反応ガスとする気相成長法により形成している。タ
ングステン２０６はコンタクトホールをほぼ完全に埋め
る程度まで成長させる。このとき、タングステン２０６
は、主にコンタクトホール内の不純物拡散層２０２上に
のみ成長するが、僅かながらであるが酸化珪素膜２０５
上に局所的にタングステンが成長する場合があり、その
まま残しておくと、配線の短絡などの原因となり歩留ま
り低下を引き起こすので、後工程で除去する必要がある
。
み選択的にタングステン２０６を形成する。このとき、
タングステン２０６は、六弗化タングステンおよびシラ
ンを反応ガスとする気相成長法により形成している。タ
ングステン２０６はコンタクトホールをほぼ完全に埋め
る程度まで成長させる。このとき、タングステン２０６
は、主にコンタクトホール内の不純物拡散層２０２上に
のみ成長するが、僅かながらであるが酸化珪素膜２０５
上に局所的にタングステンが成長する場合があり、その
まま残しておくと、配線の短絡などの原因となり歩留ま
り低下を引き起こすので、後工程で除去する必要がある
。
次に、第２図（ｄ）のように、希弗酸により最上層の酸
化珪素膜２０５を除去する。このとき。
化珪素膜２０５を除去する。このとき。
酸化珪素膜２０５上に成長していたタングステンもリフ
トオンされ除去される。このとき、酸化珪素膜２０５の
下には窒化珪素膜２０４があり、窒化珪素ＪＩＩ２０４
及びタングステン２０６は希弗酸ではエツチングされな
いため、長時間エツチングしても絶縁膜の膜厚が必要以
上に減少することはない。ここで、コンタクトホール中
に成長させたタングステン２０６は酸化珪素膜２０５の
膜厚骨だけ突出した形になっている。
トオンされ除去される。このとき、酸化珪素膜２０５の
下には窒化珪素膜２０４があり、窒化珪素ＪＩＩ２０４
及びタングステン２０６は希弗酸ではエツチングされな
いため、長時間エツチングしても絶縁膜の膜厚が必要以
上に減少することはない。ここで、コンタクトホール中
に成長させたタングステン２０６は酸化珪素膜２０５の
膜厚骨だけ突出した形になっている。
最後に、タングステン２０６を含む窒化珪素膜２０４上
にスパッター法によりアルミニウム・銅合金２０７を形
成した後、フォト・エツチング技術により配線化する。
にスパッター法によりアルミニウム・銅合金２０７を形
成した後、フォト・エツチング技術により配線化する。
［発明の効果］
以上述べたように１本発明によれば、素子、配線の上方
に形成された絶縁膜に開孔されたコンタクトホール中に
選択的に形成されたタングステンの膜厚を絶縁膜よりも
厚くシ、タングステンを絶縁膜上に突出させ、この突出
部分に於て、アルミニウム・銅合金と電気的に導通させ
るようにすることにより、コンタクトホール内に於ける
配線の断線を防止するとともに、タングステンとアルミ
ニウム・銅合金との接触抵抗を低下させることが出来る
ようになり、高速動作可能で、高信頼性の半導体装置を
高歩留まりで製造できるようになった。
に形成された絶縁膜に開孔されたコンタクトホール中に
選択的に形成されたタングステンの膜厚を絶縁膜よりも
厚くシ、タングステンを絶縁膜上に突出させ、この突出
部分に於て、アルミニウム・銅合金と電気的に導通させ
るようにすることにより、コンタクトホール内に於ける
配線の断線を防止するとともに、タングステンとアルミ
ニウム・銅合金との接触抵抗を低下させることが出来る
ようになり、高速動作可能で、高信頼性の半導体装置を
高歩留まりで製造できるようになった。
第１図は１本発明の実施例を示す半導体装置の断面図。
第２図（ａ）〜（ｅ）は１本発明の半導体装置の製造方
法を示す主要工程断面図。 第３図（ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法
を示す主要工程断面図。 １０１．２０１，３０１ シリコン基板１０２．２０
２，３０２ 不純物拡散層１０３
酸化珪素膜２０３．２０５ 酸化珪素膜３
０３ 酸化珪素膜２０４
窒化珪素膜 １０４．２０６ タングステン１０５．２０
７ アルミニウム・鋸台０４ アルミニウム・シリ コン合金 以上
法を示す主要工程断面図。 第３図（ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法
を示す主要工程断面図。 １０１．２０１，３０１ シリコン基板１０２．２０
２，３０２ 不純物拡散層１０３
酸化珪素膜２０３．２０５ 酸化珪素膜３
０３ 酸化珪素膜２０４
窒化珪素膜 １０４．２０６ タングステン１０５．２０
７ アルミニウム・鋸台０４ アルミニウム・シリ コン合金 以上
Claims (1)
- 半導体基板上に形成されたトタンジスター、ダイオー
ド等の素子、あるいは配線を相互に接続するための引出
し電極の一部分として、前記素子、あるいは前記配線上
の絶縁膜に開孔されたコンタクトホール内に選択的に形
成された導電体の厚さが、前記絶縁膜よりも厚いことを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28650189A JPH03148129A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28650189A JPH03148129A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03148129A true JPH03148129A (ja) | 1991-06-24 |
Family
ID=17705222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28650189A Pending JPH03148129A (ja) | 1989-11-02 | 1989-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03148129A (ja) |
-
1989
- 1989-11-02 JP JP28650189A patent/JPH03148129A/ja active Pending
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