JPH01120878A - ジョセフソン効果素子 - Google Patents
ジョセフソン効果素子Info
- Publication number
- JPH01120878A JPH01120878A JP62278553A JP27855387A JPH01120878A JP H01120878 A JPH01120878 A JP H01120878A JP 62278553 A JP62278553 A JP 62278553A JP 27855387 A JP27855387 A JP 27855387A JP H01120878 A JPH01120878 A JP H01120878A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- effect element
- josephson effect
- forming
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005668 Josephson effect Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- -1 etc. Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ジョセフソン効果素子の構造に関する。
従来、ジョセフソン効果素子は第３図に示す如き構造を
とっていた。すなわち、絶縁基板４の表面には第１の４
電膜２２が形成され、その上に数１０人のＳ ｔ Ｏ＊
Ｉａ等から成るトンネル絶縁膜２２を形成後、その上
に第２の導電膜が第１の４電膜２２と同じ材料にて構成
されてなるのが通例であった。
とっていた。すなわち、絶縁基板４の表面には第１の４
電膜２２が形成され、その上に数１０人のＳ ｔ Ｏ＊
Ｉａ等から成るトンネル絶縁膜２２を形成後、その上
に第２の導電膜が第１の４電膜２２と同じ材料にて構成
されてなるのが通例であった。
しかし、上記従来技術によると、第１の導電膜と第２の
導電膜とを立体的に形成せねばならず、配Ｉａ領域が大
きくなり、高集積化に向かないと云う場合があると云う
問題点があった。
導電膜とを立体的に形成せねばならず、配Ｉａ領域が大
きくなり、高集積化に向かないと云う場合があると云う
問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、平面形に
てジッセフソン効果素子を形成できる構造を提供し、ジ
コセフン／効果素子の高集積化を容易にすることを目的
とする。
てジッセフソン効果素子を形成できる構造を提供し、ジ
コセフン／効果素子の高集積化を容易にすることを目的
とする。
上記ｒＡ題点を解決するために本発明は、ジョセフンン
効果素子に関し、絶縁基板上に電導体膜を形成し、該電
導体膜の結晶粒界又はエツチング溝内にトンネル絶縁膜
を形成する手段をとる事、及び、前記トンネル絶縁膜上
に絶＆！膜を介してトンネル電流制御ゲート電極を形成
し電界効果トランジスタとなす手段をとる事を基本とす
る。
効果素子に関し、絶縁基板上に電導体膜を形成し、該電
導体膜の結晶粒界又はエツチング溝内にトンネル絶縁膜
を形成する手段をとる事、及び、前記トンネル絶縁膜上
に絶＆！膜を介してトンネル電流制御ゲート電極を形成
し電界効果トランジスタとなす手段をとる事を基本とす
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示すジ、セフンン効果素子
の断面図である。すなわち、Ｓ Ｉ Ｔ ｉＯｓ 、Ｍ
ｇＯ％Ａρｍｏｓ＊の単結晶あるいは石英やガラス等か
ら成る絶縁基板１の表面にはＹＢａＳｒＣｕＯｌＡｕｑ
ＳｎＯ等から成るＷｆｆｔｌｉ ２の多結晶膜又は、
単結晶膜が形成され、該ａｆｆｉａ ２の結晶粒界を酸
化するか、あるいはイオ／、ビーム、エツチングや電子
ビーム露光によるホト・エツチング等により数１０人の
極めて細い溝を形成後、ＧＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ［）６ｐ□５ｉｔｉｏｎ）法等によりＳｉ
Ｏ，ｌｌや５ｉｓＮａｌｌｉ２あるいはＡβ＊Ｏｓ膜等
から成るトンネル絶縁膜３を形成して成る。
の断面図である。すなわち、Ｓ Ｉ Ｔ ｉＯｓ 、Ｍ
ｇＯ％Ａρｍｏｓ＊の単結晶あるいは石英やガラス等か
ら成る絶縁基板１の表面にはＹＢａＳｒＣｕＯｌＡｕｑ
ＳｎＯ等から成るＷｆｆｔｌｉ ２の多結晶膜又は、
単結晶膜が形成され、該ａｆｆｉａ ２の結晶粒界を酸
化するか、あるいはイオ／、ビーム、エツチングや電子
ビーム露光によるホト・エツチング等により数１０人の
極めて細い溝を形成後、ＧＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｕｒ［）６ｐ□５ｉｔｉｏｎ）法等によりＳｉ
Ｏ，ｌｌや５ｉｓＮａｌｌｉ２あるいはＡβ＊Ｏｓ膜等
から成るトンネル絶縁膜３を形成して成る。
第２図は本発明の他の実施例を示すジ９セフソン トラ
ンジスタの断面図であり、絶縁基板１１、の表面に形成
されたＳ電膜１２には結晶粒界の酸化あるいはエツチン
グによる細溝形成後にＣＶＤ法によるトンネル絶縁ＷＡ
１３を形成後、該トンネル絶縁１１２１３を含む表面に
ＣＶＤ法等により５ｉＯ１膜や５ｉｓＮａ膜あるいはＡ
β、０．膜等から成るゲート絶縁膜１４を５０〜１００
人程度の厚さで形成後、その上にゲート電ｔｉ １５を
形成したものである。
ンジスタの断面図であり、絶縁基板１１、の表面に形成
されたＳ電膜１２には結晶粒界の酸化あるいはエツチン
グによる細溝形成後にＣＶＤ法によるトンネル絶縁ＷＡ
１３を形成後、該トンネル絶縁１１２１３を含む表面に
ＣＶＤ法等により５ｉＯ１膜や５ｉｓＮａ膜あるいはＡ
β、０．膜等から成るゲート絶縁膜１４を５０〜１００
人程度の厚さで形成後、その上にゲート電ｔｉ １５を
形成したものである。
尚ＪＩＬＩｆ膜２はレーザー・アニールや、電子線アニ
ール等により単結晶膜にしてもよく、又、結晶粒界をｆ
ｆ１ｍ的に形成にしてもよく、結晶粒界は１つ以上あっ
てもよいことは云うまでもない。
ール等により単結晶膜にしてもよく、又、結晶粒界をｆ
ｆ１ｍ的に形成にしてもよく、結晶粒界は１つ以上あっ
てもよいことは云うまでもない。
本発明によりジョセフソン効果素子が平面形で形成でき
ることになり、集積回路化が容易となる効果がある。
ることになり、集積回路化が容易となる効果がある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示すジタセフソン
効果素子の断面図であり、第３図は従来技術による、ジ
コセフソ／効果素子の断面図である。 １．１１．２１・・・絶縁基板 ２、１２、２２・・・導電膜 ３．１３．２３・・・トンネル絶縁膜 １４・・・ゲート絶縁膜 １５・・・ゲート絶縁膜 以 上 出ＥＥｌ セイフーエプソン株式会社ｌＩ１図 、第２図 第３図
効果素子の断面図であり、第３図は従来技術による、ジ
コセフソ／効果素子の断面図である。 １．１１．２１・・・絶縁基板 ２、１２、２２・・・導電膜 ３．１３．２３・・・トンネル絶縁膜 １４・・・ゲート絶縁膜 １５・・・ゲート絶縁膜 以 上 出ＥＥｌ セイフーエプソン株式会社ｌＩ１図 、第２図 第３図
Claims (2)
- （１）絶縁基板上には電導体膜が形成され、該電導体膜
の結晶粒界又は、エッチング溝内にはトンネル絶縁膜が
形成されて成る事を特徴とするジョセフソン効果素子。 - （２）前記トンネル絶縁膜上には絶縁膜を介してトンネ
ル電流制御ゲート電極が形成されて電界効果トランジス
タとなした事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
ジョセフソン効果素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278553A JPH01120878A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | ジョセフソン効果素子 |
| US07/226,606 US5179426A (en) | 1987-08-04 | 1988-08-01 | Josephson device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62278553A JPH01120878A (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 | ジョセフソン効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01120878A true JPH01120878A (ja) | 1989-05-12 |
Family
ID=17598866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62278553A Pending JPH01120878A (ja) | 1987-08-04 | 1987-11-04 | ジョセフソン効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01120878A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218077A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導体装置及び超伝導体装置の製造方法 |
| US5157466A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-20 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
| US5488030A (en) * | 1990-09-20 | 1996-01-30 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Superconductor junction structure including two oxide superconductor layers separated by a non-superconducting layer |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP62278553A patent/JPH01120878A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01218077A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-31 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 超伝導体装置及び超伝導体装置の製造方法 |
| US5488030A (en) * | 1990-09-20 | 1996-01-30 | Sumitomo Electric Industries, Inc. | Superconductor junction structure including two oxide superconductor layers separated by a non-superconducting layer |
| US5157466A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-20 | Conductus, Inc. | Grain boundary junctions in high temperature superconductor films |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59208783A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| GB1037519A (en) | Electrical circuits | |
| JPS61206279A (ja) | 超電導素子 | |
| JPH01120878A (ja) | ジョセフソン効果素子 | |
| JPH02211429A (ja) | 液晶表示装置用の薄膜トランジスタとクロスオーバ構体およびその製造法 | |
| JPH07122718B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPS6226854A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2522014B2 (ja) | 透明電極の形成方法 | |
| JPS62126671A (ja) | 電荷転送装置 | |
| JPS58170030A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61188968A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JP2671373B2 (ja) | 薄膜パターンの形成方法 | |
| JPH09129890A (ja) | 多結晶半導体ｔｆｔ、その製造方法、及びｔｆｔ基板 | |
| JPH02272770A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02130969A (ja) | ジョセフソン接合の製造方法 | |
| JPS6027159A (ja) | 薄膜非線形抵抗素子の製造方法 | |
| JPS62101073A (ja) | 電荷転送素子及び該素子の製造方法 | |
| JPH01255271A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS59150478A (ja) | 薄膜回路装置 | |
| JP2646614B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5948961A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63299157A (ja) | 容量素子 | |
| JPS6120153B2 (ja) | ||
| JPH01293566A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63182862A (ja) | 薄膜電界効果型トランジスタの製造方法 |