JPS62101073A - 電荷転送素子及び該素子の製造方法 - Google Patents
電荷転送素子及び該素子の製造方法Info
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- JPS62101073A JPS62101073A JP61251568A JP25156886A JPS62101073A JP S62101073 A JPS62101073 A JP S62101073A JP 61251568 A JP61251568 A JP 61251568A JP 25156886 A JP25156886 A JP 25156886A JP S62101073 A JPS62101073 A JP S62101073A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66946—Charge transfer devices
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-
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/762—Charge transfer devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電荷転送素子及び該素子の製造方法に関する
。更に詳細には２段になった電極面を備えた電荷転送素
子に関する。本発明の電荷転送素子によるならば、素子
の全表面にわたって電位を制御できる。更に、本発明の
電荷転送素子の製造方法では、２段になった電極面の被
覆が不要であり、その結果として厳密な製造精度を必要
としない。
。更に詳細には２段になった電極面を備えた電荷転送素
子に関する。本発明の電荷転送素子によるならば、素子
の全表面にわたって電位を制御できる。更に、本発明の
電荷転送素子の製造方法では、２段になった電極面の被
覆が不要であり、その結果として厳密な製造精度を必要
としない。
従来の技術
現在製造されている電荷転送素子がＶＬＳ Ｉ集積回路
と呼称される大規模集積回路に対する製造基準に適合す
ることが増々必要となっている。
と呼称される大規模集積回路に対する製造基準に適合す
ることが増々必要となっている。
ＶＬＳ １回路の小型化によって、高度な解像度のホｌ
−ＩＪソグラフィ技術ばかりでなく、所定位置に素子を
高精度に形成する技術も必要となってきている。２段に
なった電極面を有する電荷転送素子では、第１の電極面
に対して第２の電極面を所定の位置に正確に形成するこ
とが、素子の正常動作を確保する上で重要である。
−ＩＪソグラフィ技術ばかりでなく、所定位置に素子を
高精度に形成する技術も必要となってきている。２段に
なった電極面を有する電荷転送素子では、第１の電極面
に対して第２の電極面を所定の位置に正確に形成するこ
とが、素子の正常動作を確保する上で重要である。
発明が解決しようとする問題点
このように素子を所定位置に正確に形成することは、使
用するウェハの寸法が増大するにつれ、増々難しくなっ
ている。
用するウェハの寸法が増大するにつれ、増々難しくなっ
ている。
本発明は、上記素子を所定位置に正確に形成する問題を
解決した、電荷転送素子及びその製造方法を提供せんき
するものである。
解決した、電荷転送素子及びその製造方法を提供せんき
するものである。
問題点を解決するための手段
本発明によるならば、
ドープされた半導体からなり１方の面が絶縁層で被、覆
された基板と、 該基板の１方の面上に間隙部によって分離されて設けら
れ、絶縁層で被覆された少なくとも２つの下部電極と、 上記間隙部の一部及び上記下部電極の一方の電極の一部
を被覆する少なくとも１つの上部電極と、上部電極と一
体化して、もう一方の下部電極の絶縁層と上記上部電極
の間の上記間隙部の残余の部分を被覆する導電材料から
なる部分と、を備えることを特徴とする電荷転送素子が
提供される。
された基板と、 該基板の１方の面上に間隙部によって分離されて設けら
れ、絶縁層で被覆された少なくとも２つの下部電極と、 上記間隙部の一部及び上記下部電極の一方の電極の一部
を被覆する少なくとも１つの上部電極と、上部電極と一
体化して、もう一方の下部電極の絶縁層と上記上部電極
の間の上記間隙部の残余の部分を被覆する導電材料から
なる部分と、を備えることを特徴とする電荷転送素子が
提供される。
また、本発明によるならば、
ドープされた非晶質半導体材料からなる基板の１方の面
に絶縁層を形成し、 該絶縁層の上に第１の導電層を堆積させ、上記第１の導
電層に間隙部で分離された下部電極をエツチングで形成
し、 該下部電極の上に絶縁層を形成し、 上記操作により形成された素子の上に第２の導電層を形
成し、 上記第２の導電層に上部電極をエツチングで形成する、 連続工程からなり、上記上部電極は上記間隙部の一部と
１方の下部電極の一部とを被覆している電荷転送素子の
製造方法であって、 上記下部及び上部電極の素子に上部電極と同じ導電材料
からなる第３の導電層を形成し、上記第３の導電層をエ
ツチングもしくは酸化させて、上記間隙部の残余の部分
を被覆する導電材料部分を形成する工程と を更に備えることを特徴とする方法が提供される。
に絶縁層を形成し、 該絶縁層の上に第１の導電層を堆積させ、上記第１の導
電層に間隙部で分離された下部電極をエツチングで形成
し、 該下部電極の上に絶縁層を形成し、 上記操作により形成された素子の上に第２の導電層を形
成し、 上記第２の導電層に上部電極をエツチングで形成する、 連続工程からなり、上記上部電極は上記間隙部の一部と
１方の下部電極の一部とを被覆している電荷転送素子の
製造方法であって、 上記下部及び上部電極の素子に上部電極と同じ導電材料
からなる第３の導電層を形成し、上記第３の導電層をエ
ツチングもしくは酸化させて、上記間隙部の残余の部分
を被覆する導電材料部分を形成する工程と を更に備えることを特徴とする方法が提供される。
実施例
本発明のその他の目的、特長及び利点は、添付図面を参
照して例示的に行う以下の記述により明らかとなろう。
照して例示的に行う以下の記述により明らかとなろう。
各図において、同一の素子には同一の参照番号が付され
ている。
ている。
第３図は従来の電荷転送素子を示す図である。
例えば、単結晶シリコンのような半導体材料からなる基
板１は、酸化物層等の絶縁層２で被覆されている。その
絶縁層２の上には、下部電極３及び３°（例えば蓄積電
極）が堆積されている。これら下部電極は、例えば酸化
物からなる絶縁層４及び４°で被覆されている。これら
２つの下部電極は互いに完全に分；胤されており、電極
間間隙部５を画成する。上部電極６（例えば転送電極）
は、間隙部５と該間隙部の両側の下部電極３及び３′の
一部を被覆している。
板１は、酸化物層等の絶縁層２で被覆されている。その
絶縁層２の上には、下部電極３及び３°（例えば蓄積電
極）が堆積されている。これら下部電極は、例えば酸化
物からなる絶縁層４及び４°で被覆されている。これら
２つの下部電極は互いに完全に分；胤されており、電極
間間隙部５を画成する。上部電極６（例えば転送電極）
は、間隙部５と該間隙部の両側の下部電極３及び３′の
一部を被覆している。
第３図に示すような電荷転送素子を製造する場合、下部
電極３．３″を被覆する上部電極６を形成するのに問題
があった。
電極３．３″を被覆する上部電極６を形成するのに問題
があった。
本発明は、上記電荷転送素子の簡便な製造方法を提供せ
んとするものである。
んとするものである。
第１の工程では、基板１の面１０の上に絶縁層２が形成
される。絶縁材料としては、例えばシリカのような酸化
物を用いることができる。
される。絶縁材料としては、例えばシリカのような酸化
物を用いることができる。
絶縁層２の上には続いて、例えば多結晶シリコンからな
る導電層が堆積される。該導電層から、下部電極３．３
′がホトエツチングもしくはその他のエツチング方法に
よって形成される。こうして、比較的細長く互いに近接
する２つの下部電極を備えた、第１図に示す素子構造が
得られる。この場合、電極幅が約２．５μｍの下部電極
の形成が可能となる。
る導電層が堆積される。該導電層から、下部電極３．３
′がホトエツチングもしくはその他のエツチング方法に
よって形成される。こうして、比較的細長く互いに近接
する２つの下部電極を備えた、第１図に示す素子構造が
得られる。この場合、電極幅が約２．５μｍの下部電極
の形成が可能となる。
次に、下部電極３．３′は、その上面及び側面部が絶縁
層で金環される。下部電極３は絶縁層４によって、下部
電極３″は絶縁層４”によってそれぞれ被覆きれる。第
２図の素子構造は以上のようにして形成される。
層で金環される。下部電極３は絶縁層４によって、下部
電極３″は絶縁層４”によってそれぞれ被覆きれる。第
２図の素子構造は以上のようにして形成される。
以上の如く形成された素子は、例えば多結晶シリコンか
らなる導電層で被覆される。該導電層は例えばホトリソ
グラスイ法によってエツチングされて、下部電極３と３
″の間に位置する間隙部５を被覆する上部電極６が形成
される。こうして、第３図に示すような電荷転送素子が
製造される。
らなる導電層で被覆される。該導電層は例えばホトリソ
グラスイ法によってエツチングされて、下部電極３と３
″の間に位置する間隙部５を被覆する上部電極６が形成
される。こうして、第３図に示すような電荷転送素子が
製造される。
しかし、上記製造方法では、高精度なエツチング操作が
必要である。
必要である。
実際に、上部電極６は、幅が約２．５μｍの間隙部５に
よりほんの僅かに幅が広くなるように形成される。した
がって、上部電極を所定位置に形成することができなけ
れば、例えば間隙部の被覆されない部分の幅が０．５μ
ｍにも及ぶ第４図に示すような素子構成になってしまう
。
よりほんの僅かに幅が広くなるように形成される。した
がって、上部電極を所定位置に形成することができなけ
れば、例えば間隙部の被覆されない部分の幅が０．５μ
ｍにも及ぶ第４図に示すような素子構成になってしまう
。
上部電極は間隙部５の範囲５１を被覆しているが、範囲
５２を被覆していない。したがって、範囲５２は電極の
制御を受けず、電荷転送の正常動作を妨げることになる
。
５２を被覆していない。したがって、範囲５２は電極の
制御を受けず、電荷転送の正常動作を妨げることになる
。
本発明は、第５図に示すように、上部電極６と同種の導
電材料からなる導電層８を第４図に示した素子全体にわ
たって堆積させる工程を備えている。
電材料からなる導電層８を第４図に示した素子全体にわ
たって堆積させる工程を備えている。
続いて導電層８は、エツチングもしくは酸化されて、上
部電極６が分離される。ただし、範囲５２を被覆してお
り、しかも上部電極６と一体化している導電材料部分９
によって、電極間間隙部５は確実に被覆された状態で残
る。
部電極６が分離される。ただし、範囲５２を被覆してお
り、しかも上部電極６と一体化している導電材料部分９
によって、電極間間隙部５は確実に被覆された状態で残
る。
本発明の製造方法によれば、上部電極面が所定位置に形
成されないことがあるという問題を解決するために、従
来の電荷転送素子では本来的に必要であった再被覆工程
が不要となる。この結果、全体の寸法をかなり小さくす
ることができ、再被覆に起因する寄生容Ｉを大幅に低減
することが可能となる。
成されないことがあるという問題を解決するために、従
来の電荷転送素子では本来的に必要であった再被覆工程
が不要となる。この結果、全体の寸法をかなり小さくす
ることができ、再被覆に起因する寄生容Ｉを大幅に低減
することが可能となる。
特に電荷転送素子が二相モードで動作する場合には、転
送電極よりも蓄積電極を特別の電極とするのが好ましい
。
送電極よりも蓄積電極を特別の電極とするのが好ましい
。
従来の方法では、高さの異なる電極面間を再被覆するこ
とが必要なため、下部電極３．３”を上部電極６より幅
の広いものとする必要があった。
とが必要なため、下部電極３．３”を上部電極６より幅
の広いものとする必要があった。
これが、下部電極を蓄積電極とし、上部電極を電荷転送
電極とする理由である。
電極とする理由である。
本発明の製造方法では、下部電極３．３′の幅は製造中
（過剰エツチング、酸化等）に減少する傾向があるため
、上部電極６の幅が増大することになる。従って、二段
になった電極の機能を逆転させて、下部電極を蓄積電極
とし、上部電極を電荷転送電極とすることが可能となる
。
（過剰エツチング、酸化等）に減少する傾向があるため
、上部電極６の幅が増大することになる。従って、二段
になった電極の機能を逆転させて、下部電極を蓄積電極
とし、上部電極を電荷転送電極とすることが可能となる
。
第１図、第２図、第４図、第５図及び第６図は、本発明
製造方法の各工程を示す図であり、第３図は、従来の型
式の電荷転送素子を示す図であり、 第７図は、本発明に従う電荷転送素子を示す図である。 （主な参照番号） １・・基板、 ２・・絶縁層、 ３．３′ ・・下部電極、
製造方法の各工程を示す図であり、第３図は、従来の型
式の電荷転送素子を示す図であり、 第７図は、本発明に従う電荷転送素子を示す図である。 （主な参照番号） １・・基板、 ２・・絶縁層、 ３．３′ ・・下部電極、
Claims (2)
- （１）ドープされた半導体からなり１方の面が絶縁層で
被覆された基板と、 該基板の１方の面上に間隙部によって分離されて設けら
れ、絶縁層で被覆された少なくとも２つの下部電極と、 上記間隙部の一部及び上記下部電極の一方の電極の一部
を被覆する少なくとも１つの上部電極と、上部電極と一
体化して、もう一方の下部電極の絶縁層と上記上部電極
の間の上記間隙部の残余の部分を被覆する導電材料から
なる部分と、 を備えることを特徴とする電荷転送素子。 - （２）ドープされた非晶質半導体材料からなる基板の１
方の面に絶縁層を形成し、 該絶縁層の上に第１の導電層を堆積させ、 上記第１の導電層に間隙部で分離された下部電極をエッ
チングで形成し、 該下部電極の上に絶縁層を形成し、 上記操作により形成された素子の上に第２の導電層を形
成し、 上記第２の導電層に上部電極をエッチングで形成する、 連続工程からなり、上記上部電極は上記間隙部の一部と
１方の下部電極の一部とを被覆している電荷転送素子の
製造方法であって、 上記下部及び上部電極の素子に上部電極と同じ導電材料
からなる第３の導電層を形成し、 上記第３の導電層をエッチングもしくは酸化させて、上
記間隙部の残余の部分を被覆する導電材料部分を形成す
る工程と を更に備えることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8515664A FR2589004B1 (fr) | 1985-10-22 | 1985-10-22 | Dispositif a transfert de charges et procede de realisation d'un tel dispositif |
| FR8515664 | 1985-10-22 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62101073A true JPS62101073A (ja) | 1987-05-11 |
Family
ID=9324088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61251568A Pending JPS62101073A (ja) | 1985-10-22 | 1986-10-22 | 電荷転送素子及び該素子の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4963953A (ja) |
| EP (1) | EP0220989B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62101073A (ja) |
| DE (1) | DE3670726D1 (ja) |
| FR (1) | FR2589004B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4839306B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-12-21 | プッツマイスター エンジニアリング ゲーエムベーハー | 濃厚物質ポンプの制御装置および制御方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2641416A1 (fr) * | 1988-12-30 | 1990-07-06 | Thomson Composants Militaires | Procede de fabrication d'un dispositif a transfert de charges |
| US5369040A (en) * | 1992-05-18 | 1994-11-29 | Westinghouse Electric Corporation | Method of making transparent polysilicon gate for imaging arrays |
-
1985
- 1985-10-22 FR FR8515664A patent/FR2589004B1/fr not_active Expired
-
1986
- 1986-10-16 DE DE8686402324T patent/DE3670726D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-16 EP EP86402324A patent/EP0220989B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-22 JP JP61251568A patent/JPS62101073A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-21 US US07/396,797 patent/US4963953A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4839306B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2011-12-21 | プッツマイスター エンジニアリング ゲーエムベーハー | 濃厚物質ポンプの制御装置および制御方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3670726D1 (de) | 1990-05-31 |
| FR2589004B1 (fr) | 1987-11-20 |
| US4963953A (en) | 1990-10-16 |
| FR2589004A1 (fr) | 1987-04-24 |
| EP0220989B1 (fr) | 1990-04-25 |
| EP0220989A1 (fr) | 1987-05-06 |
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