JPH1174364A - レーザーにより切断されるヒューズ用の保護層を有する集積回路および該集積回路の製造方法 - Google Patents
レーザーにより切断されるヒューズ用の保護層を有する集積回路および該集積回路の製造方法Info
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- JPH1174364A JPH1174364A JP10180594A JP18059498A JPH1174364A JP H1174364 A JPH1174364 A JP H1174364A JP 10180594 A JP10180594 A JP 10180594A JP 18059498 A JP18059498 A JP 18059498A JP H1174364 A JPH1174364 A JP H1174364A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 少なくとも２つのヒューズが小さな間隔で隣
接し、隣接するヒューズのいずれをも損傷することな
く、容易に、選択的に１つのヒューズを切断可能な集積
回路およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 複数の隣接したヒューズを有する集積回
路において、前記複数のヒューズは、保護層を有する第
１のヒューズを含み、前記保護層は、前記第１のヒュー
ズの少なくとも一部分に配置されるレーザーエネルギー
に対して実質的に耐性であり、少なくとも前記第１のヒ
ューズ上にレーザーエネルギーの照射を行う際には、前
記保護層が、前記第１のヒューズの前記保護層によって
覆われた前記部分を保護する。
接し、隣接するヒューズのいずれをも損傷することな
く、容易に、選択的に１つのヒューズを切断可能な集積
回路およびその製造方法を提供すること。 【解決手段】 複数の隣接したヒューズを有する集積回
路において、前記複数のヒューズは、保護層を有する第
１のヒューズを含み、前記保護層は、前記第１のヒュー
ズの少なくとも一部分に配置されるレーザーエネルギー
に対して実質的に耐性であり、少なくとも前記第１のヒ
ューズ上にレーザーエネルギーの照射を行う際には、前
記保護層が、前記第１のヒューズの前記保護層によって
覆われた前記部分を保護する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に、少なくとも
１つのヒューズを意図的に、例えばレーザーエネルギー
を適用することにより切断する、複数のヒューズを有す
る集積回路関する。また特に、本発明の集積回路内のヒ
ューズは、デバイス内の隣接ヒューズをレーザが除去さ
せる間の、偶発的な障害から保護されている。本発明は
またこのような集積回路の製造方法に関する。
１つのヒューズを意図的に、例えばレーザーエネルギー
を適用することにより切断する、複数のヒューズを有す
る集積回路関する。また特に、本発明の集積回路内のヒ
ューズは、デバイス内の隣接ヒューズをレーザが除去さ
せる間の、偶発的な障害から保護されている。本発明は
またこのような集積回路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路は、数多くの、時には数千も
の、単一のチップ上に電気内部接続によって互いに接続
された個々のエレメントから成る。標準的なプロセスの
完了後にチップ上の内部接続を変更する機能は、チップ
の歩留まり（動作可能なチップの数）およびチップのカ
スタマイゼーション（専用の機能を実行させるためにチ
ップを変更する）において大きな改善となることがわか
ってきている。この工業分野で広く行われている技法に
は、レーザーのビームを使用して内部接続の一部（ヒュ
ーズと称される）の気化（切断）がある。ここでは、元
々は内部接続によって形成されていた電気接続を除去
し、「オープン」を形成する。通常は、このヒューズ
は、冗長的な回路に接続されており、欠陥のあるワード
ラインおよび／またはビットラインを冗長的ラインによ
って置き換えるものである（冗長的アクティベーショ
ン）。
の、単一のチップ上に電気内部接続によって互いに接続
された個々のエレメントから成る。標準的なプロセスの
完了後にチップ上の内部接続を変更する機能は、チップ
の歩留まり（動作可能なチップの数）およびチップのカ
スタマイゼーション（専用の機能を実行させるためにチ
ップを変更する）において大きな改善となることがわか
ってきている。この工業分野で広く行われている技法に
は、レーザーのビームを使用して内部接続の一部（ヒュ
ーズと称される）の気化（切断）がある。ここでは、元
々は内部接続によって形成されていた電気接続を除去
し、「オープン」を形成する。通常は、このヒューズ
は、冗長的な回路に接続されており、欠陥のあるワード
ラインおよび／またはビットラインを冗長的ラインによ
って置き換えるものである（冗長的アクティベーショ
ン）。
【０００３】レーザー除去によるこの技法は、機能的な
歩留まりを改善する試みとして広く使用されているが、
ヒューズの切断歩留まりとヒューズの信頼性は、従来の
プロセスを使用して製造された従来のデバイスでは、特
に小さいヒューズピッチへの適用に対して問題となって
いる。特に従来のデバイスにおけるヒューズへのレーザ
エネルギーの適用は、切断するヒューズに隣接する構造
体に損傷を与えることがあった。これは、隣接する構造
体が、ターゲットヒューズと同程度に断線を起こしやす
い別のヒューズである場合は特にいえることである。複
数のヒューズを隣接して使用することはふつうに行われ
ていることであるため、隣接ヒューズの意図しない断線
は、当業者にとっては認識されている問題である。
歩留まりを改善する試みとして広く使用されているが、
ヒューズの切断歩留まりとヒューズの信頼性は、従来の
プロセスを使用して製造された従来のデバイスでは、特
に小さいヒューズピッチへの適用に対して問題となって
いる。特に従来のデバイスにおけるヒューズへのレーザ
エネルギーの適用は、切断するヒューズに隣接する構造
体に損傷を与えることがあった。これは、隣接する構造
体が、ターゲットヒューズと同程度に断線を起こしやす
い別のヒューズである場合は特にいえることである。複
数のヒューズを隣接して使用することはふつうに行われ
ていることであるため、隣接ヒューズの意図しない断線
は、当業者にとっては認識されている問題である。
【０００４】この問題の一つの解決方法は、ヒューズ間
に大きい間隔を使用し、これによってターゲットヒュー
ズに隣接するヒューズが意図せずにレーザーエネルギー
にさらされることを避けることであった。しかしなが
ら、このような大きな間隔は、チップ上の集積回路の集
積度が上昇し続けている現在のトレンドには合わない。
に大きい間隔を使用し、これによってターゲットヒュー
ズに隣接するヒューズが意図せずにレーザーエネルギー
にさらされることを避けることであった。しかしなが
ら、このような大きな間隔は、チップ上の集積回路の集
積度が上昇し続けている現在のトレンドには合わない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、少な
くとも２つのヒューズが隣接し、ヒューズ間に大きな間
隔を必要とせず、隣接するヒューズのいずれをも損傷す
ることなく、容易に、選択的に１つのヒューズを断線さ
せるデバイスおよびその製造方法を提供することであ
る。
くとも２つのヒューズが隣接し、ヒューズ間に大きな間
隔を必要とせず、隣接するヒューズのいずれをも損傷す
ることなく、容易に、選択的に１つのヒューズを断線さ
せるデバイスおよびその製造方法を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題は、複数の隣接
したヒューズを有する集積回路において、前記複数のヒ
ューズは、保護層を有する第１のヒューズを含み、前記
保護層は、前記第１のヒューズの少なくとも一部分に配
置されるレーザーエネルギーに対して実質的に耐性であ
り、少なくとも前記第１のヒューズ上にレーザーエネル
ギーの照射を行う際には、前記保護層が、前記第１のヒ
ューズの前記保護層によって覆われた前記部分を保護す
ることを特徴とする集積回路とその製造方法によって解
決される。
したヒューズを有する集積回路において、前記複数のヒ
ューズは、保護層を有する第１のヒューズを含み、前記
保護層は、前記第１のヒューズの少なくとも一部分に配
置されるレーザーエネルギーに対して実質的に耐性であ
り、少なくとも前記第１のヒューズ上にレーザーエネル
ギーの照射を行う際には、前記保護層が、前記第１のヒ
ューズの前記保護層によって覆われた前記部分を保護す
ることを特徴とする集積回路とその製造方法によって解
決される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明により、隣接ヒューズの少
なくとも第１の部分上に形成された保護層によって、隣
接ヒューズを損傷することなしにターゲットヒューズを
切断可能である。有利には、隣接ヒューズの第２の部分
を保護しないままとし、所望の場合には隣接ヒューズを
切断可能とする。
なくとも第１の部分上に形成された保護層によって、隣
接ヒューズを損傷することなしにターゲットヒューズを
切断可能である。有利には、隣接ヒューズの第２の部分
を保護しないままとし、所望の場合には隣接ヒューズを
切断可能とする。
【０００８】また本発明では、改良された集積回路の製
造プロセスも提供される。このプロセスでは、少なくと
も２つのヒューズ、すなわち第１のヒューズと第２のヒ
ューズが、互いに隣接して形成される。その後、第２の
ヒューズの一部の上に保護層が形成される。また特に有
利な実施態様では、ヒューズと保護層との間に中間層が
形成される。
造プロセスも提供される。このプロセスでは、少なくと
も２つのヒューズ、すなわち第１のヒューズと第２のヒ
ューズが、互いに隣接して形成される。その後、第２の
ヒューズの一部の上に保護層が形成される。また特に有
利な実施態様では、ヒューズと保護層との間に中間層が
形成される。
【０００９】本発明によるデバイスおよび方法では、小
さなヒューズピッチが使用可能であり、レーザの配置に
おける困難性を減少させたために容易なプロセスが可能
である点で有利である。
さなヒューズピッチが使用可能であり、レーザの配置に
おける困難性を減少させたために容易なプロセスが可能
である点で有利である。
【００１０】本発明による集積回路デバイスは、１つの
サブストレート上に隣接して形成された複数の内部接続
と、内部接続の１つの少なくとも一部分の上に形成され
た保護層とを有する。この保護層は、隣接する内部接続
がレーザエネルギーにさらされた場合に、この内部接続
の当該被覆部分の損傷を回避する。
サブストレート上に隣接して形成された複数の内部接続
と、内部接続の１つの少なくとも一部分の上に形成され
た保護層とを有する。この保護層は、隣接する内部接続
がレーザエネルギーにさらされた場合に、この内部接続
の当該被覆部分の損傷を回避する。
【００１１】
【実施例】図１に示した実施例では、サブスレート５上
に、例えばヒューズ１０ａ，１０ｂおよび１０ｃのよう
な複数の内部接続が形成されている。ヒューズ１０ａ，
１０ｂおよび１０ｃは並置して示されているが、隣接ヒ
ューズは別の方向でもよい。
に、例えばヒューズ１０ａ，１０ｂおよび１０ｃのよう
な複数の内部接続が形成されている。ヒューズ１０ａ，
１０ｂおよび１０ｃは並置して示されているが、隣接ヒ
ューズは別の方向でもよい。
【００１２】ヒューズ１０ａ，１０ｂおよび１０ｃは、
内部接続を形成するのに有利であることが公知である、
任意の材料で製造してよい。ヒューズを形成する有利な
材料としては、アルミニウム、銅、ポリシリコン、シリ
コン化合物、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕまたは任意の高伝導性金属または高伝導性合金があ
る。このような材料からヒューズを析出させるための技
術は、当業者には公知である。ヒューズは可能な限り薄
くする必要がある。ヒューズの厚みは典型的には約０．
１μｍ〜約１μｍの範囲でよく、有利には約０．１μｍ
〜約０．５μｍである。ヒューズの大きさは典型的には
幅が約０．５μｍ〜約１．５μｍの範囲であり、縦が約
５μｍ〜約１０μｍである。ヒューズを並置して形成す
る場合には、ヒューズ間の間隔（ヒューズピッチ）は約
１μｍ〜約３μｍの範囲とすると有利である。
内部接続を形成するのに有利であることが公知である、
任意の材料で製造してよい。ヒューズを形成する有利な
材料としては、アルミニウム、銅、ポリシリコン、シリ
コン化合物、Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕまたは任意の高伝導性金属または高伝導性合金があ
る。このような材料からヒューズを析出させるための技
術は、当業者には公知である。ヒューズは可能な限り薄
くする必要がある。ヒューズの厚みは典型的には約０．
１μｍ〜約１μｍの範囲でよく、有利には約０．１μｍ
〜約０．５μｍである。ヒューズの大きさは典型的には
幅が約０．５μｍ〜約１．５μｍの範囲であり、縦が約
５μｍ〜約１０μｍである。ヒューズを並置して形成す
る場合には、ヒューズ間の間隔（ヒューズピッチ）は約
１μｍ〜約３μｍの範囲とすると有利である。
【００１３】保護層１５ａは、ヒューズ１０ａの第１の
部分１４ａ上に形成される。保護層１５ｂと１５ｃは、
ヒューズ１０ｂと１０ｃのそれぞれの部分１４ｂと１４
ｃ上に形成される。部分１２ａ，１２ｂおよび１２ｃ
は、デバイス上へのレーザーエネルギーの照射から保護
されていない。保護層１５ａ，１５ｂと１５ｃは、レー
ザースポット２０のエッジが、この上に照射する際に発
生した熱を吸収し放熱する。これによってそれぞれの保
護層の下に配置されたヒューズを保護する。保護層１５
ａ，１５ｂと１５ｃは任意の材料でよく、保護されてい
ない部分１２ａ，１２ｂまたは１２ｃを切断するのに十
分に強力なレーザーエネルギー照射から実質的に影響を
受けなければよい。レーザーエネルギー高吸収性の材料
であれば特に有利である。保護層１５ａ，１５ｂと１５
ｃを形成するのに有利な材料としては、アルミニウム、
銅、タングステンなどの導電性材がある。保護層は当業
者にとっては公知の方法を使用して形成可能である。例
えば、公知のリソグラフやエッチング技術を使用したパ
ターニングの後に、スパッタリングにより析出してもよ
い。保護層の正確な大きさは、保護されるヒューズと切
断するヒューズの大きさと構成材料、およびヒューズを
切断するために使用されるレーザーのタイプとエネルギ
ーなどの、いくつかの要因に依存するが、これだけに限
定されない。しかしながら典型的には、保護層は、保護
されるヒューズよりもわずかに幅が広く、実際に許容で
きる範囲内の厚みでなければならない。通常では、保護
層の厚みは、約０．１μｍ〜約２μｍの範囲であり、有
利には約１μｍ〜約２μｍの厚みである。
部分１４ａ上に形成される。保護層１５ｂと１５ｃは、
ヒューズ１０ｂと１０ｃのそれぞれの部分１４ｂと１４
ｃ上に形成される。部分１２ａ，１２ｂおよび１２ｃ
は、デバイス上へのレーザーエネルギーの照射から保護
されていない。保護層１５ａ，１５ｂと１５ｃは、レー
ザースポット２０のエッジが、この上に照射する際に発
生した熱を吸収し放熱する。これによってそれぞれの保
護層の下に配置されたヒューズを保護する。保護層１５
ａ，１５ｂと１５ｃは任意の材料でよく、保護されてい
ない部分１２ａ，１２ｂまたは１２ｃを切断するのに十
分に強力なレーザーエネルギー照射から実質的に影響を
受けなければよい。レーザーエネルギー高吸収性の材料
であれば特に有利である。保護層１５ａ，１５ｂと１５
ｃを形成するのに有利な材料としては、アルミニウム、
銅、タングステンなどの導電性材がある。保護層は当業
者にとっては公知の方法を使用して形成可能である。例
えば、公知のリソグラフやエッチング技術を使用したパ
ターニングの後に、スパッタリングにより析出してもよ
い。保護層の正確な大きさは、保護されるヒューズと切
断するヒューズの大きさと構成材料、およびヒューズを
切断するために使用されるレーザーのタイプとエネルギ
ーなどの、いくつかの要因に依存するが、これだけに限
定されない。しかしながら典型的には、保護層は、保護
されるヒューズよりもわずかに幅が広く、実際に許容で
きる範囲内の厚みでなければならない。通常では、保護
層の厚みは、約０．１μｍ〜約２μｍの範囲であり、有
利には約１μｍ〜約２μｍの厚みである。
【００１４】図２に示した特に有利な実施例では、保護
層はヒューズ上に形成されるが、ヒューズとは直接接触
していない。保護層の析出の前に、中間層１９がサブス
トレート５、ヒューズ１０ａ，ｂおよびｃ上に形成され
る。中間層１９は有利には、保護層またはヒューズと比
べて比較的熱伝導性の低い材料からなる。有利な材料と
しては、例えばシリコン酸化物またはシリコン窒化物の
ような誘電材料がある。またさらに中間層１９を異なる
材料の複数の層から構成することも可能である。一般的
には、中間層の厚みは約０．２μｍ〜約１μｍの範囲で
ある。中間層１９は、断熱性の特性を有し、例えば保護
層１５ｃに当たったレーザービーム２０が放散して、ヒ
ューズ１０ｃの部分１４ｃに直接的には伝わらないこと
を保証するための支援を行っている。このようにして、
ヒューズ１０ｃに対する偶発的な損傷を回避する。保護
層１５ａ，１５ｂおよび１５ｃへのレーザエネルギーの
照射によるこれらの部分的な損傷は、デバイスになんら
悪影響を与えることなく、許容可能であることに注意さ
れたい。
層はヒューズ上に形成されるが、ヒューズとは直接接触
していない。保護層の析出の前に、中間層１９がサブス
トレート５、ヒューズ１０ａ，ｂおよびｃ上に形成され
る。中間層１９は有利には、保護層またはヒューズと比
べて比較的熱伝導性の低い材料からなる。有利な材料と
しては、例えばシリコン酸化物またはシリコン窒化物の
ような誘電材料がある。またさらに中間層１９を異なる
材料の複数の層から構成することも可能である。一般的
には、中間層の厚みは約０．２μｍ〜約１μｍの範囲で
ある。中間層１９は、断熱性の特性を有し、例えば保護
層１５ｃに当たったレーザービーム２０が放散して、ヒ
ューズ１０ｃの部分１４ｃに直接的には伝わらないこと
を保証するための支援を行っている。このようにして、
ヒューズ１０ｃに対する偶発的な損傷を回避する。保護
層１５ａ，１５ｂおよび１５ｃへのレーザエネルギーの
照射によるこれらの部分的な損傷は、デバイスになんら
悪影響を与えることなく、許容可能であることに注意さ
れたい。
【００１５】本発明による保護層は、ヒューズを、互い
に近接して配置（減少されたヒューズピッチ）し、レー
ザーエネルギーで切断可能とする。この時、隣接ヒュー
ズに偶発的な損傷を与える危険性はない。本発明による
デバイスではまたレーザースポットの誤配置を許容し、
高いレーザーエネルギーの使用を可能とする。このため
ヒューズ切断処理の信頼性を向上させ、迅速化し、優れ
た処理制御を提供する。
に近接して配置（減少されたヒューズピッチ）し、レー
ザーエネルギーで切断可能とする。この時、隣接ヒュー
ズに偶発的な損傷を与える危険性はない。本発明による
デバイスではまたレーザースポットの誤配置を許容し、
高いレーザーエネルギーの使用を可能とする。このため
ヒューズ切断処理の信頼性を向上させ、迅速化し、優れ
た処理制御を提供する。
【００１６】本発明では、ある程度の特殊性を有する有
利な形態で説明したが、数多くの変更と変形が可能であ
り、また上記によればこのような変更と変形は当業者に
は明らかである。したがって、本発明はここで示した特
殊な例とは別に実施されることがあるが、それも本発明
の本質と範囲を逸脱しないものである。
利な形態で説明したが、数多くの変更と変形が可能であ
り、また上記によればこのような変更と変形は当業者に
は明らかである。したがって、本発明はここで示した特
殊な例とは別に実施されることがあるが、それも本発明
の本質と範囲を逸脱しないものである。
【図１】本発明によるデバイスの概略を示す部分平面図
である。
である。
【図２】本発明による特に有利なデバイスの断面図であ
る。
る。
５ サブストレート １０ａ〜１０ｃ ヒューズ １２ａ〜１２ｃ 非保護部分 １４ａ〜１４ｃ 保護部分 １５ａ〜１５ｃ 保護層 １９ 中間層 ２０ レーザースポット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ベッティナ ディンケル アメリカ合衆国 ニューヨーク ポウキー プシー ハリソン ストリート 14
Claims (19)
- 【請求項１】 複数の隣接したヒューズを有する集積回
路において、 前記複数のヒューズは、保護層を有する第１のヒューズ
を含み、 前記保護層は、前記第１のヒューズの少なくとも一部分
に配置されるレーザーエネルギーに対して実質的に耐性
であり、 少なくとも前記第１のヒューズ上にレーザーエネルギー
の照射を行う際には、前記保護層が、前記第１のヒュー
ズの前記保護層によって覆われた前記部分を保護するこ
とを特徴とする集積回路。 - 【請求項２】 複数の隣接したヒューズの少なくとも２
つは、並置される請求項１に記載の集積回路。 - 【請求項３】 前記の並置された少なくとも２つのヒュ
ーズは、約１μｍ〜約３μｍの間隔で配置される請求項
１に記載の集積回路。 - 【請求項４】 前記の複数のヒューズは、Ａｌ，Ｃｕ，
Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮおよび該金属の合金から成るグループ
から選択された、１つまたは複数の材料から形成される
請求項１に記載の集積回路。 - 【請求項５】 前記保護層は、アルミニウム、銅および
タングステンから成るグループから選択された、１つま
たは複数の材料から形成される請求項１に記載の集積回
路。 - 【請求項６】 前記第１のヒューズと前記保護層との間
に中間層を有する請求項１に記載の集積回路。 - 【請求項７】 前記中間層は、少なくとも部分的には、
シリコン酸化物とシリコン窒化物から成るグループから
選択された、１つまたは複数の材料から形成される請求
項１に記載の集積回路。 - 【請求項８】 複数の隣接したヒューズを有する集積回
路であって、 第１の部分を有する第１のヒューズと、 第１と第２の部分を有する第２のヒューズと、 第２のヒューズの第１の部分に関連した保護層とを有
し、 前記第２のヒューズの前記第１の部分は、前記第１のヒ
ューズの前記第１の部分に隣接して配置される形式の集
積回路において、 前記第２のヒューズの前記第１の部分は、前記第１のヒ
ューズの前記第１の部分が、前記第１のヒューズの前記
第１の部分を切断するために十分なレーザーエネルギー
にされらされた際に、損傷を受けないままの状態である
ことを特徴とする集積回路。 - 【請求項９】 前記第１および第２のヒューズは並置さ
れている請求項８に記載の集積回路。 - 【請求項１０】 前記第１および第２のヒューズは、約
１μｍ〜約３μｍの間隔で配置される請求項９に記載の
集積回路。 - 【請求項１１】 前記第１および第２のヒューズは、そ
れぞれ個別に、Ａｌ，Ｃｕ，Ｗ，Ｔｉ，ＴｉＮおよび該
金属の合金から成るグループから選択された、１つまた
は複数の材料から形成される請求項８に記載の集積回
路。 - 【請求項１２】 前記保護層は、アルミニウム、銅およ
びタングステンから成るグループから選択された、１つ
または複数の材料から形成される請求項８に記載の集積
回路。 - 【請求項１３】 前記第２のヒューズと前記保護層との
間に中間層を有する請求項８に記載の集積回路。 - 【請求項１４】 前記中間層は少なくとも部分的に、シ
リコン酸化物とシリコン窒化物から成るグループから選
択された、１つまたは複数の材料から形成される請求項
１３に記載の集積回路。 - 【請求項１５】 集積回路を製造方法において、 ａ） サブストレート上に第１の内部接続と第２の内部
接続を形成するステップと、 ｂ） 前記第１の内部接続の一部分上に保護層を形成す
るステップと、 ｃ） 前記第１の内部接続を含む前記集積回路の一部分
を、該部分を気化するために十分なレーザーエネルギー
にさらし、 前記第２の内部接続を、前記保護層によって、前記レー
ザーエネルギーによる損傷から保護するステップとを有
することを特徴とする製造方法。 - 【請求項１６】 前記第１の内部接続と前記保護層との
間に中間層を形成する請求項１５に記載の製造方法。 - 【請求項１７】 前記第２の内部接続の上に保護層を形
成する請求項１５に記載の製造方法。 - 【請求項１８】 前記サブストレート上に第１の内部接
続と第２の内部接続を形成するステップでは、前記第１
および第２の内部接続を並置して形成する請求項１５に
記載の製造方法。 - 【請求項１９】 前記第１および第２の内部接続を、約
１μｍ〜約３μｍの範囲の間隔で分離する請求項１８に
記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US88286697A | 1997-06-26 | 1997-06-26 | |
| US08/882866 | 1997-06-26 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174364A true JPH1174364A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=25381503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10180594A Withdrawn JPH1174364A (ja) | 1997-06-26 | 1998-06-26 | レーザーにより切断されるヒューズ用の保護層を有する集積回路および該集積回路の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0887858A3 (ja) |
| JP (1) | JPH1174364A (ja) |
| KR (1) | KR100563513B1 (ja) |
| CN (1) | CN1207586A (ja) |
| TW (1) | TW390007B (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100747681B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2007-08-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치의 기판 컷팅 장치 |
| CN113013090B (zh) * | 2021-02-07 | 2022-06-24 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构的熔断填充方法及半导体结构 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59957A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| US4849363A (en) * | 1988-03-18 | 1989-07-18 | Digital Equipment Corporation | Integrated circuit having laser-alterable metallization layer |
| EP0405849A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-05-02 | American Telephone And Telegraph Company | Severable conductive path in an integrated-circuit device |
| JP2656368B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1997-09-24 | 株式会社東芝 | ヒューズの切断方法 |
| US5622892A (en) * | 1994-06-10 | 1997-04-22 | International Business Machines Corporation | Method of making a self cooling electrically programmable fuse |
| TW279229B (en) * | 1994-12-29 | 1996-06-21 | Siemens Ag | Double density fuse bank for the laser break-link programming of an integrated-circuit |
-
1998
- 1998-06-05 EP EP98110309A patent/EP0887858A3/en not_active Withdrawn
- 1998-06-09 TW TW087109148A patent/TW390007B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-06-17 CN CN98114905A patent/CN1207586A/zh active Pending
- 1998-06-25 KR KR1019980024021A patent/KR100563513B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-06-26 JP JP10180594A patent/JPH1174364A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100563513B1 (ko) | 2006-06-21 |
| EP0887858A3 (en) | 1999-02-03 |
| CN1207586A (zh) | 1999-02-10 |
| EP0887858A2 (en) | 1998-12-30 |
| KR19990007316A (ko) | 1999-01-25 |
| TW390007B (en) | 2000-05-11 |
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|---|---|---|---|
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|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20080221 |