JPS59957A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59957A JPS59957A JP57109595A JP10959582A JPS59957A JP S59957 A JPS59957 A JP S59957A JP 57109595 A JP57109595 A JP 57109595A JP 10959582 A JP10959582 A JP 10959582A JP S59957 A JPS59957 A JP S59957A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
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- H01L23/5256—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
- H01L23/5258—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発−〇技術分野
本発明は半導体装置に係り、特にヒユーズ配線をエネル
ギー線により切断することlこよりプログラミングがな
される読出し専用メモリ(FROM)或いは冗長ビラト
ラ有する半導体装置に関する。
ギー線により切断することlこよりプログラミングがな
される読出し専用メモリ(FROM)或いは冗長ビラト
ラ有する半導体装置に関する。
(bl 技術の背景
FROMに於て、絶縁mを介して格子状に配設されたビ
ット線とワードl1le、その交点に於てヒユーズ配a
t介して接続して置き、所望のヒユーズ配線全切断1°
ることにより惰部の書込みを行うヒユーズ切断型のFR
OM(一般にヒユーズROMと呼ばれる)が多く用いら
れる。
ット線とワードl1le、その交点に於てヒユーズ配a
t介して接続して置き、所望のヒユーズ配線全切断1°
ることにより惰部の書込みを行うヒユーズ切断型のFR
OM(一般にヒユーズROMと呼ばれる)が多く用いら
れる。
そして最近は、上記ヒユーズROMに於けるヒ断方式が
多く用いられるようになって米た。
多く用いられるようになって米た。
(Q) 従来技術と問題点
上記エネルギ線加熱切断方式に於り−る従来のヒユーズ
部は、例えば第1図に示す透視平面図(イ)及びそのA
−A ’矢視断面図(ロ)のような構造に形成されてい
た。
部は、例えば第1図に示す透視平面図(イ)及びそのA
−A ’矢視断面図(ロ)のような構造に形成されてい
た。
同図に於て、1はフィールド酸化膜、2は多結晶シリコ
ン(St)ヒユーズ配線、3a、3bは配線接続パッド
、4はl−間りん珪酸ガラス(PSG)膜、5a s
5 bは配線接続窓、6a、6bはアルミニウム(At
)配線、7は表面保護用PSG膜?示しており、ヒユ
ーズ配線2は幅(w)2〜3〔μm)14度、長さくt
)9〜lO〔μm)程度、厚さくt)0.3〜0.4〔
μm)程度に形成される。
ン(St)ヒユーズ配線、3a、3bは配線接続パッド
、4はl−間りん珪酸ガラス(PSG)膜、5a s
5 bは配線接続窓、6a、6bはアルミニウム(At
)配線、7は表面保護用PSG膜?示しており、ヒユ
ーズ配線2は幅(w)2〜3〔μm)14度、長さくt
)9〜lO〔μm)程度、厚さくt)0.3〜0.4〔
μm)程度に形成される。
そして該多結晶Stヒ五−ズ配@2の切断に際しては、
該ヒユーズ配線2に、例えば数(J/m)程度の強いエ
ネルギーを有す番50(ns)程度のYAGレーザ・パ
ルス(波長1.06(、am))を、表面保護用PSG
膜7及び層間PSG膜4を通して照射し、該ヒ纂−ズ配
Iw2を焼き六ばす。
該ヒユーズ配線2に、例えば数(J/m)程度の強いエ
ネルギーを有す番50(ns)程度のYAGレーザ・パ
ルス(波長1.06(、am))を、表面保護用PSG
膜7及び層間PSG膜4を通して照射し、該ヒ纂−ズ配
Iw2を焼き六ばす。
第1図ρうはと、−ズ配線焼とばし後の断面を示したも
ので、この際レーザ照射上受けた領域の表面保@PF3
G膜7及び層間PSG膜4も溶融飛散せしめられ、該領
域に図のような開孔8が形成されるO 該ヒユーズ切断手段に於ては、上記のように極めて高エ
ネルギーのレーザ唾パルスが使用される。
ので、この際レーザ照射上受けた領域の表面保@PF3
G膜7及び層間PSG膜4も溶融飛散せしめられ、該領
域に図のような開孔8が形成されるO 該ヒユーズ切断手段に於ては、上記のように極めて高エ
ネルギーのレーザ唾パルスが使用される。
従って該レーザ・パルスの照射を受けた半導体基板、金
属配線、絶縁膜等は大きなダメージを受け、該FROM
の製造歩留まりや信頼性が低下するという問題が生じる
。
属配線、絶縁膜等は大きなダメージを受け、該FROM
の製造歩留まりや信頼性が低下するという問題が生じる
。
従って従来はヒユーズ配線の近傍領域に及はすダメージ
を極力減少せしめるために、レーザ・パルスのスポット
径t−5〜6〔μm〕程度の微小径lこしほり、1つ位
置合わせ精度を極度に上げた状態でヒユーズ配線の焼き
とばし切断が行われていた。
を極力減少せしめるために、レーザ・パルスのスポット
径t−5〜6〔μm〕程度の微小径lこしほり、1つ位
置合わせ精度を極度に上げた状態でヒユーズ配線の焼き
とばし切断が行われていた。
そのため従来構造の場合は、高精度を有する高価なレー
ザ・パルス発生装置が必要であり、更にレーザ・スポッ
トの位置合わせも厳密を要するため、情報の書込みが容
易でないという問題があった。
ザ・パルス発生装置が必要であり、更にレーザ・スポッ
トの位置合わせも厳密を要するため、情報の書込みが容
易でないという問題があった。
(d) 発明の目的
本発明は、表面にエネルギ線照射領Ji!l−制限する
マスク膜を設けたヒユーズ配線を具備する半導体装置を
提供し、上記問題点を除去すること全目的とする。
マスク膜を設けたヒユーズ配線を具備する半導体装置を
提供し、上記問題点を除去すること全目的とする。
(e) 発明の構成
体装置に於て、ヒユーズ配線を覆う絶1III’i有し
、該絶縁膜上に、該絶縁膜上を覆い且つ前記ヒユーズ配
線の上部に開孔を有するエネルギー線遮蔽膜が配設され
てなることを特徴とする。
、該絶縁膜上に、該絶縁膜上を覆い且つ前記ヒユーズ配
線の上部に開孔を有するエネルギー線遮蔽膜が配設され
てなることを特徴とする。
(f) 発明の実施例
以下本発明全、図を用い実施例について詳細に即明する
。
。
第2図は本発明の一実施例に於ける要部上面図(イ)及
びそのA−A’矢視断面図(ロ)で、第3図it他の一
実施例に於ける要部上面図(イ)及びそのA−A’矢視
断面図(o)である。
びそのA−A’矢視断面図(ロ)で、第3図it他の一
実施例に於ける要部上面図(イ)及びそのA−A’矢視
断面図(o)である。
本発明のヒユーズROMに於けるヒユーズ部は、例えば
第2図(イ)及び(ロ)に示すような構造を有してなっ
ている。
第2図(イ)及び(ロ)に示すような構造を有してなっ
ている。
同図に於て、1はフィールド酸化膜、2は多結晶Stヒ
ユーズ配線、3m、3bは配紳接続ノ(ラド、4は層間
PSG膜、5as5bは配線接続窓、6a、−6bはA
t配線、7は表面保饅用PSG膜、9はエネルギー線遮
蔽膜、10はエネルギー線を通過させる開孔、11はシ
リコン基板を示している・ 読図に示す構造に於てヒユーズ配線fa2、該ヒユーズ
配線2とAt配線6a、6bとの接続構造、層間PSG
m4、表面保損用PSG膜7の構造は従米通りである。
ユーズ配線、3m、3bは配紳接続ノ(ラド、4は層間
PSG膜、5as5bは配線接続窓、6a、−6bはA
t配線、7は表面保饅用PSG膜、9はエネルギー線遮
蔽膜、10はエネルギー線を通過させる開孔、11はシ
リコン基板を示している・ 読図に示す構造に於てヒユーズ配線fa2、該ヒユーズ
配線2とAt配線6a、6bとの接続構造、層間PSG
m4、表面保損用PSG膜7の構造は従米通りである。
I’llちヒユーズ配線2は幅(W)2〜3〔μm〕、
長さくt)9〜10〔μm〕、厚さくt)0.3〜0.
4〔μm〕程度の例えば多結晶SiNにより形成される
。
長さくt)9〜10〔μm〕、厚さくt)0.3〜0.
4〔μm〕程度の例えば多結晶SiNにより形成される
。
そして読図に示すように、表面保饅用PSG膜7上ζこ
エネルギー線遮蔽M9に設けるのが本発明の特徴である
。該エネルギー線遮蔽膜9は、エネルギー線に対して対
して高い反射率を有し、且つ高融点を有する例えばモリ
ブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta
)、ジルコン(Zr)等の高融点金属や、これら金属の
珪化物即ちモリブデン・シリサイド(MoSi、)、タ
ングステンΦシリサイド(WSim)、タンタル・シリ
サイド(TaSi鵞 )、ジルコン・シリサイド(Zr
Si*)等からなり、スパッタリング等の方法により0
.3〜0.4〔μm〕程度の厚さに形成される。
エネルギー線遮蔽M9に設けるのが本発明の特徴である
。該エネルギー線遮蔽膜9は、エネルギー線に対して対
して高い反射率を有し、且つ高融点を有する例えばモリ
ブデン(Mo)、タングステン(W)、タンタル(Ta
)、ジルコン(Zr)等の高融点金属や、これら金属の
珪化物即ちモリブデン・シリサイド(MoSi、)、タ
ングステンΦシリサイド(WSim)、タンタル・シリ
サイド(TaSi鵞 )、ジルコン・シリサイド(Zr
Si*)等からなり、スパッタリング等の方法により0
.3〜0.4〔μm〕程度の厚さに形成される。
そして該エネルギ線辿蔽yi9の前記多結晶Siヒユー
ズ配線2の上部に、該ヒユーズ配線2の切断長さlこ相
当する辺長例えば5〜6〔μm〕程度の辺長會有する四
角な開孔1oが、例えばふり酸(HF)と硝酸(HNO
s )の混液によるウェット・エツチング性成るいはハ
ロゲン系のエツチング、・ガスを用いるリアクティブ・
イオン・エツチング等の方法で形成される。
ズ配線2の上部に、該ヒユーズ配線2の切断長さlこ相
当する辺長例えば5〜6〔μm〕程度の辺長會有する四
角な開孔1oが、例えばふり酸(HF)と硝酸(HNO
s )の混液によるウェット・エツチング性成るいはハ
ロゲン系のエツチング、・ガスを用いるリアクティブ・
イオン・エツチング等の方法で形成される。
該ヒユーズROMに情報を書込むに際しては、ヒユーズ
配線に例えば数(J/y+り程度の高エネルギー1持っ
た50(ns)程度のYAGレーザ・パルスが照射され
るが、上記実施例の構造に於てはエネルギー#遮蔽M9
の開孔10?r通してのみヒユーズ部にレーザ番ビーム
が照射されるので、従来のようにレーザ・ビームのスポ
ット径を微小にしほらないでもヒユーズ配IJ2の切断
領埴以外が広くレーザ・ビームに曝されることがない。
配線に例えば数(J/y+り程度の高エネルギー1持っ
た50(ns)程度のYAGレーザ・パルスが照射され
るが、上記実施例の構造に於てはエネルギー#遮蔽M9
の開孔10?r通してのみヒユーズ部にレーザ番ビーム
が照射されるので、従来のようにレーザ・ビームのスポ
ット径を微小にしほらないでもヒユーズ配IJ2の切断
領埴以外が広くレーザ・ビームに曝されることがない。
又上記エネルギー線遮蔽膜は、ヒユーズ配線へのレーザ
照射をビーム走査で行う際に、更に有効に機能する。
照射をビーム走査で行う際に、更に有効に機能する。
第3図は、最近提案されている溶断型ヒユーズ配線に適
用した他の一実施例に於rJる要部上面図(イ)及びそ
のA−A ’矢視断面図(ロ)で、図に於て1はフィー
ルド酸化膜、la、lbはフィールド酸化ll!11i
こ形成した凹所、1cは前記凹所間の凸部、2は多結晶
S1ヒユーズ配線、3a、3bは配線接続パッド、4は
層間PSG膜、5a、5bは配線接続惑、6a、6bは
At配線、7は表面保睡用PSG膜、9はエネルギー線
遮蔽膜、10はエネルギ線を通過せしめるための開孔、
11はシリコン基板を示しているe この構造に於ては、前記実施例(こ比べて低い工オルギ
ーを有するエネルギー線例えばレーザ・ビームの照射に
より、フィールド酸化$1の凹所1a、1b及び凸部l
a上のヒユーズ配線2を溶融し、凸部JC上の溶融Sl
を表面張力によって凹所1a、lbに引き込むことによ
りヒユーズ配線2の切断がなされる。
用した他の一実施例に於rJる要部上面図(イ)及びそ
のA−A ’矢視断面図(ロ)で、図に於て1はフィー
ルド酸化膜、la、lbはフィールド酸化ll!11i
こ形成した凹所、1cは前記凹所間の凸部、2は多結晶
S1ヒユーズ配線、3a、3bは配線接続パッド、4は
層間PSG膜、5a、5bは配線接続惑、6a、6bは
At配線、7は表面保睡用PSG膜、9はエネルギー線
遮蔽膜、10はエネルギ線を通過せしめるための開孔、
11はシリコン基板を示しているe この構造に於ては、前記実施例(こ比べて低い工オルギ
ーを有するエネルギー線例えばレーザ・ビームの照射に
より、フィールド酸化$1の凹所1a、1b及び凸部l
a上のヒユーズ配線2を溶融し、凸部JC上の溶融Sl
を表面張力によって凹所1a、lbに引き込むことによ
りヒユーズ配線2の切断がなされる。
従ってこの場合はレーザ・ビームの照射領域を前記凹所
1a、lb及び凸部1cをカバーする最小限度の開孔1
0がエネルギー線遮蔽膜9に設けられる。
1a、lb及び凸部1cをカバーする最小限度の開孔1
0がエネルギー線遮蔽膜9に設けられる。
なおエネルギー線としては上記実施例に示したレーザ・
ビーム以外に電子ビームが用いられることがあるが、こ
の場合も本発明は有効である。
ビーム以外に電子ビームが用いられることがあるが、こ
の場合も本発明は有効である。
(g) 発明の詳細
な説明したように本発明の構造を有するFROMに於て
は表面に形成されているエネルギーam蔽に 111/!l設けられた開孔を介してヒユーズ配線部の
みにエネルギー線が照射され、ヒユーズ配線の切断がな
される。
は表面に形成されているエネルギーam蔽に 111/!l設けられた開孔を介してヒユーズ配線部の
みにエネルギー線が照射され、ヒユーズ配線の切断がな
される。
従ってスポット径の大きいエネルギー線を用いその位置
合わせ精度が多少緩やかであっても、エネルギー線によ
ってヒユーズ配線近傍領域が広くダメージを受けること
がない。
合わせ精度が多少緩やかであっても、エネルギー線によ
ってヒユーズ配線近傍領域が広くダメージを受けること
がない。
従って情報の書込みが容易になると同時に、FROMの
製造歩留まりも向上する。
製造歩留まりも向上する。
なお本発明の構造はヒユーズ配線で接続された冗長ピッ
)1有する半導体配憶装置にも有効である。
)1有する半導体配憶装置にも有効である。
第1図はヒユーズ配atエネルギー線により切断して情
報全書込む方式のFROMに於ける従来のヒーーズ部の
透視平面図0)、A−A ’矢視断面囚(ロ)及びヒユ
ーズ切断後の断面図(ハ)、第2図は本発明の一実施例
Iこ於ける要部上面図(イ)及びA−A’矢視断面図(
ロ)、第3図は本発明の他の一実施例に於ける要部上面
図(イ)及びA−A ’矢視断面図(ロ)である。 図に於て、lはフィールド酸化9% 1 a% lb
は凹所、1cは凸部、2は多結晶シリコン・ヒユーズ配
線、3a、3bは配線接続パッド、4は層間りん珪酸ガ
ラス膜、5a、5bは配線接続窓、6a、6bはアルミ
ニウム配線、7は表面保護用りん珪酸ガラス膜、9はエ
ネルギー線遮蔽膜、1゜はエネルギー線を通過さゼる開
孔、11はシリコン基板、Wはヒユーズ配線の幅、tは
ヒーズ配線の長さ、tはヒユーズ配線の厚さを示す。
報全書込む方式のFROMに於ける従来のヒーーズ部の
透視平面図0)、A−A ’矢視断面囚(ロ)及びヒユ
ーズ切断後の断面図(ハ)、第2図は本発明の一実施例
Iこ於ける要部上面図(イ)及びA−A’矢視断面図(
ロ)、第3図は本発明の他の一実施例に於ける要部上面
図(イ)及びA−A ’矢視断面図(ロ)である。 図に於て、lはフィールド酸化9% 1 a% lb
は凹所、1cは凸部、2は多結晶シリコン・ヒユーズ配
線、3a、3bは配線接続パッド、4は層間りん珪酸ガ
ラス膜、5a、5bは配線接続窓、6a、6bはアルミ
ニウム配線、7は表面保護用りん珪酸ガラス膜、9はエ
ネルギー線遮蔽膜、1゜はエネルギー線を通過さゼる開
孔、11はシリコン基板、Wはヒユーズ配線の幅、tは
ヒーズ配線の長さ、tはヒユーズ配線の厚さを示す。
Claims (1)
- エネルギーaCt用いヒユーズ配線を切断して所要の装
置機能を具備せしめる構造に於て、ヒユーズ配線を覆う
絶縁膜を有し、該絶縁膜上に、該絶#l#上を覆い且つ
前記とニーズ配線の上部に開孔を有するエネルギー線遮
蔽膜が配設されてなることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57109595A JPS59957A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57109595A JPS59957A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59957A true JPS59957A (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=14514247
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57109595A Pending JPS59957A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59957A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4853758A (en) * | 1987-08-12 | 1989-08-01 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Laser-blown links |
EP0887858A2 (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Protection layer for laser blown fuses in semiconductor devices |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5775442A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5856355A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP57109595A patent/JPS59957A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5775442A (en) * | 1980-10-29 | 1982-05-12 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
JPS5856355A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4853758A (en) * | 1987-08-12 | 1989-08-01 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Laser-blown links |
EP0887858A2 (en) * | 1997-06-26 | 1998-12-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Protection layer for laser blown fuses in semiconductor devices |
EP0887858A3 (en) * | 1997-06-26 | 1999-02-03 | Siemens Aktiengesellschaft | Protection layer for laser blown fuses in semiconductor devices |
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