JPH1174359A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH1174359A JPH1174359A JP9230965A JP23096597A JPH1174359A JP H1174359 A JPH1174359 A JP H1174359A JP 9230965 A JP9230965 A JP 9230965A JP 23096597 A JP23096597 A JP 23096597A JP H1174359 A JPH1174359 A JP H1174359A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数のヒューズを１組として溶断用の窓が形
成されており、１本のヒューズを溶断する際に隣接する
他のヒューズまでレーザ光が照射されて損傷を与えるお
それがあるため、微細化の妨げとなっていた。 【解決手段】 相互に電気的に分離された複数組の第１
及び第２の配線層１３ａ、１３ｂと、対応する組の第１
及び第２の配線層に電気的に接続された複数組のヒュー
ズ３１−１〜３１−４と、ヒューズの表面を覆うように
形成された絶縁膜３４とを備え、絶縁膜３４にはそれぞ
れのヒューズ毎にヒューズ溶断用窓３３が形成されてお
り、１本のヒューズを溶断する場合に隣接する他のヒュ
ーズに損傷を与えず、微細化が可能である。
成されており、１本のヒューズを溶断する際に隣接する
他のヒューズまでレーザ光が照射されて損傷を与えるお
それがあるため、微細化の妨げとなっていた。 【解決手段】 相互に電気的に分離された複数組の第１
及び第２の配線層１３ａ、１３ｂと、対応する組の第１
及び第２の配線層に電気的に接続された複数組のヒュー
ズ３１−１〜３１−４と、ヒューズの表面を覆うように
形成された絶縁膜３４とを備え、絶縁膜３４にはそれぞ
れのヒューズ毎にヒューズ溶断用窓３３が形成されてお
り、１本のヒューズを溶断する場合に隣接する他のヒュ
ーズに損傷を与えず、微細化が可能である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に係わり、特に複数のヒューズを有しヒューズ
溶断用窓からレーザ光を照射して溶断することが可能な
装置及びその製造方法に関する。
製造方法に係わり、特に複数のヒューズを有しヒューズ
溶断用窓からレーザ光を照射して溶断することが可能な
装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置において、特にＤＲＡＭ（Dy
namic Random Access Memory）等の記憶装置では不良を
救済するために冗長回路を備えているものが多く、また
不良箇所を冗長回路に置き換える処理はヒューズの溶断
により行う場合が多い。
namic Random Access Memory）等の記憶装置では不良を
救済するために冗長回路を備えているものが多く、また
不良箇所を冗長回路に置き換える処理はヒューズの溶断
により行う場合が多い。
【０００３】従来の半導体装置においてヒューズが設け
られている箇所の平面構造を図４に示し、そのＣ−Ｃ線
に沿う縦断面構造を図５に示す。半導体基板５１の上面
に層間絶縁膜５２が形成され、その上面にヒューズ形成
箇所において分断された複数組の配線層５３ａ及び５３
ｂが形成されている。配線層５３ａ及び５３ｂは、それ
ぞれヒューズ５４−１、５４−２、５４−３によって接
続されており、その上面は層間絶縁膜５５で覆われてい
る。層間絶縁膜５５のうち、１組のヒューズ５４−１、
５４−２、５４−３が形成された箇所の上面には膜厚が
薄いヒューズ溶断用窓５６が形成されている。
られている箇所の平面構造を図４に示し、そのＣ−Ｃ線
に沿う縦断面構造を図５に示す。半導体基板５１の上面
に層間絶縁膜５２が形成され、その上面にヒューズ形成
箇所において分断された複数組の配線層５３ａ及び５３
ｂが形成されている。配線層５３ａ及び５３ｂは、それ
ぞれヒューズ５４−１、５４−２、５４−３によって接
続されており、その上面は層間絶縁膜５５で覆われてい
る。層間絶縁膜５５のうち、１組のヒューズ５４−１、
５４−２、５４−３が形成された箇所の上面には膜厚が
薄いヒューズ溶断用窓５６が形成されている。
【０００４】従来はこのように、複数のヒューズ５４−
１、５４−２、５４−３を一組としてヒューズ溶断用窓
５６が一体に形成されていた。
１、５４−２、５４−３を一組としてヒューズ溶断用窓
５６が一体に形成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、素子の微細化
に伴い、ヒューズ自体の幅及びヒューズ間のピッチも縮
小されつつある。このため、複数のヒューズ５４−１、
５４−２、５４−３を一組として形成されたヒューズ溶
断用窓５６からヒューズ溶断用のレーザ光を例えば１本
のヒューズ５４−２に照射すると、隣接する他のヒュー
ズ５４−１及び５４−３まで照射されて、損傷を与える
場合があった。
に伴い、ヒューズ自体の幅及びヒューズ間のピッチも縮
小されつつある。このため、複数のヒューズ５４−１、
５４−２、５４−３を一組として形成されたヒューズ溶
断用窓５６からヒューズ溶断用のレーザ光を例えば１本
のヒューズ５４−２に照射すると、隣接する他のヒュー
ズ５４−１及び５４−３まで照射されて、損傷を与える
場合があった。
【０００６】このため、従来はヒューズ自体の幅及びヒ
ューズ間のピッチを微細化するにも限度があり、集積度
の向上の妨げとなっていた。例えば、レーザ光の直径が
４μｍであるとすると、ヒューズ間のピッチは少なくと
も約４μｍは必要であり、これ以上縮小することはでき
なかった。
ューズ間のピッチを微細化するにも限度があり、集積度
の向上の妨げとなっていた。例えば、レーザ光の直径が
４μｍであるとすると、ヒューズ間のピッチは少なくと
も約４μｍは必要であり、これ以上縮小することはでき
なかった。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、ヒューズを微細化しても隣接する他のヒューズへ損
傷を与えることなく所望のヒューズのみを溶断すること
が可能であり、集積度の向上に寄与することができる半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
で、ヒューズを微細化しても隣接する他のヒューズへ損
傷を与えることなく所望のヒューズのみを溶断すること
が可能であり、集積度の向上に寄与することができる半
導体装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
は、半導体基板の表面上に第１の絶縁膜を介して形成さ
れ、相互に電気的に分離された複数組の第１及び第２の
配線層と、前記第１及び第２の配線層の上面に第２の絶
縁膜を介して形成され、前記第２の絶縁膜に設けられた
ホールをそれぞれ介して対応する前記第１の配線層と前
記第２の配線層とに電気的に接続された複数組のヒュー
ズと、前記ヒューズの表面を覆うように形成された第３
の絶縁膜とを備え、前記第３の絶縁膜には、それぞれの
前記ヒューズを溶断すべき箇所に対応して形成された前
記ヒューズと同数のヒューズ溶断用窓が形成されている
ことを特徴としている。
は、半導体基板の表面上に第１の絶縁膜を介して形成さ
れ、相互に電気的に分離された複数組の第１及び第２の
配線層と、前記第１及び第２の配線層の上面に第２の絶
縁膜を介して形成され、前記第２の絶縁膜に設けられた
ホールをそれぞれ介して対応する前記第１の配線層と前
記第２の配線層とに電気的に接続された複数組のヒュー
ズと、前記ヒューズの表面を覆うように形成された第３
の絶縁膜とを備え、前記第３の絶縁膜には、それぞれの
前記ヒューズを溶断すべき箇所に対応して形成された前
記ヒューズと同数のヒューズ溶断用窓が形成されている
ことを特徴としている。
【０００９】このように、各々のヒューズ毎にヒューズ
溶断用窓が形成されているため、微細化した場合にも、
所望の１本のヒューズのみにレーザ光を照射し他のヒュ
ーズにはレーザ光が照射されないようにすることができ
る。
溶断用窓が形成されているため、微細化した場合にも、
所望の１本のヒューズのみにレーザ光を照射し他のヒュ
ーズにはレーザ光が照射されないようにすることができ
る。
【００１０】本発明による半導体装置の製造方法は、半
導体基板の表面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前
記第１の絶縁膜の表面上に導電性材料を堆積して配線形
状にパターニングし、相互に電気的に分離された複数組
の第１及び第２の配線層を形成する工程と、前記第１及
び第２の配線層の表面を覆うように第２の絶縁膜を形成
する工程と、前記第２の絶縁膜に対し、前記第１及び第
２の配線層のそれぞれの表面が露出するようにコンタク
トホールを開孔する工程と、前記第２の絶縁膜の表面上
と前記コンタクトホール内の前記第１及び第２の配線層
の表面上とに導電性材料を堆積し、前記コンタクトホー
ル内に残存するように前記導電性材料をエッチバックす
る工程と、表面全体に導電性材料を堆積してヒューズの
形状にパターニングし、前記コンタクトホール内の前記
導電性材料を介して前記第１及び第２の配線層にそれぞ
れ接続された複数組のヒューズを形成する工程と、表面
全体に第３の絶縁膜を堆積する工程と、前記第３の絶縁
膜に対し、それぞれの前記ヒューズを溶断すべき箇所に
対応して前記ヒューズと同数のヒューズ溶断用窓を形成
する工程とを備えている。
導体基板の表面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前
記第１の絶縁膜の表面上に導電性材料を堆積して配線形
状にパターニングし、相互に電気的に分離された複数組
の第１及び第２の配線層を形成する工程と、前記第１及
び第２の配線層の表面を覆うように第２の絶縁膜を形成
する工程と、前記第２の絶縁膜に対し、前記第１及び第
２の配線層のそれぞれの表面が露出するようにコンタク
トホールを開孔する工程と、前記第２の絶縁膜の表面上
と前記コンタクトホール内の前記第１及び第２の配線層
の表面上とに導電性材料を堆積し、前記コンタクトホー
ル内に残存するように前記導電性材料をエッチバックす
る工程と、表面全体に導電性材料を堆積してヒューズの
形状にパターニングし、前記コンタクトホール内の前記
導電性材料を介して前記第１及び第２の配線層にそれぞ
れ接続された複数組のヒューズを形成する工程と、表面
全体に第３の絶縁膜を堆積する工程と、前記第３の絶縁
膜に対し、それぞれの前記ヒューズを溶断すべき箇所に
対応して前記ヒューズと同数のヒューズ溶断用窓を形成
する工程とを備えている。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１２】図１に、本実施の形態による半導体装置の
平面構造を示し、さらに図１におけるＢ−Ｂ線に沿う縦
断面構造を図２に示す。半導体基板１１の上面に層間絶
縁膜１２が形成され、その上面にヒューズ形成箇所が分
断された複数の配線層１３ａ及び１３ｂが形成されてい
る。配線層１３ａ及び１３ｂは、それぞれヒューズ３１
−１、３１−２、３１−３、３１−４によって接続され
ており、その上面は層間絶縁膜３４で覆われている。層
間絶縁膜３４のうち、ヒューズ３１−１、３１−２、３
１−３、３１−４がそれぞれ形成された部分の上面に
は、膜厚が薄いヒューズ溶断用窓３３が形成されてい
る。
平面構造を示し、さらに図１におけるＢ−Ｂ線に沿う縦
断面構造を図２に示す。半導体基板１１の上面に層間絶
縁膜１２が形成され、その上面にヒューズ形成箇所が分
断された複数の配線層１３ａ及び１３ｂが形成されてい
る。配線層１３ａ及び１３ｂは、それぞれヒューズ３１
−１、３１−２、３１−３、３１−４によって接続され
ており、その上面は層間絶縁膜３４で覆われている。層
間絶縁膜３４のうち、ヒューズ３１−１、３１−２、３
１−３、３１−４がそれぞれ形成された部分の上面に
は、膜厚が薄いヒューズ溶断用窓３３が形成されてい
る。
【００１３】このように、本実施の形態によれば、各々
のヒューズ３１−１、３１−２、３１−３、３１−４毎
に対応してヒューズ溶断用窓３３が形成されており、ヒ
ューズ間の上部には膜厚が厚い層間絶縁膜３４が残され
ている。従って、例えば１本のヒューズ３１−２のみを
溶断する場合、レーザ光が他の隣接するヒューズ３１−
１あるいは３１−３にまで照射されて損傷を与えること
が防止される。この結果、図４及び図５に示されたよう
な従来の装置よりもヒューズ自体の幅やヒューズ同志の
ピッチを縮小することができる。例えば、レーザ光の直
径が４μｍであるとすると、ヒューズ間のピッチを約２
μｍまで縮小することが可能である。
のヒューズ３１−１、３１−２、３１−３、３１−４毎
に対応してヒューズ溶断用窓３３が形成されており、ヒ
ューズ間の上部には膜厚が厚い層間絶縁膜３４が残され
ている。従って、例えば１本のヒューズ３１−２のみを
溶断する場合、レーザ光が他の隣接するヒューズ３１−
１あるいは３１−３にまで照射されて損傷を与えること
が防止される。この結果、図４及び図５に示されたよう
な従来の装置よりもヒューズ自体の幅やヒューズ同志の
ピッチを縮小することができる。例えば、レーザ光の直
径が４μｍであるとすると、ヒューズ間のピッチを約２
μｍまで縮小することが可能である。
【００１４】次に、このような半導体装置を製造するた
めの本発明の一実施の形態による製造方法について述べ
る。図３（ａ）〜図３（ｋ）に、本実施の形態による製
造方法を工程別に示す。ここで、図３（ｋ）は、図１に
おけるＡ−Ａ線に沿う縦断面の構造を示すものである。
めの本発明の一実施の形態による製造方法について述べ
る。図３（ａ）〜図３（ｋ）に、本実施の形態による製
造方法を工程別に示す。ここで、図３（ｋ）は、図１に
おけるＡ−Ａ線に沿う縦断面の構造を示すものである。
【００１５】先ず、図３（ａ）に示されたように、半導
体基板１１の表面上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion ）法によりシリコン酸化膜を約５０００オングスト
ロームの膜厚に堆積して層間絶縁膜１２を形成する。
体基板１１の表面上にＣＶＤ（Chemical Vapor Deposit
ion ）法によりシリコン酸化膜を約５０００オングスト
ロームの膜厚に堆積して層間絶縁膜１２を形成する。
【００１６】図３（ｂ）のように、層間絶縁膜１２の表
面上に例えばタングステン（Ｗ）やアルミニウム等の配
線材をスパッタリングにより２２５０オングストローム
の膜厚で堆積し、配線層１３を形成する。配線層１３の
表面上にヒューズ形成箇所が除去されたレジスト膜を形
成し、このレジスト膜をマスクとして配線層１３にエッ
チングを行って、図３（ｃ）のような配線層１３ａ及び
１３ｂを形成する。
面上に例えばタングステン（Ｗ）やアルミニウム等の配
線材をスパッタリングにより２２５０オングストローム
の膜厚で堆積し、配線層１３を形成する。配線層１３の
表面上にヒューズ形成箇所が除去されたレジスト膜を形
成し、このレジスト膜をマスクとして配線層１３にエッ
チングを行って、図３（ｃ）のような配線層１３ａ及び
１３ｂを形成する。
【００１７】図３（ｄ）のようにシリコン酸化膜を約５
０００オングストロームの膜厚で堆積し、層間絶縁膜１
４を形成する。この層間絶縁膜１４の表面を、図３
（ｅ）に示されるようにＣＭＰ（Chemical Mechanical
Polishing ）により平坦化する。さらに、層間絶縁膜１
４に反応性イオンエッチングを行い、配線層１３ａ及び
１３ｂとそれぞれコンタクトをとるためのコンタクトホ
ールを開孔する。
０００オングストロームの膜厚で堆積し、層間絶縁膜１
４を形成する。この層間絶縁膜１４の表面を、図３
（ｅ）に示されるようにＣＭＰ（Chemical Mechanical
Polishing ）により平坦化する。さらに、層間絶縁膜１
４に反応性イオンエッチングを行い、配線層１３ａ及び
１３ｂとそれぞれコンタクトをとるためのコンタクトホ
ールを開孔する。
【００１８】図３（ｇ）のように、スパッタリングによ
りチタン（Ｔｉ）を堆積し、さらに窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）を堆積して、約１００オングストロームの導電性膜
１５を形成する。導電性膜１５の表面上に、タングステ
ン等の配線材１６を堆積する。図３（ｈ）のように、配
線材１６にエッチバックを行ってコンタクトホール内の
みに残存させる。
りチタン（Ｔｉ）を堆積し、さらに窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）を堆積して、約１００オングストロームの導電性膜
１５を形成する。導電性膜１５の表面上に、タングステ
ン等の配線材１６を堆積する。図３（ｈ）のように、配
線材１６にエッチバックを行ってコンタクトホール内の
みに残存させる。
【００１９】図３（ｉ）のように、表面上に約５００オ
ングストロームの膜厚の導電性膜１７、約２３００オン
グストロームの膜厚の導電性膜１８、約５００オングス
トロームの膜厚の導電性膜１９をスパッタリングにより
順に堆積する。導電性膜１７及び１９は、チタン（Ｔ
ｉ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）から成り、導電性膜１８
はアルミニウム＋銅（Ａｌ−Ｃｕ）から成る。導電性膜
１７、１８及び１９にパターニングを行い、ヒューズ３
１の形状に加工する。このヒューズ３１は、配線材１６
により配線層１３ａ及び１３ｂにそれぞれ電気的に接続
された状態となる。
ングストロームの膜厚の導電性膜１７、約２３００オン
グストロームの膜厚の導電性膜１８、約５００オングス
トロームの膜厚の導電性膜１９をスパッタリングにより
順に堆積する。導電性膜１７及び１９は、チタン（Ｔ
ｉ）及び窒化チタン（ＴｉＮ）から成り、導電性膜１８
はアルミニウム＋銅（Ａｌ−Ｃｕ）から成る。導電性膜
１７、１８及び１９にパターニングを行い、ヒューズ３
１の形状に加工する。このヒューズ３１は、配線材１６
により配線層１３ａ及び１３ｂにそれぞれ電気的に接続
された状態となる。
【００２０】図３（ｊ）のように、表面全体にＣＶＤ法
により約２３００オングストロームの膜厚のシリコン酸
化膜２０、約６０００オングストロームの膜厚のシリコ
ン窒化膜２１、約１３５０００オングストロームの膜厚
のポリイミドから成るソフトパッシベーション膜２２か
ら成る層間絶縁膜３４を形成する。この層間絶縁膜３４
の表面上に、ヒューズ溶断箇所が除去されたレジスト膜
を形成し、このレジスト膜をマスクとして層間絶縁膜３
４にヒューズ溶断用窓３３を形成する。この窓３３は、
ヒューズ３１の表面上の層間絶縁膜３４の膜厚が約３０
００オングストローム残るように形成する。このような
ヒューズ溶断用窓３３を、図１及び図２に示されたよう
に各々のヒューズに対応して形成する。ヒューズ溶断用
窓３３を介してレーザ光を照射すると、対応するヒュー
ズ３１のみが溶断し、配線層１３ａと配線層１３ｂとが
電気的に接続を遮断された状態となる。
により約２３００オングストロームの膜厚のシリコン酸
化膜２０、約６０００オングストロームの膜厚のシリコ
ン窒化膜２１、約１３５０００オングストロームの膜厚
のポリイミドから成るソフトパッシベーション膜２２か
ら成る層間絶縁膜３４を形成する。この層間絶縁膜３４
の表面上に、ヒューズ溶断箇所が除去されたレジスト膜
を形成し、このレジスト膜をマスクとして層間絶縁膜３
４にヒューズ溶断用窓３３を形成する。この窓３３は、
ヒューズ３１の表面上の層間絶縁膜３４の膜厚が約３０
００オングストローム残るように形成する。このような
ヒューズ溶断用窓３３を、図１及び図２に示されたよう
に各々のヒューズに対応して形成する。ヒューズ溶断用
窓３３を介してレーザ光を照射すると、対応するヒュー
ズ３１のみが溶断し、配線層１３ａと配線層１３ｂとが
電気的に接続を遮断された状態となる。
【００２１】上述した実施の形態はいずれも一例であ
り、本発明を限定するものではない。例えば、図３を用
いて説明した製造工程は一例であり、各々のヒューズに
対応してヒューズ溶断用窓を層間絶縁膜に形成するもの
であればよい。また、上記実施の形態におけるヒューズ
や配線層、層間絶縁膜の材料はこれに限定されず、他の
材料を用いてもよい。
り、本発明を限定するものではない。例えば、図３を用
いて説明した製造工程は一例であり、各々のヒューズに
対応してヒューズ溶断用窓を層間絶縁膜に形成するもの
であればよい。また、上記実施の形態におけるヒューズ
や配線層、層間絶縁膜の材料はこれに限定されず、他の
材料を用いてもよい。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置及びその製造方法によれば、各々のヒューズに対応し
てヒューズ溶断用窓が形成されており、ヒューズ同志の
間の上部には膜厚が厚い層間絶縁膜が残されているた
め、１本のヒューズを溶断する場合にレーザ光が他の隣
接するヒューズにまで照射されて損傷を与えることが防
止されるので、ヒューズの幅及びヒューズ間のピッチを
縮小することによって、微細化に寄与することができ
る。
置及びその製造方法によれば、各々のヒューズに対応し
てヒューズ溶断用窓が形成されており、ヒューズ同志の
間の上部には膜厚が厚い層間絶縁膜が残されているた
め、１本のヒューズを溶断する場合にレーザ光が他の隣
接するヒューズにまで照射されて損傷を与えることが防
止されるので、ヒューズの幅及びヒューズ間のピッチを
縮小することによって、微細化に寄与することができ
る。
【図１】本発明の一実施の形態による半導体装置の平面
構造を示した平面図。
構造を示した平面図。
【図２】図１におけるＢ−Ｂ線に沿う断面構造を示した
縦断面図。
縦断面図。
【図３】本発明の一実施の形態による半導体装置の製造
方法を工程別に示した縦断面図。
方法を工程別に示した縦断面図。
【図４】従来の半導体装置の平面構造を示した平面図。
【図５】図４におけるＣ−Ｃ線に沿う断面構造を示した
縦断面図。
縦断面図。
１１ 半導体基板 １２、１４、３４ 層間絶縁膜 １３ａ、１３ｂ 配線層 １５、１７〜１９ 導電性膜 ２０ シリコン酸化膜 ２１ シリコン窒化膜 ２２ ポリイミド・ソフトパッシベーション膜 ３１−１、３１−２、３１−３ ヒューズ ３３ ヒューズ溶断用窓
Claims (2)
- 【請求項１】半導体基板の表面上に第１の絶縁膜を介し
て形成され、相互に電気的に分離された複数組の第１及
び第２の配線層と、 前記第１及び第２の配線層の上面に第２の絶縁膜を介し
て形成され、前記第２の絶縁膜に設けられたホールをそ
れぞれ介して対応する前記第１の配線層と前記第２の配
線層とに電気的に接続された複数組のヒューズと、 前記ヒューズの表面を覆うように形成された第３の絶縁
膜と、 を備え、 前記第３の絶縁膜には、それぞれの前記ヒューズを溶断
すべき箇所に対応して形成された前記ヒューズと同数の
ヒューズ溶断用窓が形成されていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項２】半導体基板の表面上に第１の絶縁膜を形成
する工程と、 前記第１の絶縁膜の表面上に導電性材料を堆積して配線
形状にパターニングし、相互に電気的に分離された複数
組の第１及び第２の配線層を形成する工程と、 前記第１及び第２の配線層の表面を覆うように第２の絶
縁膜を形成する工程と、 前記第２の絶縁膜に対し、前記第１及び第２の配線層の
それぞれの表面が露出するようにコンタクトホールを開
孔する工程と、 前記第２の絶縁膜の表面上と前記コンタクトホール内の
前記第１及び第２の配線層の表面上とに導電性材料を堆
積し、前記コンタクトホール内に残存するように前記導
電性材料をエッチバックする工程と、 表面全体に導電性材料を堆積してヒューズの形状にパタ
ーニングし、前記コンタクトホール内の前記導電性材料
を介して前記第１及び第２の配線層にそれぞれ接続され
た複数組のヒューズを形成する工程と、 表面全体に第３の絶縁膜を堆積する工程と、 前記第３の絶縁膜に対し、それぞれの前記ヒューズを溶
断すべき箇所に対応して前記ヒューズと同数のヒューズ
溶断用窓を形成する工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9230965A JPH1174359A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9230965A JPH1174359A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174359A true JPH1174359A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16916106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9230965A Withdrawn JPH1174359A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1174359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002015269A2 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Infineon Technologies North America Corp. | Wiring through terminal via fuse window |
| KR100408641B1 (ko) * | 2000-03-30 | 2003-12-06 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 퓨즈를 구비한 반도체장치 |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP9230965A patent/JPH1174359A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100408641B1 (ko) * | 2000-03-30 | 2003-12-06 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 퓨즈를 구비한 반도체장치 |
| WO2002015269A2 (en) * | 2000-08-10 | 2002-02-21 | Infineon Technologies North America Corp. | Wiring through terminal via fuse window |
| WO2002015269A3 (en) * | 2000-08-10 | 2002-05-10 | Infineon Technologies Corp | Wiring through terminal via fuse window |
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