TW390007B - Protective layer for laser blown fuses - Google Patents

Protective layer for laser blown fuses Download PDF

Info

Publication number
TW390007B
TW390007B TW087109148A TW87109148A TW390007B TW 390007 B TW390007 B TW 390007B TW 087109148 A TW087109148 A TW 087109148A TW 87109148 A TW87109148 A TW 87109148A TW 390007 B TW390007 B TW 390007B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
fuse
scope
integrated circuit
patent application
item
Prior art date
Application number
TW087109148A
Other languages
English (en)
Inventor
Martin Gall
Alexander R Mitwalsky
Bettina Dinkel
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Application granted granted Critical
Publication of TW390007B publication Critical patent/TW390007B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/525Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections
    • H01L23/5256Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive
    • H01L23/5258Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body with adaptable interconnections comprising fuses, i.e. connections having their state changed from conductive to non-conductive the change of state resulting from the use of an external beam, e.g. laser beam or ion beam
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Description

A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印装 五、 發明説明( ' 1 1 發 明 背 景 1 技 術 領 域 1 大 致 地 1 本 發 明 有 含 有 複 數 熔 絲 之 積 體 電 路 S 其 中 請 1 先 1 至 少 該 等 熔 絲 之 * 偽 刻 意 地 熔 斷 > 例 如 藉 施 加 雷 射 能 量 閲 讀 1 f 〇 較 特 別 地 1 此 處 所 描 繪 之 積 體 電 路 中 之 一 熔 絲 偽 在 電 背 Λ 1 之 1 I 射 消 除 —» 毗 鄰 熔 絲 之 期 間 被 保 護 而 免 於 在 該 裝 置 中 遣 受 注 意 事 1 1 伴 隨 之 損 壊 i 同 時 描 述 用 以 生 産 此 等 積 體 電 路 之 方 法 〇 再 1 4 1 相 關 技 術 背 景 本 (S 頁 v 1 積 體 電 路 由 許 多 之 t 有 時 數 千 之 艇 別 元 件 在 —* 晶 Η 上 1 由 導 電 性 内 連 結 合 一 起 而 組 成 « 已 發 現 到 參 在 *±s» 兀 成 標 準 1 1 之 處 理 之 後 t 改 變 在 晶 Η 上 内 連 之 能 力 會 在 晶 Η 産 能 (有 1 1 效 晶 Η 之 數 百 )及晶Μ訂製(修飾晶片以執行待定功能)上 訂 I 提 供 大 的 改 善 > __. 種 廣 泛 賁 施 於 産 業 中 之 技 術 含 有 利 用 1 1 I 一 來 白 雷 射 之 光 線 蒸 發 (熔斷)Η斷之 内 連 (稱為熔絲), 1 1 藉 此 形 成 一 ,,開 口,, 其 消 除 原 來 由 該 内 連 所 提 供 之 電 氣 連 1 1 接 < 通 常 地 1 該 等 熔 絲 % 連 接 於 諸 冗 餘 電 路 * 而 以 冗 餘 線 .1 之 線 路 (冗餘之激活)來替換不 良之字元及/或位元線。 1 1 1 雖 然 此 電 射 消 除 法 已 在 企 圖 改 善 功 能 性 之 産 能 中 廣 泛 f 1 地 使 用 $ 但 熔 絲 熔 斷 之 産 能 及 熔 絲 可 靠 性 已 在 利 用 習 知 1 1 方 法 所 作 成 之 習 知 裝 置 中 産 牛 問 題 待 別 傜 對 於 小 熔 絲 1 I 節 距 之 應 用 〇 尤 其 > 在 習 知 裝 置 中 施 加 於 熔 絲 之 雷 射 能 1 1 1 置 同 樣 地 會 造 成 毗 鄰 於 熔 斷 熔 絲 的 結 構 損 壊 • 此僳特別 1 1 地 真 實 其 中 該 毗 鄰 結 構 傜 另 3- 如 冃 標 熔 絲 樣 地 易 於 受 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印装 五、發明説明( ) 熔 斷 之 熔 絲 * 因 為 複 數 熔 絲 並 列 地 使 用 傜 一 般 性 的 故 - 不 络 意 地 熔 斷 毗 鄰 之 熔 絲 係 本 項 技 術 者 所 認 知 之 問 題 〇 一 種 解 決 此 問 題 偽 利 用 大 的 間 隔 於 該 等 熔 絲 之 間 且 藉 請 此 避 免 鄰 接 於 S 標 熔 絲 之 諸 熔 絲 不 經 •aflc 地 曝 射 於 電 射 能 先 閲 讀 量 » 然 而 I 此 種 大 的 間 隔 無 法 相 容 於 巨 刖 在 一 晶 Η 上 增 背 L 之 Γ 加 積 體 霄 路 密 度 之 趨 勢 Ο 注 意 •it 將 企 望 的 是 * 提 供 一 種 裝 置 其 結 合 至 少 兩 並 列 之 熔 絲 Ψ 項 再 而 jftrr Μ 需 大 的 間 隔 於 該 等 熔 絲 之 間 * 且 提 供 簡 易 » 選 擇 性 填 窝 本 地 熔 斷 __. 熔 絲 而 不 會 損 壞 任 何 毗 鄰 諸 熔 絲 Ο 頁 1 發 明 概 述 現 已 發 明 到 藉 由 一 種 形 成 在 一 毗 鄰 熔 絲 之 一 第 — 部 分 上 之 保 護 層 可 熔 斷 一 g 標 熔 絲 而 不 會 損 壊 該 毗 鄰 熔 絲 〇 訂 較 佳 地 1 該 毗 鄰 熔 絲 之 一 第 二 部 分 維 持 著 未 保 護 以 允 許 在 需 要 時 熔 斷 該 毗 鄰 熔 絲 〇 同 時 已 發 明 到 種 用 以 製 作 一 改 良 式 積 體 電 路 之 方 法 〇 於 該 方 法 中 9 至 少 兩 熔 絲 9 一 第 一 熔 絲 及 — 第 二 熔 絲 線 \| • 傜 相 互 毗 鄰 而 形 成 » 然 後 • 一 保 護 層 形 成 於 該 第 一 熔 1 絲 之 一 部 分 * 在 一 待 別 有 用 之 實 施 例 中 9 一 中 間 層 形 成 於 該 熔 絲 與 該 保 護 層 之 間 〇 本 文 中 所 描 述 之 方 法 及 裝 置 有 效 地 允 許 使 用 降 低 之 熔 絲 節 距 且 由 於 減 少 電 射 對 準 之 重 要 性 而 使 易 於 處 理 〇 圖 式 簡 aa 早 說 明 第 1 圖 偽 部 分 圖 示 * 顯 示 4- 根 據 本 發 明 之 裝 置 之 頂 部 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 五、發明説明() 平面疆;以及 第2圖偽一部分圔示,顯示根據本發明之一特殊有用 之裝置之横截面圔。 較佳實施例之詳細說明 根據本發明之積讎電路裝置,含有複數之内連,相互 毗鄰地形成在一基片上,具備有一保護層形成在該等内 連之一之至少一部分之上·當一毗鄰之内連曝射於電射 能量時,該保護層避免損壤該内連所覆蓋之部份。 如第1圖中所示之實施例中所視,複數之内連,諸如 熔絲10a,10b及10c傜形成於基H5之上,而熔絲10a,b及 c偽以平行並列地顯示,應理解的是,毗鄰之熔絲可為其 他之定向。 熔絲10a,10 b及10 c可由任何己知之可用於形成内連之 材料所作成,用以形成該等熔絲之適用材料含有鋁,銅 ,多晶矽,矽化物.Al-Si, A卜Cu, Al-Si-Cu或任何高 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -ο -$ 術應 技絲 之熔 絲等 熔該 bB 積内 灞之 料圍 材範 等解 該理 從之 以者 用術 〇 技 金本 合於 或習 屬熟 金等 性該 霣在 導你 -線〕 經濟部中央橾準局負工消费合作社印装 約 大 自 可 圍 範 度 厚 之 0 絲自 熔地 等佳 該較 地米 型撤 約 0 — 大 薄 地至 能米 可 1 盡 Θ 約 大 至 米 撖 米 撖 1.較 約 。 大内 至圍 米範 撖之5 r. . 長 米 撖 0 1A 約 大 至 米 徹 約 約 大 白 在 地 致 大 將 寸 尺約 之大 絲自 熔及 等寬 該米 ,徹 地 佳 離 時 成 形 列約 並大 行 自 平於 以圔 絲範 等丨 該 當 距 節 絲 熔 約 大 至 米 撖 距 之 間 〇 絲米 熔撤 等 該 本纸張尺度適用中國國家橾率(CNS >A4規格(210x297公釐) A7 B7 五、發明説明() 保護層15a你形成在熔絲10a之第一部分14a之上•保護 層15Bb及15c偽分別地形成在熔絲10b及10c之部分14b及 14c之上,此留下未保護之部分12a,12b及12c在衝擊於該 裝置之雷射能置下.當層光黏20之邊緣衝擊其上時,保 護層15a,b及c吸收及發散所産生之熱量,藉此保護著定 位在各保護層之下的諸熔絲。該等保護靥15a, b及c可形 成自任何可實質地不透光於衝擊之雷射能量之材料,而 該衝擊之雷射能量僳足夠強烈來熔斷未保護之部分12a, b及c。高度吸收雷射能量之材料傜特別地有用,可形成 保護層15a,b及c之適用材料含有鋁,銅,鎢等之導電性 材料,該等保護層可利用該等熟習於本技術者之技術來 形成,例如,該保護層可藉噴濺塗敷法緊接著利用已知 之撤影及蝕刻技術製作圖案予以澱積,該/保護層_之精確 尺寸將根據許多因素含有,但不受限於,欲保護之熔絲 及欲熔斷之熔絲之構成的尺寸及材料,以及欲利用來熔 斷該等熔絲之雷射形式及能置。然而,大致地,保謖層 應稍撖寬闊於欲保護之熔絲及實際允許义羞度,一般地 -------.---------tr------^. (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 經濟部中央樣丰局工消费合作社印簟 米 徹 2 約 大 至 米 微 1 00. 厚 約米 大微 度 厚 自 圍 範 在 將約 層大 護自 保地 該佳 ,較 約 大 至 米 微 觸 接 絲 熔 該 與 地 接 直 非 且 方 上 之 絲 熔 該 第在 在成 形 中 例 施 實 之 用 有 別 待 1 之 示 所 中 團 層 iJiBS 保 該 在 是 而 Η 由 基像 在19 成層 形間 19中 層該 間 . 中地 i 佳 •較 前, 之方 層 護 保 積 澱 上 C 及 絲 熔 在 且 上 保 與、 其 料 材 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消费合作社印装 A7 B7 五、發明説明() 護層或熔絲相比較傺相當低之導熱醱材料所構成,適用 材料包含諸如氣化矽或氰化矽之電介質材料,尚可預期 該中間層19可由超過一層以上之不同材料所組成。大致 地,中間層19之厚度將在範圍自大約0.2徹米至大約1徹 米之範圍内,中間層19提供@緣特性以確保例如接觸保 /護層_15^之_雷射光束20散熱而不會直接地轉移該熱量至 熔絲10c之部分14Ct>以此方式可避免不經意地損壊熔絲 10c。應注意的是保護層15a , b及c由於衝擊其上之雷射能 量所致之部分損壞偽可以忍受的,而不會在該裝置上有 任何相反之功效。 此處所描述之保護層允許諸熔絲以緊密鄰接(減少之節 距)來定位而在由雷射能量熔斷時不會對明1鄰熔絲有不經 意損壞之危險,同時,該裝置允許電射光點之失準以及 高能量雷射之應用,所以增加了熔絲切斷製程之可靠性 及速度,藉此提供優異之製里控制。 雖然本發明己以具有若干程度之待質的較佳形式予以 說明,但許多改變及變化係可行於其中且在該等熟習於 本技術者閲謓上述說明之後將更呈明顯。因此,須理解 的是,除了本文中之所特定描述之外將可實施本發明而 不會背離本發明之精神與範睹。
主要元件之對照表 5 基K 10a , 10b,10c 熔絲 -7- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210 X 297公釐) (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)
、1T 線 390007 五、發明説明( 12a , 12b,12c 14a , 14b,14c 15a , 15b,15c 19 20 未保護之部位 熔絲之部位 保護層 中間層 雷射光束 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -'φ 線 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4说格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. A8 390007 cl D8 六、申請專利範圍 1. 一種積體電路,包括: 複數之毗鄰熔絲,含有一第一熔絲其具有一實質不 透光於雷射能量之保護層定位於該第一熔絲之至少一 部分上方,使得當雷射衝擊於至少該第一熔絲上方時 ,該保護層保護著因此而覆蓋之部分該第一熔絲。 2. 如申請專利範圍第1項之積體電路,其中該等複數毗鄰 熔絲之至少兩個偽以平行並列著。 3. 如申請專利範圍第1項之積體電路,其中平行並列之該 至少兩個熔絲間之距離偽分開間隔以一自1撤米至3徹 米之距離。 4. 如申請專利範圍第1項之積體電路,其中複數之熔絲俗 由一種或多種選取自含有A1 (鋁),Cu(銅),W(鎢),Ti (鈦),TiN (氮化鈦)及其合金之群的材料所構成。 5. 如申請專利範圍第1項之積體電路,其中該保護層像由 一種或多種選取自含有鋁,銅及鎢之群的材料所構成 〇 經濟部中央樣率局貝工消費合作社印裂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 6. 如申請專利範圍第1項之積體電路,其中尚含有一中間 層形成於該第一熔絲與該保護層之間。 7. 如申請專利範圍第6項之積體電路,其中該中間層之至 少一部份像由一種或多種選取自含有氣化矽及氮化矽 之群的材料所構成〇 8. —種積體電路,包括: 一第一熔絲,具有一第一部分; -9- 本紙張尺度逍用中困困家標準(CNS > A4«l格(210X297公釐) 經濟部中央揉牟局負工消费合作社印製 A8 B8 390007_g|__ 六、申請專利範圍 一第二熔絲,具有一第一部分及一第二部分,該第 二熔絲之該第一部分僳定位毗鄰該第一熔絲之該第一 部分;以及 一保護層,結合於該第二熔絲之該第一部分, 藉此,當該第一熔一部 射能量以熔斷該第一熔絲之該第一部分時,該笫二熔 絲之該第一部分會保持原狀η 9. 如申請專利範圍第8項之積體電路,其中該第一及該第 二熔絲僳以平行並列著。 10. 如申請專利範圍第9項之積醍電路,其中該第一及與 該第二熔絲間之距離像分開間隔一自1撖米至3徹米之 距離。 11. 如申請專利範圍第8項之積體電路,其中該第一及與 該第二熔絲像各自由一種或多種選取自含有Α1 (鋁),Cu (銅),Ιί(鎢),Ti(鈦),TiN(氮化鈦)及其合金之群的 材料所構成。 12. 如申諳專利範圍第8項之積體電路,其中該保護層係 由一種或多種選取自含有鋁,銅及錫之群的材料所構 成。 13. 如申讅專利範圍第8項之積體電路,其中尚含有一中 間層形成於該第二熔絲與該保護層之間。 14. 如申請專利範圍第13項之積體電路,其中該中間層之 至少一部份像由一種或多種選取自含有氣化矽及氡化 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 訂------線·、..-ί (請先閲讀背面之注意事項$寫本頁) 390007 ?! Uo六、申請專利範圍 成 構 所 料 材 的 群 之 砂 括 包 法 方 作 製 之 路 體 積 •H 種 上 之 Μ 基 1 於 i- 内二 第 一 及 -I 内 1 第 1 成 形 a 足 於 方分 上部 之一 分之 部路 一 電 之體 連積 内該 一 之 第連 該内 於 一 層第 護該 保有 一 含 成射 形曝 νϊ/ VI/ b c 保 該 由 僳 内 二 〇 第壤 該損 , 量 董能 能射 射雷 雷受 之遭 分於 部免 一 以 其護 發保 蒸所 以層 層 間 中 1 成 形 有 含 尚 法 方 之 項 TJ MuW 5 _ IX 第 圍 範 利 專 請 Φ 如 第 該 於 保 該 與 .1- 内 間 之 層 層 護 保 1 成 形 有 含 尚 法 方 之 項 5 1A 第 圍 範 利 專 請 Φ 如 方 上 1· 逄 内二 第 該 於 第 圍 範 利 專 請 申 如 内二 第 該 及 一 第 該 成 形 有 含 3 驟 步 該 巾中。 其列 法並h行 項妻 5 透 法 方 之至 項米 8 S 1 循 第 圍 範 利 專 請 Φ 如 自 化 變 1 由 僳 I 逋 内 -----:—----M(i (請先閲讀背面之注$項再壤寫本頁) *1T 二 第 該 及 一 第 該 中 其 離 分 所 離 距 之 米 撤 線 經濟部中央標率局貝工消費合作社印«. 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4规格(210><297公釐)
TW087109148A 1997-06-26 1998-06-09 Protective layer for laser blown fuses TW390007B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88286697A 1997-06-26 1997-06-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW390007B true TW390007B (en) 2000-05-11

Family

ID=25381503

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW087109148A TW390007B (en) 1997-06-26 1998-06-09 Protective layer for laser blown fuses

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0887858A3 (zh)
JP (1) JPH1174364A (zh)
KR (1) KR100563513B1 (zh)
CN (1) CN1207586A (zh)
TW (1) TW390007B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100747681B1 (ko) * 2000-12-30 2007-08-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 기판 컷팅 장치
CN113013090B (zh) * 2021-02-07 2022-06-24 长鑫存储技术有限公司 半导体结构的熔断填充方法及半导体结构

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59957A (ja) * 1982-06-25 1984-01-06 Fujitsu Ltd 半導体装置
US4849363A (en) * 1988-03-18 1989-07-18 Digital Equipment Corporation Integrated circuit having laser-alterable metallization layer
EP0405849A3 (en) * 1989-06-30 1991-05-02 American Telephone And Telegraph Company Severable conductive path in an integrated-circuit device
JP2656368B2 (ja) * 1990-05-08 1997-09-24 株式会社東芝 ヒューズの切断方法
US5622892A (en) * 1994-06-10 1997-04-22 International Business Machines Corporation Method of making a self cooling electrically programmable fuse
TW279229B (en) * 1994-12-29 1996-06-21 Siemens Ag Double density fuse bank for the laser break-link programming of an integrated-circuit

Also Published As

Publication number Publication date
JPH1174364A (ja) 1999-03-16
KR100563513B1 (ko) 2006-06-21
EP0887858A3 (en) 1999-02-03
KR19990007316A (ko) 1999-01-25
CN1207586A (zh) 1999-02-10
EP0887858A2 (en) 1998-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW228036B (zh)
US6624499B2 (en) System for programming fuse structure by electromigration of silicide enhanced by creating temperature gradient
US7491585B2 (en) Electrical fuse and method of making
TW506108B (en) Fuse processing using dielectric planarization pillars
US7301216B2 (en) Fuse structure
US4747076A (en) Method of writing information into a fuse-type ROM
TW455915B (en) High laser absorption copper fuse and method for making the same
JP3454306B2 (ja) ヒューズ構造部
JPS58169940A (ja) 半導体装置の製造方法
TW456022B (en) Metal wire fuse structure with cavity
EP1547144A2 (en) Reduced splattering of unpassivated laser fuses
TW390007B (en) Protective layer for laser blown fuses
JPS631054A (ja) ヒユ−ズ内蔵型半導体装置
TW523873B (en) Semiconductor device provided with fuse and method of disconnecting fuse
JPS58170A (ja) 半導体装置
TW540151B (en) Fuse structure
JPS59134863A (ja) 静電破壊防止回路
US20220223363A1 (en) Fuse resistor and method for manufacturing the same
JP3171977B2 (ja) 半導体装置
KR960706197A (ko) 도핑된 장벽 금속층을 갖는 안티퓨즈(antifuse with doped barrier metal layer)
JP2688921B2 (ja) ヒューズ
CN107026145A (zh) 半导体装置
TW466739B (en) Metal fuse structure
JPS5968946A (ja) 半導体装置
JPS63127549A (ja) ヒユ−ズ内蔵型半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees