JP3171977B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP3171977B2 JP3171977B2 JP02505493A JP2505493A JP3171977B2 JP 3171977 B2 JP3171977 B2 JP 3171977B2 JP 02505493 A JP02505493 A JP 02505493A JP 2505493 A JP2505493 A JP 2505493A JP 3171977 B2 JP3171977 B2 JP 3171977B2
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- Japan
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- fusing
- fuse
- area
- energy
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- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置、特にＤＲＡＭ（Ｄｙ
ｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｓｅｓｓ Ｍｅｍｏ
ｙ）等のメモリは、高集積化が進み、それと共に製造工
程が高度化・複雑化している。一般に集積度が増すにつ
れて半導体回路素子の製造歩留りは低下するため、回路
素子にある程度の不良が生じてもそれを救済できるよう
に冗長回路を設けることが常識となっている。不良の生
じた回路から冗長回路への切り替えには、冗長用ヒュー
ズが用いられている。即ち、冗長用ヒューズが断線して
いない場合は、正規の回路が働き、断線した場合は冗長
回路が働くようにする。冗長用ヒューズは、一般にＹＡ
Ｇレーザ等のエネルギービームを収束照射することによ
り溶断させるが、この場合、なるべく低エネルギーにて
確実に溶断することが必要である。
ｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｓｅｓｓ Ｍｅｍｏ
ｙ）等のメモリは、高集積化が進み、それと共に製造工
程が高度化・複雑化している。一般に集積度が増すにつ
れて半導体回路素子の製造歩留りは低下するため、回路
素子にある程度の不良が生じてもそれを救済できるよう
に冗長回路を設けることが常識となっている。不良の生
じた回路から冗長回路への切り替えには、冗長用ヒュー
ズが用いられている。即ち、冗長用ヒューズが断線して
いない場合は、正規の回路が働き、断線した場合は冗長
回路が働くようにする。冗長用ヒューズは、一般にＹＡ
Ｇレーザ等のエネルギービームを収束照射することによ
り溶断させるが、この場合、なるべく低エネルギーにて
確実に溶断することが必要である。
【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
半導体装置の一例について説明する。図３は従来の半導
体装置の上面模式図を示すものである。図３において、
５１は冗長用ヒューズであり、多結晶シリコンあるいは
多結晶シリコンと金属シリサイドからなるポリサイド等
で形成され、その幅は１μｍ程度である。５２はアルミ
ニウム等からなる配線であり、コンタクト穴５３を介し
て冗長用ヒューズ５１と接続される。コンタクト穴５３
は、冗長用ヒューズ５１と配線５２との間に設けられた
絶縁膜に形成されている。５４は冗長用ヒューズ５１を
溶断するためのレーザ光の照射領域を表わしたものであ
り、直径３μｍ程度の円状である。
半導体装置の一例について説明する。図３は従来の半導
体装置の上面模式図を示すものである。図３において、
５１は冗長用ヒューズであり、多結晶シリコンあるいは
多結晶シリコンと金属シリサイドからなるポリサイド等
で形成され、その幅は１μｍ程度である。５２はアルミ
ニウム等からなる配線であり、コンタクト穴５３を介し
て冗長用ヒューズ５１と接続される。コンタクト穴５３
は、冗長用ヒューズ５１と配線５２との間に設けられた
絶縁膜に形成されている。５４は冗長用ヒューズ５１を
溶断するためのレーザ光の照射領域を表わしたものであ
り、直径３μｍ程度の円状である。
【０００４】以上のように構成された半導体装置につい
て、以下その動作について説明する。ＹＡＧレーザ等の
レーザ光をレンズで集束し、冗長用ヒューズ５１に照射
する。この時、冗長用ヒューズ５１のうち、レーザ光の
照射領域５４と重なった部分が熱せられ、溶断する。
て、以下その動作について説明する。ＹＡＧレーザ等の
レーザ光をレンズで集束し、冗長用ヒューズ５１に照射
する。この時、冗長用ヒューズ５１のうち、レーザ光の
照射領域５４と重なった部分が熱せられ、溶断する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、照射領域５４と冗長用ヒューズ５１との
重複する領域が４０％程度しかないため、照射したレー
ザ光のエネルギーのうち実効的に半分以下しか利用され
ず、逆に言えば、溶断に使用されるエネルギーの倍以上
のエネルギーでレーザ光を照射しなければならないとい
う問題点を有していた。
うな構成では、照射領域５４と冗長用ヒューズ５１との
重複する領域が４０％程度しかないため、照射したレー
ザ光のエネルギーのうち実効的に半分以下しか利用され
ず、逆に言えば、溶断に使用されるエネルギーの倍以上
のエネルギーでレーザ光を照射しなければならないとい
う問題点を有していた。
【０００６】したがって、この発明の目的は、上記問題
点に鑑み、エネルギービームのエネルギーをより効率的
に利用することにより、冗長用ヒューズを、より低いエ
ネルギーのエネルギービームで、確実に溶断可能とする
半導体装置を提供することである。
点に鑑み、エネルギービームのエネルギーをより効率的
に利用することにより、冗長用ヒューズを、より低いエ
ネルギーのエネルギービームで、確実に溶断可能とする
半導体装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の半導体装
置は、冗長用ヒューズが、エネルギービームの照射領域
である中央部に位置する溶断部と、この溶断部の両端に
連設され周囲より熱抵抗の高い領域を一部に設けた非溶
断部とを備え、熱抵抗の高い領域がスリットを設けた領
域である。
置は、冗長用ヒューズが、エネルギービームの照射領域
である中央部に位置する溶断部と、この溶断部の両端に
連設され周囲より熱抵抗の高い領域を一部に設けた非溶
断部とを備え、熱抵抗の高い領域がスリットを設けた領
域である。
【０００８】
【作用】請求項１の構成によれば、非溶断部に熱抵抗の
高い領域を一部に設け、この熱抵抗の高い領域がスリッ
トを設けた領域であるので、溶断部で発生した熱の逃げ
を小さくすることができる。このため、エネルギービー
ムのエネルギーを効率的に冗長用ヒューズの溶断作用に
利用することができる。
高い領域を一部に設け、この熱抵抗の高い領域がスリッ
トを設けた領域であるので、溶断部で発生した熱の逃げ
を小さくすることができる。このため、エネルギービー
ムのエネルギーを効率的に冗長用ヒューズの溶断作用に
利用することができる。
【０００９】
【００１０】
【実施例】この発明の実施例を図１に基づいて説明す
る。図１は実施例の半導体装置の上面模式図を示し、５
は不良の生じた回路から冗長回路への切り替えに用いら
れる冗長用ヒューズである。この冗長用ヒューズ５は、
中央部に位置する溶断部５ａと、この溶断部５ａの両端
に連設され周囲より熱抵抗の高い領域６を一部に設けた
非溶断部５ｂとからなり、多結晶シリコンもしくは多結
晶シリコンと金属シリサイドとからなるポリサイド、あ
るいはアルミニウム等で形成される。溶断部５ａは、エ
ネルギービーム（例えばＹＡＧレーザ等のレーザ光）の
照射領域４と重複するように両側の非溶断部５ｂ，５ｂ
の間に連設される。非溶断部５ｂは、スリット７を設け
ることによりその領域６の熱抵抗を高くてしいる。例え
ば、スリット７の大きさを、短辺0.6 μｍ、長辺１μｍ
程度とする。これにより、領域６が幅0.2 μｍ程度の２
本の線となり、周囲に比べて熱抵抗が高くなる。２はア
ルミニウム等からなる配線である。この配線２と冗長用
ヒューズ５の間に設けられた絶縁膜にコンタクト穴３が
形成され、このコンタクト穴３を介して配線２が冗長用
ヒューズ５に接続される。
る。図１は実施例の半導体装置の上面模式図を示し、５
は不良の生じた回路から冗長回路への切り替えに用いら
れる冗長用ヒューズである。この冗長用ヒューズ５は、
中央部に位置する溶断部５ａと、この溶断部５ａの両端
に連設され周囲より熱抵抗の高い領域６を一部に設けた
非溶断部５ｂとからなり、多結晶シリコンもしくは多結
晶シリコンと金属シリサイドとからなるポリサイド、あ
るいはアルミニウム等で形成される。溶断部５ａは、エ
ネルギービーム（例えばＹＡＧレーザ等のレーザ光）の
照射領域４と重複するように両側の非溶断部５ｂ，５ｂ
の間に連設される。非溶断部５ｂは、スリット７を設け
ることによりその領域６の熱抵抗を高くてしいる。例え
ば、スリット７の大きさを、短辺0.6 μｍ、長辺１μｍ
程度とする。これにより、領域６が幅0.2 μｍ程度の２
本の線となり、周囲に比べて熱抵抗が高くなる。２はア
ルミニウム等からなる配線である。この配線２と冗長用
ヒューズ５の間に設けられた絶縁膜にコンタクト穴３が
形成され、このコンタクト穴３を介して配線２が冗長用
ヒューズ５に接続される。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】以上のように構成された半導体装置につい
て、以下その動作を説明する。冗長用ヒューズ５を溶断
すべくレーザ光を冗長用ヒューズ５の溶断部５ａに向け
照射する。このとき照射領域４と重なった溶断部５ａで
発生した熱は、溶断部５ａの両端から、さらに領域６へ
と伝搬するが、スリット７を設けたことで領域６の幅が
溶断部５ａに比べて小さいので、従来のように幅が一律
な冗長用ヒューズの場合に比べ熱抵抗が高く、溶断部５
ａで発生した熱の逃げが小さくなる。従って、冗長用ヒ
ューズ５は従来より溶断が容易になる。
て、以下その動作を説明する。冗長用ヒューズ５を溶断
すべくレーザ光を冗長用ヒューズ５の溶断部５ａに向け
照射する。このとき照射領域４と重なった溶断部５ａで
発生した熱は、溶断部５ａの両端から、さらに領域６へ
と伝搬するが、スリット７を設けたことで領域６の幅が
溶断部５ａに比べて小さいので、従来のように幅が一律
な冗長用ヒューズの場合に比べ熱抵抗が高く、溶断部５
ａで発生した熱の逃げが小さくなる。従って、冗長用ヒ
ューズ５は従来より溶断が容易になる。
【００１５】以上のようにこの実施例によれば、非溶断
部５ｂに熱抵抗の高い領域６を一部に設け、この熱抵抗
の高い領域６がスリット７を設けた領域であるので、溶
断部５ａで発生した熱の逃げを小さくし、レーザ光のエ
ネルギーを効率的に冗長用ヒューズ５の溶断作用に利用
することが可能であり、従来と同じレーザ光のエネルギ
ーの場合、より確実に溶断することができ、さらにはま
た、レーザ光のエネルギーを従来より低下することも可
能となる。その上、熱の伝搬量を従来より低減する結
果、熱が冗長用ヒューズ５と配線２に接続する回路素子
に及ぼす悪影響を低減する効果も合せ持つ。
部５ｂに熱抵抗の高い領域６を一部に設け、この熱抵抗
の高い領域６がスリット７を設けた領域であるので、溶
断部５ａで発生した熱の逃げを小さくし、レーザ光のエ
ネルギーを効率的に冗長用ヒューズ５の溶断作用に利用
することが可能であり、従来と同じレーザ光のエネルギ
ーの場合、より確実に溶断することができ、さらにはま
た、レーザ光のエネルギーを従来より低下することも可
能となる。その上、熱の伝搬量を従来より低減する結
果、熱が冗長用ヒューズ５と配線２に接続する回路素子
に及ぼす悪影響を低減する効果も合せ持つ。
【００１６】
【００１７】なお、上記実施例を図２の構成と組み合わ
せて実施してもよい。図２では、助長用ヒューズ１は、
溶断部１ａと非溶断部１ｂとからなる。溶断部１ａは、
エネルギービームの照射領域４と重複するように両側の
非溶断部１ｂ，１ｂの間に連設され、その幅は非溶断部
１ｂの幅よりも大きく設定してある。具体的には、非溶
断部１ｂの幅は１μｍ程度であるが、一方、溶断部１ａ
の大きさは、溶断可能でかつレーザ光の照射領域４の面
積に近い大きさ、例えば、レーザ光の照射領域４を直径
３μｍの円とすると、溶断部１ａの面積はその約６０％
程度、例えば一辺２μｍの正方形にする。また、非溶断
部１ｂには図１と同様のスリットが設けてある（図示せ
ず）。 以上のように構成された半導体装置について、そ
の動作を説明する。冗長用ヒューズ１を溶断すべくレー
ザ光を冗長用ヒューズ１の溶断部１ａに向け照射する。
このとき照射領域４と溶断部１ａとの重複する面積の割
合が従来に比べ大きくなり、レーザ光のエネルギーを従
来より有効に利用することができる。 以上のようにこの
実施例によれば、スリットの作用効果に加えて、冗長用
ヒューズ１の溶断部１ａを溶断可能でかつレーザ光の照
射領域４の面積にできる限り近くし、照射領域４と溶断
部１ａとの重なりを従来より大きくすることにより、レ
ーザ光のエネルギーを効率的に冗長用ヒューズ１の溶断
作用に利用することが可能である。さらに、溶断部１ａ
の周囲に照射されて下層へ洩れるレーザ光の量が従来よ
り減少するため、冗長用ヒューズ１の下層に存在する素
子もしくは基板への熱的ダメージを低減できる効果も合
わせ持つ。 また、溶断部となる部分１ａを正方形とした
が、多角形あるいは円状にしてもよい。
せて実施してもよい。図２では、助長用ヒューズ１は、
溶断部１ａと非溶断部１ｂとからなる。溶断部１ａは、
エネルギービームの照射領域４と重複するように両側の
非溶断部１ｂ，１ｂの間に連設され、その幅は非溶断部
１ｂの幅よりも大きく設定してある。具体的には、非溶
断部１ｂの幅は１μｍ程度であるが、一方、溶断部１ａ
の大きさは、溶断可能でかつレーザ光の照射領域４の面
積に近い大きさ、例えば、レーザ光の照射領域４を直径
３μｍの円とすると、溶断部１ａの面積はその約６０％
程度、例えば一辺２μｍの正方形にする。また、非溶断
部１ｂには図１と同様のスリットが設けてある（図示せ
ず）。 以上のように構成された半導体装置について、そ
の動作を説明する。冗長用ヒューズ１を溶断すべくレー
ザ光を冗長用ヒューズ１の溶断部１ａに向け照射する。
このとき照射領域４と溶断部１ａとの重複する面積の割
合が従来に比べ大きくなり、レーザ光のエネルギーを従
来より有効に利用することができる。 以上のようにこの
実施例によれば、スリットの作用効果に加えて、冗長用
ヒューズ１の溶断部１ａを溶断可能でかつレーザ光の照
射領域４の面積にできる限り近くし、照射領域４と溶断
部１ａとの重なりを従来より大きくすることにより、レ
ーザ光のエネルギーを効率的に冗長用ヒューズ１の溶断
作用に利用することが可能である。さらに、溶断部１ａ
の周囲に照射されて下層へ洩れるレーザ光の量が従来よ
り減少するため、冗長用ヒューズ１の下層に存在する素
子もしくは基板への熱的ダメージを低減できる効果も合
わせ持つ。 また、溶断部となる部分１ａを正方形とした
が、多角形あるいは円状にしてもよい。
【００１８】
【発明の効果】請求項１記載の半導体装置によれば、非
溶断部に熱抵抗の高い領域を一部に設け、この熱抵抗の
高い領域がスリットを設けた領域であるので、溶断部で
発生した熱の逃げを小さくすることができる。このた
め、エネルギービームのエネルギーを効率的に冗長用ヒ
ューズの溶断作用に利用することが可能である。その結
果、従来と同じエネルギービームのエネルギーの場合、
より確実にかつ容易に溶断することができ、さらには、
エネルギービームのエネルギーを従来より低下すること
も可能となる。また、熱の伝搬量を従来より低減できる
ため、熱が冗長用ヒューズと配線に接続する回路素子に
及ぼす悪影響を低減する効果も合せ持つ。
溶断部に熱抵抗の高い領域を一部に設け、この熱抵抗の
高い領域がスリットを設けた領域であるので、溶断部で
発生した熱の逃げを小さくすることができる。このた
め、エネルギービームのエネルギーを効率的に冗長用ヒ
ューズの溶断作用に利用することが可能である。その結
果、従来と同じエネルギービームのエネルギーの場合、
より確実にかつ容易に溶断することができ、さらには、
エネルギービームのエネルギーを従来より低下すること
も可能となる。また、熱の伝搬量を従来より低減できる
ため、熱が冗長用ヒューズと配線に接続する回路素子に
及ぼす悪影響を低減する効果も合せ持つ。
【００１９】
【図１】この発明の実施例の半導体装置の上面模式図で
ある。
ある。
【図２】この発明の別の実施例の半導体装置の上面模式
図である。
図である。
【図３】従来例の半導体装置の上面模式図である。
１，５ 冗長用ヒューズ １ａ，５ａ 溶断部 １ｂ，５ｂ 非溶断部 ２ 配線 ４ エネルギービームの照射領域 ６ 熱抵抗の高い領域 ７ スリット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−57951（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−169942（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−104338（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−72367（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/82
Claims (1)
- 【請求項１】 配線に接続されエネルギービームにて溶
断することにより冗長回路を電気的に活性化し不良の生
じた回路を不活性化する冗長用ヒューズを備えた半導体
装置であって、前記冗長用ヒューズが、前記エネルギー
ビームの照射領域である中央部に位置する溶断部と、こ
の溶断部の両端に連設され周囲より熱抵抗の高い領域を
一部に設けた非溶断部とを備え、前記熱抵抗の高い領域
がスリットを設けた領域である半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02505493A JP3171977B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02505493A JP3171977B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06244285A JPH06244285A (ja) | 1994-09-02 |
| JP3171977B2 true JP3171977B2 (ja) | 2001-06-04 |
Family
ID=12155215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02505493A Expired - Fee Related JP3171977B2 (ja) | 1993-02-15 | 1993-02-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3171977B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5949323A (en) * | 1998-06-30 | 1999-09-07 | Clear Logic, Inc. | Non-uniform width configurable fuse structure |
| US7645645B2 (en) * | 2006-03-09 | 2010-01-12 | International Business Machines Corporation | Electrically programmable fuse structures with terminal portions residing at different heights, and methods of fabrication thereof |
| JP5302657B2 (ja) * | 2008-12-22 | 2013-10-02 | 株式会社ハーマン | 加熱調理器 |
-
1993
- 1993-02-15 JP JP02505493A patent/JP3171977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06244285A (ja) | 1994-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |