JPS584819B2 - ハンドウタイソウチ - Google Patents
ハンドウタイソウチInfo
- Publication number
- JPS584819B2 JPS584819B2 JP10344675A JP10344675A JPS584819B2 JP S584819 B2 JPS584819 B2 JP S584819B2 JP 10344675 A JP10344675 A JP 10344675A JP 10344675 A JP10344675 A JP 10344675A JP S584819 B2 JPS584819 B2 JP S584819B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fuse
- circuit components
- polycrystalline silicon
- film
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は金属薄膜フユーズを回路部品として備える集
積回路の、フユーズ溶断に伴う、損傷防止に最適な構造
に関する。
積回路の、フユーズ溶断に伴う、損傷防止に最適な構造
に関する。
金属フユーズの直下に、絶縁層を介して半導体回路部品
が設けられてなる構造の集積回路では、半導体基板及び
その上に設けられた回路部品のフユーズ溶断に伴う損傷
を防止するために金属フユーズ溶断に要するに必要十分
なだけのレーザ照射を行うかあるいは電流加熱による溶
断の場合は適切な熱量のみを加える。
が設けられてなる構造の集積回路では、半導体基板及び
その上に設けられた回路部品のフユーズ溶断に伴う損傷
を防止するために金属フユーズ溶断に要するに必要十分
なだけのレーザ照射を行うかあるいは電流加熱による溶
断の場合は適切な熱量のみを加える。
或いは集積度を犠性にしてフユーズの直下及び近傍には
回路部品を設けないことが一般に行われている。
回路部品を設けないことが一般に行われている。
例えばレーザ照射によりフユーズを溶断する場合には、
確実にフユーズを溶断するために、レーザのビーム径は
、フユーズの横巾よりも多少大きくなければならず、そ
のためレーザ光の一部は必ずフユーズ近傍を直接照射し
てしまう。
確実にフユーズを溶断するために、レーザのビーム径は
、フユーズの横巾よりも多少大きくなければならず、そ
のためレーザ光の一部は必ずフユーズ近傍を直接照射し
てしまう。
又、フユーズ溶断後のレーザ光は、その開口部を通して
直下を照射することになる。
直下を照射することになる。
一般に絶縁膜は金属膜に比べて透過度が高いためその損
傷は特に半導体基板や半導体基板に含まれる回路及びア
ルミニウム、多結晶シリコン等で構成される回路部品に
顕著に現れ回路の正常な動作を防げる。
傷は特に半導体基板や半導体基板に含まれる回路及びア
ルミニウム、多結晶シリコン等で構成される回路部品に
顕著に現れ回路の正常な動作を防げる。
又、電流加燃によりフユーズを溶断する場合においても
確実にフユーズを溶断するためには、フユーズ溶断に要
する熱量より過剰な熱量を与える必要があるため、レー
ザ照射の場合と同様な影響を絶縁膜を介して半導体基板
及び半導体基板に含まれる回路及びアルミニウム、多結
晶シリコン等で構成される回路部品に与える。
確実にフユーズを溶断するためには、フユーズ溶断に要
する熱量より過剰な熱量を与える必要があるため、レー
ザ照射の場合と同様な影響を絶縁膜を介して半導体基板
及び半導体基板に含まれる回路及びアルミニウム、多結
晶シリコン等で構成される回路部品に与える。
これらの損傷を防止するために、フユーズ直下及びその
近傍には回路部品を設けない構成とすると集積度が低下
してしまう。
近傍には回路部品を設けない構成とすると集積度が低下
してしまう。
この発明の目的は、金属薄膜フユーズを回路部品として
備える集積回路において、フユーズの直下に絶縁層を介
して、フユーズ溶断部面積よりも大きな面積で多結晶シ
リコン層を設け、フユーズ直下及び近傍の集積回路部品
の損傷を防止し、もって高集積密度の素子を提供するに
ある。
備える集積回路において、フユーズの直下に絶縁層を介
して、フユーズ溶断部面積よりも大きな面積で多結晶シ
リコン層を設け、フユーズ直下及び近傍の集積回路部品
の損傷を防止し、もって高集積密度の素子を提供するに
ある。
以下、本発明を一実施例により図面を用いて説明する。
第１図に平面図、第２図に■−■断面図を示す。
シリコン１上に絶縁膜２が設けられ、シリコン内には回
路部品（図示せず）を含む半導体基板３及びそれらに接
続される内部配線等を酸化膜等の絶縁模２で分離し、こ
の上に多結晶シリコン膜４を設け、更にその多結晶シリ
コン膜片上に絶縁膜５を介して多結晶シリコン，アルミ
ニウム，ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、チタン系合金等の金
属膜フユーズ６を設けた構造に対し、レーザ照射、電流
加熱等のフユーズ溶融時にフユーズ直下及び近傍の集積
回路部品を保護する。
路部品（図示せず）を含む半導体基板３及びそれらに接
続される内部配線等を酸化膜等の絶縁模２で分離し、こ
の上に多結晶シリコン膜４を設け、更にその多結晶シリ
コン膜片上に絶縁膜５を介して多結晶シリコン，アルミ
ニウム，ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）、チタン系合金等の金
属膜フユーズ６を設けた構造に対し、レーザ照射、電流
加熱等のフユーズ溶融時にフユーズ直下及び近傍の集積
回路部品を保護する。
フユーズ部分の断面図ぱ第２図に示す。
回路部品を保護する多結晶シリコン４の厚さはＩＯＯＯ
Ａ程度より厚いのが望ましくそのシリコン多結晶シリコ
ンとフユーズの間の絶縁膜５は最も薄い場合１０００Ａ
必要となる。
Ａ程度より厚いのが望ましくそのシリコン多結晶シリコ
ンとフユーズの間の絶縁膜５は最も薄い場合１０００Ａ
必要となる。
多結晶シリコンの厚さがＩＯＯＯＡより厚い時は下の回
路部品を保護することができることがだしかめられた。
路部品を保護することができることがだしかめられた。
又絶縁膜がＩＯＯＯＡより厚い時はフユーズ溶断の時フ
ユーズ金属膜と多結晶シリコンとが短縮することなしに
前記保護の効果をはだすことができだ。
ユーズ金属膜と多結晶シリコンとが短縮することなしに
前記保護の効果をはだすことができだ。
金属膜６の表面はデバイス保護用のＣＶＤ酸化膜８をつ
ける場合がある。
ける場合がある。
この場合フユーズ溶断近傍部分７はＣＶＤ酸化膜８で覆
わない方がフユーズ溶断が容易である。
わない方がフユーズ溶断が容易である。
フユーズ溶断をレーザ照射により行なう場合、レーザ・
ビームの径は、フユーズの幅よりも大きくなければなら
ずレーザ光の一部は必ずフユーズ近傍を照射し、又フユ
ーズ溶断後のレーザ光は、その開口部を通して直下を照
射することになり、絶縁膜を透過して、半導体基板等に
損傷を与え回路の正常動作を防げる。
ビームの径は、フユーズの幅よりも大きくなければなら
ずレーザ光の一部は必ずフユーズ近傍を照射し、又フユ
ーズ溶断後のレーザ光は、その開口部を通して直下を照
射することになり、絶縁膜を透過して、半導体基板等に
損傷を与え回路の正常動作を防げる。
この絶縁膜を透過したレーザ光を半導体基板及びそれに
含まれる回路部品と、酸化膜等の絶縁膜で分離される多
結晶シリコン膜を設けることにより、遮蔽し、半導体基
板及び半導体基板に含まれる回路部品を保護する。
含まれる回路部品と、酸化膜等の絶縁膜で分離される多
結晶シリコン膜を設けることにより、遮蔽し、半導体基
板及び半導体基板に含まれる回路部品を保護する。
電流加熱によりフユーズを溶断する場合にあつても半導
体基板及びそれに含まれる回路部品と酸化膜等の絶縁膜
で分離される多結晶ンリコンによりフユーズ溶断に伴う
熱的な影響が半導体基板及びそれに含まれる回路部品に
及ぶのを防ぐことができた。
体基板及びそれに含まれる回路部品と酸化膜等の絶縁膜
で分離される多結晶ンリコンによりフユーズ溶断に伴う
熱的な影響が半導体基板及びそれに含まれる回路部品に
及ぶのを防ぐことができた。
この様にして保護層例えば多結晶シリコンを設けること
によりフユーズの直下及び近傍に回路部品を設けること
が可能となり、集積度を高くすることが出来た。
によりフユーズの直下及び近傍に回路部品を設けること
が可能となり、集積度を高くすることが出来た。
金属膜フユーズとしては多結晶シリコン，アルミニウム
，ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）チタン系合金等を使用できる
。
，ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）チタン系合金等を使用できる
。
又、保護層としては多結晶シリコンの代りにアルミニウ
ム，ニクロム，チタン系合金等を使用できる。
ム，ニクロム，チタン系合金等を使用できる。
半導体基板及びそれに含まれる回路部品と保護用多結晶
シリコンあるいはアルミニウム等を分離する絶縁膜はＳ
ｉ０２膜の他に、Ｓｉ３Ｎ４膜、Ａｌ２Ｏ３膜等を用い
ることが可能である。
シリコンあるいはアルミニウム等を分離する絶縁膜はＳ
ｉ０２膜の他に、Ｓｉ３Ｎ４膜、Ａｌ２Ｏ３膜等を用い
ることが可能である。
この構造をとることにより半導体基板及びそれに設けた
拡散層を始めトランジスタ等の回路部品を保護すること
が可能となった。
拡散層を始めトランジスタ等の回路部品を保護すること
が可能となった。
第１図は本発明の一実施例装置を説明するための平面図
、第２図は第１図の■一■線による断面図である。 図において３・・・半導体基板、４・・・保護層、５・
・・絶縁層、６・・・フユーズ、７・・・フユーズ溶断
部。
、第２図は第１図の■一■線による断面図である。 図において３・・・半導体基板、４・・・保護層、５・
・・絶縁層、６・・・フユーズ、７・・・フユーズ溶断
部。
Claims (1)
- １ 金属薄膜フユーズを回路部品として備える半導体集
積回路において、前記金属薄嘆フユーズの直下に、絶縁
層を介して、フユーズ溶断部の面積よりも大きな面積で
保護層を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344675A JPS584819B2 (ja) | 1975-08-28 | 1975-08-28 | ハンドウタイソウチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10344675A JPS584819B2 (ja) | 1975-08-28 | 1975-08-28 | ハンドウタイソウチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5228280A JPS5228280A (en) | 1977-03-03 |
| JPS584819B2 true JPS584819B2 (ja) | 1983-01-27 |
Family
ID=14354246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10344675A Expired JPS584819B2 (ja) | 1975-08-28 | 1975-08-28 | ハンドウタイソウチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS584819B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171523A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Ebara Res Co Ltd | スラスト軸受 |
| JPS62184222A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-08-12 | Ebara Res Co Ltd | スパイラルグル−ブ軸受 |
| JPH02199318A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Nippon Seiko Kk | 動圧軸受装置 |
| JPH0457889B2 (ja) * | 1985-10-22 | 1992-09-16 | Ebara Mfg |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS574139A (en) * | 1980-06-11 | 1982-01-09 | Toshiba Corp | Semiconductor device and manufacturing process therefor |
| JPS57117255A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-21 | Toshiba Corp | Semiconductor ic device |
| JPS58101440A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置における配線の接続方法 |
| JPS58213450A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の多層配線構造 |
| JPH0719842B2 (ja) * | 1985-05-23 | 1995-03-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の冗長回路 |
| JPS63140550A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | 冗長回路用電気ヒユ−ズ |
| US4792835A (en) * | 1986-12-05 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | MOS programmable memories using a metal fuse link and process for making the same |
| US5025300A (en) * | 1989-06-30 | 1991-06-18 | At&T Bell Laboratories | Integrated circuits having improved fusible links |
| JP2656368B2 (ja) * | 1990-05-08 | 1997-09-24 | 株式会社東芝 | ヒューズの切断方法 |
| US5572050A (en) * | 1994-12-06 | 1996-11-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Fuse-triggered antifuse |
| JPH10229125A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1975
- 1975-08-28 JP JP10344675A patent/JPS584819B2/ja not_active Expired
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0457889B2 (ja) * | 1985-10-22 | 1992-09-16 | Ebara Mfg | |
| JPS62184222A (ja) * | 1986-01-17 | 1987-08-12 | Ebara Res Co Ltd | スパイラルグル−ブ軸受 |
| JPS62171523A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Ebara Res Co Ltd | スラスト軸受 |
| JPH02199318A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Nippon Seiko Kk | 動圧軸受装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5228280A (en) | 1977-03-03 |
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