JPH0225055A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
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- JPH0225055A JPH0225055A JP63172729A JP17272988A JPH0225055A JP H0225055 A JPH0225055 A JP H0225055A JP 63172729 A JP63172729 A JP 63172729A JP 17272988 A JP17272988 A JP 17272988A JP H0225055 A JPH0225055 A JP H0225055A
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Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ヒユーズを備えた半導体記憶装置に関するも
のであり、特に、レーザで溶断されるヒユーズを備えた
半導体記憶装置に適用して有効な技術に関するものであ
る。
のであり、特に、レーザで溶断されるヒユーズを備えた
半導体記憶装置に適用して有効な技術に関するものであ
る。
半導体記憶装置は、メモリセルアレイの中の1個の欠陥
メモリセルによって半導体チップ全体が使用できなくな
るのを救済すために冗長メモリセルを備えている。欠換
メモリセルから冗長メモリセルへの切り換えは、アドレ
ス切り換え回路の中の救済用ヒユーズにレーザを照射し
て溶断することによって行う。前記救済用ヒユーズは、
多結晶シリコン膜やアルミニウム膜で形成されており、
半導体基板上のフィールド絶縁膜や、さらにその上の層
間絶縁膜の上等に設けられる。ところで、欠陥メモリセ
ルから冗長メモリセルへの切り換えを確実に行うために
は、前記救済用ヒユーズを確実に溶断する必要があり、
このため前記レーザは微小時間ではあるが、救済用ヒユ
ーズを溶断した後も照射され続ける。なお、前記救済用
ヒユーズに関する技術は、例えば特願昭61−2419
43号に記載されている。
メモリセルによって半導体チップ全体が使用できなくな
るのを救済すために冗長メモリセルを備えている。欠換
メモリセルから冗長メモリセルへの切り換えは、アドレ
ス切り換え回路の中の救済用ヒユーズにレーザを照射し
て溶断することによって行う。前記救済用ヒユーズは、
多結晶シリコン膜やアルミニウム膜で形成されており、
半導体基板上のフィールド絶縁膜や、さらにその上の層
間絶縁膜の上等に設けられる。ところで、欠陥メモリセ
ルから冗長メモリセルへの切り換えを確実に行うために
は、前記救済用ヒユーズを確実に溶断する必要があり、
このため前記レーザは微小時間ではあるが、救済用ヒユ
ーズを溶断した後も照射され続ける。なお、前記救済用
ヒユーズに関する技術は、例えば特願昭61−2419
43号に記載されている。
本発明者は、前記救済用ヒユーズの溶断について検討し
た結果、次の問題点を見出した。
た結果、次の問題点を見出した。
前記のように、レーザは救済用ヒユーズを溶断した後も
微小時間ではあるが照射され続けるため、救済用ヒユー
ズのみならずその下の層間絶縁膜からフィールド絶縁膜
、さらには半導体基板(単結晶シリコン)までも溶して
しまうことがあった。
微小時間ではあるが照射され続けるため、救済用ヒユー
ズのみならずその下の層間絶縁膜からフィールド絶縁膜
、さらには半導体基板(単結晶シリコン)までも溶して
しまうことがあった。
このため、層間絶縁膜と半導体基板との界面から水分や
不純物イオンあるいは金属等が入り込んで、アルミニウ
ム配線を腐食させたり、MISFETの特性を劣化させ
たりするため、半導体記憶装置の歩留りを低下させ、ま
た信頼性を低下させるという問題があった。
不純物イオンあるいは金属等が入り込んで、アルミニウ
ム配線を腐食させたり、MISFETの特性を劣化させ
たりするため、半導体記憶装置の歩留りを低下させ、ま
た信頼性を低下させるという問題があった。
本発明の目的は、レーザの照射による半導体基板へのダ
メージを防止して、半導体記憶装置の信頼性を向上する
ことにある。
メージを防止して、半導体記憶装置の信頼性を向上する
ことにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
〔課題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち1代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、半導体基板上のメモリセルアレイの中の欠陥
メモリセルを冗長メモリセルに切り換える救済用ヒユー
ズを備えた半導体記憶装置において、前記救済用ヒユー
ズと半導体基板の間にダメージ防止用導電膜を設け、こ
のダメージ防止用導電膜と前記救済用ヒユーズの間に絶
縁膜を設けたものである。
メモリセルを冗長メモリセルに切り換える救済用ヒユー
ズを備えた半導体記憶装置において、前記救済用ヒユー
ズと半導体基板の間にダメージ防止用導電膜を設け、こ
のダメージ防止用導電膜と前記救済用ヒユーズの間に絶
縁膜を設けたものである。
上述した手段によれば、ダメージ防止用導電膜の比熱が
大きく、これが、微小時間ではあるが救済用ヒユーズを
溶断した後も照射され続けているレーザの熱を吸収する
ので、このダメージ防止用電極の下の絶縁膜さらにその
下の半導体基板が溶されるのが防止される。これにより
、半導体記憶装置の信頼性を向上することができる。
大きく、これが、微小時間ではあるが救済用ヒユーズを
溶断した後も照射され続けているレーザの熱を吸収する
ので、このダメージ防止用電極の下の絶縁膜さらにその
下の半導体基板が溶されるのが防止される。これにより
、半導体記憶装置の信頼性を向上することができる。
以下1本発明の一実施例の半導体記憶装置を図面を用い
て説明する。
て説明する。
第1図は、本発明の一実施例の半導体記憶装置の救済用
ヒユーズの部分の平面図、 第2図は、第1図のU−U切断線における断面図である
。
ヒユーズの部分の平面図、 第2図は、第1図のU−U切断線における断面図である
。
なお、第1図は、半導体基板上の導電膜の形状を分り易
くするため、フィールド絶縁膜以外の絶縁膜を図示して
いない。
くするため、フィールド絶縁膜以外の絶縁膜を図示して
いない。
第1図及び第2図において、1はp−型単結晶シリコン
からなる半導体基板であり、2はp型チャネルストッパ
、3は半導体基板1の表面を熱酸化して形成したフィー
ルド絶縁膜である。
からなる半導体基板であり、2はp型チャネルストッパ
、3は半導体基板1の表面を熱酸化して形成したフィー
ルド絶縁膜である。
5はダメージ防止用導電膜であり、本実施例では半導体
基板1上の第1層目のアルミニウム膜からなっている。
基板1上の第1層目のアルミニウム膜からなっている。
ダメージ防止用導電膜5の上は第2層目の層間絶縁膜6
が覆っており、この上に救済用ヒユーズ7が設けられて
いる。これらダメージ防止用導電膜5及び救済用ヒユー
ズ7は、半導体基板1の図示していないメモリセルアレ
イの周辺のアドレス切り換え回路の中に設けられている
。
が覆っており、この上に救済用ヒユーズ7が設けられて
いる。これらダメージ防止用導電膜5及び救済用ヒユー
ズ7は、半導体基板1の図示していないメモリセルアレ
イの周辺のアドレス切り換え回路の中に設けられている
。
前記ダメージ防止用導電膜5は、救済用ヒユーズ7より
大きなパターンに形成されており、救済用ヒユーズ7を
レーザで溶断するときに、半導体基板1が確実に保護さ
れるようになっている。救済用ヒユーズ7は、第2層目
のアルミニウム膜で形成されており、その両端には第3
層目のアルミニウム膜からなる配s10が接続されてい
る。一方の配線10は、救済用ヒユーズ7に電源電位V
cc例えば5vを給電するための配線であり、他方の配
線10は救済用ヒユーズ7をアドレス回路に継ぐ配線で
ある。救済用ヒユーズ7と配線10の間には第3層目の
層間絶縁膜8が介在している。9は層間絶縁膜8を選択
的に除去して形成した接続孔である。配線10の上は最
終保護膜11が覆っている。また、ダメージ防止用導電
膜5とフィールド絶縁膜3の間には第1層目の層間絶縁
膜4が介在している。この層間絶縁膜4は、図示してい
ないが、半導体基板1の上の例えば多結晶シリコン膜等
からなる第1層目の配線や電極を覆うものである。層間
絶縁膜4は例えばCVDによる酸化シリコン膜からなり
、層間絶縁膜6は例えばリンシリケートガラス(P S
G)膜またはボロン・リンシリケートガラス(B P
S G)膜等からなっている。層間絶縁膜8は例えば
酸化シリコン膜の上に塗布ガラス(SOG)膜を形成し
1.さらにこの上にPSG膜等を積層して構成したもの
からなっている。最終保護膜11は例えば酸化シリコン
膜や窒化シリコン膜等からなっている。
大きなパターンに形成されており、救済用ヒユーズ7を
レーザで溶断するときに、半導体基板1が確実に保護さ
れるようになっている。救済用ヒユーズ7は、第2層目
のアルミニウム膜で形成されており、その両端には第3
層目のアルミニウム膜からなる配s10が接続されてい
る。一方の配線10は、救済用ヒユーズ7に電源電位V
cc例えば5vを給電するための配線であり、他方の配
線10は救済用ヒユーズ7をアドレス回路に継ぐ配線で
ある。救済用ヒユーズ7と配線10の間には第3層目の
層間絶縁膜8が介在している。9は層間絶縁膜8を選択
的に除去して形成した接続孔である。配線10の上は最
終保護膜11が覆っている。また、ダメージ防止用導電
膜5とフィールド絶縁膜3の間には第1層目の層間絶縁
膜4が介在している。この層間絶縁膜4は、図示してい
ないが、半導体基板1の上の例えば多結晶シリコン膜等
からなる第1層目の配線や電極を覆うものである。層間
絶縁膜4は例えばCVDによる酸化シリコン膜からなり
、層間絶縁膜6は例えばリンシリケートガラス(P S
G)膜またはボロン・リンシリケートガラス(B P
S G)膜等からなっている。層間絶縁膜8は例えば
酸化シリコン膜の上に塗布ガラス(SOG)膜を形成し
1.さらにこの上にPSG膜等を積層して構成したもの
からなっている。最終保護膜11は例えば酸化シリコン
膜や窒化シリコン膜等からなっている。
次に、救済用ヒユーズ7を溶断するときのダメージ防止
用導電膜5の作用を説明する。
用導電膜5の作用を説明する。
第3図は、救済用ヒユーズ7をレーザの照射で溶断する
ときのその救済用ヒユーズ7の部分の断面図である。
ときのその救済用ヒユーズ7の部分の断面図である。
第3図において、12は最終保護膜11の救済用ヒユー
ズ7の上の部分に形成された開口であり、レーザ13を
照射する以前に最終保護膜11を選択的に除去して形成
したものである。14はレーザ13の射照で層間絶縁膜
8、救済用ヒユーズ7、層間絶縁膜6のそれぞれと、ダ
メージ防止用導電膜5の一部が溶されてできた穴である
。レーザ13は救済用ヒユーズ7を確実に溶断するため
に充分なエネルギーにされる。このため、救済用ヒュー
ズフのみならず層間絶縁膜6も溶してしまう。しかし、
ダメージ防止用導電膜5の比熱が大きいので、これで、
微小時間ではあるが救済用ヒユーズ7を溶断した後も照
射され続けているレーザ】3の熱を吸収することができ
る。そして、ダメージ防止用導電膜5が溶けきらないう
ちに、レーザ13の照射が停止されるので、層間絶縁膜
4及びフィールド絶縁膜3さらにその下の半導体基板1
がレーザ13によって溶されるのを防止できる。
ズ7の上の部分に形成された開口であり、レーザ13を
照射する以前に最終保護膜11を選択的に除去して形成
したものである。14はレーザ13の射照で層間絶縁膜
8、救済用ヒユーズ7、層間絶縁膜6のそれぞれと、ダ
メージ防止用導電膜5の一部が溶されてできた穴である
。レーザ13は救済用ヒユーズ7を確実に溶断するため
に充分なエネルギーにされる。このため、救済用ヒュー
ズフのみならず層間絶縁膜6も溶してしまう。しかし、
ダメージ防止用導電膜5の比熱が大きいので、これで、
微小時間ではあるが救済用ヒユーズ7を溶断した後も照
射され続けているレーザ】3の熱を吸収することができ
る。そして、ダメージ防止用導電膜5が溶けきらないう
ちに、レーザ13の照射が停止されるので、層間絶縁膜
4及びフィールド絶縁膜3さらにその下の半導体基板1
がレーザ13によって溶されるのを防止できる。
以上、説明したように、本実施例によれば、半導体基板
1の上のメモリセルアレイの中の欠陥メモリセルを冗長
メモリセルに切り換える救済用ヒユーズ7を備えた半導
体記憶装置において、前記救済用ヒユーズ7と半導体基
板1の間にダメージ防止用導電膜5を設け、このダメー
ジ防止用導電膜5と前記救済用ヒユーズ7の間に絶縁膜
6を設けたことにより、ダメージ防止用導電膜5の比熱
が大きく、これが、微小時間ではあるが救済用ヒユーズ
7を溶断した後も照射され続けているレーザ13の熱を
吸収するので、このダメージ防止用導電膜5の下の絶縁
膜4(及びフィールド絶縁膜3)さらにその下の半導体
基板lが溶されるのが防止される。このことから、半導
体基板1と眉間絶縁膜4(あるいはフィールド絶縁膜3
)の間から水分が浸入したり、不純物イオンが入り込ん
だりすることがなくなり、さらに半導体基板1の中に金
属分子や粒子が入り込むようなこともなくなるので、半
導体記憶装置の信頼性を向上することができる。
1の上のメモリセルアレイの中の欠陥メモリセルを冗長
メモリセルに切り換える救済用ヒユーズ7を備えた半導
体記憶装置において、前記救済用ヒユーズ7と半導体基
板1の間にダメージ防止用導電膜5を設け、このダメー
ジ防止用導電膜5と前記救済用ヒユーズ7の間に絶縁膜
6を設けたことにより、ダメージ防止用導電膜5の比熱
が大きく、これが、微小時間ではあるが救済用ヒユーズ
7を溶断した後も照射され続けているレーザ13の熱を
吸収するので、このダメージ防止用導電膜5の下の絶縁
膜4(及びフィールド絶縁膜3)さらにその下の半導体
基板lが溶されるのが防止される。このことから、半導
体基板1と眉間絶縁膜4(あるいはフィールド絶縁膜3
)の間から水分が浸入したり、不純物イオンが入り込ん
だりすることがなくなり、さらに半導体基板1の中に金
属分子や粒子が入り込むようなこともなくなるので、半
導体記憶装置の信頼性を向上することができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
例えば、第4図に示したように、ダメージ防止用導電膜
5の下にさらに第2のダメージ防止用電極15を設けて
もよい、この第2のダメージ防止用電極15は、半導体
基板1の上の第1層目の導電膜からなり、例えば多結晶
シリコン膜からなっている。
5の下にさらに第2のダメージ防止用電極15を設けて
もよい、この第2のダメージ防止用電極15は、半導体
基板1の上の第1層目の導電膜からなり、例えば多結晶
シリコン膜からなっている。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
レーザが救済用ヒユーズを溶断しさらにその下まで達し
たとき、そのレーザの熱を前記救済用ヒユーズの下の導
電膜が吸収するので、半導体基板までが溶断されること
がなくなり、半導体記憶装置の信頼性を向上することが
できる。
たとき、そのレーザの熱を前記救済用ヒユーズの下の導
電膜が吸収するので、半導体基板までが溶断されること
がなくなり、半導体記憶装置の信頼性を向上することが
できる。
第1図は、本発明の一実施例の半導体記憶装置の救済用
ヒユーズの部分の平面図、 第2図は、第1図の■−■切隔線における断面図。 第3図は、救済用ヒユーズ7をレーザの照射で溶断する
ときのその救済用ヒユーズ7の部分の断面図、 第4図は、第1図乃至第3図に示した本発明の一実施例
の半導体記憶装置と異る他の実施例の半導体記憶装置の
救済用ヒユーズの部分の断面図である。 図中、1・・・半導体基板、3・・・フィールド絶縁膜
、4.6.8.11・・・絶縁膜、5,15・・・ダメ
ージ防止用電極、7・・・救済用ヒユーズ、13・・・
レーザ、10・・・配線、12・・・開口、14・・・
レーザの照射でできた穴。 第2図 第1図 第3図
ヒユーズの部分の平面図、 第2図は、第1図の■−■切隔線における断面図。 第3図は、救済用ヒユーズ7をレーザの照射で溶断する
ときのその救済用ヒユーズ7の部分の断面図、 第4図は、第1図乃至第3図に示した本発明の一実施例
の半導体記憶装置と異る他の実施例の半導体記憶装置の
救済用ヒユーズの部分の断面図である。 図中、1・・・半導体基板、3・・・フィールド絶縁膜
、4.6.8.11・・・絶縁膜、5,15・・・ダメ
ージ防止用電極、7・・・救済用ヒユーズ、13・・・
レーザ、10・・・配線、12・・・開口、14・・・
レーザの照射でできた穴。 第2図 第1図 第3図
Claims (1)
- 1、半導体基板上のメモリセルアレイの中の欠換メモリ
セルを冗長メモリセルに切り換えるためにレーザで溶断
される救済用ヒューズを備えた半導体記憶装置において
、前記救済用ヒューズと半導体基板の間にダメージ防止
用導電膜を設け、該ダメージ防止用導電膜と前記救済用
ヒューズの間に絶縁膜を設けたことを特徴とする半導体
記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63172729A JPH0225055A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63172729A JPH0225055A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0225055A true JPH0225055A (ja) | 1990-01-26 |
Family
ID=15947243
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63172729A Pending JPH0225055A (ja) | 1988-07-13 | 1988-07-13 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0225055A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5420455A (en) * | 1994-03-31 | 1995-05-30 | International Business Machines Corp. | Array fuse damage protection devices and fabrication method |
EP0902474A2 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Improved laser fuse links and methods therefor |
US6372554B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-04-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and method for production of the same |
JP2004158857A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Samsung Electronics Co Ltd | バッファー膜を有するヒューズ構造物を含む半導体装置及びその製造方法 |
US6927100B2 (en) | 1998-08-19 | 2005-08-09 | Fujitsu Limited | Method of fabricating semiconductor device having blocking layer and fuse |
US7115966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
JP2007134523A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2010056557A (ja) * | 2009-10-02 | 2010-03-11 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-07-13 JP JP63172729A patent/JPH0225055A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5420455A (en) * | 1994-03-31 | 1995-05-30 | International Business Machines Corp. | Array fuse damage protection devices and fabrication method |
EP0902474A2 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-17 | Siemens Aktiengesellschaft | Improved laser fuse links and methods therefor |
EP0902474A3 (en) * | 1997-09-12 | 2005-09-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Improved laser fuse links and methods therefor |
US6927100B2 (en) | 1998-08-19 | 2005-08-09 | Fujitsu Limited | Method of fabricating semiconductor device having blocking layer and fuse |
US6372554B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-04-16 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor integrated circuit device and method for production of the same |
US7115966B2 (en) | 2002-10-29 | 2006-10-03 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device |
JP2004158857A (ja) * | 2002-11-07 | 2004-06-03 | Samsung Electronics Co Ltd | バッファー膜を有するヒューズ構造物を含む半導体装置及びその製造方法 |
JP2007134523A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Renesas Technology Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2010056557A (ja) * | 2009-10-02 | 2010-03-11 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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