JPH0521605A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0521605A JPH0521605A JP19878391A JP19878391A JPH0521605A JP H0521605 A JPH0521605 A JP H0521605A JP 19878391 A JP19878391 A JP 19878391A JP 19878391 A JP19878391 A JP 19878391A JP H0521605 A JPH0521605 A JP H0521605A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- organic sog
- polycide
- opening
- sog film
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- Pending
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ヒューズ配線を切断する時の熱によって平坦化
膜である有機系ＳＯＧ膜よりも上層の膜にクラックや剥
離等が発生する範囲を限定して、品質を高める。 【構成】不良回路から予備回路へ切り換えるためのヒュ
ーズ配線であるポリサイド膜１４の上層に平坦化膜とし
て有機系ＳＯＧ膜２３が用いられており、ポリサイド膜
１４を切断するための開口２７がこのポリサイド膜１４
上に設けられているが、Ａｌ膜３２が開口２７を取り囲
んでおり、Ａｌ膜３２上には有機系ＳＯＧ膜２３が存在
していない。このため、レーザ光でポリサイド膜１４を
切断する時の５００℃以上の熱によって有機系ＳＯＧ膜
２３が溶融したり蒸発したりしても、これらの溶融や蒸
発が発生する範囲がＡｌ膜３２による枠内に限定され、
上層のＳｉＮ膜２６等にクラックや剥離等が発生する範
囲もこの枠内に限定される。
膜である有機系ＳＯＧ膜よりも上層の膜にクラックや剥
離等が発生する範囲を限定して、品質を高める。 【構成】不良回路から予備回路へ切り換えるためのヒュ
ーズ配線であるポリサイド膜１４の上層に平坦化膜とし
て有機系ＳＯＧ膜２３が用いられており、ポリサイド膜
１４を切断するための開口２７がこのポリサイド膜１４
上に設けられているが、Ａｌ膜３２が開口２７を取り囲
んでおり、Ａｌ膜３２上には有機系ＳＯＧ膜２３が存在
していない。このため、レーザ光でポリサイド膜１４を
切断する時の５００℃以上の熱によって有機系ＳＯＧ膜
２３が溶融したり蒸発したりしても、これらの溶融や蒸
発が発生する範囲がＡｌ膜３２による枠内に限定され、
上層のＳｉＮ膜２６等にクラックや剥離等が発生する範
囲もこの枠内に限定される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、不良回路から予備回路
へ切り換えるためのヒューズ配線の上層に平坦化膜とし
て有機系ＳＯＧ膜が用いられており、前記ヒューズ配線
を切断するための開口がこのヒューズ配線上に設けられ
ている半導体装置に関するものである。
へ切り換えるためのヒューズ配線の上層に平坦化膜とし
て有機系ＳＯＧ膜が用いられており、前記ヒューズ配線
を切断するための開口がこのヒューズ配線上に設けられ
ている半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体メモリ等の半導体装置には、検査
工程で不良回路が発見された場合に、ヒューズ配線を切
断することによって、その不良回路から予備回路へ切り
換える構造を有するものがある。
工程で不良回路が発見された場合に、ヒューズ配線を切
断することによって、その不良回路から予備回路へ切り
換える構造を有するものがある。
【０００３】図３は、その様な半導体装置の一従来例を
示している。この一従来例では、素子分離領域のＳｉＯ
2 膜１１上で、不純物をドープされた多結晶Ｓｉ膜１２
とＷＳｉx 膜１３とからなるポリサイド膜１４がヒュー
ズ配線のパターンに加工されている。ポリサイド膜１４
は層間絶縁膜１５と平坦化膜であるＢＰＳＧ膜１６とに
覆われており、ポリサイド膜１４の両端部近傍に達する
コンタクト孔１７がＢＰＳＧ膜１６と層間絶縁膜１５と
に開孔されている。
示している。この一従来例では、素子分離領域のＳｉＯ
2 膜１１上で、不純物をドープされた多結晶Ｓｉ膜１２
とＷＳｉx 膜１３とからなるポリサイド膜１４がヒュー
ズ配線のパターンに加工されている。ポリサイド膜１４
は層間絶縁膜１５と平坦化膜であるＢＰＳＧ膜１６とに
覆われており、ポリサイド膜１４の両端部近傍に達する
コンタクト孔１７がＢＰＳＧ膜１６と層間絶縁膜１５と
に開孔されている。
【０００４】ＢＰＳＧ膜１６上には、第１層目のＡｌ膜
２１から成る配線が、コンタクト孔１７を介してポリサ
イド膜１４にコンタクトする様にパターニングされてい
る。Ａｌ膜２１は、ＴＥＯＳを原料としてプラズマＣＶ
Ｄ法で形成されたＳｉＯ2 膜２２に覆われている。
２１から成る配線が、コンタクト孔１７を介してポリサ
イド膜１４にコンタクトする様にパターニングされてい
る。Ａｌ膜２１は、ＴＥＯＳを原料としてプラズマＣＶ
Ｄ法で形成されたＳｉＯ2 膜２２に覆われている。
【０００５】図示されてはいないが、この一従来例で
は、第１層目のＡｌ膜２１の他に第２層目のＡｌ膜も用
いられている。このため、これらのＡｌ膜同士のあいだ
の平坦化膜として、有機系ＳＯＧ膜２３が、回転塗布、
キュアリング及びその後のエッチバックによってＳｉＯ
2 膜２２上に形成されている。なお、ＳＯＧ膜としては
有機系ＳＯＧ膜の他に無機系ＳＯＧ膜もあるが、無機系
ＳＯＧ膜では有機系ＳＯＧ膜程には厚く塗布することが
できない。
は、第１層目のＡｌ膜２１の他に第２層目のＡｌ膜も用
いられている。このため、これらのＡｌ膜同士のあいだ
の平坦化膜として、有機系ＳＯＧ膜２３が、回転塗布、
キュアリング及びその後のエッチバックによってＳｉＯ
2 膜２２上に形成されている。なお、ＳＯＧ膜としては
有機系ＳＯＧ膜の他に無機系ＳＯＧ膜もあるが、無機系
ＳＯＧ膜では有機系ＳＯＧ膜程には厚く塗布することが
できない。
【０００６】有機系ＳＯＧ膜２３は、ＴＥＯＳを原料と
してプラズマＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ2 膜２４に覆
われている。ＳｉＯ2 膜２４はＰＳＧ膜２５に覆われて
おり、ＰＳＧ膜２５はプラズマＣＶＤ法で形成されたオ
ーバコート膜であるＳｉＮ膜２６に覆われている。な
お、ＳｉＯ2 膜２４は有機系ＳＯＧ膜２３とＰＳＧ膜２
５との密着性がよくないために設けてあり、ＰＳＧ膜２
５は層間容量を低減させるために設けてある。
してプラズマＣＶＤ法で形成されたＳｉＯ2 膜２４に覆
われている。ＳｉＯ2 膜２４はＰＳＧ膜２５に覆われて
おり、ＰＳＧ膜２５はプラズマＣＶＤ法で形成されたオ
ーバコート膜であるＳｉＮ膜２６に覆われている。な
お、ＳｉＯ2 膜２４は有機系ＳＯＧ膜２３とＰＳＧ膜２
５との密着性がよくないために設けてあり、ＰＳＧ膜２
５は層間容量を低減させるために設けてある。
【０００７】ポリサイド膜１４上には、ヒューズ配線で
あるこのポリサイド膜１４をレーザ光で切断するための
開口２７が設けられている。開口２７は、Ａｌパッド
（図示せず）上のＳｉＮ膜２６をＲＩＥする時のマスク
を用いて同時にＲＩＥされたものであるが、オーバエッ
チングのためにＢＰＳＧ膜１６にまで達している。
あるこのポリサイド膜１４をレーザ光で切断するための
開口２７が設けられている。開口２７は、Ａｌパッド
（図示せず）上のＳｉＮ膜２６をＲＩＥする時のマスク
を用いて同時にＲＩＥされたものであるが、オーバエッ
チングのためにＢＰＳＧ膜１６にまで達している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図３からも
明らかな様に、開口２７の内側面に有機系ＳＯＧ膜２３
が露出している。このため、レーザ光でポリサイド膜１
４を切断する時の５００℃以上の熱によって、有機系Ｓ
ＯＧ膜２３が連続している範囲３１内でこの有機系ＳＯ
Ｇ膜２３が溶融したり蒸発したりする。この結果、層間
膜中に空隙ができて、範囲３１内でＳｉＮ膜２６等の上
層の膜にクラックや剥離等が発生する。従って、図３に
示した一従来例では、品質が低い。
明らかな様に、開口２７の内側面に有機系ＳＯＧ膜２３
が露出している。このため、レーザ光でポリサイド膜１
４を切断する時の５００℃以上の熱によって、有機系Ｓ
ＯＧ膜２３が連続している範囲３１内でこの有機系ＳＯ
Ｇ膜２３が溶融したり蒸発したりする。この結果、層間
膜中に空隙ができて、範囲３１内でＳｉＮ膜２６等の上
層の膜にクラックや剥離等が発生する。従って、図３に
示した一従来例では、品質が低い。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体装置
では、不良回路から予備回路へ切り換えるためのヒュー
ズ配線１４の上層に平坦化膜として有機系ＳＯＧ膜２３
が用いられており、前記ヒューズ配線１４を切断するた
めの開口２７がこのヒューズ配線１４上に設けられてい
るが、凸状部３２が前記開口２７を取り囲んでおり、前
記凸状部３２上には前記有機系ＳＯＧ膜２３が存在して
いない。
では、不良回路から予備回路へ切り換えるためのヒュー
ズ配線１４の上層に平坦化膜として有機系ＳＯＧ膜２３
が用いられており、前記ヒューズ配線１４を切断するた
めの開口２７がこのヒューズ配線１４上に設けられてい
るが、凸状部３２が前記開口２７を取り囲んでおり、前
記凸状部３２上には前記有機系ＳＯＧ膜２３が存在して
いない。
【００１０】
【作用】本発明による半導体装置では、開口２７を取り
囲んでいる凸状部３２上には有機系ＳＯＧ膜２３が存在
していないので、開口２７内でヒューズ配線１４を切断
する時の熱による有機系ＳＯＧ膜２３の溶融や蒸発が凸
状部３２による枠内に限定される。
囲んでいる凸状部３２上には有機系ＳＯＧ膜２３が存在
していないので、開口２７内でヒューズ配線１４を切断
する時の熱による有機系ＳＯＧ膜２３の溶融や蒸発が凸
状部３２による枠内に限定される。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を、図１、２を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１２】本実施例は、Ａｌ膜２１と同一層のＡｌ膜
３２が開口２７を取り囲んでおり、且つＡｌ膜３２上に
は有機系ＳＯＧ膜２３が存在しない様にこの有機系ＳＯ
Ｇ膜２３がエッチバックされていることを除いて、図３
に示した一従来例と実質的に同様の構成を有している。
従って、ＢＰＳＧ膜１６上でＡｌ膜３２による枠が形成
されており、この枠の内と外とで有機系ＳＯＧ膜２３が
分断されている。
３２が開口２７を取り囲んでおり、且つＡｌ膜３２上に
は有機系ＳＯＧ膜２３が存在しない様にこの有機系ＳＯ
Ｇ膜２３がエッチバックされていることを除いて、図３
に示した一従来例と実質的に同様の構成を有している。
従って、ＢＰＳＧ膜１６上でＡｌ膜３２による枠が形成
されており、この枠の内と外とで有機系ＳＯＧ膜２３が
分断されている。
【００１３】この様な本実施例でも、開口２７の内側面
に有機系ＳＯＧ膜２３が露出している。しかし、本実施
例では、上述の様にＡｌ膜３２による枠の内と外とで有
機系ＳＯＧ膜２３が分断されており、開口２７の内側面
に露出している有機系ＳＯＧ膜２３はＡｌ膜３２による
枠内の範囲３３でしか連続していない。
に有機系ＳＯＧ膜２３が露出している。しかし、本実施
例では、上述の様にＡｌ膜３２による枠の内と外とで有
機系ＳＯＧ膜２３が分断されており、開口２７の内側面
に露出している有機系ＳＯＧ膜２３はＡｌ膜３２による
枠内の範囲３３でしか連続していない。
【００１４】従って本実施例では、レーザ光でポリサイ
ド膜１４を切断する時の５００℃以上の熱によって有機
系ＳＯＧ膜２３が溶融したり蒸発したりしても、これら
の溶融や蒸発が発生するのは範囲３３内に限定される。
この結果、有機系ＳＯＧ膜２３の上層の膜であるＳｉＮ
膜２６等にクラックや剥離等が発生するのも範囲３３内
に限定され、本実施例では品質が高い。
ド膜１４を切断する時の５００℃以上の熱によって有機
系ＳＯＧ膜２３が溶融したり蒸発したりしても、これら
の溶融や蒸発が発生するのは範囲３３内に限定される。
この結果、有機系ＳＯＧ膜２３の上層の膜であるＳｉＮ
膜２６等にクラックや剥離等が発生するのも範囲３３内
に限定され、本実施例では品質が高い。
【００１５】なお、Ａｌ膜３２はＳｉＯ2 膜２２に覆わ
れているので、レーザ光でポリサイド膜１４を切断する
時の５００℃以上の熱によっても、Ａｌ膜３２が溶融す
ることはない。
れているので、レーザ光でポリサイド膜１４を切断する
時の５００℃以上の熱によっても、Ａｌ膜３２が溶融す
ることはない。
【００１６】
【発明の効果】本発明による半導体装置では、開口内で
ヒューズ配線を切断する時の熱による有機系ＳＯＧ膜の
溶融や蒸発が凸状部による枠内に限定されるので、有機
系ＳＯＧ膜よりも上層の膜のクラックや剥離等も凸状部
による枠内に限定され、品質が高い。
ヒューズ配線を切断する時の熱による有機系ＳＯＧ膜の
溶融や蒸発が凸状部による枠内に限定されるので、有機
系ＳＯＧ膜よりも上層の膜のクラックや剥離等も凸状部
による枠内に限定され、品質が高い。
【図１】本発明の一実施例の側断面図である。
【図２】一実施例の平面図である。
【図３】本発明の一従来例の側断面図である。
１４ ポリサイド膜 ２３ 有機系ＳＯＧ膜 ２７ 開口 ３２ Ａｌ膜
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】不良回路から予備回路へ切り換えるための
ヒューズ配線の上層に平坦化膜として有機系ＳＯＧ膜が
用いられており、前記ヒューズ配線を切断するための開
口がこのヒューズ配線上に設けられている半導体装置に
おいて、 凸状部が前記開口を取り囲んでおり、 前記凸状部上には前記有機系ＳＯＧ膜が存在していない
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19878391A JPH0521605A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19878391A JPH0521605A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521605A true JPH0521605A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16396844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19878391A Pending JPH0521605A (ja) | 1991-07-12 | 1991-07-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521605A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562705B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing semiconductor element |
| JP2009224528A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20110033785A (ko) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 |
| KR20130035926A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| JP2013077771A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| CN103715173A (zh) * | 2012-10-03 | 2014-04-09 | 精工电子有限公司 | 半导体集成电路装置 |
| KR20150032843A (ko) | 2012-06-15 | 2015-03-30 | 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 | 알루미나 다공질체 및 그 제조 방법 |
-
1991
- 1991-07-12 JP JP19878391A patent/JPH0521605A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6562705B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing semiconductor element |
| JP2009224528A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20110033785A (ko) | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 |
| US8324708B2 (en) | 2009-09-25 | 2012-12-04 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method thereof |
| TWI555162B (zh) * | 2009-09-25 | 2016-10-21 | 精工半導體有限公司 | 半導體積體電路裝置及其製造方法 |
| JP2013084908A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| JP2013077771A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Seiko Instruments Inc | 半導体装置 |
| KR20130035926A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| KR20150032843A (ko) | 2012-06-15 | 2015-03-30 | 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 | 알루미나 다공질체 및 그 제조 방법 |
| CN103715173A (zh) * | 2012-10-03 | 2014-04-09 | 精工电子有限公司 | 半导体集成电路装置 |
| KR20140043872A (ko) | 2012-10-03 | 2014-04-11 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 반도체 집적회로 장치 |
| JP2014075437A (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-24 | Seiko Instruments Inc | 半導体集積回路装置 |
| CN103715173B (zh) * | 2012-10-03 | 2017-10-24 | 精工半导体有限公司 | 半导体集成电路装置 |
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