JPH09298244A

JPH09298244A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09298244A
Application number: JP9067310A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Egawa; 雄一江川
Original assignee: Nippon Steel Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1996-03-05
Filing date: 1997-03-05
Publication date: 1997-11-18
Anticipated expiration: 2017-03-05
Also published as: JP4097303B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高い歩留りで製造することができる、レーザ
の照射によって溶断されるヒューズを有する半導体装置
及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、基板１１と、基板ｌ
１上に形成された、表面が平坦化された絶縁膜１２と、
絶縁膜１２上の後述するヒューズ１４の溶断部分に形成
された絶縁膜からなる凸部１３と、絶縁膜１２上および
凸部１３上に凸部ｌ３と直交するように形成されたヒュ
ーズ１４と、ヒューズ１４上に形成された、表面が平坦
化されたＢＰＳＧ膜１５と、ＢＰＳＧ膜１５上に形成さ
れたシリコン窒化膜１６と、シリコン窒化膜１６上に形
成された、ヒューズ１４の溶断部分およびその周辺に形
成された開孔１８を有する絶縁膜１７とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その製造方法に関し、特に、製造段階で発見された不良
回路を予備の冗長回路で置換するためにレーザの照射に
よって溶断されるヒューズを有する半導体装置およびそ
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、ＤＲＡＭ（ランダム・アクセス
・メモリ）の不良メモリセルを冗長回路としての予備メ
モリセルに置換するためのヒューズは、通常、絶縁膜に
覆われている（例えば、特開平５−２３５１７０号公
報）。このようなヒューズをレーザの照射によって溶断
する際には、絶縁膜の上方からレーザを照射したり、ヒ
ューズの切断効率を高めるためにフォトリソグラフィお
よびエッチングにより絶縁膜をその膜厚の途中までエッ
チング除去したのちにレーザを照射したりしている。

【０００３】しかしながら、絶縁膜の上方からレーザを
照射してヒューズを溶断する方法では、絶縁膜の膜厚が
厚すぎると、レーザの照射エネルギーを高くする必要が
ある結果、ヒューズのみならずその周囲のパターンも破
壊する可能性や、ヒューズの下層にまで損傷を与えたり
する可能性があるため、レーザの照射エネルギーのマー
ジンも狭くなる。逆に、絶縁膜の膜厚が薄すぎると、照
射されたレーザによる熱がヒューズに蓄積されずに、ヒ
ューズを溶断することができない。

【０００４】また、フォトリソグラフィおよびエッチン
グにより絶縁膜をその膜厚の途中までエッチング除去し
てからレーザを照射する方法では、ヒューズ上の絶縁膜
がもともと幾層かの絶縁膜が重なったものであることの
ほかエッチング量のばらつきにより、ヒューズ上の絶縁
膜の膜厚のばらつきが非常に大きくなる結果、前述した
絶縁膜の上方からレーザを照射してヒューズを溶断する
方法と同様の問題が生じる。さらに、この方法では、絶
縁膜をその膜厚の途中まで除去する領域をあまり小さく
することができないので、溶断されるヒューズの領域が
大きくなる結果、溶断の歩留りが低くなる。

【０００５】したがって、上記２つの方法はいずれも、
ヒューズを確実に溶断したり、溶断がヒューズ以外の部
分に影響を与えることを防止したりすることが困難で、
半導体装置を高い歩留りで製造することが困難である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】かかる問題を解決する
ために、従来、以下に示す方法が提案されている。

【０００７】（特公平７―１９８４２号公報（特開昭６
１−２６８０４２号公報）の半導体装置特公平７−１９８４２号公報に開示されて半導体装置で
は、ヒューズの溶断すべき部分（以下、「溶断部分」と
称する。）の下層に導電性の凸部を設けて、ヒューズ上
に形成される絶縁膜の溶断部分の厚さをその他の部分の
厚さよりも薄くしている。

【０００８】しかしながら、この半導体装置では、導電
性の凸部を設けるため、ヒューズと導電性の凸部との間
に絶縁膜を形成する必要がある。また、導電性の凸部の
角でヒューズと導電性の凸部とが接触しやすい。さら
に、ヒューズの下地層を導電膜とすると、ヒューズを溶
断したのちにヒューズが導電性の凸部を介して下地層の
導電膜と導通してしまう可能性があるため、ヒューズの
下地層を絶縁膜とする必要がある。

【０００９】（２）特開平３−１９２５５号公報の半導
体装置特開平３−１９２５５号公報に開示されている半導体装
置では、複数本の導電性の凸部をヒューズの溶断部分の
下層に枕木状に形成している。しかしながら、この半導
体装置でも、導電性の凸部を複数本設けるため、上記し
た特公平７−１９８４２号公報に開示されて半導体装置
と同様の問題がある。

【００１０】（３）特開昭６４―５０３３号公報の半導
体装置特開昭６４−５０３３号公報に開示されている半導体装
置では、凸部を有するフィールド絶縁膜を形成したのち
に、凸部の上面に溶断部分がくるようにフィールド絶縁
膜上にヒューズを形成している。しかしながら、この半
導体装置では、エッチング深さをある程度制御しながら
フィールド絶縁膜をエッチングして凸部を形成する必要
がある。

【００１１】本発明の目的は、上記従来の半導体装置の
問題点を解決し、高い歩留りで製造することができる、
レーザの照射によって溶断されるヒューズを有する半導
体装置及びその製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された絶縁
性の凸部と、少なくとも一部が前記絶縁性の凸部と重畳
して形成されたヒューズと、少なくとも前記ヒューズ上
に形成された、表面が平坦化された第１の絶縁膜と、前
記第１の絶縁膜の上方に形成された第２の絶縁膜とを含
む。

【００１３】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第２の絶縁膜が、少なくとも前記絶縁性の凸部と前
記ヒューズとの重畳部の上方に形成された開孔を有す
る。

【００１４】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に形成され
たエッチング・ストッパ層をさらに含む。

【００１５】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記エッチング・ストッパ層が、シリコン窒化膜であ
る。

【００１６】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形成されており、前
記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面が
平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
る。

【００１７】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズがアルミニウム膜で形成されており、前記
第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又は、エッチバック
により表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢ
ＳＧ膜である。

【００１８】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズの長手方向と前記絶縁性の凸部の長手方向
は略直交する。

【００１９】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記半導体基板と少なくとも前記絶縁性の凸部との間に
形成された、表面が平坦化された第３の絶縁膜をさらに
含む。

【００２０】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第１の絶縁膜が、表面が平坦化されたシリコン酸化
膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化膜からなる積層膜である。

【００２１】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記絶縁性の凸部が、シリコン酸化膜又はシリコン窒化
膜である。

【００２２】本発明の半導体装置は、半導体基板と、前
記半導体基板の上方に形成された第１の絶縁性の凸部
と、一部が前記第１の絶縁性の凸部の一部と重畳するよ
うに前記半導体基板の上方に形成された第２の絶縁性の
凸部と、少なくとも一部が前記第１の絶縁性の凸部およ
び前記第２の絶縁性の凸部と重畳して形成されたヒュー
ズと、少なくとも前記ヒューズ上に形成された、表面が
平坦化された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上方
に形成された、第２の絶縁膜とを含む。

【００２３】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第２の絶縁膜が、少なくとも前記第１の絶縁性の凸
部および前記第２の絶縁性の凸部と前記ヒューズとの重
畳部の上方に形成された開孔を有する。

【００２４】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に形成され
たエッチング・ストッパ層をさらに含む。

【００２５】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記エッチング・ストッパ層が、シリコン窒化膜であ
る。

【００２６】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形成されており、前
記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面が
平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
る。

【００２７】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズがアルミニウム膜で形成されており、前記
第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又はエッチバックに
より表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜またはＢ
ＳＧ膜である。

【００２８】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズの長手方向と前記第２の絶縁性の凸部の長
手方向は略直交する。

【００２９】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記半導体基板と少なくとも前記第１の絶縁性の凸部お
よび前記第２の絶縁性の凸部との間に形成された、表面
が平坦化された第３の絶縁膜をさらに含む。

【００３０】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第１の絶縁膜が、表面が平坦化されたシリコン酸化
膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化膜からなる積層膜である。

【００３１】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第１の絶縁性の凸部が、シリコン酸化膜又はシリコ
ン窒化膜である。

【００３２】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第２の絶縁性の凸部が、シリコン酸素膜又はシリコ
ン窒化膜である。

【００３３】本発明の半導体装置は、半導体基板と、前
記半導体基板の上方に形成された、凸部を有するヒュー
ズと、少なくとも前記ヒューズ上に形成された、表面が
平坦化された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上方
に形成された、第２の絶縁膜とを含む。

【００３４】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第２の絶縁膜が、少なくとも前記ヒューズの凸部の
上方に形成された開孔を有する。

【００３５】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との間に形成され
たエッチング・ストッパ層をさらに含む。

【００３６】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記エッチング・ストッパ層が、シリコン窒化膜であ
る。

【００３７】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形成されており、前
記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面が
平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
る。

【００３８】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記ヒューズがアルミニウム膜で形成されており、前記
第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又はエッチバックに
より表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳ
Ｇ膜である。

【００３９】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記半導体基板と少なくとも前記ヒューズとの間に形成
された、表面が平坦化された第３の絶縁膜をさらに含
む。

【００４０】本発明の半導体装置の一態様においては、
前記第１の絶縁膜が、表面が平坦化されたシリコン酸化
膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化膜からなる積層膜である。

【００４１】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板の上方にヒューズを有する半導体装置の製造方法で
あって、前記半導体基板の上方の、前記ヒューズが形成
される第１の領域の一部を含む第２の領域に、絶縁性の
凸部を形成する第１の工程と、少なくとも一部が前記絶
縁性の凸部と重畳するように前記第１の領域に前記ヒュ
ーズを形成する第２の工程と、表面が平坦化された第１
の絶縁膜を少なくとも前記ヒューズ上に形成する第３の
工程と、前記第１の絶縁膜の上方に第２の絶縁膜を形成
する第４の工程をとを含む。

【００４２】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第４の工程の後に、前記第２の絶縁膜の
少なくとも前記絶縁性の凸部と前記ヒューズとの重畳部
の上方に開孔を形成する第５の工程をさらに含む。

【００４３】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第３の工程と前記第４の工程との間に、
前記第１の絶縁膜上にエッチング・ストッパ層を形成す
る工程をさらに含む。

【００４４】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形成され
ており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローさ
れて表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳ
Ｇ膜である。

【００４５】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズがアルミニウム膜で形成されて
おり、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又はエッ
チバックにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ
膜又はＢＳＧ膜である。

【００４６】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズの長手方向と前記絶縁性の凸部
の長手方向が略直交するように形成する。

【００４７】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第１の工程の前に、表面が平坦化された
第３の絶縁膜を前記半導体基板上に形成する工程をさら
に含む。

【００４８】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第５の工程の後に、前記ヒューズと前記
絶縁性の凸部との重畳部を含む領域にレーザを照射して
前記ヒューズを溶断する工程をさらに含む。

【００４９】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板の上方にヒューズを有する半導体装置の製造方法で
あって、前記半導体基板の上方に第１の絶縁性の凸部を
形成する第１の工程と、一部が前記第１の絶縁性の凸部
の一部と重畳するように前記半導体基板の上方に第２の
絶縁性の凸部を形成する第２の工程と、少なくとも一部
が前記第１の凸部および前記第２の絶縁性の凸部と重畳
するようにヒューズを形成する第３の工程と、表面が平
坦化された第１の絶縁膜を少なくとも前記ヒューズ上に
形成する第４の工程と、前記第１の絶縁膜の上方に第２
の絶縁膜を形成する第５の工程とを含む。

【００５０】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第５の工程の後に、前記第２の絶縁膜の
少なくとも前記第１の絶縁性の凸部および前記第２の絶
縁性の凸部と前記ヒューズとの重畳部の上方に開孔を形
成する第６の工程をさらに含む。

【００５１】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第４の工程と前記第５の工程との間に、
前記第１の絶縁膜上にエッチング・ストッパ層を形成す
る工程をさらに含む。

【００５２】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形成され
ており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローさ
れて表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳ
Ｇ膜である。

【００５３】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズがアルミニウム膜で形成されて
おり、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又は、エ
ッチバックにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳ
Ｇ膜又はＢＳＧ膜である。

【００５４】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズの長手方向と前記第２の絶縁性
の凸部の長手方向が略直交するように形成する。

【００５５】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第１の工程の前に、表面が平坦化された
第３の絶縁膜を前記半導体基板上に形成する工程をさら
に含む。

【００５６】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第６の工程の後に、前記ヒューズと前記
第１の絶縁性の凸部と前記第２の絶縁性の凸部との重畳
部を含む領域にレーザを照射して前記ヒューズを溶断す
る工程をさらに含む。

【００５７】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
基板の上方にヒューズを有する半導体装置を製造する、
半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方
に、凸部を有するヒューズを形成する第１の工程と、表
面が平坦化された第１の絶縁膜を少なくとも前記ヒュー
ズ上に、形成する第２の工程と、前記第１の絶縁膜の上
方に第２の絶縁膜を形成する第３の工程とを含む。

【００５８】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第３の工程の後に、前記第２の絶縁膜の
少なくとも前記ヒューズの凸部の上方に開孔を形成する
第４の工程をさらに含む。

【００５９】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第２の工程と前記第３の工程との間に、
前記第１の絶縁膜上にエッチング・ストッパ層を形成す
る工程をさらに含む。

【００６０】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形成され
ており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローさ
れて表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ又はＢＳＧ
膜である。

【００６１】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記ヒューズがアルミニウム膜で形成されて
おり、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又は、エ
ッチバックにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳ
Ｇ又はＢＳＧ膜である。

【００６２】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第１の工程の前に、表面が平坦化された
第３の絶縁膜を前記半導体基板上に形成する工程をさら
に含む。

【００６３】本発明の半導体装置の製造方法の一態様に
おいては、前記第４の工程の後に、前記ヒューズの凸部
を含む領域にレーザを照射して前記ヒューズを溶断する
工程をさらに含む。

【００６４】

【発明の実施の形態】

（第１の実施形態）本発明の第１の実施形態による半導
体記憶装置は、図１に示すように、シリコン基板１１
と、シリコン基板ｌ１上に形成された、表面が平坦化さ
れた層間絶縁膜１２と、層間絶縁膜１２上の後述するヒ
ューズ１４の溶断部分（凸部１３とヒューズ１４との重
畳部）に形成された絶縁膜からなる凸部１３と、層間絶
縁膜１２上および凸部１３上に凸部ｌ３と直交するよう
に形成されたヒューズ１４と、ヒューズ１４上に形成さ
れた、表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜１５と、ＢＰＳＧ
膜１５上に形成されたシリコン窒化膜１６と、シリコン
窒化膜１６上に形成された、ヒューズ１４の溶断部分お
よびその周辺に形成された開孔１８を有する絶縁膜１７
とを含む。

【００６５】ここで、ヒューズ１４の溶断部分でのＢＰ
ＳＧ膜ｌ５の膜厚は２００〜３００ｎｍ程度であり、レ
ーザ照射に適した値とされている。その結果、ヒューズ
１４の溶断部分およびその周辺上において絶縁膜１７に
形成された開孔１８を介したレーザ照射によりヒューズ
１４を溶断することによって、レーザの照射エネルギー
を小さくすることができるとともに、そのマージンを広
くすることができる。

【００６６】例えば、ヒューズ１４の溶断に必要なレー
ザの照射エネルギーは、ヒューズ１４の溶断部分上に形
成されているすべての膜の膜厚の合計が６００ｎｍであ
ると、０．６±０．２μＪであるのに対して、ヒューズ
１４の溶断部分上に形成されているすべての膜の膜厚の
合計が２００ｎｍであると、０．５±０．３μＪでよ
い。

【００６７】また、ヒューズ１４の溶断部分上に形成さ
れるＢＰＳＧ膜１５、シリコン窒化膜１６および絶縁膜
１７の膜厚の合計が半導体装置の他の領域での要請から
所定の値よりも大きくなり、凸部ｌ３の膜厚の調整だけ
ではヒューズ１４の溶断部分上のすべての膜の膜厚の合
計をヒューズ１４の溶断に適した値にできないときであ
っても、開孔１８を形成することにより、ヒューズ１４
の溶断部分上のすべての膜の膜厚の合計をヒューズ１４
の溶断に適した値にすることができる。

【００６８】さらに、層間絶縁膜１２の表面が平坦化さ
れているため、凸部１３およびヒューズ１４の表面も平
坦化されるので、ヒューズ１４の上層にＢＰＳＧ膜１５
を形成することと共に、ヒューズ１４の溶断部分上のす
ベての膜の膜厚の合計をより均一にすることができる。

【００６９】ヒューズ１４は凸部１３と直交するように
形成されているため、ヒューズ１４の溶断部分の面積を
容易に小さくすることができる。

【００７０】次に、図１に示した半導体装置の製造方法
について、図２及び図３を参照して説明する。なお図１
及び図２は、図３のＩ−Ｉの線に沿った断面図である。

【００７１】図２（ａ）に示すように、ＢＰＳＧ膜など
の層間絶縁膜１２がシリコン基板１１上に形成されたの
ち、リフロー、化学的機械的研磨（ＣＭＰ：Chemical-M
echanical Polishing ）またはエッチバックなどの方法
により層間絶縁膜１２の表面が平坦化される。その後、
ヒューズ１４を形成する第１の領域Ｒ１の一部を含む第
２の領域Ｒ２において、絶縁性の凸部１３が層間絶縁膜
１２上に形成される。

【００７２】ここで、第２の領域Ｒ２は第１の領域Ｒ１
と直交している。すなわち、絶縁性の凸部１３は、後に
形成されるヒューズ１４と直交する位置に形成される。
ここで、絶縁性の凸部１３は、シリコン基板１１上の他
の素子の形成に用いられる膜厚が３００〜４００ｎｍ程
度の絶縁膜（たとえば、シリコン酸化膜やシリコン窒化
膜）を利用して形成することができ、また、その線幅は
最小線幅でよい。

【００７３】続いて、図２（ｂ）及び図３に示すよう
に、多結晶シリコン膜やアルミニウム膜などのような膜
厚が２００〜４００ｎｍ程度の導電膜が、ＣＶＤ法やス
パッタ法などの方法でシリコン基板１１の全面に堆積さ
れる。その後、堆積された導電膜がフォトリソグラフィ
やエッチングによって加工されることにより、第１の領
域Ｒ１に凸部１３と直交するヒューズ１４が形成され
る。なお、ヒューズ１４は凸部１３と直交する必要はな
く、凸部１３を跨がるように形成されればよい。

【００７４】続いて、図２（ｃ）に示すように、ＢＰＳ
Ｇ膜１５がＣＶＤ法によりシリコン基板１１の全面に堆
積される。その後、たとえばヒューズ１４を多結晶シリ
コン膜で形成した場合には、９００℃で３０分程度の熱
処理により、ＢＰＳＧ膜１５がリフローされる。この熱
処理により、凸部１３とヒューズ１４との重畳部での厚
さが２００〜３００ｎｍ程度でかつこの重畳部以外の部
分の厚さが６００ｎｍ程度となるように、ＢＰＳＧ膜１
５が平坦化される。

【００７５】このとき、ＢＰＳＧ膜１５の前記重畳部以
外の部分での膜厚は、ヒューズ１４以外の素子（たとえ
ば、ＭＯＳトランジスタ）が形成される領域において層
間の絶縁性が維持できる程度以上にしなければならない
という制約がある。しかし、ＢＰＳＧ膜ｌ５の前記重畳
部での膜厚は、ＢＰＳＧ膜ｌ５の前記重畳部以外の部分
での膜厚から凸部Ｉ３の膜厚を減算したものと実質的に
等しくなるため、上記制約の下で凸部１３の膜厚を調整
することにより、ＢＰＳＧ膜１５の前記重畳部での膜厚
をヒューズ１４の溶断に適した値に制御することができ
る。

【００７６】なお、ヒューズ１４をアルミニウム膜で形
成した場合には、ＢＰＳＧ膜１５をリフローさせること
ができる程度にまで熱処理を加えることができないた
め、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）やエッチバックなどに
よって、ＢＰＳＧ膜１５の平坦化が行われる。

【００７７】さらに、ＢＰＳＧ膜１５の代わりに、次の
ようにして、シリコン酸化膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化
膜からなる平均化層間絶縁膜を形成してもよい。シリコ
ン酸化膜をシリコン基板１１の全面にＣＶＤ法により形
成したのち、このシリコン酸化膜上にＳＯＧ膜を回転塗
布することによりＳＯＧ膜の表面を平坦化する。この平
坦化したＳＯＧ膜上にシリコン酸化膜をＣＶＤ法により
形成する。このようなＳＯＧ膜を疎水性のシリコン酸化
膜で挟んだサンドイッチ構造の平坦化層間絶縁膜を用い
るのはＳＯＧ膜は水分を含むため、腐敗しやすいヒュー
ズ１４の上にＳＯＧ膜をじかに形成すると、ヒューズ１
４がＳＯＧ膜からの水分により腐食するからである。

【００７８】なお、ＢＰＳＧ膜１５の代わりに、ＰＳＧ
膜やＢＳＧ膜などを用いてもよい。

【００７９】続いて、図２（ｃ）に示すように、膜厚が
２０ｎｍ程度のシリコン窒化膜１６がＢＰＳＧ膜１５上
に堆積された後、図２（ｄ）に示すように、層間絶縁膜
や表面保護膜などの絶縁膜１７がシリコン基板１１の全
面に堆積される。この絶縁膜１７は、ヒューズｌ４が多
層配線のどのレベルに形成されるかに応じて、単一層の
場合も複数層の場合もあり得るが、いずれの場合でも、
絶縁膜１７の膜厚は任意でよく、膜厚にばらつきがあっ
てもよい。

【００８０】続いて、凸部１３とヒューズ１４との重畳
部およびその周辺において絶縁膜１７の開孔１８を形成
するため、この開孔１８形成用のパターンを有するレジ
スト（不図示）が絶縁膜１７上に形成される。なお、こ
のレジストは、半導体装置の電極パッド用の開孔形成用
のパターンを有していてもよい。その後、このレジスト
をマスクとしてかつシリコン窒化膜１６をエッチング・
ストッパとして絶縁膜１７をウエット・エッチングで選
択的に除去することにより、図２（ｅ）及び図３に示す
ように、ヒューズ１４を溶断するためのレーザが照射さ
れる開孔１８が絶縁膜１７に形成される。ここで、シリ
コン窒化膜１６はエッチング・ストッパとして機能する
ものであるため、絶縁膜１７をウエット・エッチングす
る際のエッチング・ストッパとして機能する膜であれ
ば、シリコン窒化膜１６以外の膜を用いてもよい。

【００８１】以上の工程により製造された半導体装置に
おいて、その後の検査で不良回路が発見されると、開孔
１８を介したレーザの照射で不良回路に対応する箇所の
ヒューズｌ４が溶断される。これにより、たとえばＤＲ
ＡＭやＥＥＰＲＯＭなどの不良メモリセルが予備メモリ
セルに置換される。

【００８２】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態による半導体記憶装置は、図４に示すように、一部が
絶縁性の凸部１３の一部上に堆積されるように層間絶縁
膜１２上に形成された絶縁性の他の凸部１９を含む点、
およびヒューズ１４が凸部１３および他の凸部１９を跨
ぐように形成されている点で、図１に示した本発明の第
１の実施形態による半導体記憶装置と異なる。なお、図
４は、図５のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。

【００８３】これにより、本実施形態による半導体記憶
装置では、ヒューズ１４と他の凸部１９と凸部１３との
重複部分上に形成されるＢＰＳＧ膜１５の膜厚をヒュー
ズ１４と凸部１３との重複部分上に形成されるＢＰＳＧ
膜１５の膜厚よりも小さくすることができるので、ヒュ
ーズｌ４と他の凸部１９と凸部１３との重複部分をヒュ
ーズｌ４の溶断部分とすることにより、ヒューズ１４の
溶断部分の面積をさらに小さくすることができる。

【００８４】次に、図４に示した半導体装置の製造方法
について説明する。

【００８５】図２（ａ）に示した工程と同様の工程によ
り、表面が平坦化された層間絶縁膜１２がシリコン基板
１１上に形成されたのち、絶縁性の凸部ｌ３が層間絶縁
膜１２上に形成される。その後、絶縁性の凸部１３と平
行にかつ一部が凸部１３の一部上に堆積されるように、
絶縁性の他の凸部１９が層間絶縁膜１２上に形成され
る。その後、絶縁性の凸部１３および絶縁性の他の凸部
１９を跨ぐように、ヒューズ１４がパターン形成され
る。その後の工程は、図２（ｃ）〜図２（ｅ）に示した
工程と同様である。

【００８６】以上説明した第１および第２の実施形態に
よる半導体装置では、絶縁膜ｌ７に開孔１８が形成され
たが、絶縁膜１７の膜厚を薄くすることができる場合に
は、絶縁膜１７に開孔１８を形成しなくても、絶縁性の
凸部１３および絶縁性の他の凸部１９の膜厚を調整する
ことにより、ヒューズ１４上のＢＰＳＧ膜１５の膜厚を
適当に制御することができる。

【００８７】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態による半導体記憶装置は、図６に示すように、シリコ
ン基板１１と、シリコン基板１１上に形成された、表面
が平坦化された層間絶縁膜１２と、層間絶縁膜１２上に
形成された、凸部２４ａを有するヒューズ２４と、ヒュ
ーズ２４上に形成された、表面が平坦化されたＢＰＳＧ
膜１５と、ＢＰＳＧ膜１５上に形成されたシリコン窒化
膜１６と、シリコン窒化膜ｌ６上に形成された、ヒュー
ズｌ４の凸部２４ａおよびその周辺に形成された開孔１
８を有する絶縁膜１７とを含む。

【００８８】ここで、ヒューズ２４の凸部２４ａでのＢ
ＰＳＧ膜１５の膜厚は２００〜３００ｎｍ程度であり、
レーザ照射に適した値とされている。その結果、ヒュー
ズ２４の凸部２４ａおよびその周辺において絶縁膜１７
に形成された開孔１８を介したレーザ照射によりヒュー
ズ２４を溶断することにより、レーザの照射エネルギー
を小さくすることができるとともに、そのマージンを広
くすることができる。

【００８９】次に、図６に示した半導体装置の製造方法
について、図７及び図８を参照して説明する。なお、図
７（ａ）〜図７（ｅ）は、図８のＩＶ−ＩＶ線に沿った
断面図である。

【００９０】図７（ａ）に示すように、ＢＰＳＧ膜など
の層間絶縁膜１２がシリコン基板１１上に形成されたの
ち、リフロー、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）またはエッ
チバックなどの方法により層間絶縁膜１２の表面が平坦
化される。その後、多結晶シリコン膜またはアルミニウ
ム膜などのような膜厚４００〜８００ｎｍ程度の導電膜
２４′が、ＣＶＤ法やスパッタ法などの方法で層間絶縁
膜１２上に堆債される。堆債された導電膜２４′は、フ
ォトリソグラフィおよびエッチングによって、図８に示
すようなヒューズ２４の形状にパターン加工される。

【００９１】続いて、ヒューズ２４の形状にパターン加
工された導電膜２４′が、フォトリソグラフィによって
パターニングされたフォトレジスト（不図示）をマスク
として、その膜厚の途中まで異方性エッチングされる。
これにより、図７（ｂ）に示すような、凸部２４ａを有
するヒューズ２４が形成される。

【００９２】続いて、図７（ｃ）に示すように、ＢＰＳ
Ｇ膜１５がＣＶＤ法によりシリコン基板１１の全面に堆
積される。その後、たとえばヒューズ２４を多結晶シリ
コン膜で形成した場合には、９００℃で３０分程度の熱
処理により、ＢＰＳＧ膜１５がリフローされる、この熱
処理により、ヒューズ２４の凸部２４ａ上の厚さが２０
０〜３００ｎｍ程度でかつ凸部２４ａ以外の部分の厚さ
が６００ｎｍ程度となるように、ＢＰＳＧ膜ｌ５が平坦
化される。

【００９３】このとき、ＢＰＳＧ膜ｌ５の凸部２４ａ以
外の部分での膜厚は、ヒューズ２４以外の素子（たとえ
ば、ＭＯＳトランジスタ）が形成される領域において層
間の絶縁性が維持できる程度以上にしなければならない
という制約がある。しかしながら、ＢＰＳＧ膜１５の凸
部２４ａ上の膜厚は、ＢＰＳＧ膜１５の凸部２４ａ以外
の部分での膜厚から凸部２４ａの高さＨを減算したもの
と実質的に等しくなるため、上記制約の下で凸部２４ａ
の高さＨを調整することにより、ＢＰＳＧ膜１５の凸部
２４ａ上の膜厚をヒューズ２４の溶断に適した値に制御
することができる。

【００９４】また、ヒューズ２４をアルミニウム膜で形
成した場合には、ＢＰＳＧ膜１５をリフローさせること
ができる程度にまで熱処理を加えることができないた
め、化学的機械的研磨（ＣＭＰ）やエッチバックなどに
よって、ＢＰＳＧ膜１５の平坦化が行われる。

【００９５】さらに、ＢＰＳＧ膜１５の代わりに、次の
ようにして、シリコン酸化膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化
膜からなる平坦化層間絶縁膜を形成してもよい。シリコ
ン酸化膜をシリコン基板１１の全面にＣＶＤ法により形
成したのち、このシリコン酸化膜上にＳＯＧ膜を回転塗
布することによりＳＯＧ膜の表面を平坦化する。この平
坦化したＳＯＧ膜上にシリコン酸化膜をＣＶＤ法により
形成する。このようなＳＯＧ膜を疎水性のシリコン酸化
膜で挟んだサンドイッチ構造の平坦化眉間絶縁膜を用い
るのは、ＳＯＧ膜は水分を含むため、腐敗しやすいヒュ
ーズ２４の上にＳＯＧ膜をじかに形成すると、ヒューズ
１４がＳＯＧ膜からの水分により腐食するからである。

【００９６】なお、ＢＰＳＧ膜１５の代わりに、ＰＳＧ
膜やＢＳＧ膜などを用いてもよい。

【００９７】続いて、図７（ｃ）に示すように、膜厚が
２０ｎｍ程度のシリコン窒化膜１６がＢＰＳＧ膜１５上
に堆積されたのち、図７（ｄ）に示すように、層間絶縁
膜や表面保護膜などの絶縁膜１７がシリコン基板１１の
全面に堆積される。

【００９８】続いて、ヒューズ２４の凸部２４ａおよび
その周辺において絶縁膜ｌ７の開孔１８を形成するた
め、この開孔１８形成用のパターンを有するレジスト
（不図示）が絶縁膜１７上に形成される。その後、この
レジストをマスクとしてかつシリコン窒化膜１６をエッ
チング・ストッパとして絶縁膜１７をウエット・エッチ
ングで選択的に除去することにより、図７（ｅ）及び図
８に示すように、ヒューズ２４を溶断するためのレーザ
が照射される開孔１８が絶縁膜ｌ７に形成される。

【００９９】以上の工程により製造された半導体装置に
おいて、その後の検査で不良回路が発見されると、開孔
１８を介したレーザの照射で不良回路に対応する箇所の
ヒューズ２４が溶断される。これにより、たとえばＤＲ
ＡＭやＥＥＰＲＯＭなどの不良メモリセルが予備メモリ
セルに置換される。

【０１００】

【発明の効果】本発明によれば、絶縁性の凸部を跨いで
ヒューズを形成し、このヒューズの二層に平坦化絶縁膜
を形成しているので、平坦化絶縁膜の膜厚と凸部の膜厚
とを調整することによって、凸部とヒューズとの重畳部
のみにおいてヒューズ上の膜厚をヒューズの溶断に適し
た値に設定することができる。

【０１０１】また、凸部とヒューズとの重畳部を含む領
域における絶縁膜を除去する場合には、平坦化絶縁膜や
絶縁膜の合計膜厚が半導体装置の他の領域での要請から
所定以上に大きくなり、凸部の膜厚の調整だけでは凸部
とヒューズとの重畳部でのヒューズ上の膜厚をヒューズ
の溶断に適した値に設定することができないときであっ
ても、ヒューズ上の膜厚をヒューズの溶断に適した値に
設定することができる。

【０１０２】また、凸部の下地を平坦化する場合には、
凸部及びヒューズの表面も平坦化されるので、ヒューズ
の上層に平坦化絶縁膜を形成することと相まって、凸部
とヒューズとの重量部でのヒューズ上の膜厚をより均一
にすることができる。

【０１０３】また、ヒューズを形成する第１の領域と絶
縁性の凸部を形成する第２の領域とを互いに直交させる
場合には、レーザを照射すべき凸部とヒューズとの重畳
部を容易に小さくすることができる。

【０１０４】また、第１の凸部の一部に第２の凸部の一
部を重畳させ、これら第１及び第２の凸部を跨いでヒュ
ーズを形成する場合には、第１及び第２の凸部とヒュー
ズとの重畳部が更に小さくなって、ヒューズ上の膜厚を
ヒューズの溶断に適した値に設定する領域を更に小さく
することができる。

【０１０５】本発明の半導体装置の製造方法では、ヒュ
ーズの一部のみにおいてヒューズ上の膜厚をヒューズの
溶断に適した値に設定することができるので、ヒューズ
を確実に溶断することができ且つ溶断がヒューズ以外の
部分に影響を与えることを防止することができて、半導
体装置を高い歩留りで製造することができる。

【０１０６】また、凸部とヒューズとの重畳部を含む領
域における絶縁膜を除去する場合には、平坦化絶縁膜や
絶縁膜の合計膜厚が半導体装置の他の領域での要請から
所定以上に大きくなり、凸部の膜厚の調整だけでは凸部
とヒューズとの重畳部でのヒューズ上の膜厚をヒューズ
の溶断に適した値に設定することができないときであっ
ても、ヒューズ上の膜厚をヒューズの溶断に適した値に
設定することができる。従って、ヒューズ上の膜厚をヒ
ューズの溶断に適した値に設定することができる範囲が
広くて、半導体装置を更に高い歩留りで製造することが
できる。

【０１０７】また、凸部の下地を平坦化する場合には、
凸部及びヒューズの表面も平坦化されるので、ヒューズ
の上層に平坦化絶縁膜を形成することと相まって、凸部
とヒューズとの重畳部でのヒューズ上の膜厚をより均一
にすることができる。従って、ヒューズを更に確実に溶
断することができて、半導体装置を更に高い歩留りで製
造することができる。

【０１０８】また、ヒューズを形成する第１の領域と絶
縁性の凸部を形成する第２の領域とを互いに直交させる
場合には、レーザを照射すべき凸部とヒューズとの重畳
部を容易に小さくすることができる。従って、ヒューズ
の確実な溶断と溶断によるヒューズ以外の部分への影響
の防止とを容易に行うことができて、半導体装置を更に
高い歩留りで製造することができる。

【０１０９】また、第１の凸部の一部に第２の凸部の一
部を重畳させ、これら第１及び第２の凸部を跨いでヒュ
ーズを形成する場合には、第１及び第２の凸部とヒュー
ズとの重畳部が更に小さくなって、ヒューズ上の膜厚を
ヒューズの溶断に適した値に設定する領域を更に小さく
することができる。従って、ヒューズの確実な溶断と溶
断によるヒューズ以外の部分への影響の防止とを更に容
易に行うことができて、半導体装置を更に高い歩留りで
製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の概
略断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態による半導体装置の製
造方法を工程順に示す概略断面図である。

【図３】図１に示した半導体装置の一部の概略平面図で
ある。

【図４】本発明の第２の実施形態による半導体装置の概
略断面図である。

【図５】図４に示した半導体装置の一部の概略平面図で
ある。

【図６】本発明の第３の実施形態による半導体装置の概
略断面図である。

【図７】本発明の第３の実施形態による半導体装置の製
造方法を工程順に示す概略断面図である。

【図８】図６に示した半導体装置の一部の概略平面図で
ある。

【符号の説明】

１１シリコン基板１２層間絶縁膜１３，１９，２４ａ凸部１４，２４ヒューズ１５ＢＰＳＧ膜１６シリコン窒化膜１７絶縁膜１８開孔２４’ 導電膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された絶縁性の凸部と、少なくとも一部が前記絶縁性の凸部と重畳して形成され
たヒューズと、少なくとも前記ヒューズ上に形成された、表面が平坦化
された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上方に形成された第２の絶縁膜とを
含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】前記第２の絶縁膜が、少なくとも前記絶
縁性の凸部と前記ヒューズとの重畳部の上方に形成され
た開孔を有することを特徴とする請求項１に記載の半導
体装置。
【請求項３】前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜と
の間に形成されたエッチング・ストッパ層をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】前記エッチング・ストッパ層が、シリコ
ン窒化膜であることを特徴とする請求項３に記載の半導
体装置。
【請求項５】前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形成
されており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面
が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】前記ヒューズがアルミニウム膜で形成さ
れており、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又は、エッチバ
ックにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又
はＢＳＧ膜であることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置。
【請求項７】前記ヒューズの長手方向と前記絶縁性の
凸部の長手方向は略直交することを特徴とする請求項１
に記載の半導体装置。
【請求項８】前記半導体基板と少なくとも前記絶縁性
の凸部との間に形成された、表面が平坦化された第３の
絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の
半導体装置。
【請求項９】前記第１の絶縁膜が、表面が平坦化され
たシリコン酸化膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化膜からなる
積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
装置。
【請求項１０】前記絶縁性の凸部が、シリコン酸化膜
又はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１に
記載の半導体装置。
【請求項１１】半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された第１の絶縁性の凸部
と、一部が前記第１の絶縁性の凸部の一部と重畳するように
前記半導体基板の上方に形成された第２の絶縁性の凸部
と、少なくとも一部が前記第１の絶縁性の凸部および前記第
２の絶縁性の凸部と重畳して形成されたヒューズと、少なくとも前記ヒューズ上に形成された、表面が平坦化
された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上方に形成された、第２の絶縁膜と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】前記第２の絶縁膜が、少なくとも前記
第１の絶縁性の凸部および前記第２の絶縁性の凸部と前
記ヒューズとの重畳部の上方に形成された開孔を有する
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜
との間に形成されたエッチング・ストッパ層をさらに含
むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１４】前記エッチング・ストッパ層が、シリ
コン窒化膜であることを特徴とする請求項１３に記載の
半導体装置。
【請求項１５】前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形
成されており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面
が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
ることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１６】前記ヒューズがアルミニウム膜で形成
されており、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又はエッチバッ
クにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜また
はＢＳＧ膜であることを特徴とする請求項１１に記載の
半導体装置。
【請求項１７】前記ヒューズの長手方向と前記第２の
絶縁性の凸部の長手方向は略直交することを特徴とする
請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１８】前記半導体基板と少なくとも前記第１
の絶縁性の凸部および前記第２の絶縁性の凸部との間に
形成された、表面が平坦化された第３の絶縁膜をさらに
含むことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１９】前記第１の絶縁膜が、表面が平坦化さ
れたシリコン酸化膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化膜からな
る積層膜であることを特徴とする請求項１１に記載の半
導体装置。
【請求項２０】前記第１の絶縁性の凸部が、シリコン
酸化膜又はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求
項１１に記載の半導体装置。
【請求項２１】前記第２の絶縁性の凸部が、シリコン
酸素膜又はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求
項１１に記載の半導体装置。
【請求項２２】半導体基板と、前記半導体基板の上方に形成された、凸部を有するヒュ
ーズと、少なくとも前記ヒューズ上に形成された、表面が平坦化
された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上方に形成された、第２の絶縁膜と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】前記第２の絶縁膜が、少なくとも前記
ヒューズの凸部の上方に形成された開孔を有することを
特徴とする請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２４】前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜
との間に形成されたエッチング・ストッパ層をさらに含
むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項２５】前記エッチング・ストッパ層が、シリ
コン窒化膜であることを特徴とする請求項２４に記載の
半導体装置。
【請求項２６】前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形
成されており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面
が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
ることを特徴とする請求項２２に記載の半導体装置。
【請求項２７】前記ヒューズがアルミニウム膜で形成
されており、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又はエッチバッ
クにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又は
ＢＳＧ膜であることを特徴とする請求項２２に記載の半
導体装置。
【請求項２８】前記半導体基板と少なくとも前記ヒュ
ーズとの間に形成された、表面が平坦化された第３の絶
縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の
半導体装置。
【請求項２９】前記第１の絶縁膜が、表面が平坦化さ
れたシリコン酸化膜／ＳＯＧ膜／シリコン酸化膜からな
る積層膜であることを特徴とする請求項２２に記載の半
導体装置。
【請求項３０】半導体基板の上方にヒューズを有する
半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方の、前記ヒューズが形成される第
１の領域の一部を含む第２の領域に、絶縁性の凸部を形
成する第１の工程と、少なくとも一部が前記絶縁性の凸部と重畳するように前
記第１の領域に前記ヒューズを形成する第２の工程と、表面が平坦化された第１の絶縁膜を少なくとも前記ヒュ
ーズ上に形成する第３の工程と、前記第１の絶縁膜の上方に第２の絶縁膜を形成する第４
の工程をとを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項３１】前記第４の工程の後に、前記第２の絶
縁膜の少なくとも前記絶縁性の凸部と前記ヒューズとの
重畳部の上方に開孔を形成する第５の工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項３０に記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項３２】前記第３の工程と前記第４の工程との
間に、前記第１の絶縁膜上にエッチング・ストッパ層を
形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３０
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形
成されており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面
が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
ることを特徴とする請求項３０に記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項３４】前記ヒューズがアルミニウム膜で形成
されており、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又はエッチバッ
クにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又は
ＢＳＧ膜であることを特徴とする請求項３０に記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項３５】前記ヒューズの長手方向と前記絶縁性
の凸部の長手方向が略直交するように形成することを特
徴とする請求項３０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３６】前記第１の工程の前に、表面が平坦化
された第３の絶縁膜を前記半導体基板上に形成する工程
をさらに含むことを特徴とする請求項３０に記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項３７】前記第５の工程の後に、前記ヒューズ
と前記絶縁性の凸部との重畳部を含む領域にレーザを照
射して前記ヒューズを溶断する工程をさらに含むことを
特徴とする請求項３１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３８】半導体基板の上方にヒューズを有する
半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の上方に第１の絶縁性の凸部を形成する
第１の工程と、一部が前記第１の絶縁性の凸部の一部と重畳するように
前記半導体基板の上方に第２の絶縁性の凸部を形成する
第２の工程と、少なくとも一部が前記第１の凸部および前記第２の絶縁
性の凸部と重畳するようにヒューズを形成する第３の工
程と、表面が平坦化された第１の絶縁膜を少なくとも前記ヒュ
ーズ上に形成する第４の工程と、前記第１の絶縁膜の上方に第２の絶縁膜を形成する第５
の工程とを含むことをと半導体装置の製造方法。
【請求項３９】前記第５の工程の後に、前記第２の絶
縁膜の少なくとも前記第１の絶縁性の凸部および前記第
２の絶縁性の凸部と前記ヒューズとの重畳部の上方に開
孔を形成する第６の工程をさらに含むことを特徴とする
請求項３８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４０】前記第４の工程と前記第５の工程との
間に、前記第１の絶縁膜上にエッチング・ストッパ層を
形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３８
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４１】前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形
成されており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面
が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又はＢＳＧ膜であ
ることを特徴とする請求項３８に記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項４２】前記ヒューズがアルミニウム膜で形成
されており、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又は、エッチバ
ックにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ膜又
はＢＳＧ膜であることを特徴とする請求項３８に記載の
半導体装置の製造方法。
【請求項４３】前記ヒューズの長手方向と前記第２の
絶縁性の凸部の長手方向が略直交するように形成するこ
とを特徴とする請求項３８に記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項４４】前記第１の工程の前に、表面が平坦化
された第３の絶縁膜を前記半導体基板上に形成する工程
をさらに含むことを特徴とする請求項３８に記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項４５】前記第６の工程の後に、前記ヒューズ
と前記第１の絶縁性の凸部と前記第２の絶縁性の凸部と
の重畳部を含む領域にレーザを照射して前記ヒューズを
溶断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項３９
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４６】半導体基板の上方にヒューズを有する
半導体装置を製造する、半導体装置の製造方法であっ
て、前記半導体基板の上方に、凸部を有するヒューズを形成
する第１の工程と、表面が平坦化された第１の絶縁膜を少なくとも前記ヒュ
ーズ上に、形成する第２の工程と、前記第１の絶縁膜の上方に第２の絶縁膜を形成する第３
の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項４７】前記第３の工程の後に、前記第２の絶
縁膜の少なくとも前記ヒューズの凸部の上方に開孔を形
成する第４の工程をさらに含むことを特徴とする請求項
４６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４８】前記第２の工程と前記第３の工程との
間に、前記第１の絶縁膜上にエッチング・ストッパ層を
形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項４６
に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４９】前記ヒューズが多結晶シリコン膜で形
成されており、前記第１の絶縁膜が、熱処理によりリフローされて表面
が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ又はＢＳＧ膜である
ことを特徴とする請求項４６に記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項５０】前記ヒューズがアルミニウム膜で形成
されており、前記第１の絶縁膜が、化学的機械的研磨又は、エッチバ
ックにより表面が平坦化されたＢＰＳＧ膜、ＰＳＧ又は
ＢＳＧ膜であることを特徴とする請求項４６に記載の半
導体装置の製造方法。
【請求項５１】前記第１の工程の前に、表面が平坦化
された第３の絶縁膜を前記半導体基板上に形成する工程
をさらに含むことを特徴とする請求項４６に記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項５２】前記第４の工程の後に、前記ヒューズ
の凸部を含む領域にレーザを照射して前記ヒューズを溶
断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項４７に
記載の半導体装置の製造方法。