JPH05109899A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH05109899A JPH05109899A JP27150791A JP27150791A JPH05109899A JP H05109899 A JPH05109899 A JP H05109899A JP 27150791 A JP27150791 A JP 27150791A JP 27150791 A JP27150791 A JP 27150791A JP H05109899 A JPH05109899 A JP H05109899A
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- JP
- Japan
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- interlayer insulating
- fuse
- insulating layer
- redundant fuse
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 冗長回路とこれを選択するための冗長用フュ
ーズとを備えた半導体集積回路の製造方法に関し，冗長
用フューズが大気中に露出されて導通変化を生じること
による誤選択を防止することを目的とする。 【構成】 冗長用フューズ上の層間絶縁層を充分に薄く
したのち, 冗長用フューズに接続する配線および該層間
絶縁層を覆うパッシベーション膜を形成し, このパッシ
ベーション膜および薄くされた層間絶縁層を通して所定
の冗長用フューズをレーザ光の照射により溶断する。こ
れにより，冗長用フューズに達するレーザ光強度に対す
る層間絶縁層の透過率が実質的に無視できるようになる
ために確実な溶断が保証されるとともに，冗長用フュー
ズが大気中に露出されて生じる誤選択が防止される。
ーズとを備えた半導体集積回路の製造方法に関し，冗長
用フューズが大気中に露出されて導通変化を生じること
による誤選択を防止することを目的とする。 【構成】 冗長用フューズ上の層間絶縁層を充分に薄く
したのち, 冗長用フューズに接続する配線および該層間
絶縁層を覆うパッシベーション膜を形成し, このパッシ
ベーション膜および薄くされた層間絶縁層を通して所定
の冗長用フューズをレーザ光の照射により溶断する。こ
れにより，冗長用フューズに達するレーザ光強度に対す
る層間絶縁層の透過率が実質的に無視できるようになる
ために確実な溶断が保証されるとともに，冗長用フュー
ズが大気中に露出されて生じる誤選択が防止される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は冗長用フューズを備えた
半導体装置に係り, とくに, 冗長用フューズを覆う絶縁
層の形成方法に関する。
半導体装置に係り, とくに, 冗長用フューズを覆う絶縁
層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の不良箇所と置換するた
めの冗長回路を選択する方法として,冗長用フューズを
設け, 所定の冗長用フューズを溶断することによって選
択信号を発生させる方法がある。冗長用フューズの溶断
は,電流あるいはレーザ光の照射によって行われる。
めの冗長回路を選択する方法として,冗長用フューズを
設け, 所定の冗長用フューズを溶断することによって選
択信号を発生させる方法がある。冗長用フューズの溶断
は,電流あるいはレーザ光の照射によって行われる。
【０００３】レーザ光による溶断においては, 冗長用フ
ューズを覆っている層間絶縁層やパッシベーション膜の
厚さの不均一性によって透過レーザ光のエネルギーが変
動するために溶断が不確実となる。このような場合に,
レーザ光のエネルギーを高くすると, 冗長用フューズの
周囲のパッシベーション膜や層間絶縁層まで破壊されて
しまうために, 回路の信頼性が低下するおそれがある。
ューズを覆っている層間絶縁層やパッシベーション膜の
厚さの不均一性によって透過レーザ光のエネルギーが変
動するために溶断が不確実となる。このような場合に,
レーザ光のエネルギーを高くすると, 冗長用フューズの
周囲のパッシベーション膜や層間絶縁層まで破壊されて
しまうために, 回路の信頼性が低下するおそれがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような問題を回
避するために, 層間絶縁層によって覆われた冗長用フュ
ーズ上のパッシベーション膜に, この層間絶縁層に達す
る開口を設けておく方法が提案されている（特開昭60-1
76250)。すなわち，レーザ光は, 厚さ10000 Å程度の厚
いパッシベーション膜の影響を受けず, 3000Å程度の比
較的薄い層間絶縁層を透過するので, 確実な溶断が可能
となる。
避するために, 層間絶縁層によって覆われた冗長用フュ
ーズ上のパッシベーション膜に, この層間絶縁層に達す
る開口を設けておく方法が提案されている（特開昭60-1
76250)。すなわち，レーザ光は, 厚さ10000 Å程度の厚
いパッシベーション膜の影響を受けず, 3000Å程度の比
較的薄い層間絶縁層を透過するので, 確実な溶断が可能
となる。
【０００５】しかしながら, 上記従来の方法において
は, 厚いパッシベーション膜に開口を設ける必要がある
ため, パッシベーション膜の厚さが小さい領域では, 下
地の層間絶縁層までがエッチングを受ける結果, 冗長用
フューズが露出してしまう問題があった。冗長用フュー
ズが露出して長期間大気に触れた状態で放置されると,
溶断されていない冗長用フューズが腐食により高抵抗と
なって溶断されたと同等の状態となる。その結果，冗長
回路の選択に誤りが生じる。
は, 厚いパッシベーション膜に開口を設ける必要がある
ため, パッシベーション膜の厚さが小さい領域では, 下
地の層間絶縁層までがエッチングを受ける結果, 冗長用
フューズが露出してしまう問題があった。冗長用フュー
ズが露出して長期間大気に触れた状態で放置されると,
溶断されていない冗長用フューズが腐食により高抵抗と
なって溶断されたと同等の状態となる。その結果，冗長
回路の選択に誤りが生じる。
【０００６】本発明は, 上記従来の方法の問題点を解決
し, 確実な溶断とパッシベーションとを可能とする方法
を提供することを目的とする。
し, 確実な溶断とパッシベーションとを可能とする方法
を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は, 被切断部と
その両側に端子部とを有する冗長用フューズを半導体基
板の一表面に絶縁層を介して形成し, 該冗長用フューズ
を切断するためのエネルギー光に対して透過性であり且
つ該冗長用フューズを覆う第１の厚さを有する層間絶縁
層を該半導体基板表面に形成し, 該層間絶縁層に該冗長
用フューズの前記端子部を表出するコンタクトホールを
形成し, 該コンタクトホールを通じて該冗長用フューズ
に接続する配線を該層間絶縁層上に形成し, 該冗長用フ
ューズの前記被切断部上の該層間絶縁層を薄くし, 該配
線および前記被切断部上の部分が薄くされた該層間絶縁
層を覆う第２の厚さを有するパッシベーション膜を該半
導体基板表面に形成し, 所定の冗長用フューズに対して
該パッシベーション膜および前記薄くされた該層間絶縁
層を通して前記エネルギー光を照射することにより該被
切断部を切断する諸工程を含むことを特徴とする本発明
に係る半導体装置の製造方法によって達成される。
その両側に端子部とを有する冗長用フューズを半導体基
板の一表面に絶縁層を介して形成し, 該冗長用フューズ
を切断するためのエネルギー光に対して透過性であり且
つ該冗長用フューズを覆う第１の厚さを有する層間絶縁
層を該半導体基板表面に形成し, 該層間絶縁層に該冗長
用フューズの前記端子部を表出するコンタクトホールを
形成し, 該コンタクトホールを通じて該冗長用フューズ
に接続する配線を該層間絶縁層上に形成し, 該冗長用フ
ューズの前記被切断部上の該層間絶縁層を薄くし, 該配
線および前記被切断部上の部分が薄くされた該層間絶縁
層を覆う第２の厚さを有するパッシベーション膜を該半
導体基板表面に形成し, 所定の冗長用フューズに対して
該パッシベーション膜および前記薄くされた該層間絶縁
層を通して前記エネルギー光を照射することにより該被
切断部を切断する諸工程を含むことを特徴とする本発明
に係る半導体装置の製造方法によって達成される。
【０００８】
【作用】冗長用フューズの被切断部上の層間絶縁層を選
択的に薄くしておき,この上に, 冗長用フューズの溶断
に必要な強度のレーザ光が透過可能であり, かつ, 冗長
用フューズおよびその他の集積回路構成要素の耐湿保護
に対して充分な厚さを有するパッシベーション膜を形成
する。この方法によれば，冗長用フューズに達するレー
ザ光の強度は層間絶縁層の影響を実質的に受けなくなる
ため，確実な溶断が可能となり，一方，冗長用フューズ
はパッシベーション膜に覆われた状態であり，大気中に
露出して放置されることがないため，吸湿や腐食による
冗長回路の誤選択が生じることが防止される。
択的に薄くしておき,この上に, 冗長用フューズの溶断
に必要な強度のレーザ光が透過可能であり, かつ, 冗長
用フューズおよびその他の集積回路構成要素の耐湿保護
に対して充分な厚さを有するパッシベーション膜を形成
する。この方法によれば，冗長用フューズに達するレー
ザ光の強度は層間絶縁層の影響を実質的に受けなくなる
ため，確実な溶断が可能となり，一方，冗長用フューズ
はパッシベーション膜に覆われた状態であり，大気中に
露出して放置されることがないため，吸湿や腐食による
冗長回路の誤選択が生じることが防止される。
【０００９】
【実施例】図１は本発明の実施例の工程説明図であっ
て，同図(a) に示すように, 例えばシリコンウエハから
成る半導体基板１の一表面には，図示しない中間段階の
半導体集積回路要素，例えば不純物拡散領域，絶縁層，
電極，および下層配線等が形成されている。さらに，半
導体集積回路要素を形成する工程，例えば多結晶シリコ
ン層から成る上層配線を形成する工程において，同じ多
結晶シリコン層を，この配線と同一のリソグラフィ工程
にしたがってエッチングして，冗長用フューズ２を形成
する。そののち，半導体基板１表面全体に前記配線を覆
う層間絶縁層３を形成する。冗長用フューズ２も層間絶
縁層３によって覆われる。層間絶縁層３は，例えばSiO2
から成り，周知のCVD(化学気相成長）法によって1.5 〜
２μm の厚さに形成される。
て，同図(a) に示すように, 例えばシリコンウエハから
成る半導体基板１の一表面には，図示しない中間段階の
半導体集積回路要素，例えば不純物拡散領域，絶縁層，
電極，および下層配線等が形成されている。さらに，半
導体集積回路要素を形成する工程，例えば多結晶シリコ
ン層から成る上層配線を形成する工程において，同じ多
結晶シリコン層を，この配線と同一のリソグラフィ工程
にしたがってエッチングして，冗長用フューズ２を形成
する。そののち，半導体基板１表面全体に前記配線を覆
う層間絶縁層３を形成する。冗長用フューズ２も層間絶
縁層３によって覆われる。層間絶縁層３は，例えばSiO2
から成り，周知のCVD(化学気相成長）法によって1.5 〜
２μm の厚さに形成される。
【００１０】次いで, 図１(b) に示すように, 冗長用フ
ューズ２の端子部2A上の層間絶縁層３を選択的にエッチ
ングしてコンタクト孔3Aを形成する。このとき, 冗長用
フューズ２の右側部分の端子部2A上の層間絶縁層３にも
図示しないコンタクト孔が設けられる。
ューズ２の端子部2A上の層間絶縁層３を選択的にエッチ
ングしてコンタクト孔3Aを形成する。このとき, 冗長用
フューズ２の右側部分の端子部2A上の層間絶縁層３にも
図示しないコンタクト孔が設けられる。
【００１１】次いで, 半導体基板１表面全体に, 例えば
アルミニウム層を堆積し, これをパターニングして, 図
１(c) に示すように, 前記コンタクト孔3Aを通じて冗長
用フューズ２に接続する配線４を層間絶縁層３上に形成
する。さらに, 半導体基板１表面上に, 冗長用フューズ
２の切断部2Bに対応する開口を有するレジスト層（図示
省略）を形成し, この開口内に表出する層間絶縁層３
を, 残りの厚さが約0.5μm 程度になるまで選択的にエ
ッチングする。なお, 配線４の形成を, 層間絶縁層３を
薄くする上記エッチングの後に行ってもよい。
アルミニウム層を堆積し, これをパターニングして, 図
１(c) に示すように, 前記コンタクト孔3Aを通じて冗長
用フューズ２に接続する配線４を層間絶縁層３上に形成
する。さらに, 半導体基板１表面上に, 冗長用フューズ
２の切断部2Bに対応する開口を有するレジスト層（図示
省略）を形成し, この開口内に表出する層間絶縁層３
を, 残りの厚さが約0.5μm 程度になるまで選択的にエ
ッチングする。なお, 配線４の形成を, 層間絶縁層３を
薄くする上記エッチングの後に行ってもよい。
【００１２】次いで, 図１(d) に示すように, 半導体基
板１表面全体にパッシベーション膜５を形成する。パッ
シベーション膜５は, 例えばPSG(燐珪酸ガラス）から成
り,周知のCVD 法によって, 約１μm の厚さに形成され
る。そののち, 所定の冗長用フューズ２に対して, 例え
ばレーザ光６を照射し, 切断部2Bを溶断する。これによ
り半導体基板１表面にあらかじめ形成されている所望の
冗長回路（図示省略）が選択される。
板１表面全体にパッシベーション膜５を形成する。パッ
シベーション膜５は, 例えばPSG(燐珪酸ガラス）から成
り,周知のCVD 法によって, 約１μm の厚さに形成され
る。そののち, 所定の冗長用フューズ２に対して, 例え
ばレーザ光６を照射し, 切断部2Bを溶断する。これによ
り半導体基板１表面にあらかじめ形成されている所望の
冗長回路（図示省略）が選択される。
【００１３】以後, 通常の工程と同様にして, 半導体基
板１を集積回路チップに切断し, これを樹脂モールドし
て本発明に係る半導体集積回路が完成する。本発明によ
れば, 半導体基板１上における層間絶縁層３の厚さが小
さい領域では, 図１(c) の工程において, 切断部2B上の
層間絶縁層３が完全にエッチングされて消失し, 冗長用
フューズ２が露出する可能性があるが, 通常, この工程
ののちパッシベーション膜５が形成されるまでの時間は
短いので, 実質的に問題となるような影響が生じるおそ
れはない。換言すれば, 図１(c) の工程において, 半導
体基板１全体にわたって, 切断部2B上の層間絶縁層３が
エッチングされてしまうような条件を選んでも差支えな
い。このようにすれば, 冗長用フューズ２の溶断におい
て, レーザ光に影響する要因は完全にパッシベーション
膜５の厚さのみとなるので, より確実な溶断が可能とな
る。
板１を集積回路チップに切断し, これを樹脂モールドし
て本発明に係る半導体集積回路が完成する。本発明によ
れば, 半導体基板１上における層間絶縁層３の厚さが小
さい領域では, 図１(c) の工程において, 切断部2B上の
層間絶縁層３が完全にエッチングされて消失し, 冗長用
フューズ２が露出する可能性があるが, 通常, この工程
ののちパッシベーション膜５が形成されるまでの時間は
短いので, 実質的に問題となるような影響が生じるおそ
れはない。換言すれば, 図１(c) の工程において, 半導
体基板１全体にわたって, 切断部2B上の層間絶縁層３が
エッチングされてしまうような条件を選んでも差支えな
い。このようにすれば, 冗長用フューズ２の溶断におい
て, レーザ光に影響する要因は完全にパッシベーション
膜５の厚さのみとなるので, より確実な溶断が可能とな
る。
【００１４】また, パッシベーション膜５を, 厚さ約
0.3μm のSi3N4 膜とPSG 膜との積層構造としてもよ
い。この構造によれば, パッシベーション膜５の厚さは
0.5μm程度に低減しても充分な耐湿性が得られ, しか
も, 層間絶縁層３とパッシベーション膜５の総合透過率
を高く維持できるので, 低エネルギーのレーザ光６によ
って冗長用フューズ２の切断が可能であり, 冗長回路の
選択の信頼性がさらに向上可能となる。
0.3μm のSi3N4 膜とPSG 膜との積層構造としてもよ
い。この構造によれば, パッシベーション膜５の厚さは
0.5μm程度に低減しても充分な耐湿性が得られ, しか
も, 層間絶縁層３とパッシベーション膜５の総合透過率
を高く維持できるので, 低エネルギーのレーザ光６によ
って冗長用フューズ２の切断が可能であり, 冗長回路の
選択の信頼性がさらに向上可能となる。
【００１５】さらに, 本発明においては, 層間絶縁層３
の厚さは, 冗長用フューズ２の溶断に対しては実質的に
影響しない。したがって, 層間絶縁層３をパッシベーシ
ョン膜５よりも厚くしても差支えなく,集積回路の構造
設計および材料選択における自由度が大きくなる。
の厚さは, 冗長用フューズ２の溶断に対しては実質的に
影響しない。したがって, 層間絶縁層３をパッシベーシ
ョン膜５よりも厚くしても差支えなく,集積回路の構造
設計および材料選択における自由度が大きくなる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば, 従来の製造方法と異な
って, 少なくとも, パッシベーション膜５が形成された
のち所定の冗長用フューズの溶断が行われるまでの間に
おいて冗長用フューズ２が大気中に露出されることがな
く, 冗長回路の選択時における誤選択, あるいは長期間
における冗長用フューズの抵抗値の変化による誤選択が
なくなり, 半導体集積回路の信頼性および製造の歩留ま
りを向上可能とする効果がある。
って, 少なくとも, パッシベーション膜５が形成された
のち所定の冗長用フューズの溶断が行われるまでの間に
おいて冗長用フューズ２が大気中に露出されることがな
く, 冗長回路の選択時における誤選択, あるいは長期間
における冗長用フューズの抵抗値の変化による誤選択が
なくなり, 半導体集積回路の信頼性および製造の歩留ま
りを向上可能とする効果がある。
【図１】 本発明の製造工程の実施例説明図
１ 半導体基板 3A コンタクト孔 ２ 冗長用フューズ ４ 上層配線 2A 端子部 ５ パッシベーショ
ン膜 2B 切断部 ６ レーザ光 ３ 層間絶縁層
ン膜 2B 切断部 ６ レーザ光 ３ 層間絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31 8617−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】 被切断部とその両側に端子部とを有する
冗長用フューズを半導体基板の一表面に絶縁層を介して
形成する工程と， 該冗長用フューズを切断するためのエネルギー光に対し
て透過性であり且つ該冗長用フューズを覆う第１の厚さ
を有する層間絶縁層を該半導体基板表面に形成する工程
と， 該層間絶縁層に該冗長用フューズの前記端子部を表出す
るコンタクトホールを形成する工程と， 該コンタクトホールを通じて該冗長用フューズに接続す
る配線を該層間絶縁層上に形成する工程と， 該冗長用フューズの前記被切断部上の該層間絶縁層を薄
くする工程と， 該配線および前記被切断部上の部分が薄くされた該層間
絶縁層を覆う第２の厚さを有するパッシベーション膜を
該半導体基板表面に形成する工程と， 所定の冗長用フューズに対して該パッシベーション膜お
よび前記薄くされた該層間絶縁層を通して前記エネルギ
ー光を照射することにより該被切断部を切断する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記切断部上における前記層間絶縁層の
厚さは零であることを特徴とする請求項１記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記第１の厚さを前記第２の厚さより大
きく設定することを特徴とする請求項１記載の半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27150791A JPH05109899A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27150791A JPH05109899A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109899A true JPH05109899A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17501030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27150791A Withdrawn JPH05109899A (ja) | 1991-10-18 | 1991-10-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109899A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618750A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Method of making fuse with non-corrosive termination of corrosive fuse material |
-
1991
- 1991-10-18 JP JP27150791A patent/JPH05109899A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5618750A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-08 | Texas Instruments Incorporated | Method of making fuse with non-corrosive termination of corrosive fuse material |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |