JPH02100340A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH02100340A JPH02100340A JP63253514A JP25351488A JPH02100340A JP H02100340 A JPH02100340 A JP H02100340A JP 63253514 A JP63253514 A JP 63253514A JP 25351488 A JP25351488 A JP 25351488A JP H02100340 A JPH02100340 A JP H02100340A
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- Japan
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- wire
- dicing
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- Pending
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 7
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装
置のダイシング方法に関する。
置のダイシング方法に関する。
従来、この種の半導体装置はダイシングソーによる機械
加工又は、レーザー光照射による熱加工によりウェハー
上のスクライブ線に１００〜２００μｍ程度の溝を形成
していた。
加工又は、レーザー光照射による熱加工によりウェハー
上のスクライブ線に１００〜２００μｍ程度の溝を形成
していた。
上述した従来のダイシング方法においては、ダイシング
ソーによる切削加工もしくはウェハー表面へのレーザ光
照射による熱溶解にて１００〜２００μｍ程度の溝を形
成していたため、溝形成部側壁はシリコンが露出した構
造となっていた。
ソーによる切削加工もしくはウェハー表面へのレーザ光
照射による熱溶解にて１００〜２００μｍ程度の溝を形
成していたため、溝形成部側壁はシリコンが露出した構
造となっていた。
次に従来例について図を用いて説明する。第３図は一従
来例の縦断面図である。シリコン基板３１上の金属配線
３４にボンディングされたワイヤー３５はボンディング
後のワイヤーのたるみやモールド封止時の振動によりチ
ップ端でエツジタッチ３６を起こす場合がある。エツジ
タッチが発生した場合にはチップ端のシリコン基板とワ
イヤーがショートを起こし半導体装置の破壊もしくは半
導体装置の動作不良を引き起こすという欠点があった。
来例の縦断面図である。シリコン基板３１上の金属配線
３４にボンディングされたワイヤー３５はボンディング
後のワイヤーのたるみやモールド封止時の振動によりチ
ップ端でエツジタッチ３６を起こす場合がある。エツジ
タッチが発生した場合にはチップ端のシリコン基板とワ
イヤーがショートを起こし半導体装置の破壊もしくは半
導体装置の動作不良を引き起こすという欠点があった。
上述した従来のダイシング方法に対し、本発明はダイシ
ング前のスクライブ線部にあらかじめ１０〜２０μｍ程
度の浅い溝をエツチングにより形成し、溝のエツジを絶
縁膜にて被うことによりエッジタッチによるチップとワ
イヤー間のショートを防止するという相違点を有する。
ング前のスクライブ線部にあらかじめ１０〜２０μｍ程
度の浅い溝をエツチングにより形成し、溝のエツジを絶
縁膜にて被うことによりエッジタッチによるチップとワ
イヤー間のショートを防止するという相違点を有する。
本発明のダイシング方法は、グイシングツ−もしくはレ
ーザー光熱による１００〜２００μｍ程度の溝形成前に
あらかじめｌＯ〜２０μｍ程度の浅い溝をエツチングに
より形成し、溝のエツジを絶縁膜にて被っておくという
特徴を有している。
ーザー光熱による１００〜２００μｍ程度の溝形成前に
あらかじめｌＯ〜２０μｍ程度の浅い溝をエツチングに
より形成し、溝のエツジを絶縁膜にて被っておくという
特徴を有している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
まず、第１図（ａ）に示す様に、選択的にフィールド絶
縁膜を形成（ＬＯＣＯ８形成）する前にシリコン基板１
１に１０〜２０μｍのエツチングによる溝１２を形成す
る。、そして、第１図（ｂ）に示す如＜ＬＯＣＯ８形成
時に溝１２の部分に８０００人程度０酸化膜１３を形成
し最終プロセスまで進めた後に第１図（Ｃ）に示す様に
ダイシングソーもしくはレーザー光照射により１００〜
２００μｍのダイシング溝１４を形成する。これにより
、第１図（ｄ）に示す様に、チップへ切断後、金属配線
１６上ヘボンデイングされたワイヤー１７がたるんでチ
ップ端へ接触した場合でも酸化膜１３により絶縁されて
ショートが起こらない。
縁膜を形成（ＬＯＣＯ８形成）する前にシリコン基板１
１に１０〜２０μｍのエツチングによる溝１２を形成す
る。、そして、第１図（ｂ）に示す如＜ＬＯＣＯ８形成
時に溝１２の部分に８０００人程度０酸化膜１３を形成
し最終プロセスまで進めた後に第１図（Ｃ）に示す様に
ダイシングソーもしくはレーザー光照射により１００〜
２００μｍのダイシング溝１４を形成する。これにより
、第１図（ｄ）に示す様に、チップへ切断後、金属配線
１６上ヘボンデイングされたワイヤー１７がたるんでチ
ップ端へ接触した場合でも酸化膜１３により絶縁されて
ショートが起こらない。
第２図は本発明の他の実施例の縦断面図である。
まず第２図（ａ）に示す様にカバー膜形成前にシリコン
基板２１に１０〜２０μｍのエツチングによる溝２２を
形成する。そして、次に第２図（ｂ）に示す如く溝２２
上へも１μｍ程度のカバー膜２３を施す、それから、第
２図（ｃ）に示す様グイシングツ−もしくはレーザー光
照射により１００〜２００μｍのダイシング溝２４を形
成する。これにより第２図（ｄ）に示す様にチップへ切
断後、金属配線２５上ヘポンデイングされたワイヤー２
６がたるんでチップ端へ接触した場合でもカバー膜２３
により絶縁されてショートが起こらない。
基板２１に１０〜２０μｍのエツチングによる溝２２を
形成する。そして、次に第２図（ｂ）に示す如く溝２２
上へも１μｍ程度のカバー膜２３を施す、それから、第
２図（ｃ）に示す様グイシングツ−もしくはレーザー光
照射により１００〜２００μｍのダイシング溝２４を形
成する。これにより第２図（ｄ）に示す様にチップへ切
断後、金属配線２５上ヘポンデイングされたワイヤー２
６がたるんでチップ端へ接触した場合でもカバー膜２３
により絶縁されてショートが起こらない。
以上説明したように本発明はダイシング工程において、
グイシングツ−もしくはレーザー光照射による１００〜
２００μｍ程度の溝形成前に、あらかじめ１０〜２０μ
ｍ程度の浅い溝をエツチングにより形成し溝のエツジを
絶縁膜にて被うことにより、ワイヤーボンディング時あ
るいはモールド封止時にワイヤーのたるみに起因するチ
ップ端とワイヤーとの接触が生じた場合でも絶縁膜の保
護によりショートが起こらない。従ってチップ端のシリ
コン基板とワイヤーとのショートに起因する半導体装置
の破壊もしくは半導体装置の動作不良を防止できる効果
がある。
グイシングツ−もしくはレーザー光照射による１００〜
２００μｍ程度の溝形成前に、あらかじめ１０〜２０μ
ｍ程度の浅い溝をエツチングにより形成し溝のエツジを
絶縁膜にて被うことにより、ワイヤーボンディング時あ
るいはモールド封止時にワイヤーのたるみに起因するチ
ップ端とワイヤーとの接触が生じた場合でも絶縁膜の保
護によりショートが起こらない。従ってチップ端のシリ
コン基板とワイヤーとのショートに起因する半導体装置
の破壊もしくは半導体装置の動作不良を防止できる効果
がある。
また、これにより組立工程におけるワイヤー修正等の煩
雑な作業を省略できるばかりでなく信頼性の高い半導体
装置を供給できるという利点もある。
雑な作業を省略できるばかりでなく信頼性の高い半導体
装置を供給できるという利点もある。
バー膜、１６，２５．３４・・・・・・金属配線、１７
゜２６．３５・・・・・・ワイヤー ３６・・・・・・
エツジタッチ。
゜２６．３５・・・・・・ワイヤー ３６・・・・・・
エツジタッチ。
Claims (1)
- 半導体装置のダイシング工程において、スクライブ線の
溝のエッジに絶縁膜を形成することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253514A JPH02100340A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63253514A JPH02100340A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02100340A true JPH02100340A (ja) | 1990-04-12 |
Family
ID=17252433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63253514A Pending JPH02100340A (ja) | 1988-10-06 | 1988-10-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02100340A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000059050A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, semicondutor device, narrow pitch connector, electrostatic actuator, piezoelectric actuator, ink jet head, ink jet printer, micromachine, liquid crystal panel, and electronic device |
| JP2001044141A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体基板の切断方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4873077A (ja) * | 1971-12-29 | 1973-10-02 | ||
| JPS52144276A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Sharp Corp | Semiconductor device |
| JPS6113635A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nec Corp | 集積回路の製造方法 |
| JPS62174941A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
1988
- 1988-10-06 JP JP63253514A patent/JPH02100340A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4873077A (ja) * | 1971-12-29 | 1973-10-02 | ||
| JPS52144276A (en) * | 1976-05-27 | 1977-12-01 | Sharp Corp | Semiconductor device |
| JPS6113635A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | Nec Corp | 集積回路の製造方法 |
| JPS62174941A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2000059050A1 (en) * | 1999-03-31 | 2000-10-05 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, semicondutor device, narrow pitch connector, electrostatic actuator, piezoelectric actuator, ink jet head, ink jet printer, micromachine, liquid crystal panel, and electronic device |
| US6573157B1 (en) | 1999-03-31 | 2003-06-03 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, narrow pitch connector, electrostatic actuator, piezoelectric actuator, ink jet head, ink jet printer, micromachine, liquid crystal panel, and electronic device |
| US6794746B2 (en) | 1999-03-31 | 2004-09-21 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, narrow-pitch connector, electrostatic actuator, piezoelectric actuator, ink jet head, ink jet printer, micromachine, liquid crystal panel, and electronic device |
| JP2001044141A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 半導体基板の切断方法 |
| JP4581158B2 (ja) * | 1999-07-30 | 2010-11-17 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体基板の切断方法 |
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