JPH01225333A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01225333A JPH01225333A JP63052127A JP5212788A JPH01225333A JP H01225333 A JPH01225333 A JP H01225333A JP 63052127 A JP63052127 A JP 63052127A JP 5212788 A JP5212788 A JP 5212788A JP H01225333 A JPH01225333 A JP H01225333A
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造方法に関し、特に半導体装置の
ダイシング工程に関する。
ダイシング工程に関する。
従来、この種の製造方法は、空気中でダイシングソーに
よる機械加工又はレーザ光の照射による熱加工によりウ
ェハーにｌｏｏμｍ〜２００μｍ程度の溝部を形成して
いた。
よる機械加工又はレーザ光の照射による熱加工によりウ
ェハーにｌｏｏμｍ〜２００μｍ程度の溝部を形成して
いた。
上述した従来のダイシングは、空気中においてグイシン
グツ−でウェハー上に１００〜２００μｍの溝を切削加
工により形成、もしくは空気中でレーザ光をウェハー上
に照射しウェハーを熱により溶解させると共に溶解部外
へ溶解したウェハーを飛散させる事により１００μｍ〜
１５０μｍの溝を形成していた。
グツ−でウェハー上に１００〜２００μｍの溝を切削加
工により形成、もしくは空気中でレーザ光をウェハー上
に照射しウェハーを熱により溶解させると共に溶解部外
へ溶解したウェハーを飛散させる事により１００μｍ〜
１５０μｍの溝を形成していた。
グイシングツ−による切削加工又は空気中でのレーザ光
による加工での溝形成では、溝形成部側壁は、シリコン
が露出、又は２０〜２００人の薄く絶縁性の低いシリコ
ン酸化膜又はシリコン窒化膜しか形成されない構造とな
っていた。次に従来例を図を用いて説明する。第３図は
一従来例の縦断面図である。アルミ配線２２上にポンデ
ィングされたワイヤー２１はボンディング後のワイヤー
の曲げやモールド時又は封止時の振動によりチップ端で
エッヂタッチ２０を起こす場合がある。
による加工での溝形成では、溝形成部側壁は、シリコン
が露出、又は２０〜２００人の薄く絶縁性の低いシリコ
ン酸化膜又はシリコン窒化膜しか形成されない構造とな
っていた。次に従来例を図を用いて説明する。第３図は
一従来例の縦断面図である。アルミ配線２２上にポンデ
ィングされたワイヤー２１はボンディング後のワイヤー
の曲げやモールド時又は封止時の振動によりチップ端で
エッヂタッチ２０を起こす場合がある。
エッヂタッチが発生した場合には、チップ端ではシリコ
ン基板に直接、もしくは絶縁性の低いシリコン酸化膜も
しくはシリコン窒化膜を通してワイヤーがショートを起
こしてしまい半導体装置を破壊もしくは半導体装置の動
作不良を起こしてしまうという欠点があった。
ン基板に直接、もしくは絶縁性の低いシリコン酸化膜も
しくはシリコン窒化膜を通してワイヤーがショートを起
こしてしまい半導体装置を破壊もしくは半導体装置の動
作不良を起こしてしまうという欠点があった。
上述した従来のダイシングに対し、本発明は、ダイシン
グと同時にチップ端に絶縁性の高い酸化膜を形成させて
エッヂタッチ発生時にチップ・ワイヤー間でのショート
を防止するという相違点を有する。
グと同時にチップ端に絶縁性の高い酸化膜を形成させて
エッヂタッチ発生時にチップ・ワイヤー間でのショート
を防止するという相違点を有する。
本発明のダイシング方法は、高濃度酸素中でレーザ光の
照射（Ｉ Ｋ Ｈｚの発振時に２〜３Ｗのレーザ光）に
よりウェハーを溶解させて１００μｍ〜１５０μｍの溝
部を形成すると共にウェノ・−が溶解し再び固形化する
時に周辺雰囲気中の酸素を取り込んで２〜４μｍ程度の
シリコン酸化膜を溝部側壁に形成させるという特徴を有
している。
照射（Ｉ Ｋ Ｈｚの発振時に２〜３Ｗのレーザ光）に
よりウェハーを溶解させて１００μｍ〜１５０μｍの溝
部を形成すると共にウェノ・−が溶解し再び固形化する
時に周辺雰囲気中の酸素を取り込んで２〜４μｍ程度の
シリコン酸化膜を溝部側壁に形成させるという特徴を有
している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。
溝１は８０％以上の酸素と２０％の不活性ガス（ヘリウ
ム等）の溝１は、高濃度酸素雰囲気中でレーザ光により
ウェハー上に加工したものである。
ム等）の溝１は、高濃度酸素雰囲気中でレーザ光により
ウェハー上に加工したものである。
シリコン酸化膜２は、溝１形成時に溶解したシリコンが
周りの雰囲気である高濃度酸素中の酸素を取り込みシリ
コン酸化膜として２〜４μｍの厚さに形成されたもので
ある。基板３はシリコンウェハー基板である。第２図は
本発明の実施例においてウェハーをチップへ切断した後
、ワイヤーポンディングを実施した場合のチップの縦断
面図である。シリコン酸化膜１０はダイシング時にレー
ザ光により形成されたものである。ワイヤー１１はチッ
プ上ポンディングパッドと外部端子を接続するワイヤー
であり第２図ではチップ側壁へ接触している所を示して
いる。
周りの雰囲気である高濃度酸素中の酸素を取り込みシリ
コン酸化膜として２〜４μｍの厚さに形成されたもので
ある。基板３はシリコンウェハー基板である。第２図は
本発明の実施例においてウェハーをチップへ切断した後
、ワイヤーポンディングを実施した場合のチップの縦断
面図である。シリコン酸化膜１０はダイシング時にレー
ザ光により形成されたものである。ワイヤー１１はチッ
プ上ポンディングパッドと外部端子を接続するワイヤー
であり第２図ではチップ側壁へ接触している所を示して
いる。
アルミ配線１２は半導体装置内の回路より延長されパッ
ド部を形成している。基板１３はウェハーより切断され
たチップのシリコン基板を示す。
ド部を形成している。基板１３はウェハーより切断され
たチップのシリコン基板を示す。
以上説明したように本発明は、ダイシング時にレーザ光
を高酸素濃度雰囲気中でウェノ１−に照射する事により
ウェハー上にチップ切断用の溝部を形成するとともにワ
イヤーポンディング時又はポンディング後のワイヤーの
たるみによるワイヤーとチップとの電気的な接触を防止
する為のシリコン酸化膜を同時に形成できるという効果
がある。
を高酸素濃度雰囲気中でウェノ１−に照射する事により
ウェハー上にチップ切断用の溝部を形成するとともにワ
イヤーポンディング時又はポンディング後のワイヤーの
たるみによるワイヤーとチップとの電気的な接触を防止
する為のシリコン酸化膜を同時に形成できるという効果
がある。
通常のレーザ光照射によるダイシングでは空気中で行う
為に空気中の元素、窒素、酸素と結合してしまい良好な
電気的絶縁膜が形成されずワイヤーポンディング時やモ
ールド封止時のワイヤーのたるみにより半導体装置がワ
イヤーとチップとの間のショートにより破壊されてしま
う。しかし本発明を使用した場合には、ワイヤーとチッ
プとの接触部へ絶縁物であるシリコン酸化膜を形成して
いるのでワイヤーとチップ間のショートを防止できる効
果がある。これにより組立工程に於けるワイヤー修正等
の煩雑な作業を省略できるばかりでなく、信頼性の高い
半導体装置を供給できるという利点もある。
為に空気中の元素、窒素、酸素と結合してしまい良好な
電気的絶縁膜が形成されずワイヤーポンディング時やモ
ールド封止時のワイヤーのたるみにより半導体装置がワ
イヤーとチップとの間のショートにより破壊されてしま
う。しかし本発明を使用した場合には、ワイヤーとチッ
プとの接触部へ絶縁物であるシリコン酸化膜を形成して
いるのでワイヤーとチップ間のショートを防止できる効
果がある。これにより組立工程に於けるワイヤー修正等
の煩雑な作業を省略できるばかりでなく、信頼性の高い
半導体装置を供給できるという利点もある。
第１図は、本発明のダイシング時の縦断面図、第２図は
、本発明を適用した場合のエッヂタッチ発生時のチップ
断面図、第３図は、従来のエッヂタッチ発生時のチップ
断面図である。 １・・・・・・溝形成部、２・・・・・・シリコン酸化
膜、３・・・・・・基板、ｌＯ・・・・・・シリコン酸
化膜、１１・・・・・・ワイヤー、１２・・・・・・ア
ルミ配線、１３・・・・・・基板、２０・・・・・・エ
ッヂタッチ、２１・・・・・・ワイヤー、２２・・・・
・・アルミ配線、２３・・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 音 箭 ３ ロ
、本発明を適用した場合のエッヂタッチ発生時のチップ
断面図、第３図は、従来のエッヂタッチ発生時のチップ
断面図である。 １・・・・・・溝形成部、２・・・・・・シリコン酸化
膜、３・・・・・・基板、ｌＯ・・・・・・シリコン酸
化膜、１１・・・・・・ワイヤー、１２・・・・・・ア
ルミ配線、１３・・・・・・基板、２０・・・・・・エ
ッヂタッチ、２１・・・・・・ワイヤー、２２・・・・
・・アルミ配線、２３・・・・・・基板。 代理人 弁理士 内 原 音 箭 ３ ロ
Claims (1)
- 半導体装置のダイシング工程において、ウェハーを酸
素雰囲気中でレーザ光によりダイシングを行いダイシン
グと同時にチップ周辺部に酸化膜を形成させる事を特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052127A JPH01225333A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63052127A JPH01225333A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01225333A true JPH01225333A (ja) | 1989-09-08 |
Family
ID=12906211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63052127A Pending JPH01225333A (ja) | 1988-03-04 | 1988-03-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01225333A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539174A (en) * | 1994-05-26 | 1996-07-23 | Lsi Logic Corporation | Clean laser cutting of metal lines on microelectronic circuit substrates using reactive gases |
| EP1014444A1 (de) * | 1999-05-14 | 2000-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierter Schaltkreis mit Schutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2006261514A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Nec Electronics Corp | 半導体チップおよびその製造方法 |
| JP2007150185A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | 周縁部処理方法及び半導体装置の製造方法 |
-
1988
- 1988-03-04 JP JP63052127A patent/JPH01225333A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5539174A (en) * | 1994-05-26 | 1996-07-23 | Lsi Logic Corporation | Clean laser cutting of metal lines on microelectronic circuit substrates using reactive gases |
| EP1014444A1 (de) * | 1999-05-14 | 2000-06-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Integrierter Schaltkreis mit Schutzschicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2006261514A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Nec Electronics Corp | 半導体チップおよびその製造方法 |
| JP2007150185A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Toshiba Corp | 周縁部処理方法及び半導体装置の製造方法 |
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